JPH0436360B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436360B2 JPH0436360B2 JP58112310A JP11231083A JPH0436360B2 JP H0436360 B2 JPH0436360 B2 JP H0436360B2 JP 58112310 A JP58112310 A JP 58112310A JP 11231083 A JP11231083 A JP 11231083A JP H0436360 B2 JPH0436360 B2 JP H0436360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- rays
- intensity distribution
- wafer
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、シンクロトロン放射光（以下単に
SRという）露光装置に代表されるごとき荷電粒
子軌道放射光の工業的利用のために、放射光に含
まれるＸ線成分が大面積に一様な強度分布で得ら
れるように工夫したＸ線投射装置に関するもので
ある。以下、SRに含まれるＸ線を用いたパター
ン露光装置を例にとつて、この発明の内容を説明
する。
SRという）露光装置に代表されるごとき荷電粒
子軌道放射光の工業的利用のために、放射光に含
まれるＸ線成分が大面積に一様な強度分布で得ら
れるように工夫したＸ線投射装置に関するもので
ある。以下、SRに含まれるＸ線を用いたパター
ン露光装置を例にとつて、この発明の内容を説明
する。
SR露光装置の試料面上におけるＸ線の強度分
布は、例えば電子エネルギー600MeV、軌道曲率
半径２ｍの電子蓄積リングから得られる放射光を
10ｍ離れた所で露光に利用する場合、波長10Åの
Ｘ線成分について見ると、第１図に示すように垂
直方向には半値幅５mmを持つて狭い範囲内に集中
している。水平方向には強度は一様である。この
ような強度分布を有するＸ線を用いて、例えば直
径10cmのシリコン・ウエーハの全面に一様にパタ
ーンの焼付けを行う方法には、大別して次の２つ
の方式がある。
布は、例えば電子エネルギー600MeV、軌道曲率
半径２ｍの電子蓄積リングから得られる放射光を
10ｍ離れた所で露光に利用する場合、波長10Åの
Ｘ線成分について見ると、第１図に示すように垂
直方向には半値幅５mmを持つて狭い範囲内に集中
している。水平方向には強度は一様である。この
ような強度分布を有するＸ線を用いて、例えば直
径10cmのシリコン・ウエーハの全面に一様にパタ
ーンの焼付けを行う方法には、大別して次の２つ
の方式がある。
第１の方式は第２図に示すようにマスク１とウ
エーハ２を一体にしてＸ線ビーム３の断面の長方
形の長辺と直角方向（上下方向）に連続移動させ
る方法である。しかしながら、この方法ではウエ
ーハ２と同じ大きさの直径10cmのマスク１が必要
となり、厚さ２〜3μｍの薄膜でパターンを保持
するＸ線マスクにおいては、この面積の全域にサ
ブミクロンの精度でパターンを形成することは困
難である。
エーハ２を一体にしてＸ線ビーム３の断面の長方
形の長辺と直角方向（上下方向）に連続移動させ
る方法である。しかしながら、この方法ではウエ
ーハ２と同じ大きさの直径10cmのマスク１が必要
となり、厚さ２〜3μｍの薄膜でパターンを保持
するＸ線マスクにおいては、この面積の全域にサ
ブミクロンの精度でパターンを形成することは困
難である。
第２の方式は第３図に示すようにウエーハ２上
で１回に露光する単位露光フイールド４をLSIの
１チツプ程度の面積（例えば１cm四方）に限り、
マスク１においてはこの単位露光フイールド４に
対応する窓である単位転写領域４′の部分だけに
パターンを作つて、Ｘ線ビーム３とマスク１の相
対的位置は固定して、ウエーハ２のみをこれらと
相対的に１フイールド分移動させては露光を繰り
返すステツプ・アンド・リピート方式である。こ
の方法によればマスク１の保持膜の面積は単位転
