JPH0342034Y2 - - Google Patents
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- JPH0342034Y2 JPH0342034Y2 JP1749285U JP1749285U JPH0342034Y2 JP H0342034 Y2 JPH0342034 Y2 JP H0342034Y2 JP 1749285 U JP1749285 U JP 1749285U JP 1749285 U JP1749285 U JP 1749285U JP H0342034 Y2 JPH0342034 Y2 JP H0342034Y2
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- JP
- Japan
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- filament
- crucible
- metal vapor
- thin film
- hole
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜形
成装置に関するものである。
成装置に関するものである。
第２図は従来の薄膜形成装置の断面を示したも
のであり、図において、１はるつぼ、２はるつぼ
１内にあつて溶融される金属、３はるつぼ１の上
部にあけられ溶融された金属２が噴出する孔、４
は孔３から噴出する金属蒸気、５はるつぼ１を加
熱するフイラメント、６はフイラメント５に電流
を流して高温にし電子を放出させる交流電源、７
は交流電源６によつて放出された電子がるつぼ１
に衝突するようにるつぼ１の電位がフイラメント
５の電位より正のバイアス電圧がかゝつている第
１の直流電源、８は電子を放出するイオン化フイ
ラメント、９はイオン化フイラメント８から放出
された電子を加速するグリツド、１０はイオン化
フイラメント８を発熱させる交流電源、１１はグ
リツド９に対してイオン化フイラメント８を負の
電位に保つ第２の直流電源、１２はイオン化した
金属蒸気４を加速する加速電極、１３は表面に金
属薄膜を蒸着させる基板、１４は蒸着膜、１５は
加速電極１２にグリツド９より負の電位を与える
第３の直流電圧、１６はるつぼ１の熱放射を防ぐ
熱シールド板、１７は真空槽である。
のであり、図において、１はるつぼ、２はるつぼ
１内にあつて溶融される金属、３はるつぼ１の上
部にあけられ溶融された金属２が噴出する孔、４
は孔３から噴出する金属蒸気、５はるつぼ１を加
熱するフイラメント、６はフイラメント５に電流
を流して高温にし電子を放出させる交流電源、７
は交流電源６によつて放出された電子がるつぼ１
に衝突するようにるつぼ１の電位がフイラメント
５の電位より正のバイアス電圧がかゝつている第
１の直流電源、８は電子を放出するイオン化フイ
ラメント、９はイオン化フイラメント８から放出
された電子を加速するグリツド、１０はイオン化
フイラメント８を発熱させる交流電源、１１はグ
リツド９に対してイオン化フイラメント８を負の
電位に保つ第２の直流電源、１２はイオン化した
金属蒸気４を加速する加速電極、１３は表面に金
属薄膜を蒸着させる基板、１４は蒸着膜、１５は
加速電極１２にグリツド９より負の電位を与える
第３の直流電圧、１６はるつぼ１の熱放射を防ぐ
熱シールド板、１７は真空槽である。
第２図において、フイラメント５は交流電源６
により加熱された熱電子が放出されるが、第１の
直流電源７によつてるつぼ１に与えられた正電圧
により熱電子がるつぼ１に衝突してるつぼ１を加
熱する。るつぼ１内の金属２は蒸発し、孔３より
真空中に噴出する。噴出された金属蒸気４はフイ
ラメント８から飛び出した電子がグリツド９を通
過して金属蒸気４に当つて電子をたゝき出しプラ
ス電荷を持つたイオンになる。このプラスイオン
は加熱電極１２によつて加速され基板１３に蒸着
し蒸着膜が出来る。
により加熱された熱電子が放出されるが、第１の
直流電源７によつてるつぼ１に与えられた正電圧
により熱電子がるつぼ１に衝突してるつぼ１を加
熱する。るつぼ１内の金属２は蒸発し、孔３より
真空中に噴出する。噴出された金属蒸気４はフイ
ラメント８から飛び出した電子がグリツド９を通
過して金属蒸気４に当つて電子をたゝき出しプラ
ス電荷を持つたイオンになる。このプラスイオン
は加熱電極１２によつて加速され基板１３に蒸着
し蒸着膜が出来る。
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されて
いるので、噴出する金属蒸気４のうちイオン化さ
れない蒸気の一部は加速電極１２による力を受け
ないため初速を失つて拡散し矢印に示すようにフ
イラメント５近傍にまわり込む。これらの蒸気は
フイラメント５から流出する電子にたゝき出され
てプラスイオンになり、交流電源６の……フイラ
メント５の交流電源６を安定させることが出来る
薄膜形成装置を得ることを目的とする。
いるので、噴出する金属蒸気４のうちイオン化さ
れない蒸気の一部は加速電極１２による力を受け
