JPS5828838A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は任意の基体の表面上に被膜を形成する方法（Ｃ
係り、特に表面に凹凸状等の非平面状部を有する基体の
非平面状部上に任意の形状、好ましくは平面状の表面を
有する被膜の形成方法に関する。

近イ「、電子装置ｉ＜ｆの微細化が進むに保つで、電子
装置Ａの表面に形成される電極′１ワ゛の配線パターン
も微細化されつつある。寸だ、配線パターン（、一層の
みならず、２層以上、一般的に←ｌ、多層化さ１尤る技
術的扱求も存在する。例えば、半）、Ｉ′１体東積回路
装置（以下ＩＣと称する）でＣ７１−半嗜体基体の１主
表面上に異なる複数の配線ｉ：　Ｔｔ’、いに絶縁しつ
つ積層さぜる場合がある。丑だ、電イ泪３つ機の端末装
置等で使用される薄膜磁気ヘッドでも、平面化コイルパ
ターン上に磁性４」層をコイルパターンと絶縁しつつ積
層さぜる構造が用いられる３、７１、た、磁気バグルオ
子の形成にも多層配線が利用されている。

このような場合、下層の配線パターンにより生ずる凹凸
形状は、その」二部に形成される別の配線等の障害とな
る。すなわち、下層の配線パターン上に、これと」二層
の配線等とを電気的に分離させるだめの５ｉｏ２、有機
樹脂等の誘電体物質膜を形成したときに、通常の方法で
はこの誘電体膜の露出表面に、下地である」二連の下層
配線パターンの凹凸形状に沿った凹凸形状となる。その
ためｒ（、誘電体膜上に形成される上層の配線等も」−
述の凹凸形状に沿わざるを待ず、上層の配線等として平
面状のものが所望されながらもそれが得られなかったり
、凹凸の境で配線パターンが不均一となったりとぎれ易
く庁る等の問題点が生ずる。

従来、このような問題を解決し凹凸状を有する下層配線
パターン」二の誘電体膜表面全平坦化するためにいくつ
かの方法が提案されている。例えばバイアススパッタリ
ング法、スパッタエツチング法、リフＩ・オフ法等であ
る。しかしながらこれらの方法によれば、処理時に基体
が高幅に加熱され損傷を受は易かったり、平坦化に長時
間を要したり、あるいは平坦化のために複雑な工程を要
し実用的ではなかった。寸だ、平坦化の程度も不十分で
あった。

本発明の目的は比較的簡単な方法でかつ基体に損傷を力
えずに、露出表面が所望の形状、特に精度の高い平面状
を有する被膜を基体」二に形成する方法を提供すること
にある。。

本発明の！１′ｉ徴ｄ：、表面に非ｉ１／−面状部が形
成ざＪｌ。

た基体の非平面状部を含む表面上に、Ｐ定のｊ［￥さよ
りも厚くかつ最上部の露出表面が所望の形状、特に平面
状とされた被膜を形成する工程と、この被膜の露出表面
に加速されたイオンを照旧しその衝撃によって被膜をそ
の露出表面の形状苓−実質的に変更せずに、予定の厚さ
となる丑で加工する工程とを具備する点Ｖこある。

好４しくは、本発明における被膜１２層から成る」＝う
にされる。基体側に位置する第１層は本発明による加工
の後にも基体」二に残存されるものであり、第１層上に
形成された第２層は、その露出表面が所定の形状、特に
精密な平面とされ、本発明による加工に」二つて全部が
除去されるものである。

また、好ましくは被膜が形成された基体は非プラズマ状
態の雰囲気中に置かれて、イオンの照射による加工を受
ける。

本発明の原理を」二層の好ましい態様に基づいて、第１
図を几Ｊいて説明する。第１図（７１）において、任意
の基板１、例えば−′１″導体基体、の一方の主表面１
０１　にに導体による配線２が施されている。配線１２
のパターンは任意であるが、ここでは配線２ｄ：紙面と
垂直方向に延びているものと想定しである。主表面１０
１自体に、平面状であるが、配線２の存在により、基体
１の主表面１０１には非平面状部、具体的には凹凸部が
形成されている。

第１図（１すでｉｌ：　、基体１の凹凸部が形成された
部分上に、第１の被膜３が形成されている。第」の被膜
３は一般的には絶縁物あるいは誘電体であり、ここでは
スパッタリング法によって形成された５ｉ０２膜を想定
している。第１の被膜３は、基体上に略均−の斥さて形
成されているので、その露出主表面３０１は基体表面の
凹凸形状に沿った凹凸形状を呈している。

