JPH0341609A - 薄膜磁気変換器及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、トラック幅が非常に狭く、ギャップ長が非
常に短く、全体的に小さく、高周波数高面積密度の記録
再生に適した薄膜磁気変換器に関する。

［従来の技術ゴ 最近の磁気記録再生技術は、媒体に記録された情報信号
の周波数及び記録された信号の面積密度を増加させる傾
向にある。この傾向は、磁気変換器のトラック幅、変換
ギャップの長さ、磁気変換器全体の大きさを減少させる
ための努力に連なっている。広く知られているように、
トラック幅を減少させると、媒体表面の単位面積当たり
のトラック密度が増大し、ギャップ長を減少させると、
周波数の上限が上昇して記録信号のビット密度が上昇す
る。更に、磁気変換器が全体的に小形化されると、ヘッ
ドのインダクタンスが減少する。従来のフェライトヘッ
ドは砕は易いので、製造中、取扱い中、又は動作中にフ
ェライト材料が欠けたり割れたりする可能性が高いので
、トラック幅を非常に狭くしたり磁気コアの層を薄くし
たりすることはできない。

材料堆積写真平版技術により形成される従来の薄浪誘導
ヘッドは、磁極材料の再堆積層により挟まれた非磁気変
換ギャップ材料の層を有している。

非磁性層の厚さはギャップ長を規定している。公知の薄
膜変換器製造法では、第１の磁極形成層が基板に堆積さ
れる。次に、非磁気変換ギャップ材料が第１の磁気層に
堆積される。その後、第２の磁気層が堆積されて第２の
磁極が形成される。材料の堆積中に公知のマスキング技
術を用いることによって所望のトラック幅が得られる。

トラック幅はマスクの幅又は堆積後のエツチングにより
決まる。このような従来の薄膜変換器ではトラック幅を
狭くすると、磁極の先端で領域形状がずれるので、ヘッ
ドの効率が悪化することが知られている。特に、磁極の
先端形成層が異なる材料堆積工程中に堆積されて、僅か
に状態が変化すると、領域の配向がずれて磁極の先端の
磁気特性が不均一になる。また、トラック幅の精度はマ
スク自体及び使用するマスキング技術の解像度により決
まる。

更に、小型で許容誤差の小さい変換器の製造に写真平版
技術を用いると、産出量が少なくなることが知られてい
る。

［発明が解決しようとする課題］ この発明の課題は、トラック幅が非常に狭く、ギャップ
長が短く、全体的に小形化され、高周波数高面積密度の
記録再生に適した薄膜磁気変換器を提供することである
。また、公知の薄膜変換器に比べて変換器のパラメータ
ー及び許容誤差の改善された非常に簡単な変換器の製造
法を提供することをも課題とする。

この発明の薄膜変換器は、高導磁性の軟性磁気材料であ
ることが好ましく、所定の長さ及び深さを有する変換ギ
ャップにより分離されて２個の共面対向磁極を形成する
磁気コア材料の層を有している。磁気材料層の厚さは変
換器のトラック幅を限定している。変換器は分離された
磁気層に重ね合わされて変換ギャップを埋める非磁気材
料の層を有している。

この発明の方法によれば、高導磁性を有する軟性磁気材
料であることが好ましい磁気材料層が非磁気基板に堆積
される。磁気材料層の厚さにより変換器のトラック幅が
決まる。磁気材料層は集束イオンビームの照射を受けて
照射された部分が除去され、変換ギャップが形成される
。このようにして形成された変換ギャップは、所定の深
さ及び長さを有している。この変換ギャップにより磁気
層は変換ギャップの両側に延びる２個の共面対向磁極に
分離される。その後、分離された磁気材料層に非磁気材
料の層が堆積されて、変換ギャップが埋められる。実施
例の説明から°明らかなように、この発明により薄膜変
換器の製造法が簡略化される。

トラック幅が０．２５ミクロン以下と狭く、数十オング
ストローム以内という正確さを有する新規な磁気変換器
が提供される。集束イオンビーム平削り技術を用いるこ
とにより、変換ギャップを正確に形成することができる
。また、形成可能な最小ギャップ長は集束イオンビーム
の最小直径のみにより決まる。更に、変換器コアを全体
的に小形化することができるので、インダクタンスを最
小にすることができる。以上の特徴から、この発明の変
換器は、高鮮明テレビ信号記録再生、又は他の高帯域幅
信号記録再生動作などのように１００ＭＨｚ以上の高周
波数高密度の用途に適していることが明らかである。

