JPS6221250A - 樹脂封止半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6221250A JPS6221250A JP60160257A JP16025785A JPS6221250A JP S6221250 A JPS6221250 A JP S6221250A JP 60160257 A JP60160257 A JP 60160257A JP 16025785 A JP16025785 A JP 16025785A JP S6221250 A JPS6221250 A JP S6221250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- wire
- chip
- molded body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置、特にガラス蓋部を有する樹脂封止
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
線照射により半導体チップに記憶されたメモリ内容を消
去することができる半導体装置のパッケージにおいては
、パッケージの一部に透明窓を設ける必要があり、通常
そのパッケージ構造は第10図、第11図に示すように
窓部な有するセラミックパッケージ20を使用しガラス
板21を窓部にBめ合わせてガラス封止する構造を有す
る。上記EP−ROMパッケージの一例が(株)日立製
作所発行「昭和59年9月日立ICメモリデータブック
」の13ページに記載されている。なお、第10図、第
11図において、22はEP−ROM半導体チップ、2
3はリードである。
去することができる半導体装置のパッケージにおいては
、パッケージの一部に透明窓を設ける必要があり、通常
そのパッケージ構造は第10図、第11図に示すように
窓部な有するセラミックパッケージ20を使用しガラス
板21を窓部にBめ合わせてガラス封止する構造を有す
る。上記EP−ROMパッケージの一例が(株)日立製
作所発行「昭和59年9月日立ICメモリデータブック
」の13ページに記載されている。なお、第10図、第
11図において、22はEP−ROM半導体チップ、2
3はリードである。
上記窓つきセラミックパッケージは、耐湿性は極めて良
いものの高価であり、低コスト化の要求が強い。高価で
ある理由は、前記ガラス板22であるサファイヤガラス
自体が高価であること及びセラミックにガラス板22を
はめ込む作業工費が高価であることによる。
いものの高価であり、低コスト化の要求が強い。高価で
ある理由は、前記ガラス板22であるサファイヤガラス
自体が高価であること及びセラミックにガラス板22を
はめ込む作業工費が高価であることによる。
本発明者は、上記事実に鑑み本発明をなした。
本発明は上記した問題点を解決するためになされたもの
である。本発明の一つの目的は低価格で提供できるEP
−ROMパッケージを提供することにある。
である。本発明の一つの目的は低価格で提供できるEP
−ROMパッケージを提供することにある。
本発明の他の一つの目的は、EP−ROM用パッケージ
のプラスチック化を実現することである。
のプラスチック化を実現することである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は本明
細書の記述及び添付図面からあきらかになるであろう。
細書の記述及び添付図面からあきらかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、EP−ROM半導体チップをリードフレーム
上に接着し、上記チップ上側で開口しリードフレームを
包含するケース状の樹脂成形体を形成し、この樹脂成形
体の開口部に透明ガラス蓋部を溶着又は接着した樹脂封
止形のパッケージであって、在来のセラミックパッケー
ジに比して低価格のEP−ROMパッケージを提供する
ものである。
上に接着し、上記チップ上側で開口しリードフレームを
包含するケース状の樹脂成形体を形成し、この樹脂成形
体の開口部に透明ガラス蓋部を溶着又は接着した樹脂封
止形のパッケージであって、在来のセラミックパッケー
ジに比して低価格のEP−ROMパッケージを提供する
ものである。
第1図乃至第9図は本発明の一実施例を示し、樹脂封止