第１図（Ｃ）では、第１の被膜３の主表面３０１上に第
２の被膜４が形成されている。第２の被膜も一般的には
絶縁物あるいは誘電体である。その物性としては、容易
に形状が変更し得るものが望オしい。

（Ｃ）に１．・ける第２の被膜４ｄ、回転塗伺法により
」イ１積されたポジタイプのホト１ノシスト膜（例えば
ンツプレー社製のＡ、Ｚ−１３５０，１型）を−想定１
７ている。

この処理に、１　リ、第１の被膜３の凹凸形状ｖ１、改
善される１、残る凹凸形状を更に小さくするために、加
熱処理台・施すことが有効である。ボシク・イブのホト
レジスト 流動性が大きくなり、自己流動して凹凸１［り状（ｉ７
小さくする。この熱処理を・が１３シた後の様イを第１
図（（１）に示す、、第２の波膜４の露出主表面／Ｉ　
０　１　ｋｌ：実質的に平ｒｒｉｉ状にされている。

次に、第２の被膜４の露１１ｊ主表面に加速されたイオ
ンを照射し、その衝撃によつ°こ第２の波膜４の全部」
、・よび第１の被ｊ漠３の一部、すなわち少なくともそ
の凸状部所・除去する。この処理娃、イ」ンビームミリ
ング（　ｉｏｎ　１〕ｅ泪Ｔｌ　ｍｉ　Ｉ　ｌ　ｉ　ｎ
ｇ，以下イ剖ン“ミリングと略□称）法によって行うこ
とが望１（７い。

ことで、イオンミリング法の原料ｌについて説明する。

イオンミリング法はドライエツチング法の一種であ匂、
一般的に言えば被加工物体に電界等に」：り加速された
高速イオン流を衝突させ、その衝ｊ１ドによって被加工
物体を表面から物理的に加工する方法である。イオンミ
リング装置およびそれに」こる処理法概略を第２図によ
って説明する。容器２１はイオン発生部２１１お、１：
びイオン照射部２１２とに分けられ、両者の中間に多数
の小孔２１３１が設けられたグリッド２１３が配着され
ている，、用いられるガスはパイプ２２１から４人され
、２２２から４非出される。

イオン発生部内２１１内には、カソード２３およびアノ
ード２４が設置されている。カソード２；３の一対の端
子は容器２１外においてカソード電源２３１に接続され
、アノード２４の端子は容器２］外（でおいてカソード
２３の一方の端子にアノード電源２　４　］、　’ｉ介
して接ＨＡされている。イオン発生部２１１の周囲には
、イオン発生部内のカソード・アノード間の空間に磁界
を発生させるためのコイル２５が設置されている。イオ
ン照射部２１２内にｉｔ、回転可能かつ飴斜ｊｌＪ能の
ヅ持台２６が設置されている３、 次に、との装置値を用いてイオンミリング法ケ実施する
概略について説明する。１１ず試わ１．０＜例えば第１
図（（りに示１７たもの）を支持台に載ｉｉ＜５固定し
、パイプ２２２全通して容器２１内を減圧する，１イオ
ン発生部２１１内はＩ　Ｏ−’　〜１　０−”ｌ”ｎ　
ｌ　＋’のアルゴン（ＡＩ’）雰囲気とされ、イ」ン照
射部２１２内はそれより高い真空度に調整される。

次に、コイル２５により磁界を発生させ、電源２３１お
」：び２４１を動作させる、、これにより、カソード２
３からＣＩ、電子が放射され、電−ｆ　Ｌｌｌ、コイル
２５によって作られた磁界により、符−弓２１１１で模
擬的に示されるような螺旋運動をしながらアノード２４
に達する。電子はツノソート・アノード間を走行中に、
イオン発生部２１１内のアルゴン原子と衝突し、アルゴ
ン原子をイオンｆ旧７、イオ。

