JPH0445417A - 光線反射鏡 - Google Patents
光線反射鏡Info
- Publication number
- JPH0445417A JPH0445417A JP2154262A JP15426290A JPH0445417A JP H0445417 A JPH0445417 A JP H0445417A JP 2154262 A JP2154262 A JP 2154262A JP 15426290 A JP15426290 A JP 15426290A JP H0445417 A JPH0445417 A JP H0445417A
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- Japan
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- curved
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- plane
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線なとの光を曲面反射鏡により所定位置へ正確に反射
させる光線反射鏡に関し、 反射光エネルギーを有効に利用するため使用する曲面反
射鏡の入射角を正確に設定できる光線反射鏡を提供する
ことを目的とし、 曲面反射鏡に併有させた光軸合わせ用の平面反射鏡と、
該平面反射鏡からの反射光を検出する検出器と、前記曲
面反射鏡への入射角度を所定値に変化させ、且つ曲面反
射鏡の位置を移動させる移動部とて構成する。
させる光線反射鏡に関し、 反射光エネルギーを有効に利用するため使用する曲面反
射鏡の入射角を正確に設定できる光線反射鏡を提供する
ことを目的とし、 曲面反射鏡に併有させた光軸合わせ用の平面反射鏡と、
該平面反射鏡からの反射光を検出する検出器と、前記曲
面反射鏡への入射角度を所定値に変化させ、且つ曲面反
射鏡の位置を移動させる移動部とて構成する。
本発明はＸ線などの光を曲面反射鏡により所定位置へ正
確に反射させる光線反射鏡に関する。
確に反射させる光線反射鏡に関する。
超ＬＳＩの製造工程においてサブミクロン加工技術が必
要となり、ＳＯＲ光のように大きな強度で平行性に優れ
た光線からＸ線露光に最適な波長帯を取り出し、より高
強度の光線を得るため反射鏡を使用しているが、入射角
が異なると同一光源からのＸ線であっても反射Ｘ線の強
度の異なることが判った。所定の反射Ｘ線の強度を容易
に得る技術を開発することか要望された。
要となり、ＳＯＲ光のように大きな強度で平行性に優れ
た光線からＸ線露光に最適な波長帯を取り出し、より高
強度の光線を得るため反射鏡を使用しているが、入射角
が異なると同一光源からのＸ線であっても反射Ｘ線の強
度の異なることが判った。所定の反射Ｘ線の強度を容易
に得る技術を開発することか要望された。
Ｘ線を使用する超ＬＳＩの製造装置について、第５図に
その概略を示す。第５図において、１はＳＯＲ（シンク
ロトロン放射光）の光源、２はＳＯＲ光、３は反射鏡、
４は露光室、５は半導体ウェーハ、６はレジストを示す
。ＳＯＲ光２は磁場中で円運動している電子がその求心
加速度により放射する電磁波であって、ホトレジスト６
に照射するため使用する場合は、反射鏡３で反射させベ
リリウムを通過させるなどにより軟Ｘ線と呼ばれるＸ線
露光に最適なものを取り出し使用する。露光室４におけ
る半導体ウェーハ５上のレジスト６に対し軟Ｘ線−３Ｏ
Ｒ光２を照射し、サブミクロン単位でパターンを形成す
ることを５ＯＲ−Ｘ線リソグラフィ技術という。このと
き露光時間をより短縮するため、集光鏡を使用する。集
光鏡として実際には反射鏡３を使用している。第６図に
示すように反射鏡３による反射を考える。ＳＯＲ光２が
反射鏡３に対し入射角θで入射するとき、法線７に対し
対称的に反射角θで反射し、反射光８となる。このとき
露光に最適な波長よりも短い波長のＳＯＲ光は透過し透
過光９と示す方向に進む。
その概略を示す。第５図において、１はＳＯＲ（シンク
ロトロン放射光）の光源、２はＳＯＲ光、３は反射鏡、
４は露光室、５は半導体ウェーハ、６はレジストを示す
。ＳＯＲ光２は磁場中で円運動している電子がその求心
加速度により放射する電磁波であって、ホトレジスト６
