JPH034200A - 放射光露光装置 - Google Patents
放射光露光装置Info
- Publication number
- JPH034200A JPH034200A JP1139936A JP13993689A JPH034200A JP H034200 A JPH034200 A JP H034200A JP 1139936 A JP1139936 A JP 1139936A JP 13993689 A JP13993689 A JP 13993689A JP H034200 A JPH034200 A JP H034200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mirror
- ray
- plane mirror
- synchrotron radiation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロン放射光（
Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ：以下Ｓ
Ｒ光と称す）を使った放射光露光装置に関するものであ
る。
Ｒ光と称す）を使った放射光露光装置に関するものであ
る。
以下、半導体のＸ線リソグラフィーを例にとって説明す
る。
る。
第５図は、昭和６３年２月８．９日に開催されたシンポ
ジウム「放射光利用の新しい展開」の資料ｐｐ３５〜４
６に掲載された論文「放射光によるＸ線リソグラフィー
の研究」に示された従来の放射光露光装置である。
ジウム「放射光利用の新しい展開」の資料ｐｐ３５〜４
６に掲載された論文「放射光によるＸ線リソグラフィー
の研究」に示された従来の放射光露光装置である。
第５図（ａ）はその正面図、同（ｂ）は平面図、同（Ｃ
）はその一部鳥緻図を示す。図において、１はＳＲ光発
生点、２はＳＲ光発生点より放射されるＳＲ光、３はＳ
Ｒ光を反射させるためのミラーで、０−０′軸の回りに
回転可能となっている。４は反射ミラーにより反射され
た反射ＳＲ光で、平面ミラーの回転により図中の実線〜
破線のように出射方向が変化する。５はＢｅ窓等のＸ線
吸収フィルタで、反射されたＳＲ光に対するフィルタと
共に真空バウンダリも兼ねる。６は放射光露光用の転写
パターンが形成されたＸ線マスク、７はその表面にＸ線
レジストを塗布した半導体ウェハである。
）はその一部鳥緻図を示す。図において、１はＳＲ光発
生点、２はＳＲ光発生点より放射されるＳＲ光、３はＳ
Ｒ光を反射させるためのミラーで、０−０′軸の回りに
回転可能となっている。４は反射ミラーにより反射され
た反射ＳＲ光で、平面ミラーの回転により図中の実線〜
破線のように出射方向が変化する。５はＢｅ窓等のＸ線
吸収フィルタで、反射されたＳＲ光に対するフィルタと
共に真空バウンダリも兼ねる。６は放射光露光用の転写
パターンが形成されたＸ線マスク、７はその表面にＸ線
レジストを塗布した半導体ウェハである。
次に動作について説明する。ＳＲ光によるＸＩＩａｎ光
装置は、Ｘ線マスク６上に形成された転写パターンをＳ
Ｒ光により半導体ウェハ７の表面に塗布しであるＸ線レ
ジスト上に露光転写するものである。
装置は、Ｘ線マスク６上に形成された転写パターンをＳ
Ｒ光により半導体ウェハ７の表面に塗布しであるＸ線レ
ジスト上に露光転写するものである。
この装置では次の２点を留意する必要がある。
■ ＷＩＭＸ’ｌＡエネルギースペクトルの選択Ｘ線レ
ジストの有感エネルギー範囲とＸ線マスクのＸ線吸収特
性から高エネルギーＸ線及び低エネルギーＸ線成分を除
去し、１〜２ｋｅＶ近辺に強度ピークを有する様なＸ線
エネルギースペクトルにする必要がある。
ジストの有感エネルギー範囲とＸ線マスクのＸ線吸収特
性から高エネルギーＸ線及び低エネルギーＸ線成分を除
去し、１〜２ｋｅＶ近辺に強度ピークを有する様なＸ線