ないため初速を失つて拡散し矢印に示すようにフ
イラメント５近傍にまわり込む。これらの蒸気は
フイラメント５から流出する電子にたゝき出され
てプラスイオンになり、交流電源６の……フイラ
メント５の交流電源６を安定させることが出来る
薄膜形成装置を得ることを目的とする。
この考案に係る薄膜形成装置は第１図に示すよ
うにるつぼの孔側をシールドで囲んで噴出した金
属蒸気がフイラメント側にまわり込まないように
したものである。
うにるつぼの孔側をシールドで囲んで噴出した金
属蒸気がフイラメント側にまわり込まないように
したものである。
この考案における薄膜形成装置はシールドによ
り金属蒸気がフイラメント側にまわり込まないた
め蒸着効率が向上するばかりでなく、フイラメン
トの電源が安定する。
り金属蒸気がフイラメント側にまわり込まないた
め蒸着効率が向上するばかりでなく、フイラメン
トの電源が安定する。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第１図において、１〜１７迄は従来の実施例
と同一のものなので説明は省略する。
る。第１図において、１〜１７迄は従来の実施例
と同一のものなので説明は省略する。
１８はるつぼ１の孔３側に取りつけられた深皿
形のシールドである。上記の深皿形のシールド１
８によつて噴出した金属蒸気４は、フイラメント
５側にまわり込むことなくイオン化が行われるグ
リツド９に送りこまれる。
形のシールドである。上記の深皿形のシールド１
８によつて噴出した金属蒸気４は、フイラメント
５側にまわり込むことなくイオン化が行われるグ
リツド９に送りこまれる。
以上のように、この考案によれば、金属蒸気が
効率よく蒸着出来るようにシールドを構成し、且
つ金属蒸気がフイラメントにまわりこまないよう
に設けられているので、電源を安定に保ち高品位
の薄膜が得られる効果がある。
効率よく蒸着出来るようにシールドを構成し、且
つ金属蒸気がフイラメントにまわりこまないよう
に設けられているので、電源を安定に保ち高品位
の薄膜が得られる効果がある。
第１図は、この考案の一実施例による薄膜形成
装置を示す断面図、第２図は従来の薄膜形成装置
を示す断面図である。図において、１はるつぼ、
３は孔、４は金属蒸気、５はフイラメント、１７
は真空槽、１８はシールドである。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
装置を示す断面図、第２図は従来の薄膜形成装置
を示す断面図である。図において、１はるつぼ、
３は孔、４は金属蒸気、５はフイラメント、１７
は真空槽、１８はシールドである。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- 真空槽、この真空槽の内部に配設されたフイラ
メント、このフイラメントによつて加熱され金属
蒸気を上部にあけられた孔から噴出するるつぼ、
および上記孔と上記フイラメントの間に位置し、
上記孔から噴出する金属蒸気が上記フイラメント
の近傍に飛来するのを防ぐシールドを備えた薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1749285U JPH0342034Y2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1749285U JPH0342034Y2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133558U JPS61133558U (ja) | 1986-08-20 |
| JPH0342034Y2 true JPH0342034Y2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=30505245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1749285U Expired JPH0342034Y2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342034Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104695A (en) * | 1989-09-08 | 1992-04-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for vapor deposition of material onto a substrate |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP1749285U patent/JPH0342034Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61133558U (ja) | 1986-08-20 |
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