に照射するため使用する場合は、反射鏡３で反射させベ
リリウムを通過させるなどにより軟Ｘ線と呼ばれるＸ線
露光に最適なものを取り出し使用する。露光室４におけ
る半導体ウェーハ５上のレジスト６に対し軟Ｘ線−３Ｏ
Ｒ光２を照射し、サブミクロン単位でパターンを形成す
ることを５ＯＲ−Ｘ線リソグラフィ技術という。このと
き露光時間をより短縮するため、集光鏡を使用する。集
光鏡として実際には反射鏡３を使用している。第６図に
示すように反射鏡３による反射を考える。ＳＯＲ光２が
反射鏡３に対し入射角θで入射するとき、法線７に対し
対称的に反射角θで反射し、反射光８となる。このとき
露光に最適な波長よりも短い波長のＳＯＲ光は透過し透
過光９と示す方向に進む。
レジスト６に吸収されるＳＯＲ光２の強度を変えること
と、ＳＯＲ光２の中から不要な光を反射光として利用し
ないことのために、反射鏡３を使用する。このとき反射
鏡３としては平面鏡以外に曲面鏡を使用することも行わ
れている。それは曲面鏡により光線を収束し、強度を大
きくすることか出来るからである。
と、ＳＯＲ光２の中から不要な光を反射光として利用し
ないことのために、反射鏡３を使用する。このとき反射
鏡３としては平面鏡以外に曲面鏡を使用することも行わ
れている。それは曲面鏡により光線を収束し、強度を大
きくすることか出来るからである。
第７図に示すように、従来の構成ではＳＯＲ光２の代わ
りにＳＯＲ光２０を使用し、反射鏡３における反射点Ｒ
２かＲ２゜どなっても、レジスト６に到達する位置Ｐ、
か同一という場合がある。この場合反射光１１によりレ
ジスト６に与えられるエネルギーと、反射光１２による
ものとは、入射光θ２と０１が異なるので、得られる効
果が異なることとなった。特に反射鏡か平面でなく曲面
状の場合は入射角の調整を正確に行うことか困難であっ
た。それは曲面反射鏡は反射面が光軸の左右方向以外に
、前後にも曲がっているから、入射角が僅かに異なって
も、反射角か大きく変化するためである。
りにＳＯＲ光２０を使用し、反射鏡３における反射点Ｒ
２かＲ２゜どなっても、レジスト６に到達する位置Ｐ、
か同一という場合がある。この場合反射光１１によりレ
ジスト６に与えられるエネルギーと、反射光１２による
ものとは、入射光θ２と０１が異なるので、得られる効
果が異なることとなった。特に反射鏡か平面でなく曲面
状の場合は入射角の調整を正確に行うことか困難であっ
た。それは曲面反射鏡は反射面が光軸の左右方向以外に
、前後にも曲がっているから、入射角が僅かに異なって
も、反射角か大きく変化するためである。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、反射光エネルギー
を有効に利用するため使用する曲面反射鏡の入射角を正
確に設定できる光線反射鏡を提供することにある。
を有効に利用するため使用する曲面反射鏡の入射角を正
確に設定できる光線反射鏡を提供することにある。
第１図は本発明の原理構成を示す図である。第１図にお
いて、１３は本発明による光線反射鏡、１４は反射鏡１
３の曲面反射鏡、１５は反射鏡１３の平面反射鏡、１６
は反射光検出器、１７は反射鏡１３の移動部、１８は入
射光、１９は反射光、２１は直接光を示す。
いて、１３は本発明による光線反射鏡、１４は反射鏡１
３の曲面反射鏡、１５は反射鏡１３の平面反射鏡、１６
は反射光検出器、１７は反射鏡１３の移動部、１８は入
射光、１９は反射光、２１は直接光を示す。
本発明は下記の構成としている。即ち、曲面反射鏡１４
に併有させた光軸合わせ用の平面反射鏡１５と、該平面
反射鏡１５からの反射光を検出する検出器１６と、前記
曲面反射鏡１４への入射角度を所定値に変化させ、且つ
曲面反射鏡１４の位置を移動させる移動部１７とて構成
する。
に併有させた光軸合わせ用の平面反射鏡１５と、該平面
反射鏡１５からの反射光を検出する検出器１６と、前記
曲面反射鏡１４への入射角度を所定値に変化させ、且つ
曲面反射鏡１４の位置を移動させる移動部１７とて構成
する。
反射光検出器１６は通常、半導体ウェーハなと光線を利
用する材料の置かれている場所と反射鏡１３との間に配
置される。当初に、光線反射鏡１３を調整して入射光１
８か平面反射鏡１５の部分で反射して検出器１６へ到達
させる。そのとき第２図に示すように、入射光１８は平
面反射鏡１５に到達するとき、入射光は若干の拡がりを