写領域４′の部分のみでよいから小さくなり、第
１の方式の難点は解消されるが、１フイールド内
のＸ線強度分布を一様にしなければならない。
で１回に露光する単位露光フイールド４をLSIの
１チツプ程度の面積（例えば１cm四方）に限り、
マスク１においてはこの単位露光フイールド４に
対応する窓である単位転写領域４′の部分だけに
パターンを作つて、Ｘ線ビーム３とマスク１の相
対的位置は固定して、ウエーハ２のみをこれらと
相対的に１フイールド分移動させては露光を繰り
返すステツプ・アンド・リピート方式である。こ
の方法によればマスク１の保持膜の面積は単位転
写領域４′の部分のみでよいから小さくなり、第
１の方式の難点は解消されるが、１フイールド内
のＸ線強度分布を一様にしなければならない。
ステツプ・アンド・リピート方式においてＸ線
の強度分布を一様にする方法として従来提案され
ているものは、 (1) １フイールドの露光中に、ウエーハ２とマス
ク１を一体として、Ｘ線ビーム３に対して相対
的に、１フイールドの範囲内で連続移動させて
強度分布を一様化する。
の強度分布を一様にする方法として従来提案され
ているものは、 (1) １フイールドの露光中に、ウエーハ２とマス
ク１を一体として、Ｘ線ビーム３に対して相対
的に、１フイールドの範囲内で連続移動させて
強度分布を一様化する。
(2) 第４図に示すようにSRビームを反射鏡５に
当て、この反射鏡５を首振り運動させて１単位
露光フイールド４内を反射ビームで走査するこ
とによつて時間的な積分強度を一様化する。
当て、この反射鏡５を首振り運動させて１単位
露光フイールド４内を反射ビームで走査するこ
とによつて時間的な積分強度を一様化する。
(3) 第５図に示すようにSRビームを凸面鏡６で
発散させ、強度分布をゆるやかにして一様化に
近付ける。
発散させ、強度分布をゆるやかにして一様化に
近付ける。
などの方法である。
しかしながら、(1)の方法ではウエーハ２の移動
機構に、ステツプ・アンド・リピートのためのウ
エーハ２単独の１単位露光フイールド単位のステ
ツプ移動に加えて、単位露光フイールド４内では
マスク１と一体化して連続移動するという、二重
の運動機能を付与しなければならず、機構が複雑
になる欠点があり、また、(2)の方法でも反射鏡５
の首振り運動のために別の機械的運動機構を導入
しなければならない欠点がある。また、(1)，(2)の
方法ともに、機械的運動の精度と安定性がビーム
強度分布の一様性と再現性を支配するという欠点
がある。(3)の方法は(1)，(2)のような機械的移動部
分をもたないため同種の欠点は免れているが、ビ
ームを拡げているために、単位露光フイールド４
内の単位面積当りのビーム・パワー密度が本来の
ビーム中心部のパワー密度より低下し、１フイー
ルドの露光時間が長くなる欠点がある。
機構に、ステツプ・アンド・リピートのためのウ
エーハ２単独の１単位露光フイールド単位のステ
ツプ移動に加えて、単位露光フイールド４内では
マスク１と一体化して連続移動するという、二重
の運動機能を付与しなければならず、機構が複雑
になる欠点があり、また、(2)の方法でも反射鏡５
の首振り運動のために別の機械的運動機構を導入
しなければならない欠点がある。また、(1)，(2)の
方法ともに、機械的運動の精度と安定性がビーム
強度分布の一様性と再現性を支配するという欠点
がある。(3)の方法は(1)，(2)のような機械的移動部
分をもたないため同種の欠点は免れているが、ビ
ームを拡げているために、単位露光フイールド４
内の単位面積当りのビーム・パワー密度が本来の
ビーム中心部のパワー密度より低下し、１フイー
ルドの露光時間が長くなる欠点がある。
この発明は、上述の点にかんがみなされたもの
で、１フイールドの露光においては不要となつて
いる両脇部分のビームを固定した反射鏡によつて
本来の進行方向を外れた方向に導き、中心の直進
ビームとこれら反射ビームとを試料面上で重ね合
わせることによつて、フイールド内のビーム強度
分布を、ビーム中心部の高いパワー密度と同等あ
るいはそれ以上のレベルで一様化しようとするも
のである。以下この発明を図面について説明す
