JPH0340950B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0340950B2 JPH0340950B2 JP57227614A JP22761482A JPH0340950B2 JP H0340950 B2 JPH0340950 B2 JP H0340950B2 JP 57227614 A JP57227614 A JP 57227614A JP 22761482 A JP22761482 A JP 22761482A JP H0340950 B2 JPH0340950 B2 JP H0340950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- cap
- package
- glass
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は、ガラスで接着封止されるセラミツク
パツケージを用いる半導体装置に関し、特にパツ
ケージの改良構造に関する。
パツケージを用いる半導体装置に関し、特にパツ
ケージの改良構造に関する。
(2) 従来技術と問題点
上記のような半導体装置の従来例を第１図から
第３図に示してある。第１図および第２図は第３
図の矢印Ａ方向へ見たそれぞれパツケージ封止前
およびパツケージ封止後の縦断面図であり、第３
図は第１図の矢印Ｂ方向へ見た平面図である。
第３図に示してある。第１図および第２図は第３
図の矢印Ａ方向へ見たそれぞれパツケージ封止前
およびパツケージ封止後の縦断面図であり、第３
図は第１図の矢印Ｂ方向へ見た平面図である。
図中、符号１及び２はセラミツクパツケージの
ベース及びキヤツプを示し、符号３は半導体集積
回路（IC，LSI）のチツプを示し、符号４はリー
ド端子を示す。チツプ３はベース１のキヤビテイ
５内に取り付けられ、リード端子４はベース１と
キヤツプ２の間に挿入されてワイヤ６を介しチツ
プ３に接続される。ベース１およびキヤツプ２に
はそれぞれあらかじめガラス７を溶着し冷却固化
させてあり、リード端子４をはさむ如くキヤツプ
２をベースに重ね合わせ、ガラス７を加熱溶融し
再び冷却固化させると、ベース１とキヤツプ２は
リード端子４ともども接着封止される。
ベース及びキヤツプを示し、符号３は半導体集積
回路（IC，LSI）のチツプを示し、符号４はリー
ド端子を示す。チツプ３はベース１のキヤビテイ
５内に取り付けられ、リード端子４はベース１と
キヤツプ２の間に挿入されてワイヤ６を介しチツ
プ３に接続される。ベース１およびキヤツプ２に
はそれぞれあらかじめガラス７を溶着し冷却固化
させてあり、リード端子４をはさむ如くキヤツプ
２をベースに重ね合わせ、ガラス７を加熱溶融し
再び冷却固化させると、ベース１とキヤツプ２は
リード端子４ともども接着封止される。
しかるに従来の構造では、パツケージ封止の
際、ガラス７が溶融したときにリード端子４、
（中でも第３図で左右両端の長いリード端子）の
先端が第２図に示すように上下に変位しやすく、
従つてワイヤ６の断線やたるみが生じやすいとい
う欠点があつた。
際、ガラス７が溶融したときにリード端子４、
（中でも第３図で左右両端の長いリード端子）の
先端が第２図に示すように上下に変位しやすく、
従つてワイヤ６の断線やたるみが生じやすいとい
う欠点があつた。
(3) 発明の目的
本発明の目的は上記のような半導体装置におけ
る欠点を解消すること、具体的には接続ワイヤの
断線やたるみを防止するためのパツケージ改良構
造を提供することにある。
る欠点を解消すること、具体的には接続ワイヤの
断線やたるみを防止するためのパツケージ改良構
造を提供することにある。
(4) 発明の構成
本発明は、概略的には、前述のようなセラミツ
クパツケージを用いた半導体装置において、リー
ド端子のワイヤ接続部近傍を保持する突起部をパ
ツケージのベースおよびキヤツプに設けた構成と
したものである。
クパツケージを用いた半導体装置において、リー
ド端子のワイヤ接続部近傍を保持する突起部をパ
ツケージのベースおよびキヤツプに設けた構成と
したものである。
(5) 発明の実施例
以下、本発明の実施例につき図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明による半導体装置の一実施例を第４図か
ら第６図に示してある。この半導体装置の基本的
構造は第１図から第３図に示す従来例のものと同
じであり、同一部品は同一符号で示してある。
ら第６図に示してある。この半導体装置の基本的
構造は第１図から第３図に示す従来例のものと同
じであり、同一部品は同一符号で示してある。
本発明の特徴は、パツケージのベース１および
キヤツプ２にそれぞれ突起部１ａおよび２ａを形
成したことにある。突起部１ａは第６図に示すよ
うにキヤビデイ５の周囲に沿つて環状に形成さ
