JPH0340899B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は回路の接続構造体に関する。 （従来の技術） 従来より集積回路類の配線基板への接続、表元
素子類と配線基板への接続、電気回路とリードと
の接続などのように接続端子が相対峙して細かい
ピツチで並んでいる場合の接続方法として、ハン
ダ付や導電性接着剤などの接続部材による方法が
広く用いられている。しかしながら、これらの方
法においては導電回路部のみに限定して接続部材
を形成しなければならないので、高密度、高精細
化の進む微細回路の接続に困難をきたしていた。 最近回路の接続材料について検討が加えられ、
例えば特開昭51−20941号公報、特開昭51−21192
号公報、特開昭51−135938公報、特開昭55−
104007号公報、特開昭56−122193号公報、特開昭
57−111366、特開昭58−111202号公報などによれ
ば、相対峙する回路間に金属粒子等の導電性粒子
と接着剤成分を含む異方導電性の接続部材層を設
け、加圧または加熱加圧手段を構じることによつ
て回路間の電気的接続と同時に隣接回路間に絶縁
性を付与し、相対峙する回路を接着固定すること
が提案されている。 しかしながらこれらの方法においては、回路間
の導通は主として複数個の導電材料、多くの場合
は金属粒子の接触によつて得られるものであり、
金属粒子が剛直であるため粒子／粒子間あるいは
粒子／回路間の接触面積が充分でなくさらに接着
剤成分と金属粒子の熱膨張係数の異ることから、
温度変化に対する抵抗値変化が大きく接続部の信
頼性に劣る欠点を有していた。 温度係数を小さくするには、接続部の接触抵抗
を少なくすることが有効であるが、例えば特開昭
60−140790号公報に見られるように、絶縁性接着
剤中に分散された熱溶融性金属粒子を回路間で溶
融して接続することで良好な接続を得ようとする
試みもある。しかしながらこのものは金属粒子が
熱溶融性である為に接続作業時の条件巾が狭いと
いう欠点を有していた。 すなわち融点以上では従来のハンダ付と同様に
金属粒子が溶融して流れ微小な隣接回路間にまた
がり絶縁性が保持されない、すなわちリークとい
う現象が生じるので細かなピツチの回路接続に対
応できず、また金属の融点以下においては粒子の
溶融が起らないために剛直な金属粒子が回路間に
存在するでけであり、前記したように接続部の抵
抗変化が雰囲気温度の変化に対して大きくなる。
いわゆる温度係数が大きいという欠点を有してい
た。 またこれらの異方導電性の接続材料の主要な適
用分野の一つであるデイスプレイ用の回路接続に
おいては、ガラス、プラスチツクなどの透明基板
上に酸化錫あるいは酸化インジウム、酸化チタン
などの酸化物やアルミニウム、クロムなどの薄膜
により導電性の回路を形成した透明導電膜が多用
されるが、これらの回路面に対してハンダに代表
される熱溶融性金属粒子は、その表面張力がきわ
めて大きいことから回路面に対する濡れ性がない
ことや、アルミニウム等の酸化面あるいは酸化物
回路とは合金化しないこと等から、回路面との濡
れ性が不十分でありやはり接続部の温度変化に対
する抵抗の変化率が大きいという欠点を有してい
た。 そのために液晶（LCD）やエレクトロルミネ
ツセンス（EL）プラズマ、あるいは蛍光表示管
などのデイスプレイ用途においては、高温下にお
ける表示不鮮明となつたり、表示が出来なくなる
等の実用上の問題点を有していた。 この改良方法としては、透明導電膜上にAuや
Niなどの薄層をメツキやスパツタリングなどで
形成し、回路の表面張力を上げることで対処して
きたが、この方法は工程の繁雑さと高度な処理技
術を必要とし、結果的に製品のコスト高を紹く等
の欠点を有していた。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなされた
ものであり、回路接続部の抵抗温度係数の少ない
微細回路の接続構造体を提供するものである。 （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は複数の導電パターンと相対峙
する回路とが接続部材により電気的に接続された
回路の接続構造体において、接続すべき回路相互
