JPH0341545B2 - - Google Patents
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- JPH0341545B2 JPH0341545B2 JP12877986A JP12877986A JPH0341545B2 JP H0341545 B2 JPH0341545 B2 JP H0341545B2 JP 12877986 A JP12877986 A JP 12877986A JP 12877986 A JP12877986 A JP 12877986A JP H0341545 B2 JPH0341545 B2 JP H0341545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- plane
- crystal
- soft ferrite
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 229910001035 Soft ferrite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ソフトフエライトからなるスパツ
タリング用ターゲツトの改良に係り、（100）結晶
面からなる単結晶ソフトフエライトより構成して
スパツタリング時の被膜形成速度を大幅に向上さ
せたスパツタリング用ターゲツトに関する。
タリング用ターゲツトの改良に係り、（100）結晶
面からなる単結晶ソフトフエライトより構成して
スパツタリング時の被膜形成速度を大幅に向上さ
せたスパツタリング用ターゲツトに関する。
従来の技術
現在、半導体分野におけるIC製造工程及び薄
膜磁気ヘツド、薄膜磁気デイスクなどの製造工程
において、めつき法や蒸着法に代えて、スパツタ
リングによる薄膜形成が実用化されかつ主流とな
りつつあり、薄膜を必要とする他の最先端技術分
野にても益々その適用が拡大している。
膜磁気ヘツド、薄膜磁気デイスクなどの製造工程
において、めつき法や蒸着法に代えて、スパツタ
リングによる薄膜形成が実用化されかつ主流とな
りつつあり、薄膜を必要とする他の最先端技術分
野にても益々その適用が拡大している。
発明が解決しようとする課題
一般に、薄膜形成用のスパツタリング装置は、
その適用分野に応じて、各々特徴並びに諸性能を
保持するよう構成されるが、各分野に共通の問題
点として、生産性向上のために、いかに薄膜形成
速度を向上させるかが大きな問題となつている。
その適用分野に応じて、各々特徴並びに諸性能を
保持するよう構成されるが、各分野に共通の問題
点として、生産性向上のために、いかに薄膜形成
速度を向上させるかが大きな問題となつている。
従来、スパツタリング速度における薄膜形成速
度を向上させる方法として、電源パワーの大型
化、あるいは比較的複雑な構造となるがマグネト
ロン方式の装置にするほか、ターゲツト自体の改
良として、組成の変更や冷却性能向上、ギヤツプ
タイプ等に形状を変更するなどの方法が提案され
ているが、装置構造を複雑化あるいは電力消費量
を増大させるなどの新たな問題を生じていた。
度を向上させる方法として、電源パワーの大型
化、あるいは比較的複雑な構造となるがマグネト
ロン方式の装置にするほか、ターゲツト自体の改
良として、組成の変更や冷却性能向上、ギヤツプ
タイプ等に形状を変更するなどの方法が提案され
ているが、装置構造を複雑化あるいは電力消費量
を増大させるなどの新たな問題を生じていた。
この発明は、かかる問題点に鑑み、装置及びタ
ーゲツト構造を複雑化あるいは電力消費量を増大
させることなく、膜形成速度を大きく向上させる
ことができるスパツタリング用ターゲツトの提供
を目的としている。
ーゲツト構造を複雑化あるいは電力消費量を増大
させることなく、膜形成速度を大きく向上させる
ことができるスパツタリング用ターゲツトの提供
を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
ターゲツト表面の全てが（100）結晶面からな
る単結晶ソフトフエライトより構成されたことを
特徴とするスパツタリング用ターゲツトである。
る単結晶ソフトフエライトより構成されたことを
特徴とするスパツタリング用ターゲツトである。
作 用
従来、磁気ヘツド用のターゲツトに、無配向の
多結晶ソフトフエライト材が使用されているが、
スパツタリングの際、ターゲツト表面に結晶段差
が生じることから、ソフトフエライト材の各結晶
面でスパツタリング速度が異なることに着目し、
スパツタリング生産性向上を目的に種々検討した
結果、（100）結晶面が100％を占める面をターゲ
ツト面とすると、スパツタリング速度が著しく向
上することを知見し、この発明を完成したもので
ある。
多結晶ソフトフエライト材が使用されているが、
スパツタリングの際、ターゲツト表面に結晶段差
が生じることから、ソフトフエライト材の各結晶
面でスパツタリング速度が異なることに着目し、
スパツタリング生産性向上を目的に種々検討した
