JPH0341433Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、同軸コネクタの取付構造に係り、特
に電子機器に取り付けられた同軸コネクタから妨
害電波が輻射されることを防止するための同軸コ
ネクタの取付構造に関する。

〔従来技術およびその問題点〕

測定機器等の電子機器において、ケーブル接続
用のコネクタが使用されている。特にインピーダ
ンス測定器等においては、BNCコネクタ（MIL
規格Ｃ−39012など参照）、３芯同軸コネクタ等の
同軸コネクタが多用されているが、前記測定器の
使用態様によつては（例えば、フローテイング測
定）、前記コネクタを直流的に浮かす必要がある。

従来、このような場合には、コネクタ本体とシ
ヤーシとの間に、絶縁特性・機械的強度に優れ
た、プラスチツク（比誘電率２ないし３程度）の
支持部材を挿入していた。ところが、この従来例
では、コネクタの外被（外部導体）の電位が不安
定となり、内部の雑音が該電位を変動させ、外部
に妨害電波を輻射するという欠点があつた。

そこで、従来、妨害電波の輻射を防止するため
に、コネクタ本体をプラスチツクでインピーダン
ス測定器本体のシヤーシから絶縁すると共に、コ
ネクタの外部導体とシヤーシとを、リードを有す
る通常のキヤパシタで接続していた。これによつ
て、コネクタを直流的に浮かし且つ交流的に接地
することが可能である。

しかしながら、前記キヤパシタを前記コネクタ
及びシヤーシに接続するためのワイヤは、インダ
クタンスを形成する（一般に１cmのワイヤは約
10nHのインダクタンスを有すると考えて良い）
ので、前記インダクタと前記キヤパシタが直列共
振回路を構成し、高周波域では無視できないイン
ピーダンスとなる。例えば、ワイヤを１cm、すな
わちインダクタンスを10nHとし、キヤパシタの
キヤパシタンスを1000pFとして計算すると、
50MHz以上の周波数域では、接地効果が無くなつ
てしまう。したがつて、EMC（Electromagnetic
Compatibility）対策で特に問題となる100MHz以
上の周波数域では、妨害電波の輻射を防止できな
いという欠点があつた。

〔考案が解決しようとする問題点〕

本考案は、上記した従来技術の欠点を除くため
になされたものであつて、その目的とするところ
は、同軸コネクタを電子機器のシヤーシ等へ取り
付ける場合において、インダクタンスを生じるこ
となくほぼ純粋なキヤパシタで交流的に接地する
ことにより、高周波域でも充分な接地効果を有す
る同軸コネクタの取付構造を提供し、これにより
EMC対策を行うことができるようにすることで
ある。また、他の目的は、市販されている通常の
同軸コネクタに適用できる取り付け構造を提供す
ることである。

〔問題点を解決するための手段〕

要するに本考案は、電子機器を構成する導電性
の構造材と、同軸コネクタと、前記構造材と前記
同軸コネクタとの間の機械的支持及び直流的絶縁
を行う誘電体からなる支持部材とを具備する同軸
コネクタの取付構造において、 前記支持部材は、 高誘電率の誘電体からなり、且つ 前記構造材に設けられた開口部の内端面と、
前記同軸コネクタの外部導体との間に挿入さ
れ、 前記構造材に対する前記同軸コネクタの半径
方向の機械的支持を与え、 前記外部導体を前記構造材に対して交流的に
接地するキヤパシタを形成するものであること
を特徴とするものである。

〔実施例〕

以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて説
明する。第１図は本考案の実施例を表す正面図、
第２図はその部分断面側面図である。

実施例に係る同軸コネクタの取付構造は、電子
機器の一例たるインピーダンス測定器（図示せ
ず）を構成する導電性の構造材の一例たる本体シ
ヤーシ１と、支持部材２と、同軸コネクタ３を具
備している。

シヤーシ１は、接地電位となつており、コネク
タ３を取りつけるべき、円形の開口部１１が設け
られている。

支持部材２は、高誘電率（高比誘電率）の誘電
体からなり、具体的には、セラミツク・キヤパシ
タの誘電体材料として最も一般的に知られている
チタン酸バリウム（BaTiO₃）、若しくは、チタ
ン酸バリウムを含む物質（比誘電率数千）で形成
されている。比誘電率は、温度及び周波数により
変化するものであるが、本明細書中で使用してい
る比誘電率の値は、一般に市販されている辞典、
ハンドブツク、材料カタログなどの諸元表におい
て慣用的に用いられている条件において測定され
た値であると考えてよい。