有しているから、検出器１６上には平面反射鏡１５に反
射されて２６点にてきた像と、平面反射鏡１５に反射さ
れない直接光２１による２３点での像か出来る。平面反
射鏡１５による検出器１６上てＲ４点の像が、平面反射
鏡１５の傾きを調整するとき直接光２１の２３点と急速
に一致できる。これは入射光１８か平面反射光１５と平
行状態になったことを示す。露光に最適な波長帯が得ら
れる入射角は予め計算で求めであるから、その角度だけ
移動部１７は平面反射鏡１５を第２図に点線で示すよう
に傾斜させる。移動部１７か平面反射鏡１５を同時に予
定角度だけ傾斜させると、曲面反射鏡１４も予定角度に
傾いているから、次に移動部１７は入射光１８が曲面反
射鏡１４を照射する位置へ、平面反射鏡１５と共に反射
鏡１３の全体を移動する。そのとき曲面反射鏡１４は平
面反射鏡１５との位置関係が予め定まっているから、平
面反射鏡１５による反射と対応付けのされた正確な反射
を行う。そのため曲面反射鏡１４からの反射光は予定強
度で、図示しない利用材料へ到達できる。
用する材料の置かれている場所と反射鏡１３との間に配
置される。当初に、光線反射鏡１３を調整して入射光１
８か平面反射鏡１５の部分で反射して検出器１６へ到達
させる。そのとき第２図に示すように、入射光１８は平
面反射鏡１５に到達するとき、入射光は若干の拡がりを
有しているから、検出器１６上には平面反射鏡１５に反
射されて２６点にてきた像と、平面反射鏡１５に反射さ
れない直接光２１による２３点での像か出来る。平面反
射鏡１５による検出器１６上てＲ４点の像が、平面反射
鏡１５の傾きを調整するとき直接光２１の２３点と急速
に一致できる。これは入射光１８か平面反射光１５と平
行状態になったことを示す。露光に最適な波長帯が得ら
れる入射角は予め計算で求めであるから、その角度だけ
移動部１７は平面反射鏡１５を第２図に点線で示すよう
に傾斜させる。移動部１７か平面反射鏡１５を同時に予
定角度だけ傾斜させると、曲面反射鏡１４も予定角度に
傾いているから、次に移動部１７は入射光１８が曲面反
射鏡１４を照射する位置へ、平面反射鏡１５と共に反射
鏡１３の全体を移動する。そのとき曲面反射鏡１４は平
面反射鏡１５との位置関係が予め定まっているから、平
面反射鏡１５による反射と対応付けのされた正確な反射
を行う。そのため曲面反射鏡１４からの反射光は予定強
度で、図示しない利用材料へ到達できる。
曲面反射鏡のみでは正確な入射角度の調整が出来なかっ
たけれど、本発明によれば曲面反射鏡に併有された平面
反射鏡により角度調整を正確に行うから、利用材料へ設
計通り反射光が到達する。
たけれど、本発明によれば曲面反射鏡に併有された平面
反射鏡により角度調整を正確に行うから、利用材料へ設
計通り反射光が到達する。
第３図は本発明の実施例の構成を示す図である。
第３図において１５−１．１５−２はそれぞれ平面反射
鏡であって、曲面反射鏡１４の両側に設けたもの、１７
は角度設定部・位置移動部を有するもので、角度測定用
ゴニオメータと、電動機などを組合せたもの、２２はビ
ームラインで反射光を露光室４に導く管路、２４は光選
択具で、例えば入射光のうち軟Ｘ線のみを透過させるベ
リリウム板などを示す。平面反射鏡１５−１．１５−２
は曲面反射鏡１４の両側に設けられている。これは平面
反射鏡を片側のみに設けるより、両側に設けた方が製造
し易いことによる。光源ｌからのＳＯＲ光について、当
初は一方の平面反射鏡例えば１５−１を入射光に対し移
動部１７により略平行に傾けて、直接光と反射光を検出
器１６により検出する。平面反射鏡１５−１からの反射
光が検出器１６で直接光と一致することを確かめてから
、次に平面反射鏡１５−１への入射角が予定量となるよ
うに角度設定部１７は平面反射鏡１５−１を傾ける。次
に位置移動部１７は平面反射鏡１５−１の傾きを維持し
て、曲面反射鏡１４・平面反射鏡１５−２と共に、即ち
反射鏡全体を矢印で示−すように手前方向に移動させる
。平面反射鏡の平面と平行な水平方向である。光源１か
らの入射光１８が曲面反射鏡Ｉ４により反射する位置に
おいて移動を停止する。必要に応じてビームライン２２
の傾きを調節することか良い。このようにしてウェーハ
５のレジストに対し、図示しないマスクを使用し所定の
パターンを結像させることか出来る。
鏡であって、曲面反射鏡１４の両側に設けたもの、１７