間に高分子重合体からなる核材のほゞ全表面が導
電性の金属薄層により実質的に被覆された導電性
粒子と、高剛性のスペーサ粒子および絶縁性接着
剤よりなる接続部材層を介在させるとともに、前
記核材は該回路面に押しつけられるように変形さ
せた状態で固定され、かつ相対峙する回路相互間
の厚みがスペース粒子径とほゞ等しいことを特長
とする回路の接続構造体に関する。 本発明にかかる構成材料について以下に詳しく
説明する。 まず導電性粒子については高分子重合体からな
る核材（以下高分子核材と称す）上のほぼ全表面
に金属薄層を有するものである。高分子核材の構
造としては完全な充実体、内部が気体からなる中
空体、内部に気泡部を有する発泡体、小粒子の集
りである凝集体などのいずれでも良く、これらを
単独あるいは複合して用いることが可能である。 高分子核材９の形状はほゞ球状が代表的である
がその形状については特に問わない。 その材質としては各種プラスチツク類またはゴ
ム類や天然高分子類があり、これらを主成分とし
て必要に応じて架橋剤、硬化剤等の添加剤を用い
ることができる。 これらの高分子類を例示すると、ポリエチレ
ン、ポロプロピレン、ポリスチレン、アクリロニ
トリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタアクリレート等の各種アクリ
レート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フツ
素樹脂、ポリフエニレンオキサド、ポリフエニレ
ンサルフアイド、ポリメチルペンテン、尿素樹
脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フエ
ノール−ホルマリン樹脂、キシレン樹脂、フラン
樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイソシアネート樹脂、フエノキシ樹脂、シリ
コーン樹脂などがあり、これらを適宜変性しても
よい。 またこれらは単体あるいは２種以上の複合物で
あつても良い。ここで熱硬化性の物にあつては、
接着剤成分との混合等に支障のない範囲であれば
その硬化度合は問わないものとする。 これらの高分子核材は、回路接続時の加圧ある
いは加熱加圧により軟化あるいは変形可能である
要件が必要である。 ここで接続時の加圧あるいは加熱加圧により軟
化あるいは変形を必要とする理由は、回路接続時
に導電性粒子同士あるいは導電性粒子と回路との
接触面積を増加するために必要であり、常温にお
いてのいわゆる感圧接着剤による感圧接続あるい
は400℃迄の加熱を併用した感熱接続によること
も可能である。400以上では回路基板に対して熱
損傷を与える恐れがあり、また常温貼付の場合に
は回路の実装上耐熱性が問題となる場合があるた
めに、好ましは高分子核材は100〜250℃で軟化あ
るいは変形可能であることがよい。 圧力は接続を要する回路部に悪影響を及ぼさぬ
ように、出来れば低圧が望ましく通は100Kg／cm²
以下（望ましくは50Kg／cm²以下）でおこなわれ
る。 被覆に用いられる金属としては導電性を有する
各種の金属、金属酸化物、合金等が用いられる。 金属元素の例としては、Zn，Al，Sb，Ｕ，
Cd，Ga，Ca，Au，Ag，Co，Sn，Se，Fe，
Cu，Th，Pb，Ni，Pd，Be，Mg，Mnなどがあ
り、これらを単独もしくは複合して用いることが
出来、さらに特殊な目的たとえば硬度や表面張力
改良などのために他の元素あるいは化合物なども
添加できる。 高分子核材の表面上に金属を形成する方法とし
ては、たとえば蒸着法、スパツタリング法、イオ
ンプレーテイング法、メツキ法、溶射法などの物
理化学的方法や、高分子核材の合成時に少量の金
属をモノマー中に分散させ、重合後のポリマー粒
子表面に金属粉を吸着させたり、官能基を有する
核材と金属を化学結合させたり、果面活性剤やカ
ツプリング剤などにより吸着させるなどの化学的
手法による等の方法が採用できる。 高分子核材のメツキ方法として、無電解メツキ
法による金属の形成法についての一般的な方法が
適用可能であるがたとえば、高分子核材を必要に
応じて表面粗や親水化処理を行ない塩化パラジウ