エネルギースペクトルにする必要がある。
■ 垂直方向の照射範囲の確保
ＳＲ光は第５図（Ｃ）に示すように、通常水平方向発散
角は大きく、垂直方向はＯ６数ｍｒａｄと小さい、従っ
て、Ｘ線マスク全体を吸収するには垂直方向にＳＲ光を
揺動させる必要がある。
角は大きく、垂直方向はＯ６数ｍｒａｄと小さい、従っ
て、Ｘ線マスク全体を吸収するには垂直方向にＳＲ光を
揺動させる必要がある。
第５図ではエネルギースペクトルの選択にＢｅ窓５と平
面ミラー３を使用し、垂直方向のＳＲ光の揺動に平面ミ
ラー３の回転を用、いている。
面ミラー３を使用し、垂直方向のＳＲ光の揺動に平面ミ
ラー３の回転を用、いている。
以下、これらの点について説明する。Ｂｅ窓５は低エネ
ルギーＸ線になる程、Ｘ線吸収率が増大するので、Ｘ線
エネルギースペクトルに対してはバイパスフィルタの役
割を持つ。平面ミラーは通常斜入射による全反射型ミラ
ーの直入斜多層膜を用いたモノクロメータ型ミラーを用
いるので、以下ではこの全反射型を例にとり説明する。
ルギーＸ線になる程、Ｘ線吸収率が増大するので、Ｘ線
エネルギースペクトルに対してはバイパスフィルタの役
割を持つ。平面ミラーは通常斜入射による全反射型ミラ
ーの直入斜多層膜を用いたモノクロメータ型ミラーを用
いるので、以下ではこの全反射型を例にとり説明する。
全反射型ミラーでは、Ｘ線エネルギーが高くなるに従い
、全反射をおこす臨界角が小さくなるため、ある入射角
に対してはあるエネルギーより高いエネルギーのＸ線は
反射されないことになる。
、全反射をおこす臨界角が小さくなるため、ある入射角
に対してはあるエネルギーより高いエネルギーのＸ線は
反射されないことになる。
従って、平面ミラー３は入射ＳＲ光に対してローパスフ
ィルタの役割を有する。
ィルタの役割を有する。
このように、Ｂｅ窓５と平面ミラー３とを組合わせ、窓
の厚さ、ミラーの入射角を適当に設定することにより、
必要とするエネルギースペクトルを有するＳＲ光４を得
ることができる。
の厚さ、ミラーの入射角を適当に設定することにより、
必要とするエネルギースペクトルを有するＳＲ光４を得
ることができる。
次に、垂直方向のＳＲ露光動については、平面ミラー上
、ＳＲ先入射中心線Ｏ−０′の回りに平面ミラーを回転
させることにより実現できる。
、ＳＲ先入射中心線Ｏ−０′の回りに平面ミラーを回転
させることにより実現できる。
第６図にその拡大図を示す、ＳＲ光２は平面ミラー上の
Ｏ−０′線を中心に入射するが、平面ミラー３のＯ−０
′軸を中心とする回転により、平面ミラーの回転位置３
ａ〜３Ｃに対応して反射ＳＲ光は４ａ〜４Ｃのごとく揺
動することとなり、Ｂｅ窓５を介してＸ線マスク６、Ｘ
線レジスト塗布半導体ウェハ７を照射する。
Ｏ−０′線を中心に入射するが、平面ミラー３のＯ−０
′軸を中心とする回転により、平面ミラーの回転位置３
ａ〜３Ｃに対応して反射ＳＲ光は４ａ〜４Ｃのごとく揺
動することとなり、Ｂｅ窓５を介してＸ線マスク６、Ｘ
線レジスト塗布半導体ウェハ７を照射する。
従来の放射光露光装置は以上のように構成されているの
で、Ｘ線マスク６とＸ線レジスト塗布半導体ウェハ７間
に存在するギャップによりＸ線マスク６上に形成されて
いる転写パターンが正しくＸ線レジスト上に投影転写さ
れない。
で、Ｘ線マスク６とＸ線レジスト塗布半導体ウェハ７間
に存在するギャップによりＸ線マスク６上に形成されて
いる転写パターンが正しくＸ線レジスト上に投影転写さ
れない。
即ち、水平方向のビーム発射角ψ、垂直方向のビーム揺
動角φにより、照射範囲の周辺部が中心部に比べて拡大
されることになる。第５図（ａ）に示すように、Ｘ線発
生点ｌと平面ミラー３開路ＭＬに対し、平面ミラー３と
半導体ウェハ７間距離２が小さい場合、この歪みの程度
は通常、垂直方向について著しい（第６図参照）。
動角φにより、照射範囲の周辺部が中心部に比べて拡大