は角度設定部・位置移動部を有するもので、角度測定用
ゴニオメータと、電動機などを組合せたもの、２２はビ
ームラインで反射光を露光室４に導く管路、２４は光選
択具で、例えば入射光のうち軟Ｘ線のみを透過させるベ
リリウム板などを示す。平面反射鏡１５−１．１５−２
は曲面反射鏡１４の両側に設けられている。これは平面
反射鏡を片側のみに設けるより、両側に設けた方が製造
し易いことによる。光源ｌからのＳＯＲ光について、当
初は一方の平面反射鏡例えば１５−１を入射光に対し移
動部１７により略平行に傾けて、直接光と反射光を検出
器１６により検出する。平面反射鏡１５−１からの反射
光が検出器１６で直接光と一致することを確かめてから
、次に平面反射鏡１５−１への入射角が予定量となるよ
うに角度設定部１７は平面反射鏡１５−１を傾ける。次
に位置移動部１７は平面反射鏡１５−１の傾きを維持し
て、曲面反射鏡１４・平面反射鏡１５−２と共に、即ち
反射鏡全体を矢印で示−すように手前方向に移動させる
。平面反射鏡の平面と平行な水平方向である。光源１か
らの入射光１８が曲面反射鏡Ｉ４により反射する位置に
おいて移動を停止する。必要に応じてビームライン２２
の傾きを調節することか良い。このようにしてウェーハ
５のレジストに対し、図示しないマスクを使用し所定の
パターンを結像させることか出来る。
第４図は本発明の実施例として平面反射鏡１５を、曲面
反射鏡１４の裏面に設けた例を示す図である。この場合
は、第３図の場合と同様に平面反射鏡１５の傾きを入射
光１８と略一致させることを検出器により検出する。次
に角度設定部により平面反射鏡１５（即ち、曲面反射鏡
１４も一緒に）を所定角度だけ傾斜させる。そして位置
移動部により例えば上方に移動させ、入射光１８か曲面
反射鏡１４を照射するように調整する。
反射鏡１４の裏面に設けた例を示す図である。この場合
は、第３図の場合と同様に平面反射鏡１５の傾きを入射
光１８と略一致させることを検出器により検出する。次
に角度設定部により平面反射鏡１５（即ち、曲面反射鏡
１４も一緒に）を所定角度だけ傾斜させる。そして位置
移動部により例えば上方に移動させ、入射光１８か曲面
反射鏡１４を照射するように調整する。
反射Ｘ線の検出器は、蛍光板を使用すると、反射光検出
を直視することか出来て有効である。
を直視することか出来て有効である。
検出器１６は露光室内にあっても良い。また反射鏡と光
選択具２４との間にあっても良い。Ｘ線を使用する場合
はウェーハ上のパターンとしてより細密なものか得られ
る。
選択具２４との間にあっても良い。Ｘ線を使用する場合
はウェーハ上のパターンとしてより細密なものか得られ
る。
このようにして本発明によると、曲面反射鏡により入射
光を反射させた光を有効に利用するとき、反射鏡への入
射角を予定角度に正確に設定するとことか容易に出来る
ので、利用材料において設計通りの光線強度を早期・簡
便に得ることが出来る。
光を反射させた光を有効に利用するとき、反射鏡への入
射角を予定角度に正確に設定するとことか容易に出来る
ので、利用材料において設計通りの光線強度を早期・簡
便に得ることが出来る。
したかってＸ線リソグラフィ技術において、処理の均一
性か大いに向上するという効果を有する。
性か大いに向上するという効果を有する。
第１図は本発明の原理構成を示す図、
第２図は第１図の動作説明図、
第３図・第４図は本発明の実施例の構成を示す図、第５
図は従来装置の概略を示す図、 第６図・第７図は第５図における反射鏡の反射を説明す
る図である。 １３−光線反射鏡 １４−・曲面反射鏡 １５・・・平面反射鏡 １６・−・反射光検出器 １７・・−移動部 １８・・・入射光 ２１・−・・直接光 ９・・・・反射光 特許出願人 富士通株式会社 代 理 人 弁理士 鈴木栄祐 第１図 第２図 検出器 従来の装置 第５図 反射光の説明 反射光の説明 第７図
図は従来装置の概略を示す図、 第６図・第７図は第５図における反射鏡の反射を説明す
る図である。 １３−光線反射鏡 １４−・曲面反射鏡 １５・・・平面反射鏡 １６・−・反射光検出器 １７・・−移動部 １８・・・入射光 ２１・−・・直接光 ９・・・・反射光 特許出願人 富士通株式会社 代 理 人 弁理士 鈴木栄祐 第１図 第２図 検出器 従来の装置 第５図 反射光の説明 反射光の説明 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、曲面反射鏡（１４）に併有させた光軸合わせ用の平