集束イオンビーム平削り技術に関しては、変換ギャップ
平削り工程中に磁気コアにマスクをせずに正確にビーム
を焦点に合わせすることができる。

また、イオンビームの向きを変えるだけで、磁気層の所
望の位置又は所望の角度で１個以上のギャップを平削り
できるという利点がある。この発明の方法によれば、変
換ギャップは磁気コア層の面に対して直角又は所望の斜
角に形成される。従来の変換器ではギャップの位置又は
角度を変更する必要がある場合には、変換器の構造全体
を再設計しなければならない。

集束イオンビーム（Ｆ　Ｉ　Ｂ）平削り技術を用いた商
業的に入手可能なイオンガンは、極薄い膜を平削りする
ことができ、その一方で、非常に鋭く、良く規定された
垂直壁を形成し、切断部はミクロン及びサブミクロンの
寸法で正確な形状が得られ、しかもアスペクト比が高い
。集束イオンビームは液晶イオン源からガリウムイオン
を抽出する公知の方法により得られる。ガリウムイオン
は他のイオン形成材料のイオンに比べて比較的小さいの
で、集束させると非常に小さい径のビームになる。イオ
ンビームはレンズ素子により集束されて、例えば、径が
０．２ミクロンの小さな点になる。ビームは静電光ディ
フレクタ−をコンピュータ制御することにより正確に位
置付けることができる。

この発明に基づく変換器は単一の基板上に同時に複数個
まとめて一括形成され、その後さいの目状に切断されて
個々の変換器が形成される。このような−括製造技術、
が用いられるので、総べての変換器用の磁気コア材料は
同一工程で堆積され、変換ギャップは同一ビームで形成
され、変換器は共通の基板に取り付けられるという利点
がある。

この結果、総べての変換器が均一になり、ギャップ形状
も均一になる。

ある実施例では、同一の薄膜超極細トラック変換器を複
数個重ねて、多重磁気変換アセンブリを構成している。

隣接変換器は非磁気スペーサ及び磁気シールドにより相
互に分離されて混線が減少している。

この発明の別の実施例では、回転走査記録再生装置に用
いられるディスク状の基板の周辺に、トラック幅が非常
に狭く、ギャップ長の短い変換器を直に堆積させて複数
個を同時に一括形成している。変換器は所定の間隔を置
いて相互に離隔して配置され、所望の記録フォーマット
が形成される。

これらの変換器は、この発明の教示に従って、共通の基
板上で同時に一括して製造することが好ましい。

このようにして製造されたスキャナーは、変換器と変換
器との間の角距離が均一で、磁気電気特性も均一である
。また、総べての変換器の非常に正確な機械的公差が得
られる。同時に、例えば、高周波高密度狭トラツク磁器
記録再生に必要なように、トラック幅が狭くしかも正確
で、ギャップ長の短い小さなヘッドが得られる。

［実施例］ 以下の説明では、比較を容易にするために、同一要素に
は同一参照符号を付す。

第１Ａ図ないし第１Ｃ図を参照してこの発明に基づく薄
膜磁気変換器の好ましい製造法を説明する。適切な非磁
性非伝導性材料で形成された平らで薄い基板、例えば、
厚さ１２５ないし２５０ミクロンのアルミナ性の基板１
０を準備する。ガラスやシリコンなどの他の適切な基板
材料を用いることもできる。この発明に基づく磁気変換
器（図示せず）は、−括製造処理により一度に複数個が
製造される。−括製造処理自体はこの技術分野では公知
なので、説明を容易にするために、一つの変換器のみを
例に挙げてこの発明の詳細な説明する。

基板１０は、例えば、機械的なラップ仕上げ及び完全な
洗浄により両面が研磨されて平らにされる。次に、基板
の電気的絶縁特性を改善するために、スパッタリングや
酸化などの公知の技術により例えば二酸化ケイ素の絶縁
層１１が基板１０にほぼ１５００オングストロームの厚
さに堆積される。