形EP−ROM半導体装置とその組立工程断面図(一部
平面図)により示すものである。
形EP−ROM半導体装置とその組立工程断面図(一部
平面図)により示すものである。
以下各工程にそって詳述する。
+11 リードフレーム上にEP−ROM半導体チッ
プを接続する。($1図) 丁なゎち、ウニ、−からX方向にスクライビングして分
割したSi半半導体チップ上リード2とタブ3からなる
リードフレームのタブ3上に高温でこすりつける(ヌク
ラブ)ことにより生成したAuSi共晶を介してチップ
ボンディングを行う。
プを接続する。($1図) 丁なゎち、ウニ、−からX方向にスクライビングして分
割したSi半半導体チップ上リード2とタブ3からなる
リードフレームのタブ3上に高温でこすりつける(ヌク
ラブ)ことにより生成したAuSi共晶を介してチップ
ボンディングを行う。
次いでチップ表面に露出するAJ3電極(パッド)とリ
ードフレームの各リード2との間をA2ワイヤ4により
ワイヤボンディングする。
ードフレームの各リード2との間をA2ワイヤ4により
ワイヤボンディングする。
(2) このあと、リードフレーム側を陽極としてA
lの陽極醸化を行なってAlワイヤ4表面にアルミナ(
A E t Os )の絶縁保護膜6を形成する。
lの陽極醸化を行なってAlワイヤ4表面にアルミナ(
A E t Os )の絶縁保護膜6を形成する。
第2図において、5はAl電極(ポンディングパッド)
、7はノ弓シベーシヲン膜たとえばSin。
、7はノ弓シベーシヲン膜たとえばSin。
膜である。
(3)リードフレーム(2,3)の下面に絶縁物の板8
、たとえばガラス板又は高融点合成樹脂板を接着する。
、たとえばガラス板又は高融点合成樹脂板を接着する。
(第3図)このときの絶縁物板8はワイヤボンディング
領域aよりも広い面積をもつものとする0リードフレー
ムへの絶縁物板8の接着は絶縁熱硬化性の接着剤たとえ
ばエポキシ樹脂を用い、加熱することにより安定接合さ
せる。
領域aよりも広い面積をもつものとする0リードフレー
ムへの絶縁物板8の接着は絶縁熱硬化性の接着剤たとえ
ばエポキシ樹脂を用い、加熱することにより安定接合さ
せる。
(4) 金型(上型9.下型10)内に上記リードフ
レームを装填しレジン(樹脂)11のモールドを行って
第1次樹脂成形体13を形成する。このとき使用する金
型の上型9はチップ1とワイヤボンディング領域aを囲
む筒状部12を有し、この筒状部12先端をリードフレ
ーム2上に押し当てて隙間なく接触させ、チップとワイ
ヤボンディング領域にはレジン11が入りこまないよう
にしてレジンを注入硬化させる。(第4図) (5)金型から取り出した第1次樹脂成形体(仮封正体
)13は第5図及び第6図(平面図)K示すように、チ
ップ1とワイヤボンディング領域aの上側が開口するケ
ース状のものとなる。樹脂成形後、外側に突出するり一
ド表面の人!酸化物は酸洗い等により取り除く。
レームを装填しレジン(樹脂)11のモールドを行って
第1次樹脂成形体13を形成する。このとき使用する金
型の上型9はチップ1とワイヤボンディング領域aを囲
む筒状部12を有し、この筒状部12先端をリードフレ
ーム2上に押し当てて隙間なく接触させ、チップとワイ
ヤボンディング領域にはレジン11が入りこまないよう
にしてレジンを注入硬化させる。(第4図) (5)金型から取り出した第1次樹脂成形体(仮封正体
)13は第5図及び第6図(平面図)K示すように、チ
ップ1とワイヤボンディング領域aの上側が開口するケ
ース状のものとなる。樹脂成形後、外側に突出するり一
ド表面の人!酸化物は酸洗い等により取り除く。
(6)上記樹脂成形体13の開口部に安価な透明ガラス
板】4又は透明樹脂板をはめこみ、溶着又は接着剤を用
いて接着封止する。(第7図)(7)再び金型内15.
16に第1次樹脂成形体13を入れレジン17でモール
ドを行って第2次樹脂成形体19を形成する。この場合
に使用する金型の上型】5は第8図に示すように上記透
明板14に対向する突出部18を有し、透明板面14に
隙間なく接触させてレジン17が透明板14に付着しな
いようにする。しかし、第2次樹脂成形体19は透明板
14と第1次樹脂成形体13との隣接する部分を充分に
埋めこんで覆うよ5に形成される。
板】4又は透明樹脂板をはめこみ、溶着又は接着剤を用
いて接着封止する。(第7図)(7)再び金型内15.