面反射鏡（１５）と、 該平面反射鏡（１５）からの反射光を検出する検出器（
１６）と、 前記曲面反射鏡（１４）への入射角度を所定値に変化さ
せ、且つ曲面反射鏡（１４）の位置を移動させる移動部
（１７）と、 て構成することを特徴とする光線反射鏡。 ２、請求項第１項記載の平面反射鏡は、曲面反射鏡の片
側または両側に設け、移動部は曲面反射鏡からの反射光
を所定場所へ到達させるように平面反射鏡の平面と平行
な水平方向に移動も可能とする構成としたことを特徴と
する光線反射鏡。 ３、請求項第１項記載の平面反射鏡は、曲面反射鏡の裏
面に設け、移動部は平面反射鏡による調整の後に、上下
に移動可能とする構成としたことを特徴とする光線反射
鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154262A JPH0445417A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光線反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154262A JPH0445417A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光線反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445417A true JPH0445417A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15580344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154262A Pending JPH0445417A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 光線反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445417A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5448612A (en) * | 1991-09-30 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| WO2008010491A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Jtec Corporation | High precision posture control method of x-ray mirror |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154262A patent/JPH0445417A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5448612A (en) * | 1991-09-30 | 1995-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus |
| WO2008010491A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Jtec Corporation | High precision posture control method of x-ray mirror |
| JP2008026294A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | J Tec:Kk | Ｘ線ミラーの高精度姿勢制御法 |
| US8000443B2 (en) | 2006-07-18 | 2011-08-16 | Jtec Corporation | High precision posture control method of X-ray mirror |
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