そして、公知の写真平版及びマスク技術を用いて、次の
ようにして所望の形状の下方伝導性導線１３が形成され
る。銅であることが好ましい電気伝導性材料の層（図示
せず）が、公知のスパッタリング技術を用いて、真空ス
パッタリングにより層１１の上に２ミクロンの厚さに堆
積される。銅の層は−Ｈｕｎｔ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ　
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎで製造しているＷＡＹＣＯＡＴ
　　ＨＰＲ−２０６のような適切な光硬化性樹脂材料で
被覆される。外側の端に穴１９を有する所望の伝導性導
線１３の形状をした適切なマスク（図示せず）が光硬化
性樹脂に撮影される。撮影された画像の現像後に、マス
クによって覆われていない部分がエツチングにより取り
除かれて、伝導性の層が除去される。この工程の間、隣
接した導線の間の絶縁層１１は露出しているので、伝導
性導線１３は相互に分離される。

マスクは、穴１９が後の堆積層により覆われてしまい、
伝導性導線１３を後の堆積層の上に形成される伝導性導
線に接続できなくなるようなことが生じないようにする
ために用いられる。

第１Ｂ図に関して、アルミナなどの更に別の絶縁層１４
が、例えばスパッタ技術を用いて、伝導性導線１３及び
絶縁層１１の露出領域に堆積される。その後、薄膜状の
磁気コア材料の層１５が、例えばスパッタリングにより
、絶縁層１４に堆積される。センダスト、パーマロイ、
アモルファスなどのように透磁率が高く、保磁力が低い
（柔らかい）磁気材料を用いることが好ましい。この発
明の特別の要件によれば、層１５の厚さにより変換器の
トラック幅ＴＷが決まる。ＴＷ−０，２５ミクロンであ
ることが好ましいが、所望であればこれより大きくても
・小さくても良い。その後巻線用の窓２０が次のように
して設けられる。公知の写真撮影及びマスク技術を用い
て、所望の形状のマスクを提供し、光硬化性樹脂を堆積
し、公知の方法でマスキング及びエツチングを行うこと
により、上部の層１４．１５から巻線用窓が食刻される
。第１Ｂ図にみられるように、伝導性導線１３は内側の
端が巻線用窓から露出して、以下に述べるようにこれか
ら堆積される伝導性導線に接続される。

以下の工程では、変換ギャップ２１が次のようにして形
成される。この発明の方法の重要な要件に従って、集束
イオンビーム（Ｆ　Ｉ　Ｂ）エツチング（平削り）技術
により変換ギャップが形成される。ｍ１８図に参照符号
２６で示す集束イオンビームは液体ガリウムの加熱蒸気
化の公知の方法により得られる。静電光反射器を用いて
焦点合わせをすることにより、非常にシャープなビーム
が得られる。集束イオンビーム平削り技術の詳細は、１
９８５年１２月の固体技術（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）誌に掲載されているり、Ｃ，５
ｈａｖｅｒ　ａｎｄ　Ｂ、Ｗ、Ｗａｒｄの集束イオンビ
ームによるミクロ機械加工への半導体の応用（Ｓｅｓｌ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ＡｐｐＨｃａｔｌｏｎｓ　Ｏｆ’
　Ｆｏｃｕｓｅｄ　ＩｏｎＢｅａ−旧ｃｒｏａａｃｈｔ
ｎ１ｎｇ　）という記事を参照されたい。この発明に従
って変換ギャップの形成に用いる集束イオンビームガン
の一例としては、オレゴン、（Ｏｒｅｇｏｎ）州ヒルス
ボＯ−（Ｈｌｌｌｓｂｏｒｏ　）　（１）ＦＥＩコーポ
レーション（ＰＥＩ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）社製
のＦＥ　Ｉ　２５ｋｅＶの静電イオンガンが挙げられる
。例えば、直径が０，２ミクロンでビーム電流が０．３
ｎＡの集束イオンビームが用いられる。

好ましい実施例では、ビーム２６は層１５の面に対して
垂直に照射され、層１５に対して垂直な平面上を変換器
の面２２と巻線用の窓２０との間の変換ギャップ深度ｄ
の方向に正確に移動する。その結果、変換ギャップ２１
はエツチングにより磁気層１５内に正確に形成される。

ギャップ２１は層１５を共面対向磁極１６．１７に分割
する。好ましい実施例では、ギャップ長ｌはビーム２６
の直径にほぼ対応している。ギャップは１０オングスト
ロームの正確さで長さがほぼ０．３７５ミクロンであり
、深さが１２．７ミクロンである。