されることになる。第５図（ａ）に示すように、Ｘ線発
生点ｌと平面ミラー３開路ＭＬに対し、平面ミラー３と
半導体ウェハ７間距離２が小さい場合、この歪みの程度
は通常、垂直方向について著しい（第６図参照）。
また、エネルギースペクトルについても第７図に示すよ
うに、平面ミラーの回転に応じてスペクトル１２〜１４
のごとく変化する。ここでスペクトル１２〜１４は第６
図のＳＲ露光ａ〜４Ｃ１従って平面ミラー位置３ａ〜３
Ｃに対応している。
うに、平面ミラーの回転に応じてスペクトル１２〜１４
のごとく変化する。ここでスペクトル１２〜１４は第６
図のＳＲ露光ａ〜４Ｃ１従って平面ミラー位置３ａ〜３
Ｃに対応している。
このように、従来の照射方法では、
■ Ｘ線レジスト上でＸ線マスクの転写パターンが歪む
。
。
■ Ｘ線レジスト位置（垂直方向）により、照射Ｘ線エ
ネルギースペクトルが変化し、露光条件の高制度制御が
困難となる。
ネルギースペクトルが変化し、露光条件の高制度制御が
困難となる。
という問題点があった。
この発明は、以上のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、Ｘ線マスク上に形成された転
写パターンをひずみなくＸ線レジスト上に投影転写し、
さらにＳＲ光の垂直揺動の際に起こるＸ線エネルギース
ペクトルの変化をなくし、Ｘ線レジスト露光条件の高精
度制御ができる放射光露光装置を得ることを目的として
いる。
るためになされたもので、Ｘ線マスク上に形成された転
写パターンをひずみなくＸ線レジスト上に投影転写し、
さらにＳＲ光の垂直揺動の際に起こるＸ線エネルギース
ペクトルの変化をなくし、Ｘ線レジスト露光条件の高精
度制御ができる放射光露光装置を得ることを目的として
いる。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る放射光露光装置は、平面ミラーを入射Ｓ
Ｒ光に対し平行に移動させる機構を有するようにしたも
のである。
Ｒ光に対し平行に移動させる機構を有するようにしたも
のである。
この発明においては、この平行移動機構によりＳＲ光は
常に平面ミラーの同一位置に同一角度で入射することに
なり、反射ＳＲ光は、平面ミラーの位置によらず、同一
反射角で放射され、各々のＳＲ光先光軸互いに平行とな
る。
常に平面ミラーの同一位置に同一角度で入射することに
なり、反射ＳＲ光は、平面ミラーの位置によらず、同一
反射角で放射され、各々のＳＲ光先光軸互いに平行とな
る。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による放射光露光装置を示
し、図において、２〜７は第５図と同一のものであるが
、平面ミラーの駆動は、従来のような回転機構ではなく
、ＳＲ光２に平行な方向への移動のみを行なうものであ
る。
し、図において、２〜７は第５図と同一のものであるが
、平面ミラーの駆動は、従来のような回転機構ではなく
、ＳＲ光２に平行な方向への移動のみを行なうものであ
る。
次に動作について説明する。第２図における３ａ〜３ｃ
は各移動時の平面ミラーの代表位置について示したもの
であるが、各々の平面ミラーはＳＲ光２の光軸に平行に
移動しているため、ＳＲ光２の入射位置ｏ−ｏ’ 、入
射角αはすべて等しい。
は各移動時の平面ミラーの代表位置について示したもの
であるが、各々の平面ミラーはＳＲ光２の光軸に平行に
移動しているため、ＳＲ光２の入射位置ｏ−ｏ’ 、入
射角αはすべて等しい。
従って、平面ミラー３ａ〜３ｃにより反射されたＳＲ露
光ａ〜４Ｃは互いに平行であり、従来方法とは異なり発
散角を持たない。
光ａ〜４Ｃは互いに平行であり、従来方法とは異なり発
散角を持たない。
平面ミラーの平行移動範囲は垂直方向（Ｚ方向）での必
要照射範囲により決められる。このように構成すること