る。
で、１フイールドの露光においては不要となつて
いる両脇部分のビームを固定した反射鏡によつて
本来の進行方向を外れた方向に導き、中心の直進
ビームとこれら反射ビームとを試料面上で重ね合
わせることによつて、フイールド内のビーム強度
分布を、ビーム中心部の高いパワー密度と同等あ
るいはそれ以上のレベルで一様化しようとするも
のである。以下この発明を図面について説明す
る。
第６図はこの発明の一実施例の概念図である。
第６図はSRのＸ線ビームを斜め上から見たもの
で、試料面上でのビームの断面は中心（電子軌道
面と同じ高さ）をＯとし、横方面の幅８cm、縦方
面の高さ１cmの直方形L1，L2，L3，L4になつて
いる。このビームのうち、中央部の１cm平方の正
方形ABCDの部分を、ステツプ・アンド・リピ
ート方式の露光における単位露光フイールド４と
して使う場合について説明する。
第６図はSRのＸ線ビームを斜め上から見たもの
で、試料面上でのビームの断面は中心（電子軌道
面と同じ高さ）をＯとし、横方面の幅８cm、縦方
面の高さ１cmの直方形L1，L2，L3，L4になつて
いる。このビームのうち、中央部の１cm平方の正
方形ABCDの部分を、ステツプ・アンド・リピ
ート方式の露光における単位露光フイールド４と
して使う場合について説明する。
第１図にも示した通り、例えば中心ＯからＲに
向かうにつれてＸ線強度は減少し、中間点で1/2
になつてしまう。そこで直進すれば正方形
ABCDに隣接する正方形EFGHの上半分EFPQの
部分に入射する筈のビームβ1を、反射鏡によつて
反射させて進路を変え、正方形ABCDの下半分
CDNMの部分に入射させる。ビームの経路、反
射鏡の配置等については後に詳述する。正方形
ABCDの中心軸SORに沿つて、もとの直進ビー
ムβ0の強度分布は第１図にも示した通り、第７図
の曲線ａ，a′で表わされるものである。これに
CDNMに入射した反射ビームβ1の強度分布（第
７図の曲線ｂ）を重ね合わせた結果、SO間の強
度分布は第７図の曲線ｃのようになりほぼ一様な
分布となる。変動の範囲は±４％で、露光の目的
にとつては一様分布と見なしてよい。同様に正方
形ABCDの上半分ABMNに対しても、上記と対
称的な操作で、正方形EFGHの下半分GHQPに
入射するべきビームβ2を反射させて入射させれ
ば、重ね合わせによつて正方形ABCDの上半分
ABMNでも第７図の曲線c′で表わされるほぼ一
様な強度分布が得られる。
向かうにつれてＸ線強度は減少し、中間点で1/2
になつてしまう。そこで直進すれば正方形
ABCDに隣接する正方形EFGHの上半分EFPQの
部分に入射する筈のビームβ1を、反射鏡によつて
反射させて進路を変え、正方形ABCDの下半分
CDNMの部分に入射させる。ビームの経路、反
射鏡の配置等については後に詳述する。正方形
ABCDの中心軸SORに沿つて、もとの直進ビー
ムβ0の強度分布は第１図にも示した通り、第７図
の曲線ａ，a′で表わされるものである。これに
CDNMに入射した反射ビームβ1の強度分布（第
７図の曲線ｂ）を重ね合わせた結果、SO間の強
度分布は第７図の曲線ｃのようになりほぼ一様な
分布となる。変動の範囲は±４％で、露光の目的
にとつては一様分布と見なしてよい。同様に正方
形ABCDの上半分ABMNに対しても、上記と対
称的な操作で、正方形EFGHの下半分GHQPに
入射するべきビームβ2を反射させて入射させれ
ば、重ね合わせによつて正方形ABCDの上半分
ABMNでも第７図の曲線c′で表わされるほぼ一
様な強度分布が得られる。
前述した通り水平方面には常にビーム強度は一
様であるから、これで正方形ABCDの領域内で
露光の目的には十分に一様とみなせるＸ線の分布
が実現されたことになる。鏡の反射率が100％で
ないための修正については後述する。
様であるから、これで正方形ABCDの領域内で
露光の目的には十分に一様とみなせるＸ線の分布
が実現されたことになる。鏡の反射率が100％で
ないための修正については後述する。
次にこの発明に用いる反射鏡について説明す