このようにして形成された変換ギャップは、鋭い垂直壁
により規定され、ミクロン及びサブミクロンの寸法でギ
ャップを正確に形成することができる。現在のＦＩＢ平
削り技術では、エツチングされる薄膜磁気層１５の厚さ
は２ミクロンを越えてはならない。層が厚くなると、平
削りされた材料の一部が壁に沿って再び堆積するので、
平削りされた壁は傾斜が緩やかになる。非常に強烈なビ
ームを変換ギャップの形成領域に正確に向けることがで
きるので、ギャップ形成工程ではマスキングは不要であ
る。

第１Ｃ図に関して、アルミナが好ましい絶縁層２３がス
パッタリングなどにより薄膜磁気コア層１５に堆積され
、変換ギャップ２１を埋める。層２３の堆積中に、公知
のマスク技術を用いて、巻線用窓２０内に位置する下方
伝導導線１３の露出端は適切なマスクにより被覆される
。これにより端子が絶縁層２３により覆われることが防
止される。

その後マスクを除去して端子を露出させ、次のようにし
て上方伝導導線２５を形成する。スパッタにより下方伝
導導線１３と同じ銅であることが好ましい伝導性材料で
絶縁層２３及び巻線窓内の導体１３の露出端子を被覆す
る。上方伝導性導線２５及び上方伝導性導線と下方伝導
性導線との間の接続部３０は、次のようにして形成され
る。下方伝導性導線１３の形成法を用いて、即ち、光硬
化性樹脂の堆積、マスキング、エツチングにより所望の
形状の上方伝導性導線２５が上方の伝導層から形成され
る。エツチングの工程において、マスキング工程で規定
されたように、外側の端に穴２８を有する所望の形状の
導線２５だけを残して銅の層の一部が除去される。第１
Ｃ図に示すように、絶縁ワイヤー接続３０がコイルの端
子に半田付けされて下方導線１３を巻線窓２０を介して
上方導線２５に接続する。上方及び下方伝導性導線を穴
１９．２８を介して接続することにより、螺旋状の変換
コイルが形成される。

以上に述べた工程により、この発明の磁気変喚器の基本
的な形状が得られる。しかしながら、好ましい実施例で
は、非磁性非伝導性材料の上方保護層３１が更に堆積さ
れて、取扱い中又は操作中に薄膜変換器を機械的損傷か
ら保護している。層３１は、適切に保護するためにアル
ミナその他の適切な材料で２０ミクロン台の厚さに形成
されている。

センダスト、パーマロイ、アモルファスなどの磁気遮蔽
材量の層３２がスパッタにより上方保護層３１を被覆す
る。磁気遮蔽層３２は外部の磁界の変換器への影響を減
少させる。特に、多重トラック形状に用いられると、こ
の技術分野では公知のように、＆、線が減少する。好ま
しい実施例の薄膜変換器３３は第１Ｃ図に示されている
。

以上の説明から、１本以上の記録トラック、例えば、２
本のトラックを有する変換器を形成することが所望され
ている場合には、引き続いて行われる層の堆積に関する
前記方法を繰り返す。即ち、磁気遮蔽層の頂部の層１４
に対応する新しい絶縁層の堆積から始まって、第１Ａ図
ないし第１Ｃ図を参照して述べた工程を繰り返す。

磁気コア及びシールドに同一の磁気材料を用いて異なる
熱膨張を減少させることが好ましいことは明らかである
。同じ理由から、基板１０及び絶縁層１４．２３．３１
を同一の非磁性絶縁材料で形成することが好ましい。

一括製造工程において同一基板上に幾つかの磁気変換器
が同時に形成されるときは、個々の変換器の形成に必要
な総べての工程が終了してから、個々の変換器をさいの
目状に切断して相互に分離する。所望であれば、公知の
技術を用いて個々の変換器を面２２に合わせる。各変換
器は「シュー」とも呼ばれる公知の適切なヘッド台（図
示せず〉に取り付けられる。

以上の説明から、この発明の方法を用いれば、第１Ｃ図
に示す非常に小さな寸法の変換器が得られることが理解
される。好ましい実施例では、変換器の長さｌ及び深さ
ｄは共に５００ミクロンに等しい。変換器の全体的な寸
法が小さいので、インダクタンスが減少し、周波数の損
失が減少する。