ムなどの触媒付与を行なう。 そのあと、無電解メツキ液中にて所定の温度と
時間をかけて必要により撹拌等による核材の凝集
防止はかなりながら処理すればよい。メツキ厚み
はメツキ液量や時間、温度などの制御により可能
である。 メツキ液としては、たとえばニツケルの場合に
は、ニツケル−リン系、ニツケル−ホウ素系など
でよく、還元剤としては次亜リン酸ナトリウム、
ほう素化水素ナトリウムなどが代表的であり、銅
メツキの場合には、ロツシエル塩浴とEDTA浴
が代表的であり還元剤にはホルムアルデヒド等が
用いられる。 さらにメツキ法により金属の複合層を形成する
場合を説明する。たとえば前記したニツケル層上
に金属を設ける場合について述べると、金属メツ
キ液はシアン化金系が一般的であり還元型置換型
いずれも適用できるが、置換型金めつき法が取扱
い易いことと、所望厚みからして本発明には好ま
しい。 ニツケルメツキ品を金めつき液中にて所定温度
で所定時間処理すれば高分子核材／Ni／Auの複
合層を有する導電性粒子を得ることができる。 金属被覆層の厚みは0.01〜5μm程度が望ましく
0.05〜1μmがさらに良好であるが、この厚みは回
路接続前の導電粒子の粒径の１／５〜１／1000に
入るようにすることが望ましい。ここで金属薄層
の厚みが薄いと導電性が低下し、厚みが増すと回
路接続時における高分子核材の軟化変形時におけ
る追随性が無くなるためである。また金属は薄層
であることから充分に変形に対して追随性を有す
るが、たとえば伸び性の良い展延性の材料である
ことが好ましい。 従来このような導電性粒子として、ガラス球
（ビーズ）あるいはガラス中空球（バルーン）に
Ag等の薄層を形成したものもあるが、これらは
加熱加圧時に軟化変形することが出来ない為に本
発明の実施には不適である。 上記により得られた導電性粒子は平均粒径が
0.5〜300μm、粒子径の最小径に対する最大径の
比が0.05〜1.0であるものが好ましい。粒子径が
0.5μm以下では多量の導電性粒子を必要とし、ま
た結果的に充填粒子数が多くなるので回路との接
着性が低下し、300μm以上になると粒子が大きい
ために同一基板の隣接回路間が導通されるように
なり（リーク）、好ましくない。 リークの発生を防止するためには、接続すべき
回路の間隙よりも粒径の小さい導電性粒子を選択
することが必要であり安全率を考瞭して最大粒径
が回路間間隙の１／２〜１／４の導電性粒子を用
いることが好ましい。 導電性粒子の形状は最小径に対する最大径の比
（以下粒径比）が0.05〜1.0が好ましい。この範囲
外では粒子が余りにも偏平状となり本発明の目的
とする回路間の導通性と隣接回路間の絶縁性を得
るには不向きであり、また回路との接着性も低下
する傾向が強くなる。 この範囲を満す例としては、ほぼ球であるもの
が代表的であるが上記条件を満たすものであれば
特に限定されない。また粒子表面に多少の突起物
や凹凸があつても良く、また単一粒子に限らず微
小粒子の凝集体からなる粒子であつても良い。 粒子径は全体的な平均粒径をとるものとし、粒
子の形状や粒子径の測定は、たとえば走査形電子
顕微鏡などによる方法が便利である。平均粒径Ｄ
は次式で求めるものとする。 Ｐ＝Σnd／Σn ここに、ｎはｄなる粒径の粒子の数を示す。 導電性粒子が球状であると、接続時の加熱加圧
により粒子相互あるいは粒子と回路面との接触を
得やすく高導電性を得やすい。 導電性粒子は接続部材の厚み方向に単層で存在
しても良いし、複個列あるいは凝集した構造であ
つても良い。 接着剤中に占める導電性粒子は0.1〜15体積％
が適当である。0.1体積％以下では満足する導電
性が得られず、15体積％以上では横（幅）方向に
おいて粒子が連結する機会が増し隣接回路との絶
縁性が低下し透明性も悪くなる。上記理由からよ
り好ましい添加量は0.5〜10体積％である。 本発明で用いられる接着剤としては、基本的に
は絶縁性を示す常の接着性シート類に用いられて
いる配合が適用可能である。通常の接着シート類
に用いられる配合は凝集力を付与するための合成
樹脂やゴム等からなるポリマー類と、その他必要
に応じて用いる粘着付与剤、粘着性調整剤、架橋
剤、老化防止剤、分散剤等からなつている。 本発明にかてる接続部材の製造方法としては、
ポリマおよびその他必要に応じて使用する添加剤