支持部材２の形状は、環状となつており、より
具体的には、肉厚の異なる複数の中空の円筒形状
２１及び２２を一体的に接合したような形状とな
つている。なお、実施例をわかりやすく大きく図
示しているので、支持部材各部の寸法の比率は、
実際と異なつている場合もあり得る。

同軸コネクタ３は、雌型のBNCコネクタ（接
せん座）であり、外部のケーブルとの接続は雄型
のBNCコネクタ（図示せず）を介して行われる。
コネクタ３は、芯線（内部導体）５、絶縁体６、
外被（外部導体）４から成つており、内部導体５
及び外部導体４は各々同軸ケーブル７の内部導
体、外部導体を介して、インピーダンス測定器内
部の所定位置に接続されている。外部導体４に
は、フランジ５１が設けられている。

同軸コネクタ３は、第２図に示すように、同軸
コネクタ３の中心軸が開口部１１を通るような位
置にあり、且つ、開口部１１を貫通している。同
軸コネクタ３は、ねじ山４２を有しており、ナツ
ト８によつて締結されている。ナツト８は、導電
体であると直流的にも外部導体４及びシヤーシ１
が導通してしまうので、絶縁体（誘電体）である
必要がある。但し、シヤーシ１との間に適当な絶
縁部材を挿入すれば、導体製、例えば金属のナツ
トを使用することもできる。図示のように、締結
状態においては、支持部材２の外周面２１ａが、
開口部の内端面１１ａに接触し、支持部材２の内
面２ａが外部導体４の円筒状部分の外側面４ａに
接触する。これにより、同軸コネクタ３の、図面
における上下方向の機械的支持が得られると共
に、外部導体４の円筒状部分と支持部材２との間
にキヤパシタが形成される。さらに、支持部材２
の図面右側の端面２２ａは外部導体４のフランジ
４１に接触し、図面左側の端面２２ｂはシヤーシ
１の開口部１１の周囲の平面に接触し、図面左右
方向の機械的支持がなされると共に、外部導体４
のフランジ４１とシヤーシ１との間にキヤパシタ
が形成される。もちろん、両キヤパシタの境界が
厳密に定められるものではないことは言うまでも
ない。

本考案の実施例は、上記のように構成されてお
り、形成されるキヤパシタがワイヤを使用してい
ないためインダクタが形成されないので、従来例
のような共振回路が形成されない。さらに、実施
例で形成されるキヤパシタは円筒形状なので、誘
電体中の電流は放射状に流れるので磁束が発生せ
ず、したがつて、コネクタ３を、ほぼ純粋と考え
ることができるキヤパシタのみによつて交流的に
接地できるので、100MHz以上の高周波域におい
ても、インダクタンスの影響によるインピーダン
スの増加はおこらず、接地効果を有効なものとす
ることができる。

なお、上記実施例においては、支持部材２の誘
電体はチタン酸バリウムであるものとして説明し
たが、実用上、比誘電率が常温で100以上の、高
誘電率の誘電体であれば、本考案の目的を達成で
きる。もちろん、ここで記載した比誘電率100と
いう数字は、精確な境界条件を示すものではな
く、100前後である場合も考えられる。要するに、
本考案を適用する電子機器の使用条件、特に周波
数に対して、充分な接地効果を得ることができれ
ば良い。

また、上記実施例において電子機器はインピー
ダンス測定器であるものとして説明したが、これ
に限定されないことは言うまでもない。また、導
電性の構造材はシヤーシ１として説明したが、
「シヤーシ」という名称に拘泥する必要はなく、
ケース、パネル、等種々のものが考えられ、また
必ずしも本体シヤーシに限らず、その他の種々の
隔壁であればよいことは言うまでもない。