により、Ｘ線マスク上転写パターンのＸ線レジスト上で
の垂直方向におけるパターンの拡大ひずみを大幅に低減
でき、かつ平面ミラーへのＳＲＲ入射入射角を一定に保
てることから、反射ｓＲ光のエネルギースペクトルも第
４図に示すように常に不変に保つことができる。
要照射範囲により決められる。このように構成すること
により、Ｘ線マスク上転写パターンのＸ線レジスト上で
の垂直方向におけるパターンの拡大ひずみを大幅に低減
でき、かつ平面ミラーへのＳＲＲ入射入射角を一定に保
てることから、反射ｓＲ光のエネルギースペクトルも第
４図に示すように常に不変に保つことができる。
なお、上記実施例では第２図の平面ミラー３はＳＲ光２
の光軸に対し平行に移動させたが、第３図に示すように
、ＳＲ光２の光軸に対して垂直角上で角度θをなしてＳ
Ｒ露光軸２と交わる直線８に平行に、平面ミラー３を移
動させても良い、このように移動させても、第２図の実
施例と同様の効果を奏する。
の光軸に対し平行に移動させたが、第３図に示すように
、ＳＲ光２の光軸に対して垂直角上で角度θをなしてＳ
Ｒ露光軸２と交わる直線８に平行に、平面ミラー３を移
動させても良い、このように移動させても、第２図の実
施例と同様の効果を奏する。
さらに、この移動方法によると、ＳＲ光２の入射位置が
０１−０ζ、ＯＯ’ 、Ｏｘ Ｏ；と平面ミラー上を
移動して行き、ＳＲ光による平面ミラーに対する熱負荷
を局所的に集中せずに分散させることができ、熱にによ
るミラーの変形等の悪影響を小さく抑えることができる
。
０１−０ζ、ＯＯ’ 、Ｏｘ Ｏ；と平面ミラー上を
移動して行き、ＳＲ光による平面ミラーに対する熱負荷
を局所的に集中せずに分散させることができ、熱にによ
るミラーの変形等の悪影響を小さく抑えることができる
。
また、以上の第２図、第３図の実施例ではミラーとして
平面ミラーを用いたが、これは第１図（Ｃ）に示すよう
に、適当な曲率を持つ円筒ミラー９にしてもよい。垂直
方向のミラー揺動によるＳＲＲ発散を小さく抑えた後は
、水平方向のＳＲ光発散敗が問題になるが、円筒ミラー
９の場合はその曲率を適当に選定することにより、ＳＲ
光２の水平方向の発散をなくして平行光４′にでき、Ｘ
線マスク６上の転写パターンのＸ線レジスト上での投影
転写の水平方向の拡大ひずみをなくすことができる。
平面ミラーを用いたが、これは第１図（Ｃ）に示すよう
に、適当な曲率を持つ円筒ミラー９にしてもよい。垂直
方向のミラー揺動によるＳＲＲ発散を小さく抑えた後は
、水平方向のＳＲ光発散敗が問題になるが、円筒ミラー
９の場合はその曲率を適当に選定することにより、ＳＲ
光２の水平方向の発散をなくして平行光４′にでき、Ｘ
線マスク６上の転写パターンのＸ線レジスト上での投影
転写の水平方向の拡大ひずみをなくすことができる。
さらに、第２図の実施例に対しては、平面ミラーに代え
て適当な曲率を持つトロイダルミラーを使用してもよい
、トロイダルミラーの２方向の曲率を適当に選ぶことに
より、円筒ミラーの場合と同様の効果を奏すると共に、
ＳＲ光２の本来有している垂直方向の発散（ミラー揺動
による発散とは異なり、もっと小さな発散角で水平方向
発散角と比べても１桁以上小さい）もな（し平行光化す
ることにより水平方向、垂直方向のＳＲ光の発散による
転写パターンの投影転写ひずみをより一層小さくするこ
とができる。
て適当な曲率を持つトロイダルミラーを使用してもよい
、トロイダルミラーの２方向の曲率を適当に選ぶことに
より、円筒ミラーの場合と同様の効果を奏すると共に、
ＳＲ光２の本来有している垂直方向の発散（ミラー揺動
による発散とは異なり、もっと小さな発散角で水平方向
発散角と比べても１桁以上小さい）もな（し平行光化す
ることにより水平方向、垂直方向のＳＲ光の発散による
転写パターンの投影転写ひずみをより一層小さくするこ
とができる。