からなる接着剤組成物を溶剤するか懸濁状に媒体
中に分散しあるいは熱溶融させて液状とした後に
導電性粒子をボールミルや撹拌装置などの通常の
分散方法により混合し、導電性粒子混合接着剤組
成物を得る。 溶剤を用いる場合については、高分子核材上に
金属層の形成された導電性粒子は溶剤に対する溶
解性がほとんどないため溶剤を用いることも可能
であるが、接着剤を溶解し高分子核材を溶解しな
い溶剤を選択することがさらに好ましい。この手
段としては、たとえば接着剤をエマルシヨン化し
て水媒体中に導電性粒子を分散することもよい方
法である。 上記導電性粒子混合接着剤組成は、接続を要す
る一方あるいは双方の回路上にスクリーン印刷や
ロールコータ等の手段を用いて直接回路上に接着
剤層を形成しても良く、またフイルム状の連続長
尺体としてもよい。連長尺体としての接着剤フイ
ルムを得るには紙やプラスチツクフイルム等に必
要に応じて剥離処理を行なつたセパレータ上に前
記手段により接続部材層を形成後連続に巻重して
も良いし、接着層の粘着性が無い場合においては
セパレータを用いずに巻重することも可能であ
り、さらに接着剤の補強用として、たとえば不織
布等の芯材を用いることも可能である。 得られた接続部材を用いて回路を接続する方法
としては、たとえば回路にフイルム状接続部材を
仮貼付した状態でセパレータのある場合にはセパ
レータを剥離し、あるいは接着剤組成物を回路上
に塗布し必要に応じて溶剤除去後の状態で、その
面に他の接続すべき回路を熱プレスあるいは加熱
ロール等で貼付ければよい。 接続時の加熱加圧に際し、被覆金属は薄層であ
るために高分子核材の変形に充分追随可能であ
り、もし変形に追随できずに金属層にヒビ割れ等
の欠陥が生じても、回路あるいは、他の粒子との
接触により導電路は保持できる。 最適な接続状態を得るには、接続後の回路間隔
（ｔ）に対する接続前の接続部材の厚み（Ｔ）の
比を、ｔ／Ｔ＝0.02〜0.95の範囲内にすることが
好ましい。このとき接続前の粒径Ｄなる導電性粒
子が厚み方向に単粒子状で存在している場合にお
いては接続後の粒径をｄとしてｄ／Ｄの比をｔ／
Ｔと同様に用いることが出来る。ｔ／Ｔが0.02以
下では導電性粒子が破壊して金属薄片が脱落し易
なり、またこの比が0.95以上では回路あるいは導
電性粒子との充分な面接触が得られないことか
ら、満足すべき接続構造体とすることが出来ない
ので本発明の実施には好ましくない。 上記理由から、ｔ／Ｔのさらに好ましい範囲は
0.10〜0.90である。 この最適な接続状態を簡単に得る方法としては
接続操作時に回路間に所望厚みの剛性を有するス
ペーサを挿入したり、接続部材中にスペーサ粒子
を混入すれば、本発明に係る導電性粒子は任意に
変形可能であるため、所望厚みの高分子核材隔を
有する接続構造を簡単に得ることが出来る。 スペーサ粒子としては、導電性粒子よりも高剛
性であることが必要である。すなわち回路の接続
構造体の作製時の加圧あるいは加熱加圧によりス
ペーサ粒子は粒形の変化をほとんど示さないこと
が必要である。 またスペーサ粒子は導電性、あるいは絶縁性の
いずれでも良く両者を複合して用いることもでき
る。 スペーサ粒子ついての粒径、粒子形状、添加量
ついては特に制限されるものでないが、好ましく
は導電性粒子の場合に準じて平均粒径は0.5〜
300μm、粒子形状としての最小径に対する最大径
の比が0.05〜1.0、その添加量は0.1〜15積％が適
用できる。 導電性粒子とスペーサ粒子の添加量の比率につ
いても特に制限されるものではなく、接続構造体
の特性を考慮して決定すれば良い。 （作 用） 本発明にかかる回路の接続構造体においては、
導電性粒子が接続時の加圧あるいは加熱加圧によ
り、導電性粒子相互あるいは導電回路部と接触し
て導通路を形成する。 この時、高分子核材は加圧あるいは加熱加圧に
よる接続操作時に軟化あるいは変形可能であるた
めに回路面あるいは導電粒子相間で押付けるよう
に適度に変形し接触積を大く保つことが出来、良
好な導電性と信頼性を得るとができる。一方非回
路部における粒子には、回路間の粒子ほどには圧
力がかからない為変形することがなく従つて導電
性粒子の粒径や添加量を選択することと合わせて