また、上記実施例において同軸コネクタ３は、
開口部１１を貫通するものとして説明したが、こ
れに限定されるものではない。

なお、上記実施例においては、支持部材２と、
外部導体４及びシヤーシ１とは、直接接触するも
のとして説明した。しかし、外部導体４と支持部
材２との間、または、支持部材２とシヤーシ１と
の間に、別の導電体を介在させても、上記実施例
と同様に作用することは言うまでもない。したが
つて、そのような介在物を含む実施物も、上記し
た実用新案登録請求の範囲に含まれるものであ
る。この場合、実用新案登録請求の範囲の解釈に
おいて、別の導電体は、外部導体４もしくはシヤ
ーシ１の一部であると考えればよい。

〔効果〕

本考案は、上記のように構成され、作用するも
のであるから、従来例のように交流的接地手段に
インダクタが形成されないので、高周波域におい
ても良好に、同軸コネクタを交流的に接地でき、
妨害電波の輻射を防止することができるという効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例の正面図、第２図は本
考案の実施例の部分断面側面図である。 １：導電性の構造部材の一例たるシヤーシ、
２：支持部材、３：同軸コネクタ、１１：開口
部、４：外部導体。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 電子機器を構成する導電性の構造材と、同軸
   コネクタと、前記構造材と前記同軸コネクタと
   の間の機械的支持及び直流的絶縁を行う誘電体
   からなる支持部材とを具備する同軸コネクタの
   取付構造において、 前記支持部材２は、高誘電率の誘電体からな
   り、且つ前記構造材１に設けられた開口部１１
   の内端面１１ａと、前記同軸コネクタの外部導
   体４との間に挿入され、前記構造材に対する前
   記同軸コネクタの半径方向の機械的支持を与
   え、前記外部導体を前記構造材に対して交流的
   に接地するキヤパシタを形成するものであるこ
   とを特徴とする同軸コネクタの取付構造。 ２ 前記高誘電率の誘電体は、チタン酸バリウム
   であることを特徴とする実用新案登録請求の範
   囲第１項に記載の同軸コネクタの取付構造。 ３ 前記高誘電率の誘電体は、チタン酸バリウム
   を含む物質であることを特徴とする実用新案登
   録請求の範囲第１項に記載の同軸コネクタの取
   付構造。 ４ 前記開口部は円形であることを特徴とする実
   用新案登録請求の範囲第１項又は第２項又は第
   ３項に記載の同軸コネクタの取付構造。 ５ 前記支持部材は環状であることを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項又は
   第３項又は第４項に記載の同軸コネクタの取付
   構造。 ６ 前記支持部材は、中空の円筒形状であること
   を特徴とする実用新案登録請求の範囲第５項に
   記載の同軸コネクタの取付構造。 ７ 前記支持部材は、肉厚の異なる複数の円筒形
   状を一体的に接合したような形状となつている
   ものであることを特徴とする実用新案登録請求
   の範囲第６項に記載の同軸コネクタの取付構
   造。 ８ 前記同軸コネクタの前記外部導体は、フラン
   ジを具備するものであることを特徴とする実用
   新案登録請求の範囲第１項又は第２項又は第３
   項又は第４項又は第５項又は第６項又は第７項
   に記載の同軸コネクタの取付構造。 ９ 前記キヤパシタは、前記外部導体の円筒状部
   分の外側面と、前記円筒形状の支持部材の内面
   との間で形成されるものであることを特徴とす
   る実用新案登録請求の範囲第４項又は第５項又
   は第６項又は第７項又は第８項に記載の同軸コ
   ネクタの取付構造。 10 前記キヤパシタは、前記外部導体の前記フラ
   ンジと前記構造材の前記平面との間で形成され
   るものであることを特徴とする実用新案登録請
   求の範囲第８項に記載の同軸コネクタの取付構
   造。 11 前記同軸コネクタは、前記構造材を貫通して
   いるものであることを特徴とする実用新案登録
   請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第
   ４項又は第５項又は第６項又は第７項又は第８
   項又は第９項又は第10項に記載の同軸コネクタ
   の取付構造。 12 前記構造材は、電子機器の本体シヤーシであ
   ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
   １項又は第２項又は第３項又は第４項又は第５
   項又は第６項又は第７項又は第８項又は第９項
   又は第10項又は第11項に記載の同軸コネクタの
   取付構造。 13 前記電子機器は、測定器であることを特徴と
   する実用新案登録請求の範囲第12項に記載の同
   軸コネクタの取付構造。 14 前記測定器は、インピーダンス測定器である
   ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第13
   項に記載の同軸コネクタの取付構造。