れ、一方、突起部２ａは第５図から明らかな如く
ワイヤ６を逃げるために突起部１ａよりも一回り
大きい環状形としてある。突起部１ａ，２ａの高
さは第４図から明らかなようにガラス７の厚さと
ほぼ同じ寸法（0.3〜0.5mm）としてある。
キヤツプ２にそれぞれ突起部１ａおよび２ａを形
成したことにある。突起部１ａは第６図に示すよ
うにキヤビデイ５の周囲に沿つて環状に形成さ
れ、一方、突起部２ａは第５図から明らかな如く
ワイヤ６を逃げるために突起部１ａよりも一回り
大きい環状形としてある。突起部１ａ，２ａの高
さは第４図から明らかなようにガラス７の厚さと
ほぼ同じ寸法（0.3〜0.5mm）としてある。
このような構成によれば、第５図に示すように
キヤツプ２をベースに重ねたときにリード端子４
のワイヤ接続部近傍が突起部１ａ，２ａ間にはさ
まれる。すなわちガラス７が溶融してもワイヤ接
続部近傍は上下変位しないように保持され、この
結果、ワイヤ６の断線やたるみが確実に防止され
ることになる。
キヤツプ２をベースに重ねたときにリード端子４
のワイヤ接続部近傍が突起部１ａ，２ａ間にはさ
まれる。すなわちガラス７が溶融してもワイヤ接
続部近傍は上下変位しないように保持され、この
結果、ワイヤ６の断線やたるみが確実に防止され
ることになる。
(6) 発明の効果
以上のように本発明によれば、前述の如きガラ
ス封止セラミツクパツケージを用いる半導体装置
におけるパツケージ封止時のリード端子接続ワイ
ヤの断線やたるみを確実に防止することができ、
従つて製品の歩留りが向上して、コスト低減が可
能となるなど、その効果は著大である。
ス封止セラミツクパツケージを用いる半導体装置
におけるパツケージ封止時のリード端子接続ワイ
ヤの断線やたるみを確実に防止することができ、
従つて製品の歩留りが向上して、コスト低減が可
能となるなど、その効果は著大である。
第１図から第３図は従来の半導体装置を示すも
ので第１図および第２図はそれぞれパツケージ封
止前およびパツケージ封止後の第３図矢印Ａ方向
へ見た縦断面図、第３図は第１図矢印Ｂ方向へ見
た平面図、第４図から第６図は本発明による半導
体装置をそれぞれ第１図から第３図と対応させて
示す図である。 １……ベース、１ａ……突起部、２……キヤツ
プ、２ａ……突起部、３……半導体集積回路チツ
プ、４……リード端子、５……キヤビデイ、６…
…ワイヤ、７……ガラス。
ので第１図および第２図はそれぞれパツケージ封
止前およびパツケージ封止後の第３図矢印Ａ方向
へ見た縦断面図、第３図は第１図矢印Ｂ方向へ見
た平面図、第４図から第６図は本発明による半導
体装置をそれぞれ第１図から第３図と対応させて
示す図である。 １……ベース、１ａ……突起部、２……キヤツ
プ、２ａ……突起部、３……半導体集積回路チツ
プ、４……リード端子、５……キヤビデイ、６…
…ワイヤ、７……ガラス。
Claims (1)
- １ セラミツクで作られたベースおよびキヤツプ
から成るパツケージ内に半導体集積回路のチツプ
を収容し、且つリード端子をベースとキヤツプ間
に挿入してワイヤを介しチツプに接続し、ベース
とキヤツプをリード端子ともどもガラスで接着封
止してなる半導体装置において、前記リード端子
のワイヤ接続部近傍を保持する突起部を前記ベー
スおよびキヤツプに設けたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227614A JPS59121858A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227614A JPS59121858A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121858A JPS59121858A (ja) | 1984-07-14 |
| JPH0340950B2 true JPH0340950B2 (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=16863691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227614A Granted JPS59121858A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121858A (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57227614A patent/JPS59121858A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59121858A (ja) | 1984-07-14 |
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