ン発生部内にプラズマを発生させる。上述の電子の螺旋
運動はアルゴン原子との衝突の機会を増し、イオン化を
増進するのに効果的である。

（９） 」二連のように発生されたアルゴンイオンは、グリッド
２１３に設けられた小孔２１３　］、　ｉｆ通ってイオ
ン照射部２１２内へ導かれる。そのためには、図示ぜぬ
電源により、グリッド２１３は所定のボテンシャルに保
持される。更に、イオン照射部２１１内へアルゴンイオ
ンのみを導き、電子を導かない」二うにするため、グリ
ッド２１３は互いに異なる極性のボテンシャルが伺力さ
れ，た複数のグリッドの複合体で構成され得る。−ｊ′
なわち、例えば２枚の互いに近接したグリッド全そなえ
、イオン発生部２１１側のグリッドは正の、イオン照射
部２１２側のグリッドは負のボテンシャルをそれぞれ有
するようにされる。

イオン照射部２１２内へ取り１］−１されたアルゴンイ
オン流２１２１は、試１’ｌ　１　０表面に衝突し試別
１０ケ加工する。このとき、試別１０はイオン流２１２
】に対し傾斜させても良い、３脣た、回転を力えても良
い。

上述のようなイオンミリング法によれば、イオンの衝撃
による加工中に試別１０がプラズマにさく１０） らされず、かつ加速さ、１１．た電子の衝撃を受けない
ので、試ｙＩＪｏの幅度お、１：　０：電位は試用に悪
影′Ｉｑ＋を及ｎ゛すほどに回、上部しない１、本発明
者らの実験によれば、加工中の試別の＃ｌＲ度−に−ｙ
ｉは高々数十度であった。

第１図（ｅ）に、イオンミリングに、Ｊ：る加工後の状
態を示す７、第１図（ｄ）にお（弓る第２の破膜４が全
部除去され、更に第１の破膜；３の凸状部が除ハされて
、平坦な主表面３０２が得られた。この主表面３０２日
１、第１図（（りの主賢面４０２と実り内的に平行な平
−面である。このような結果がイｉｔられたのｆｃｔ、
アルゴンイオンが化学的に不活性であり、しかも適切な
照射条件が設定されたために、加工が第１および第２の
被膜に対して均等に行なわれたことに」二る。

次に、本発明の具体的実施例を説明する３、第３図に、
本発明方法を適用１して得られた薄膜磁気ヘッドの断面
お」：び俯脆図を示す。この磁気ヘッドは、支持体３０
の上に形成されたアルミナ（Ａｔ２　ｏｓ　）基板３１
」−に次の部４Ａ看−有する。すなわち基板３１の一部
に形成されたパーマロイの下部磁性体３２１、下部磁性
体」−の一部に形成されたアルミナのギヤツブ形成層′
、Ａ３３、その一部がギャップ形成材」−を走る第１コ
イル３４１、第１コイル；３４１とその中央部３４３に
おいて接続され他の部分では絶縁されるように第１コイ
ル３４１に積層巻回された第２コイル３４２、下部磁性
体３２１と略同様の平面パターンを有しギャップ部３２
４においてギャップ形成材３３に隣接しギャップ部３２
４と離間された周辺部３２３において下部磁性体３２１
と接ＨＩ：され更にギャップ部３２４と周辺部３２３と
の間において第１および第２コイルｆｉたぐ、パーマロ
イの上部磁性体３２２の各部材である。各部材間および
コイルの間には図あ、 示せり絶縁材が充填されている。

第１および第２コイルの端部は図示せぬ駆動回路に接続
され、ギャップ部３２４における磁界の変化によって第
１および第２コイルに生ずる電流の変化を駆動回路に伝
える。あるいは反対に、駆動回路から変位電流全コイル
に供給し、それによってギャップ部に磁界変化を生じさ
せる。本磁気ヘッドは電子Ｈ１算機およびその端末機器
に：１．・ける磁気ディスク、ｉ・ラム、デージ等の磁
気記録媒体の書き込みあるいは読み出し月１と［７て好
滴である。

この利１磁気ヘッドにおいてに１：下部お、１び」二部
磁性体の主たる表面における平面性が旨いことが要求さ
れる。磁歪定数の値によって要求される平面性の程度は
多少変るが、一般的には」一連の平面性が満たされない
と磁性体の比透磁率が低くなり、その結果読み出し出力
が低下したり、あるいは１ｉ（込みに多大の入力を心安
とする等、電磁変換ｔ１冒１１が悪化する。

上述の磁気ヘッドの、特に」−下の磁性体により四重れ
た部分の形成に本発明を適用した場合を第４図によって
説明する。な」？、第４図では図面および説明の簡単化
のために第３図と若干構造の異なるものについて示しで
あるが、本質的な相違ｒ１：ない。第４図はコイルとし
て第１コイルのみを有する場合を示す。