る。波長10A程度のＸ線は、臨界角以下の斜入射
による全反射によつてのみ反射させることが可能
である。反射鏡の構造の一例としては、完全に平
担な石英板の表面に金を1000Aの膜厚で蒸着した
ものがあげられる。この反射鏡面に波長10AのＸ
線を、鏡面から測つた入射角（視斜角）が2゜とな
るような斜入射条件で入射させれば、入射強度の
80％のＸ線が反射される。
る。波長10A程度のＸ線は、臨界角以下の斜入射
による全反射によつてのみ反射させることが可能
である。反射鏡の構造の一例としては、完全に平
担な石英板の表面に金を1000Aの膜厚で蒸着した
ものがあげられる。この反射鏡面に波長10AのＸ
線を、鏡面から測つた入射角（視斜角）が2゜とな
るような斜入射条件で入射させれば、入射強度の
80％のＸ線が反射される。
反射鏡の配置の一例を第８図ａの平面図、およ
び第８図ｂの側面図に示す。実際の視射角は2゜で
あるが、同図では判りやすいように10゜に誇張し
て描かれている。したがつて、寸法関係は必ずし
も正確でない。以下第６図に記入したと同じ座標
軸によつて説明する。
び第８図ｂの側面図に示す。実際の視射角は2゜で
あるが、同図では判りやすいように10゜に誇張し
て描かれている。したがつて、寸法関係は必ずし
も正確でない。以下第６図に記入したと同じ座標
軸によつて説明する。
ビームの一部分β11は鏡M11とM′11で反射され
て−ｚ方向に５mm下がり、β12は鏡M12とM′12で
反射されて同じく−ｚ方向に５mm下がる。同様に
β21は鏡M21とM′21による反射により、またβ22は
鏡M22とM′22による反射によつて、共にｚ方向に
５mm上がる。したがつて、ビームの上半分β1（β11
＋β12）と下半分β2（β21＋β22）が入れ換わつたビ
ームができ、これが鏡M3で−ｙ方向に反射され
てウエーハ２面の上の正方形ABCDの領域に入
射する。厳密にはｙ方向の辺の長さABおよび
CDが0.06％長くなるが、露光の目的にとつては
十分無視できる量である。
て−ｚ方向に５mm下がり、β12は鏡M12とM′12で
反射されて同じく−ｚ方向に５mm下がる。同様に
β21は鏡M21とM′21による反射により、またβ22は
鏡M22とM′22による反射によつて、共にｚ方向に
５mm上がる。したがつて、ビームの上半分β1（β11
＋β12）と下半分β2（β21＋β22）が入れ換わつたビ
ームができ、これが鏡M3で−ｙ方向に反射され
てウエーハ２面の上の正方形ABCDの領域に入
射する。厳密にはｙ方向の辺の長さABおよび
CDが0.06％長くなるが、露光の目的にとつては
十分無視できる量である。
このビームβは鏡で３回反射されているので、
強度は50％に落ちている。そこで、直進ビームβ0
に関してビームβと反対側に隣接するビーム
β′（第６図参照）を、前記の鏡M11，M′11，……，
M22，M′22とzx面に関して鏡映対称に配置された
鏡によつて反射させて、同じく上半分β′1を領域
CDMNに、また、下半分β′2を領域ABMNに入射
させれば、ビームβ0と合わせて第７図の曲線Ｃ，
C′で示されたほぼ一様な分布が実現される。
強度は50％に落ちている。そこで、直進ビームβ0
に関してビームβと反対側に隣接するビーム
β′（第６図参照）を、前記の鏡M11，M′11，……，
M22，M′22とzx面に関して鏡映対称に配置された
鏡によつて反射させて、同じく上半分β′1を領域
CDMNに、また、下半分β′2を領域ABMNに入射
させれば、ビームβ0と合わせて第７図の曲線Ｃ，
C′で示されたほぼ一様な分布が実現される。
ビームβおよびβ′はウエーハ２面に対して垂直
から4゜傾いた角度（入射角）で入射するが、この
ことによる転写パターンの半影ぼけは、マスク・
ウエーハ間隔が5μｍの場合0.35μｍであり、１〜
サブミクロン・パターンの転写に十分な精度であ
る。
から4゜傾いた角度（入射角）で入射するが、この
ことによる転写パターンの半影ぼけは、マスク・
ウエーハ間隔が5μｍの場合0.35μｍであり、１〜
サブミクロン・パターンの転写に十分な精度であ
る。
また、直進ビームβ0と反射ビームβ，β′の重ね