好ましい実施例では、記録再生情報信号の周波数は１０
０　Ｍ　Ｈｚ以上である。

第２図は第１Ｂ図を参照して説明した工程に相当する別
の工程である。以下にこの工程を説明する。第２図の焦
点合わせされたイオンビーム６２は、第１Ｂ図の実施例
とは異なり、磁気コアの層１５に向かって斜角で入射さ
れる。従って、形成されるギャップ面６５は層１５の面
に対して斜角αをなして延びているが、変換面２２に対
しては変換器媒体接触面で垂直に延びている。このよう
にして形成された変換器構造は、トラック幅に対して所
望の方位で延びている変換ギャップ６３を有しているの
で、磁気記録媒体を用いた信号の公知の゛方位記録再生
に適している。

第３図に示すこの発明の更に別の実施例では、第１Ｃ図
に符号３３で示されているような薄膜磁気変換器を２枚
以上重ね合わせて、積層多重トラックヘッドスタック３
６が形成される。この実施例では、個々の磁気変換器は
第１Ｃ図を参照して説明した磁気変換器に相当する。こ
の発明にしたがって多重トラック変換器アセンブリを形
成する際には、複数個の基板上に一括製造により形成さ
れた同一の変換器を用いることが好ましい。個々の変換
器を共通基板上に形成するのに必要な工程が終了してか
ら、変換ギャップを合わせて基板を重ね合わせる。この
ようにしで得られた個々の多重トラック変換器を切断工
程により分離する。同様の一括処理により形成された個
々の変換器が用いられる場合には、トラック間の均一性
が改善される。

この技術分野では公知のように、適切な取り付は構造６
７を用いて各変換ギャップ２１が同一の変換ギャップ面
上に並ぶようにすることが好ましい。このようにして並
べられた個々の変換器は、公知の接合技術を用いてエポ
キシやガラスにより相互に接合される。第３図に示すよ
うに、個々の基板１０は隣接トラック間に非磁気スペー
サーを提供する。隣接トラック間の混線は磁気遮蔽層３
２により減少する。組み立て工程の後に、構造６７が取
り外されて、多重ヘッドが公知のように所望の形状に生
成される。

このようにして製造されたこの発明の多重変換器アセン
ブリは、デジタル又は周波数変調信号の高周波記録再生
の用途に有益である。公知のように、記録信号の全帯域
幅が１チヤンネルの最大帯域幅を越えると、信号帯域幅
は必要に応じて２個以上の記録再生用並列チャンネルに
分割される。

このような例としては、高鮮明テレビ信号の記録再生を
挙げることができる。このような多重トラックアセンブ
リは、回転走査や長手方向記録などの用途に用いること
ができる。例えば、６００ＭＨｚの全帯域幅を有する１
、２ギガビツトの信号を記録する場合には、全帯域幅は
１０チヤンネルに分割される。各チャンネルは６０ＭＨ
ｚである。比較のために、周波数変調された信号が多重
並列チャンネルに記録される場合には、チャンネルの帯
域幅は例えば５０ＭＨｚである。

第４図は、回転走査記録装置に特に有益な回転ホイール
変換器アセンブリ６０の形態をしたこの発明の更に別の
実施例を示す。この実施例では、極端に狭いトラック幅
及び小さなギャップ長を有する薄膜磁気変換器４４が、
ディスク状基板４０に材料を直に堆積させることにより
、複数個同時に製造される。変換器４４は第１Ｃ図を参
照して先に述べた薄膜変換器３３に相当する。製造方法
は、第１Ａ図ないし第１Ｃ図、及び第２図を参照して説
明した製造方法に類似している。従って、ｆ？、４図を
参照して製造方法を繰り返すことはしない。この実施例
では、個々め変換器４４は角度Ｓで相互に等間隔離れて
配置されているが、所望の位置は基板上の各変換器毎に
選択しても良い。以上の説明から、この実施例の全変換
器４４の狭いトラック幅は、同一製造工程で堆積される
共通磁気コア層の厚さにより規定されることが理解され
る。従って、共通基板上の全変換器にとって均一である
。全変換器４４の変換ギャップはギャップ平削り工程中
に同一の集束イオンビームによりエツチングされること
が好ましい。このようにして変換ギャップ及び他の変換
器の寸法が均一にされる。