16に第1次樹脂成形体13を入れレジン17でモール
ドを行って第2次樹脂成形体19を形成する。この場合
に使用する金型の上型】5は第8図に示すように上記透
明板14に対向する突出部18を有し、透明板面14に
隙間なく接触させてレジン17が透明板14に付着しな
いようにする。しかし、第2次樹脂成形体19は透明板
14と第1次樹脂成形体13との隣接する部分を充分に
埋めこんで覆うよ5に形成される。
(8)第2次樹脂成形体19を金型から取出し、リード
フレームの突出部分でリード間を接続するダム部を切り
取ってリード間を電気的に分離する。
フレームの突出部分でリード間を接続するダム部を切り
取ってリード間を電気的に分離する。
第9図は完成した樹脂封止形EP−ROM半導体装置の
断面図を示す。
断面図を示す。
以上実施例で述べた本発明によれば下記のように効果が
得られる。
得られる。
(1)パッケージは2重の樹脂成形体により形成されて
いるため充分にパッケージの耐湿性を保持でき、高耐湿
性樹脂封止半導体装置が提供できる0f21 AAt
極電極及びAAワイヤ部分は’em性酸化K (Ait
Os )で覆われていることにより、水の進入があっ
てもAlx OsでAノワイヤが保護されるため、A!
ワイヤの耐湿性を向上できる。
いるため充分にパッケージの耐湿性を保持でき、高耐湿
性樹脂封止半導体装置が提供できる0f21 AAt
極電極及びAAワイヤ部分は’em性酸化K (Ait
Os )で覆われていることにより、水の進入があっ
てもAlx OsでAノワイヤが保護されるため、A!
ワイヤの耐湿性を向上できる。
(3)セラミックを使用することなく、樹脂封止でEP
−ROMパッケージを形成し、かつ安価なガラス板を使
用するため、材料費、製造コストが安価となるとともに
、その樹脂封止半導体装置は高耐湿性であり、安価でか
つ高信頼の樹脂半導体装置を提供できる。
−ROMパッケージを形成し、かつ安価なガラス板を使
用するため、材料費、製造コストが安価となるとともに
、その樹脂封止半導体装置は高耐湿性であり、安価でか
つ高信頼の樹脂半導体装置を提供できる。
以上発明者によってなされた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなくその主旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることは言うまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなくその主旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることは言うまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるEP−ROMパッケ
ージ技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。
をその背景となった利用分野であるEP−ROMパッケ
ージ技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。
本発明は少なくとも透明窓を有する半導体装置の樹脂封
止技術に適用できる。
止技術に適用できる。
第1図乃至第9図は本発明の一実施例を示すEP−RO
Mパッケージ製造プロセスにおける工程図であって、こ
のうち、第1図、第3図〜第5図、第7図〜第9図は断
面図、第2図は一部拡大断面図、第6図は第5図に対応
する平面図である。 @10図は従来のEFROMパッケージの形状を示す斜
面図、 第11図は第10図の縦断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・リード、3・・・タブ
、4・・・ワイヤ、5・・・Alx極、6・・・人!酸
化膜、7・・・バクシベイシコン膜、8・・・絶縁板、
9,10・・・金型、11・・・レジン、12・・・筒
状部、13・・・第1樹脂成形体、14・・・透明板、
15.16・・・金型、17・・・レジン、18・・・
突出部、19・・・第2樹脂成形体、20・・・セラミ
ックパッケージ、21・・・ガラ゛・1.!1.ノ′ 第 1 図 第 2 図 第 3 図 a、 第 4 図 第 5 図 α グ /3 第 6 図 第 7 図 /、)’ I17 第 8 図 第 9 図 第10図
Mパッケージ製造プロセスにおける工程図であって、こ
のうち、第1図、第3図〜第5図、第7図〜第9図は断
面図、第2図は一部拡大断面図、第6図は第5図に対応
する平面図である。 @10図は従来のEFROMパッケージの形状を示す斜
面図、 第11図は第10図の縦断面図である。 1・・・半導体チップ、2・・・リード、3・・・タブ
、4・・・ワイヤ、5・・・Alx極、6・・・人!酸
化膜、7・・・バクシベイシコン膜、8・・・絶縁板、
9,10・・・金型、11・・・レジン、12・・・筒
状部、13・・・第1樹脂成形体、14・・・透明板、
15.16・・・金型、17・・・レジン、18・・・
突出部、19・・・第2樹脂成形体、20・・・セラミ
ックパッケージ、21・・・ガラ゛・1.!1.ノ′ 第 1 図 第 2 図 第 3 図 a、 第 4 図 第 5 図 α グ /3 第 6 図 第 7 図 /、)’ I17 第 8 図 第 9 図 第10図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップと、リードフレームと、前記半導体チ
ップの電極とリードフレームとを電気的に接続するワイ
ヤとを具備し、前記半導体チップ周縁に位置するリード
フレームとワイヤとの接続部で形つくられる領域内が開
口し、リードフレーム裏面を包含する樹脂封止体と、上
記開口部上側で上記樹脂封止体と密封する透明蓋部とか
らなることを特徴とする樹脂封止半導体装置。 2、リードフレーム上に半導体チップを接続した後、前
記半導体チップの電極とリードフレームとをワイヤで接
続する工程、上記リードフレームとワイヤとの接続点で
囲まれ、内部に前記チップを含む領域上が開口するよう
に、かつ、前記リードフレーム裏面を含む第1の樹脂成
形体を形成する工程、上記チップ上側で樹脂成形体の開
口部に透明板を溶着又は接着して封止を行う工程、上記
透明板の上面を露出し、透明板と第1の樹脂成形体との
接合部を少なくとも覆うように第2の樹脂成形体を形成
する工程とからなる樹脂封止半導体装置の製造方法。 3、上記第1の樹脂成形体を形成する際にリードフレー
ムの下面に絶縁板を接合させた状態で行う特許請求の範