このように、本実施例によれば、平面ミラーを入射ＳＲ
光軸に平行に移動させることにより、■ 従来方法に比
べＸ線マスク上の転写パターンのＸ線レジスト上への投
影転写時の垂直方向のひずみを低減でき、 ■ 併せて、垂直方向での照射Ｘ線エネルギースペクト
ルの変化をなくすことができるため、露光条件を高精度
で制御できる。
光軸に平行に移動させることにより、■ 従来方法に比
べＸ線マスク上の転写パターンのＸ線レジスト上への投
影転写時の垂直方向のひずみを低減でき、 ■ 併せて、垂直方向での照射Ｘ線エネルギースペクト
ルの変化をなくすことができるため、露光条件を高精度
で制御できる。
また、平面ミラーを入射ＳＲ光軸に対しθの角度を有す
る直線に平行に移動させることにより、前述の効果に加
えて、 ■ ＳＲ光によるミラーへの局所的熱負荷の集中から生
じるミラーの変形を防止でき、ＳＲ光反射特性を一定に
保てる。
る直線に平行に移動させることにより、前述の効果に加
えて、 ■ ＳＲ光によるミラーへの局所的熱負荷の集中から生
じるミラーの変形を防止でき、ＳＲ光反射特性を一定に
保てる。
さらに、平面ミラーを円筒ミラーにすることにより更に
、 ■ ＳＲ光の水平方向の発散によるパターンひずみも小
さくできる。
、 ■ ＳＲ光の水平方向の発散によるパターンひずみも小
さくできる。
平面ミラーをトロイダルミラーにするとミラーを入射Ｓ
Ｒ光軸に平行に移動させる場合に限り更に、 ■ ＳＲ光が本来有する垂直方向の発散によるパターン
ひずみも小さくできる。
Ｒ光軸に平行に移動させる場合に限り更に、 ■ ＳＲ光が本来有する垂直方向の発散によるパターン
ひずみも小さくできる。
以上のように、この発明に係る放射光露光装置によれば
、平面ミラーを入射ＳＲ光軸に平行に移動させるように
したので、Ｘ線マスク上の転写パターンのＸ線レジスト
上への投影転写時の垂直方向のひずみを低減でき、併せ
て、垂直方向での照射Ｘ線エネルギースペクトルの変化
をなくすことができるため、高精度のＳＲ光露光装置を
実現することができる。
、平面ミラーを入射ＳＲ光軸に平行に移動させるように
したので、Ｘ線マスク上の転写パターンのＸ線レジスト
上への投影転写時の垂直方向のひずみを低減でき、併せ
て、垂直方向での照射Ｘ線エネルギースペクトルの変化
をなくすことができるため、高精度のＳＲ光露光装置を
実現することができる。
第１図はこの発明の一実施例による放射光露光装置の全
体構成図、第２図はこの発明の一実施例による放射光露
光装置の部分拡大図、第３図はこの発明の他の実施例に
よる放射光露光装置の部分拡大図、第４図はこの発明の
一実施例による放射光露光装置のＳＲＲエネルギースペ
クトル説明図、第５図は従来のＳＲ光露光装置の全体構
成図、第６図は従来のＳＲ光露光装置の部分拡大図、第
７図は従来のＳＲ光露光装置のＳＲＲエネルギースペク
トル説明図である。 図において、１はＳＲ光発生点、２はＳＲ光、３は平面
ミラー、３ａ〜３ｃは回転移動または平行移動後（又は
移動中）の各平面ミラー、４は反射ＳＲ光、４ａ〜４ｃ
は平面ミラー３ａ〜３Ｃに対応した反射ＳＲ光、５はＢ
ｅ窓（Ｘ線吸収フィルタ）、６はＸ線マスク、７はＸ線
レジスト塗布半導体ウェハ、８はＳＲ光先光軸垂直面内
で角度θで交わる直線、９は円筒ミラー又はトロイダル
ミラー １０はＳＲＲエネルギースペクトル、１１はＢ
ｅ窓のみを通過した後のＳＲＲエネルギースペクトル、
１２〜１４は第６図の反射ＳＲ光４ａ〜４ｃに対応した
ＳＲＲエネルギースペクトル、１５は第２図の反射ＳＲ
光４ａ〜４ｃに対応したＳＲＲエネルギースペクトルで
ある。
体構成図、第２図はこの発明の一実施例による放射光露
光装置の部分拡大図、第３図はこの発明の他の実施例に
よる放射光露光装置の部分拡大図、第４図はこの発明の
一実施例による放射光露光装置のＳＲＲエネルギースペ
クトル説明図、第５図は従来のＳＲ光露光装置の全体構