第５図に更に別の回転ホイール変換器アセンブリを示す
。第５図中、センダスト、パーマロイ、アモルファスな
どの磁気コア材料の薄膜層８２は、例えば公知のスパッ
タにより、ディスク状の基板に堆積される。この発明で
は、総８２の厚さにより変換器のトラック幅ＴＷが決ま
る。トラック幅は用途や使用する記録フォーマットに応
じて異なるが、ＴＷ−０，２５ミクロンであることが好
ましい。公知の写真平板術を用いて、層８２を適切な光
硬化性樹脂で被覆する。例えば、第５図に示すように、
巻線窓８５を内側に有するフロントコア８４のように所
望の形状の個々の磁気コアにマスク（図示せず）が提供
される。マスクは光硬化性樹脂材料上で写真撮影されて
、写真画像が現像される。マスクによって覆われていな
い領域はエツチングにより除去されて、コア８４を除く
総べての磁気材料８２が除去され、基板８０が隣接コア
の間で露出する。

次の工程では、集束イオンビーム（図示せず）が個々の
コア８４に照射され、第１Ｂ図又は第２図を参照して説
明した方法に類似した方法により変換ギャップ８８がエ
ツチングされる。このようにしてエツチングされたギャ
ップは、均一な深さｄ及び長さｌを有しており、第１Ｃ
図の変換器３３と同じように小さな寸法を有している。

このよろにして形成されたフロントコア８４を有する個
々の変換器は、公知の技術を用いて、磁気回路を封止し
、変換巻線を設けることにより完成される。この例では
、第５図の変換アセンブリは次のようにして完成される
。

変換巻線９０の設けられた個々の磁気ブロックコア８つ
は、フロントコア及びバックコアが第５図に点線で示し
たように部分的に重なるようにフロントコア８４と組み
合わされる。その後、回転ホイールアセンブリの全表面
が二酸化ケイ素やガラスなどの絶縁層で被覆される。即
ち、変換ギャップ８８が埋められ、組み合わされた磁気
コア８４．８９、巻線９０、基板８０の露出領域が覆わ
れる。この工程、は、第１Ｃ図に示した絶縁層２３の堆
積に関して説明した工程に類似している。

第５図では下層を明示するために絶縁層を図示していな
い。

第５図のヘッドホイールアセンブリ９２又は第４図のア
センブリ６０は、回転ヘッド走査ドラムアセンブリ（図
示せず）に公知の方法でエポキシやガラスにより接着さ
れて用いられる。

第４図及び第５図の実施例には、ヘッドホイールアセン
ブリを再設計することなく、個々の変換器コアのヘッド
ホイールアセンブリに沿った位置及び相対的スペースを
変更できるという長所がある。変換器の大きさ、形状、
位置は、マスクを変更するだけで変えることができる。

変換ギャップの大きさ、位置、方向（角度）を変更しな
ければならない場合には、集束イオンビームの向きを変
えるだけで済むので、従来の変換器のように変換器コア
の全体的構造を再設計し直す必要はない。

集束イオンビームの鋭さに関して、イオン平削り工程で
はマスクする必要がない。

以上に述べたこの発明の総べての実施例では、変換ギャ
ップは磁気コア材料層の面に対する方位に設けられる。

このようにするためには、変換ギャップ平削り工程にお
いて、例えば第２図に示すように、磁気コア層の面が集
束イオンビームの面に対して選択された斜角に維持され
る。

ここに述べたいずれの実施例も、トラック輻は磁気コア
材料の薄膜層の厚さにより決まる。変換ギャップの長さ
及び深さは、集束イオンビーム平削りにより決まる。従
って、最小ギャップ長及びギャップ許容誤差は使用され
る集束イオンビームの制約により決まる。従って、非常
に狭いトラック幅及び非常に正確なギャップ長が得られ
る。また、均一の変換器を多数個同時に製造することが
できる。