隣接回路との絶縁性は充分に保たれる。 さらに高分子核材は軟化変形域を、その材料の
熱特性の選定あるいは組み合せにより、任意に設
定できるために、広い作業件下で接続構造体を得
ることが可能となる。 たとえば核材として一定融点を示さない非晶性
の高分子やゴム状領域の広架橋物を用いた場合に
は、特にその軟化流動域が広く、回路接続時の条
件（温度、圧力、時間）も広くとることが可能で
接続時の信頼性が著しく向し、合せて良好な接続
作業性も得ることが出来る。 また高分子核材は軟化変形の度合を、その接続
条件により任意に設定することが可能であり、接
続状態を管理することが可能となる。たとえば接
続部における導電性粒子の粒径が不一致の場合で
もその接続条件を管理することで、大きな導電性
粒子を小な導電性粒子の大きさかさらにそれ以上
に小さくなるまで圧着して接続することが可能で
あり、多くの導電性粒子が導通に有効に寄与する
ことが出来る。これに対して従来の金属粒子の場
合は、大きな金属粒子がスペーサ状に作用し、他
の小さな粒子は導通に寄与しないために導通点数
が減少し接続信頼性が低かつた。 接続状態を有効に管理するためには、導電性粒
子より高剛性のスペーサ粒子を併用して接続部材
中に添加することが好ましく、この場合には導電
性粒子は任意に変形可能であることから所望厚み
の接続構造体を得ることが可能となる。 上述したように本発明になる回路の接続構造体
は、その導電性粒子が回路面に沿つて押つけられ
るように適度に変形し、接触面積を大きく保つこ
とが出来るために、従来ハンダ付の不可能であつ
た、たとえば透明導電膜に対しても有効に接触面
積を保つことが出来る。また透明導電膜上にAu
やNiメツキなどの表面処理を特に必要としない。
また他の各種の回路面に対しても接続構造体を得
ることが出来る。 回路との接触面積を大きくとれるようになつた
ことおよび高分子核材は接着剤成分と膨張係数が
近似していることから接着剤の熱膨張により接続
回路の間隔が大きくなつても、導電性粒子の熱膨
張により接続回路間隔の広がりに追随できるため
粒子と回路との接触状態が良好に保たれるので、
接続部の温度に対する抵抗変化はきわめて小さい
ものとなる。 実施例 １〜３ (1) 接続部材の作製 スチレンブタジエンブロツク共重合体
（M12.6）100重部と軟化点130℃のロジン変性
フエノール樹脂40重量部およびトルエン200重
量部よりなる接着剤溶液中に、Niを被覆した
ポリスチレン粒子およびアトマイズｉ（平均粒
径10μm、ほぼ球状）を分散して得られた溶液
をバーコータによりスペーサ粒子（シリコン処
理ポリエステルフイルム）上に塗布し、110℃
−５分間の乾燥を行い、導電性粒子を２体積％
含有した厚み35μmの接続部材を得た。ここで
導電性粒子の平均粒径は30μmであり、Ni被覆
層の厚みは約0.5μmであつた。 (2) 回路の接続 ライン巾0.1mm、ピツチ0.2mm、厚み35μmの回
路を有する全回路巾100mmのフレキシブル回路
板（FPC）に、接着巾３mm、長さ100mmに切断
した接続部を載置して150℃−10Kg／cm²−５秒
の加熱加圧により仮貼付を行い接続部材付
FPCを得た。そのあとセパレータを剥離して、
他の同一ピツチを有する透明導電ガラス（酸化
インジウム回路、ガラス厚み１mm）と顕微鏡下
で回路の位置合わせを行い、170℃−20Kg／cm²
−10秒間の加熱加圧により回路を接続した。 (3) 評 価 回路接続部を恒温槽中に保持し、リード線を
通して−20℃および80℃における回路の接続抵
抗をマルチメータで測定し、合わせて隣接回路
間の絶縁性をチエツクした。絶縁性は10⁷Ω以
上を良好なものとした。抵抗の測定結は−20℃
における値を規準の1.0として80℃における抵
抗の変化率で表示した。 結果を第１表に示したが、抵抗の変化率は良
好であり、さらに実施例１−２，１−３におい
ては回路接続後の厚みはスペーサ粒子として用
いた導電性のNi粒子の粒子径である10μmに制
御された。高分子核材よりなる導電性粒子より
も小さな粒子径の導電性スペーサを用いたこと
により接続回路間のNiと混在して高分子核材
よりなる導電粒子が若干押しつぶされた状態で
回路間に存在し、好ましい接続状態を得ること
ができた。実施例１−１の130℃接続の場合に