合わせによつて干渉縞が生じるが、ウエーハ２面
への入射角が4゜の場合、波長10ÅのＸ線によつて
生じる干渉縞間隔は140Å（0.014μｍ）であり、
パターン転写には影響を与えない程度に細かい。
合わせによつて干渉縞が生じるが、ウエーハ２面
への入射角が4゜の場合、波長10ÅのＸ線によつて
生じる干渉縞間隔は140Å（0.014μｍ）であり、
パターン転写には影響を与えない程度に細かい。
以上の取扱いではSRを平行光であるとして来
たが、ウエーハ２を電子蓄積リングの発光点から
10ｍの距離に置くとすると、SRが最初の反射鏡
に入射する位置は発光点から９ｍ45cmの距離にあ
り、この位置でのビームの拡がりは最大0.03゜で
あるから、これによる誤差は前記の精度の見積り
には影響しない。
たが、ウエーハ２を電子蓄積リングの発光点から
10ｍの距離に置くとすると、SRが最初の反射鏡
に入射する位置は発光点から９ｍ45cmの距離にあ
り、この位置でのビームの拡がりは最大0.03゜で
あるから、これによる誤差は前記の精度の見積り
には影響しない。
なお、第６図に原理を示したビームの重ね合わ
せを実現するための反射鏡の配置はここに説明し
た一例に限らない。また、重ね合わせるビームの
一部分の面積を適宜に選ぶことによつて、１cm四
方より大きい領域にわたつてビーム強度を一様化
できることも明らかである。
せを実現するための反射鏡の配置はここに説明し
た一例に限らない。また、重ね合わせるビームの
一部分の面積を適宜に選ぶことによつて、１cm四
方より大きい領域にわたつてビーム強度を一様化
できることも明らかである。
以上詳細に説明したように、この発明はパター
ン転写装置を代表とするシンクロトロン放射光の
Ｘ線ビームの所要面積に照射される以外のＸ線ビ
ームを、ビーム中心軸と鏡面とが成す角度を臨界
角以下とする斜入射条件で反射させて、前記所要
面積に重ね合わせ前記所要面積に一様な強度分布
のＸ線を照射する反射鏡を設けたので、従来、用
いられていなかつた所要面積以外のＸ線ビームを
有効に利用でき、しかも軟Ｘ線成分について一定
の面積内で一様な空間分布を実現させることがで
き、工業上重要な意義を有するものである。
ン転写装置を代表とするシンクロトロン放射光の
Ｘ線ビームの所要面積に照射される以外のＸ線ビ
ームを、ビーム中心軸と鏡面とが成す角度を臨界
角以下とする斜入射条件で反射させて、前記所要
面積に重ね合わせ前記所要面積に一様な強度分布
のＸ線を照射する反射鏡を設けたので、従来、用
いられていなかつた所要面積以外のＸ線ビームを
有効に利用でき、しかも軟Ｘ線成分について一定
の面積内で一様な空間分布を実現させることがで
き、工業上重要な意義を有するものである。
第１図は電子エネルギー600MeV、軌道曲率半
径２ｍの電子蓄積リングからのSRに含まれる波
長10Aの成分の電子軌道面に垂直な方向の分布を
発光点から10ｍの距離で測定した図、第２図は
SRによつてウエーハ全面を露光させる方法のう
ち平行移動方式の原理を示す図、第３図は同じく
ステツプ・アンド・リピート方式の原理を示す
図、第４図は反射鏡の首振り運動によつてSRビ
ームを走査させる方式の原理図、第５図は凸面鏡
によつてSRビームを拡げる方式の原理図、第６
図はこの発明においてSRビームの反射と重ね合
わせによつて一様な強度分布を得る方式の原理
図、第７図はこの方法によつて実現されたほぼ一
様なSRビームの強度分布を示す図、第８図はこ
れを実現するための反射鏡の配置の一例を示した
図である。 図中、１はマスク、２はウエーハ、３はSRビ
ーム、４はステツプ・アンド・リピート方式にお
けるウエーハ面上の単位露光フイールド、４′は
これに対応するマスク上の単位転写領域、５は首
振り運動する反射鏡、６は凸面鏡、β（β1，β2，
β11，β12，……，β22），β0，β′はSRビームの一
部
分、M11，M12，……，M22，M′11，M′12，……，
M′22およびM3はこの発明における鏡を表わす。
径２ｍの電子蓄積リングからのSRに含まれる波
長10Aの成分の電子軌道面に垂直な方向の分布を