以上にこの発明の好ましい実施例を述べたが、添付の特
許請求の範囲内において種々様々に修正及び変更可能で
あることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図ないし第１Ｃ図は、この発明の好ましい実施例
に基づく極薄トラック変換器の製造工程の概略を示す斜
視図である。 第２図は、第１Ｂ図に示した工程の代わりに用いられる
工程を示す概略斜視図である。 第３図は、第１Ｃ図の変換器に相当する極薄トラック変
換器を磁気遮蔽層及び非磁気スペーサーを間に挾んで多
数重ね合わせた多重トラックアセンブリを示す別の実施
例の概略斜視図である。 第４図は、回転走査磁気記録再生装置に用いられる複数
個のｔ！ｉＨｈラック変換器を示すこの発明の更に別の
実施例の概略斜視図である。 第５図は、回転走査磁気記録再生装置に用いられる別の
実施例のその後の一工程を示す概略斜視図である。 １０・・・基板、１１．１４・・・絶縁層、１３・・・
下方伝導性導線、１５・・・磁気コア材料の層、１６．
１７・・・共面対向磁極、２１・・・変換ギャップ、２
３・・・絶縁層、２５・・・上方伝導性導線、２６・・
・イオンビーム、３２・・・磁気遮蔽材料の層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気材料を非磁気基板に堆積させて、厚さが変換器
   のトラック幅を限定している磁気材料層を形成する工程
   と、 この磁気材料層に集束イオンビームを照射するエッチン
   グにより磁気材料層を分離して、２個の共面対向磁極を
   形成すると共に所定の長さ及び幅を有する変換ギャップ
   を両磁極間に形成する工程と、 非磁気材料を磁気材料層に堆積させて、変換ギャップを
   埋める非磁気材料層を形成する工程とを具備することを
   特徴とする薄膜磁気変換器の製造法。 ２、磁気材料層は高導磁性の軟性磁気材料で形成されて
   いることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気変換器
   の製造法。 ３、非磁気基板は電気的絶縁材料で形成されていること
   を特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気変換器の製造法
   。 ４、磁気材料層に堆積された非磁気材料層は、電気的絶
   縁材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記
   載の薄膜磁気変換器の製造法。 ５、層分離工程は、集束イオンビームを磁気材料層の面
   に対して垂直な方向に照射することを特徴とする請求項
   １に記載の薄膜磁気変換器の製造法。 ６、層分離工程は、集束イオンビームを磁気材料層の面
   に斜角に照射することを特徴とする請求項１に記載の薄
   膜磁気変換器の製造法。 ７、非磁性の電気的絶縁基板に第１の薄膜伝導性導線を
   複数個設ける工程と、 第１の伝導性導線を非磁性の電気的絶縁材料の第１の薄
   膜層で覆う工程と、 第１の薄膜層を磁気材料の第２の薄膜層で覆う工程と、 集束イオンビームで第２の薄膜層をエッチングして、２
   個の共面対向磁極を形成すると共に所定の長さ及び幅を
   有する変換ギャップを両磁極間に形成する工程と、 第２の薄膜層に非磁性の電気的絶縁材料の第３の層を設
   けて、変換ギャップを埋める工程と、第２の薄膜伝導性
   導線を複数個設け、第１の薄膜伝導性導線と第２の薄膜
   伝導性導線とを接続して変換器巻線を完成する工程とを
   具備することを特徴とする薄膜磁気変換器の製造法。 ８、第２の伝導性導線に非磁性の電気的絶縁材料の第４
   の薄膜層を設ける工程を更に具備することを特徴とする
   請求項７に記載の薄膜磁気変換器の製造法。 ９、変換ギャップを一致させて薄膜変換器を少なくとも
   ２個重ね合わせて、薄膜変換器相互を一体的に接合する
   ことにより、多重薄膜変換器アセンブリを形成する工程
   を更に具備することを特徴とする請求項８に記載の薄膜
   磁気変換器の製造法。 １０、薄膜磁気変換器を複数個有する薄膜多重トラック
   磁気変換器アセンブリの製造法において、 非磁性の電気的絶縁基板に第１の薄膜伝導性導線を複数
   本設ける工程と、 第１の薄膜伝導性導線に非磁性の電気的絶縁材料で形成
   された第１の薄膜層を設ける工程と、第１の薄膜層に磁
   気材料で形成された第２の薄膜層を設ける工程と、 第２の薄膜層を集束イオンビームによりエッチングして
   、２個の共面対向磁極を形成すると共に所定の長さ及び
   幅を有する変換ギャップを両磁極間に形成する工程と、 第２の薄膜層に非磁性の電気的絶縁材料で形成された第
   ３の薄膜層を設けて変換ギャップを埋める工程と、 第３の薄膜層に第２の薄膜伝導性導線を複数本設け、第
   １の薄膜伝導性導線と第２の薄膜伝導性導線とを接続す