成図、第６図は従来のＳＲ光露光装置の部分拡大図、第
７図は従来のＳＲ光露光装置のＳＲＲエネルギースペク
トル説明図である。 図において、１はＳＲ光発生点、２はＳＲ光、３は平面
ミラー、３ａ〜３ｃは回転移動または平行移動後（又は
移動中）の各平面ミラー、４は反射ＳＲ光、４ａ〜４ｃ
は平面ミラー３ａ〜３Ｃに対応した反射ＳＲ光、５はＢ
ｅ窓（Ｘ線吸収フィルタ）、６はＸ線マスク、７はＸ線
レジスト塗布半導体ウェハ、８はＳＲ光先光軸垂直面内
で角度θで交わる直線、９は円筒ミラー又はトロイダル
ミラー １０はＳＲＲエネルギースペクトル、１１はＢ
ｅ窓のみを通過した後のＳＲＲエネルギースペクトル、
１２〜１４は第６図の反射ＳＲ光４ａ〜４ｃに対応した
ＳＲＲエネルギースペクトル、１５は第２図の反射ＳＲ
光４ａ〜４ｃに対応したＳＲＲエネルギースペクトルで
ある。
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光を光源として使用し、ミラ
ーで反射されＸ線吸収フィルタを透過してきた放射光に
より露光を行なう装置において、上記ミラーを、入射し
てくるシンクロトロン放射光の光軸に対し、垂直面内で
一定角度を持って交わる直線に対し平行に移動させるミ
ラー駆動機構を備えたことを特徴とする放射光露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139936A JPH034200A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 放射光露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139936A JPH034200A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 放射光露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034200A true JPH034200A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15257120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139936A Pending JPH034200A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 放射光露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034200A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101018747B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치, 이를 이용한 노광 방법 및 이를 포함하는 표시장치용 표시판의 제조 방법 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139936A patent/JPH034200A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101018747B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2011-03-04 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치, 이를 이용한 노광 방법 및 이를 포함하는 표시장치용 표시판의 제조 방법 |
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