発光点から10ｍの距離で測定した図、第２図は
SRによつてウエーハ全面を露光させる方法のう
ち平行移動方式の原理を示す図、第３図は同じく
ステツプ・アンド・リピート方式の原理を示す
図、第４図は反射鏡の首振り運動によつてSRビ
ームを走査させる方式の原理図、第５図は凸面鏡
によつてSRビームを拡げる方式の原理図、第６
図はこの発明においてSRビームの反射と重ね合
わせによつて一様な強度分布を得る方式の原理
図、第７図はこの方法によつて実現されたほぼ一
様なSRビームの強度分布を示す図、第８図はこ
れを実現するための反射鏡の配置の一例を示した
図である。 図中、１はマスク、２はウエーハ、３はSRビ
ーム、４はステツプ・アンド・リピート方式にお
けるウエーハ面上の単位露光フイールド、４′は
これに対応するマスク上の単位転写領域、５は首
振り運動する反射鏡、６は凸面鏡、β（β1，β2，
β11，β12，……，β22），β0，β′はSRビームの一
部
分、M11，M12，……，M22，M′11，M′12，……，
M′22およびM3はこの発明における鏡を表わす。
Claims (1)
- １ 荷電粒子の軌道放射光として放出されるＸ線
ビームの投影中の一部を所要面積に照射するＸ線
投射装置において、前記Ｘ線ビームの前記所要面
積に照射される以外のＸ線ビームを、ビーム中心
軸と鏡面とが成す角度を臨界角以下とする斜入射
条件で反射させて前記所要面積に重ね合わせ前記
所要面積に一様な強度分布のＸ線を照射する反射
鏡を設けたことを特徴とするＸ線投射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112310A JPS6084814A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Ｘ線投射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112310A JPS6084814A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Ｘ線投射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084814A JPS6084814A (ja) | 1985-05-14 |
| JPH0436360B2 true JPH0436360B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=14583471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112310A Granted JPS6084814A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Ｘ線投射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084814A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025334A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Toshiba Corp | Ｘ線装置 |
| EP0694817B1 (en) | 1988-09-02 | 2000-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5034702U (ja) * | 1973-07-27 | 1975-04-14 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112310A patent/JPS6084814A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6084814A (ja) | 1985-05-14 |
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