   る工程と、 第２の薄膜伝導性導線に非磁性の電気的絶縁材料で形成
   された第４の薄膜層を設けて、薄膜磁気変換器を形成す
   る工程と、 変換ギャップを一致させて薄膜磁気変換器を複数個重ね
   合わせ、薄膜磁気変換器相互を一体的に接合して、薄膜
   多重トラック磁気変換器アセンブリを形成する工程とを
   具備することを特徴とする薄膜多重トラック磁気変換器
   アセンブリの製造法。 １１、ディスク状の基板の周辺に相互に離隔して配置さ
   れた少なくとも２個の薄膜変換器を有する薄膜回転走査
   磁気変換器アセンブリの製造法において、 非磁気材料で形成されたディスク状の基板を提供する工
   程と、 ディスク状の基板に磁気材料を堆積させて、変換器のト
   ラック幅を限定する厚さ及び相互に離隔した変換器コア
   の形状を有する磁気材料層を形成する工程と、 集束イオンビームにより各コアの磁気材料層をエッチン
   グして、２個の共面対向磁極を形成すると共に所定の長
   さ及び幅を有する変換ギャップを両磁極間に形成する工
   程と、 磁気材料層に非磁気材料を堆積させることにより非磁気
   材料層を形成して変換ギャップを埋める工程とを具備す
   ることを特徴とする薄膜回転走査磁気変換器アセンブリ
   の製造法。１２、非磁気材料の堆積により非磁気材料層
   を形成する工程は、基板の周辺に等間隔で相互に離隔し
   た複数個の共面磁気変換器コアを提供し、集束イオンビ
   ームにより各変換器の変換ギャップをエッチングする工
   程を有することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜回
   転走査磁気変換器アセンブリの製造法。 １３、厚さがトラック幅を限定している薄膜磁気コアと
   、 この薄膜磁気コアに重ね合わされる非磁気材料の支持部
   材と、 所定の長さ及び深さの変換ギャップにより分離されて２
   個の共面対向磁極を形成する薄膜磁気コアと、 磁気材料に重ね合わされて変換ギャップを埋める薄膜非
   磁気材料とを具備することを特徴とする薄膜磁気変換器
   。 １４、薄膜磁気コアは高導磁性の軟性磁気材料で形成さ
   れていることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜磁気
   変換器。 １５、支持部材は電気的絶縁材料で形成されていること
   を特徴とする請求項１３に記載の薄膜磁気変換器。 １６、薄膜非磁気材料は電気的絶縁材料で形成されてい
   ることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜磁気変換器
   。 １７、変換ギャップは、共面対向磁極の共面に対して垂
   直な面上を延びていることを特徴とする請求項１３に記
   載の薄膜磁気変換器。 １８、変換ギャップは、共面対向磁極の共面に対して斜
   角をなす面上を延びていることを特徴とする請求項１３
   に記載の薄膜磁気変換器。 １９、薄膜磁気コアに巻き付けられて変換巻線を形成す
   る第１及び第２の伝導性導線を更に具備することを特徴
   とする請求項１３に記載の薄膜磁気変換器。 ２０、薄膜変換器を少なくとも２個有する多重トラック
   薄膜変換器アセンブリにおいて、各薄膜変換器は、 所定の長さ及び幅の変換ギャップにより分離されて２個
   の共面対向磁極が形成され、厚さがトラック幅を限定し
   ている薄膜磁気コアと、 この薄膜磁気コアに重ね合わされた非磁気材料の支持部
   材と、 磁気材料に重ね合わされて変換ギャップを埋める薄膜非
   磁気材料とを具備し、 薄膜変換器相互は変換ギャップが一致するように重ね合
   わされて多重トラック変換器アセンブリを構成すること
   を特徴とする多重トラック変換器アセンブリ。 ２１、各変換器は、薄膜磁気コアに巻き付けられて変換
   巻線を形成する第１及び第２の薄膜伝導性導線を更に具
   備し、各変換器は薄膜磁気シールド及び非磁性スペーサ
   により個々に分離された状態で相互に重ね合わされてい
   ることを特徴とする請求項２０に記載の多重トラック変
   換器アセンブリ。 ２２、少なくとも２個の薄膜変換器がディスク状の非磁
   気支持部材の周辺に配置されている薄膜回転走査磁気変
   換器アセンブリにおいて、所定の長さ及び幅の変換ギャ
   ップにより分離されて２個の共面対向磁極が形成され、
   厚さがトラック幅を限定している薄膜磁気コアと、 磁気材料に重ね合わされて変換ギャップを埋める薄膜非
   磁気材料とを具備することを特徴とする薄膜回転走査磁
   気変換器アセンブリ。 ２３、薄膜磁気コアに巻き付けられて変換巻線を形成す
   る第１及び第２の薄膜伝導性導線を更に具備することを
   特徴とする請求項２２に記載の薄膜回転走査磁気変換器
   アセンブリ。