回路間の厚みがスペーサ粒子径である10μmま
で達しない18μmであつたのは、高分子核材お
よび接着剤成分の流動性が不足しているため
で、さらに温度上昇などの手段よりスペーサ厚
みに制御可能である。なお第１表における厚み
の変化とは接続後の回路間隔（ｔ）に対する接
続前の接続部材の厚み（Ｔ）の変化の比（ｔ／
Ｔ）で表示した。 実施例 ２ 実施例１と同じであるが、スペーサ粒子として
アトマイズNiの代わりに絶縁性のシリカ粉（粒
径10μの球状）を加えた。第１表のように、この
場合も良好な抵抗変化率と接続回路間厚みの制御
が可能であつた。 絶縁性スペーサ粒子の添加は回路間のリーク防
止効果もあるとみられ、またシリカなどのいわゆ
る抵熱膨張材の添加は、マトリツクス（本例では
接着剤）全体の熱膨張率を低下させることは良く
知られた事実であり、本例でもそのような効果も
併せて発生しているものとみられる。 実施例 ３ 実施例２と同様であるが、導電性粒子として平
均粒径3μm（被覆層はNiで0.1μmの厚み）の粒子
を２体積％含有するようにして、厚み15μmのフ
イルム状接続部材を得た。この場合は導電性粒子
よりも大きなスペーサ粒子を用いたことに相当す
る。結果は第１表のように良好な抵抗の変化率を
示し、接続後の回路間厚みはスペーサ粒子の粒子
径に一致して得ることができた。また回路間にお
いては導電性粒子数個が凝集して連なつている様
子が接続部断面の電子顕微鏡により観察できた。 比較例 粒径20μm、融点170℃のハンダ粒子を熱可塑性
ポリエステル（分子量20000，Tg7℃）100重量部
とアルキルフエノール樹脂（軟化点100℃）20重
量部をメチルエチルケトン280重量部とからなる
溶液に混合たものを用いては上記実施例と同様に
してフイルム状接着部材としたものを用いた。結
果を第１表に示したが、実施例１〜３に較べて変
化率は約２倍と大きかつた。 また回路接続部を観察したところ、FPC側の
Cu回路面にはハンダが濡れており良好に接続で
きていたが、透明導電膜面にはハンダの濡れは生
じておらず点状に接触しているだけであつた。 したがつて熱膨張収縮の大きな接着剤層の変動
に対して、金属であるハンダ粒子の変動はわずか
であるためにハンダ粒子はガラス回路面と不安定
な接触となり、抵抗の変化率が大きかつたものと
推定される。 〔発明の効果〕 以上詳述したように本発明になる回路の接続構
造体は、導電性粒子として回路接続時の加圧ある
いは加熱加圧により軟化あるいは変形可能である
高分子核材の表面に導電性の金属薄層を有する導

【表】 電性粒子の作用により、回路面あるいはスペーサ
粒子相互間で押しつけるように適度に変形するた
め、接触面積を大きくとることが可能である。ま
た高分子核材はその剛性や熱膨張収縮特性が、接
着剤の性質に極めて近いことと合わせて、温度変
化対して接着剤が熱膨張収縮変形する時も、追随
して変形するため抵抗変化の少ない接続構造体と
することが出来る。さらに高分子核材の弾性によ
り導電性金属の薄層は回路面に押しつけられて存
在する構造のため、回路材質に対する選択性が無
い特長を有し、例えば従来表面処理の必要であつ
た透明導電膜に対して特別な表処理なしでも信性
に優れた有効な構造を得ることが可能となつた。 また、本発明になる接続構造体のおいては、導
電性粒子の核体が高分子であるため、その軟化あ
るいは変形域が広いために広い接続条件巾を有す
るので、ばらつきの少ない安定した接続構造体を
得ることが可能である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 相対峙して形成された接続用回路が電気的接
   続部材により相互に接続された回路の接続構造体
   において、接続部材が高分子重合体からなる核材
   のほぼ全表面を導電性の金属薄層により実質的に
   被覆された導電性粒子と高剛性のスペーサ粒子お
   よび絶縁性接着剤とからなり、前記導電性粒子は
   前記スペーサ粒子により隔てられた相対峙する回
   路により押圧変形した状態で固定してなることを
   特徴とする回路の接続構造体。 ２ 相対峙する回路の少なくとも一方が透明導電
   膜である特許請求の範囲第１項記載の回路の接続
   構造体。