結果、（100）結晶面が100％を占める面をターゲ
ツト面とすると、スパツタリング速度が著しく向
上することを知見し、この発明を完成したもので
ある。
この発明によるソフトフエライトからなるター
ゲツト材には、所謂引き上げ法にて作製された配
向度が100％の単結晶ソフトフエライトを用いる。
ゲツト材には、所謂引き上げ法にて作製された配
向度が100％の単結晶ソフトフエライトを用いる。
この発明によるターゲツトは、現在実用化され
ている、各種のスパツタリング装置に適用でき、
かつ従来ターゲツトと同一条件にて、スパツタリ
ング被膜形成速度が大幅に向上し、生産性及び経
済性向上に大きく寄与する。
ている、各種のスパツタリング装置に適用でき、
かつ従来ターゲツトと同一条件にて、スパツタリ
ング被膜形成速度が大幅に向上し、生産性及び経
済性向上に大きく寄与する。
実施例
ターゲツトとして、ターゲツト面が、それぞれ
（100）面、（110）面、（211）面、（111）面を有す
る４種の外径76mm×厚み４mm寸法からなるMn−
Zn単結晶フエライト板を用い、高周波スパツタ
リング装置にて、投入パワー100W、スパッタAr
圧力２×10-2Torrの条件で、スパツタリングを
行なつた際のターゲツト浸食速度を測定した。な
お、スパツタリング時の各ターゲツトの結晶面に
おけるエロージヨンは、板厚み方向に均一であつ
た。
（100）面、（110）面、（211）面、（111）面を有す
る４種の外径76mm×厚み４mm寸法からなるMn−
Zn単結晶フエライト板を用い、高周波スパツタ
リング装置にて、投入パワー100W、スパッタAr
圧力２×10-2Torrの条件で、スパツタリングを
行なつた際のターゲツト浸食速度を測定した。な
お、スパツタリング時の各ターゲツトの結晶面に
おけるエロージヨンは、板厚み方向に均一であつ
た。
第１図に示す測定結果から明らかなように、
ターゲツト面に（100）面を有するこの発明の
ターゲツトの場合、（110）面、（211）面、（111）
面を有する比較ターゲツトに比べ、ターゲツト浸
食速度が20％以上速いことが分る。
ターゲツトの場合、（110）面、（211）面、（111）
面を有する比較ターゲツトに比べ、ターゲツト浸
食速度が20％以上速いことが分る。
発明の効果
この発明によるターゲツトは、ターゲツト表面
の全てを（100）結晶面からなる単結晶ソフトフ
エライトより構成したことにより、従来のターゲ
ツトに対して、スパツタリング速度が著しく向上
する利点がある。
の全てを（100）結晶面からなる単結晶ソフトフ
エライトより構成したことにより、従来のターゲ
ツトに対して、スパツタリング速度が著しく向上
する利点がある。
第１図は結晶面とスパツタリング時のターゲツ
ト浸食速度との関係を示すグラフである。
ト浸食速度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ ターゲツト表面の全てが（100）結晶面から
なる単結晶ソフトフエライトより構成されたこと
を特徴とするスパツタリング用ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877986A JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877986A JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284069A JPS62284069A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0341545B2 true JPH0341545B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=14993254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12877986A Granted JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284069A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0480409B1 (en) * | 1990-10-09 | 1994-07-13 | Nec Corporation | Method of fabricating a Ti/TiN/Al contact, with a reactive sputtering step |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12877986A patent/JPS62284069A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62284069A (ja) | 1987-12-09 |
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