囲第2項に記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160257A JPS6221250A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160257A JPS6221250A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221250A true JPS6221250A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15711093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160257A Pending JPS6221250A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6221250A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4974052A (en) * | 1988-10-14 | 1990-11-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic packaged semiconductor device |
| US5106785A (en) * | 1989-01-16 | 1992-04-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for encapsulating electronic components or assemblies using a thermoplastic encapsulant |
| US6274927B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-08-14 | Amkor Technology, Inc. | Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60160257A patent/JPS6221250A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4974052A (en) * | 1988-10-14 | 1990-11-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic packaged semiconductor device |
| US5106785A (en) * | 1989-01-16 | 1992-04-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for encapsulating electronic components or assemblies using a thermoplastic encapsulant |
| US5376824A (en) * | 1989-01-16 | 1994-12-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and an encapsulation for encapsulating electrical or electronic components or assemblies |
| US6274927B1 (en) * | 1999-06-03 | 2001-08-14 | Amkor Technology, Inc. | Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making |
| US6420204B2 (en) | 1999-06-03 | 2002-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Method of making a plastic package for an optical integrated circuit device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6353257B1 (en) | Semiconductor package configuration based on lead frame having recessed and shouldered portions for flash prevention | |
| JPS62156842A (ja) | 紫外線による消去の可能なeprom型半導体装置とその製造方法 | |
| JPS598358Y2 (ja) | 半導体素子パツケ−ジ | |
| JPS6221250A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
| JPH05335474A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS5681957A (en) | Semiconductor package using thermoplastic resin and manufacture thereof | |
| JP3054929B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0382059A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03114247A (ja) | パッケージ型半導体装置 | |
| JPS5998540A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2762418B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6130057A (ja) | 半導体装置 | |
| KR920010849B1 (ko) | Eprom장치의 제조 방법 | |
| JPS60211962A (ja) | 半導体装置 | |
| KR940008328B1 (ko) | 필름 타입 반도체 패키지(F-PAC : Film-Type Package) 및 그 제조 방법 | |
| JPH0321090B2 (ja) | ||
| JPS6053060A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62120053A (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| JPS6136957A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路 | |
| JPH012329A (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JPS6333851A (ja) | Icパツケ−ジ | |
| JPS6352448A (ja) | 窓付樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01269598A (ja) | Icカード | |
| JPS61292945A (ja) | 半導体装置の製造方法 |