寸ず、〕′ルミナ基板３１」二にスパッタリング法（１
３） あるいはメッキ法によって厚さ２〜４　／ｌ　ｍのノζ
−マロイの下部磁性体３２１を形成した。次に下部磁性
体」−に一部を残してスパッタリング法によって厚さ約
０．８μＩＴＩのアルミナのギャップ形成層３３を形成
した。更に、周方向での一部がギャップ形成層３３上に
位置するように、メッキ法、蒸着法、スパッタリング法
等によって幅約６μｍ、厚さ約１．５μｍ５間隔約３　
Ｉｔ　ｍの銅のコイル３４１を形成した（ａ）。

次に、コイル３４１」二にポリイミド系の樹脂、例えば
日立化成社製ＰＩＱ樹脂で第１の絶縁膜３５１を形成し
た。第１の絶縁膜３５１−の露出主表面はコイル３４１
のパターンに沿った凹凸状を呈している（１））。

次に、第１の絶縁膜」二にポジタイプのホトレジスト の絶縁膜３５２を形成した。このホトレジストは常幅で
も若干流動性を有するが、加熱すると更に流動性が増す
。本実施例ではホトレジストを付着後、約１６００に加
熱して、その露出主表面を凹（１４） 凸の高さが０１μｍｎ以下となる」：うに平坦化１．た
（Ｃ）。

次に、第２図に潤ぐず装置により、第２の並ｉ＾１膜３
５２の主表面からアルゴンイオンによるイオンミリング
を実施した。その途中段階での１１１□Ｅｌ賂庖・第４
図（（１）に示す。本実施例では、アルゴンイオンの加
速電圧（第２図において、グリッド２１；３と接地間の
電圧）を７００Ｖ、イオンの入射角θ（被加工面に垂直
な直＆！Ａとイオン流とで成す角度）を３０度とした。

これらの条件は、以下の実験的検３・１に、Ｉ：り定め
られた。第５図に、」二連の第１の絶縁膜として用いた
ポリイミド（実線）および第２の絶縁膜と１７で用いた
ホトレジス！・（破線）についての、アルゴンイオンの
加速電圧とミリング速度との関係ケ示す。イオンの入射
角θに１−３０度とした。第５図に」：れば、加速電圧
が約７００Ｖｊニド゛では、第１および第２の絶縁膜の
ミリング速度は実質的に等Ｉ７い。第６図に、第５図に
おけると同じ試（；−１に７１し、加速電圧７００Ｖの
アルゴンイオンを入射角θを変えて照射したときのミリ
ング速度を示す。第６図に」：れば、入射角が約３０度
以下で第１の絶縁膜（実線）および第２の絶縁膜（破線
）のミリング速度は実質的に等しい。

第４図（ｄ）では、」−述のイオンミリング条件により
、第２の絶縁膜３５２の一部が残存する丑で加工された
状態を示す。本実施例での加工は、同図中に二点鎖線Ｂ
で示す部分寸で行なわれるが、加工の終点の判定は予め
調べられたミリング速度に基づいて、イオン照射時間を
制御する方法で行なわれた。

所定時間のイオンミリング加工が終わり、第２の絶縁膜
３５２の全部が除去され、第１の絶縁膜３５１の主表面
が平坦化された後、第１の絶縁膜上、ギャップ形成層３
３および第１の磁性体３２１の露出部」二にパーマロイ
の第２の磁性体３２２をメッキ法あるいはスパッタリン
グ法によって２〜４、　／Ｚ　ｎｌの厚さ知形成した。

第１および第２の磁性体は、第４図（ｅ）に符号３２３
で示す部分において接続され、図上、これと反対■１の
端部で二点鎖線Ｃで示す部分を切断することにより、ギ
ャップ形成層３３によって絶縁された一体の磁気コアを
形成する。

本実施例によれば、第２の磁性体３２２の主表面の形状
がイオンミリングされた第１の絶縁膜３５１の主表面形
状と等しく、約０１／を山のｉｓ４度の平面状となった
。その結果、磁気コアとしての第１および第２の磁性体
の比透磁率の低下がないという効果を有する。この効果
について具体的に例示すれば次の通りである。第２の絶
縁膜３５２を用い、かつイオンミリング法によって加工
した点を除いて、上述の実施例と同じ材別全月１い、同
じ工程によって比較例の磁気ヘッドを作成した。

第２の絶縁膜を省いた理由は、第１および第２の磁性体
間のすき間を略同じにするためである。との比較例の第
２の磁性体の主表面形状は、第１の絶縁膜３５１の主表
面の凹凸形状にならい、１！１と谷の高さの差が約（１
８ｌｔ　ｎｌのうねりを有していた。

本実施例および比較例の磁気ヘッドを用いたときに、磁
気記録媒体のギャップ部に対応しかつギヤ（１７） ツブ部から最も離れた部分（磁気媒体底部領域）での磁
束の強度を調べた結果、本実施例のものを用いたときは
６０００．　、比較例のものを用いたときは３０００゜
であり、本実施例では比較例の約２、倍の値を示した。

このような結果が得られた理由としては、磁性体表面に
凹凸があると、凹凸部に起因する反磁界が生じたり、凹
凸状の磁性体の応力に」：す、凹凸部での磁気特性が劣
化するという大きな問題が生じるためと考えられる。

なお、−に述の実施例では第２の磁性体３２２の主表面
形状の平坦化について説明したが、本発明方法の効果は
それ以外に、ギャップ形成層３３あるいは第１の磁性体
３２１の端部においてコイル３４１が形成されるべき表
面に段差がある場合、その段差を低減させるのにも効果
がある。

次に、本発明の他の実施例についても説明する。

本実施例は半導体集積回路装置（以下ＩＣと称する）の
多層配線法に関する。第７図に本実施例でのＩＣの要部
断ｍｋ示す。図において、半導体基体７１の一主表面７
０１の」一方に第１の配線膜（１８） ７１１お」、び７１２、第２の配線膜７２、第３の配線
膜７３がとのｌ１ｌｌ″Ｉ序で形成されている。第１の
配線膜７１１と第２の配線膜７２としＩ：　Ｉ２ｈ′ｌ
’、部７０２において、８′）だ、第２の配線膜７２と
第３の配線膜７３とＵｌ：］とにイ］；部７０３におい
てそれぞれ接につ″【−されている。これらの接に’ｊ
ｌ’、部」−ソ、外の部分でｉ：Ｉ：　、各配線膜間ｖ
ｘＳ１ｏ、、の絶縁層８］、Ｉ・・よび８２に。１：っ
て絶縁されている、。

本実施例のＴ　（：　＋ｔ、＋１、第１図に示す方θ、
：：１．−よび第２図に示す装置を・Ｊｌｌいて作製さ
れ、／ζ３、第７図の半導体基体７０は第１図の基体１
に相当する。同様にし、て第１の配線膜７１１および７
１．２　ｉｔ：配線２に、絶縁層８１に１：第１の被膜
３に、それそ、１１幻応する。第７図の第２の配線膜よ
り−Ｉ−側の部分し」：、同じ工程の繰り返しにより、
得られる。な・粋、接続部７０２および７０３は、絶縁
層８１　：Ｉ；、−よび８３の所定部を公知のホトリソ
グラフ技術を用いて形成１．た。本実施例でも、絶縁層
８１お」、び８２の平坦化のために１第１図で示す第２
の被膜４を用いたが、最終的にはその全部が除去され、
（］９） 第７図には示されていない。

第９図に本実施例におけるイオンミリングのイオンの入
射角θと絶縁層のミ’）ング速度との関係呑・示す。実
線はＳ１０□膜、破線は」二連の第２の被ｊ摸としての
ポトレジスト（シラプレー社ａＪ　Ａ　Ｚ＝１３５ＯＪ
型）である。なお、加速電圧は６００Ｖである。図によ
れば、入射角を適切に選定することに、１：す、両者に
対して実質的に等しいミリング速度を得ることができる
。

本実施例によれば、多層配線の各層において十分な羽坦
度を有し、下層配線が凹凸を有１−でいても、その凹凸
が上層配線に影響を及ぼさない。したがって、凹凸に基
づく段差によって上層の配線が不均一となったりとぎれ
易くなる等の問題が解消さ７］−５Ｔ’　Ｃの歩留、信
頼性を向上させることができた。この効果は、第８図に
示す従来例との比較において一層はつきりする。第８図
は第７図に示すと同じ配線を本発明方法を用いずに作製
した従来例であり、第７図と同等の部分は第７図におけ
ると同じ符弓°で示されている。第８図によれば（２０
） 第２　オ」：　ｏ：第３の配線膜７２　ｉ−、Ｉ：ヒ７
　：１　ｋｌ、複１イ１な凹凸形状を有する。、ｒｃに
Ｊ５・けるこの神配洒ｊｊ漠（ｔ−］、近年増々７散細
化される傾向にあり、このような凹凸は配線の信頼（Ｉ
Ｉ−向」二の」二で大きな問題となるものである１、 以上、本発明ケ実施例により説、明したが、本発明は上
述の実施例に限定されず、広く応１’ｆ１できるもので
ある１、丑ず、適用対象とじてに１：上述のものに限ら
れず、磁気バブル１子、固体撮像管Ｊｌｌ素子等、磁性
体や配線パターンのゞｌ７−１−ｆ−１化５．１′’ｊ
密化が要求される分野のいずれにおいても適用でれイ（
する。

斗た、平坦化のための方法としては、２層の被膜とする
ことは心拍ではなく、一般に多層であっても良い。ある
いｆｆ：］、基板の非平面状を力り正しつる物質であれ
ば１層であっても良い。この例としては軟化性を有する
ホトレジ７．１・４月があげられる。

この場合、本発明を用いる意義は表向が平坦でかつ薄い
被膜がイｒ＋られるという点である。

更に、被膜］′Ａとしては−Ｊ二二連各物質の外、例え
はネガタイプのポＩ・レジスト、テトラフルオロエチレ
ン、ノボラック系樹脂等が使用され得る。その他、配線
膜、磁性体あるいは基板の材質ｄ［自由であることは言
う１、でもない。

・ｆオンミリング装置としては上述の第２図の外、種々
の変形が許される。用いるイオンとしてはアルゴンイオ
ンの外、酸素イオン、　　（ｃｈ’３）＋等が用いられ
る。

以」二説明したように、本発明によれば露出表面が所望
の形状、特に精度の高い平面状を有する被膜を基体上に
形成するのに効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明するための工程図、第２図
は本発明において使用される装置の概観図、第３図ない
し第６図は本発明の第１の実施例を説明するための図、
第７図および第９図は本発明の第２の実施例を説明する
ための図、第８図は本発明の第２の実施例の比較例を示
す図である。 ３０・・・支持体、３１・・・基板、３２１・・・下部
磁性体、３２２・・・上部磁性体、３３・・・ギャップ
形成層、３４１・・・第１コイル、３４２・・・第２コ
イル、７１１．。 ７１２．７２，７：３・・配線膜、８１．８２・・・絶
縁勇　　２　　図 第　５　　目 尾　　Ｓ　　図 ３００　　　、！；００　　７００　　　？、。 ｊＪＵ　　層１　電　圧　（Ｖつ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ］、露出表面の少なくとも一部に非・１７面状部が形成
   され／ζ基体の、上記非平面状部を含む少なくとも一部
   （で、露出主表面が」二記非ゞ１′−面状とに１、異な
   る所定の表面形状を有し予定厚さ」：りもＪ９い被膜を
   形成する工程と、上記被膜の露出主表面に加速されたイ
   オンを照射しその衝撃によって」−記被膜を露出主表面
   が実質的に」−記表面形状をイＪしかつ予定の厚さとな
   るように加工する工程と、を有することを特徴とする被
   膜の形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、」二記被膜Ｃ２少
   なくともその露出主表面を含む一部が軟化性を有し、上
   記軟化性によって露出主表面が実質的に平面状とされた
   ことを特徴とする被膜の形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、上記被膜ｄ［２以
   上に分かれて積層され、少なくともその最−に層の全部
   が上記イオンの照射により除去されることを特徴とする
   被膜の形成方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、」−記被膜は上記
   基体の非平面状部上に形成された第１の被膜と第１の被
   膜上に形成され上記最上層である第２の被膜とから成り
   、」−記第１の被膜の上記第２の被膜と接する表面は非
   平面状であり、上記第２の被膜の露出主表面が実質的に
   平面状であること全特徴とする被膜の形成方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、上記第２の被膜は
   形成後加熱されることによって軟化性が増大し、それに
   よって上記露出主表面が実質的に平面状とされたことを
   ！１等徴とする被膜の形成方法。 ６、特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかにお
   いて、上記イオンの照射は、上記基体が非プラズマ状態
   の雰囲気中に置かれた状態で行なわれることを特徴とす
   る被膜の形成方法。