JPS60183721A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60183721A JPS60183721A JP59040766A JP4076684A JPS60183721A JP S60183721 A JPS60183721 A JP S60183721A JP 59040766 A JP59040766 A JP 59040766A JP 4076684 A JP4076684 A JP 4076684A JP S60183721 A JPS60183721 A JP S60183721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- substrate
- heat
- thin film
- film deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜蒸着装置
の熱遮蔽に関するものである。
の熱遮蔽に関するものである。
従来の薄膜蒸着装置を第１図に示す。図において、１は
基板１３に蒸着ずべき蒸着物質である金属２を内部に収
容するるつぼ、３ば該るつぼ１の上面に形成された噴射
孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属蒸
気、５ば上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は交
流電源、７は直流電源、８ばグリッド、９は上記金属蒸
気４をイオン化するための熱電子を放出するイオン化フ
ィラメント、１０ば交流電源、１１は直流電源、１２は
上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１４
は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は直
流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する熱
シールド板、１７は所定の真空度に保持された直空容器
である。
基板１３に蒸着ずべき蒸着物質である金属２を内部に収
容するるつぼ、３ば該るつぼ１の上面に形成された噴射
孔、４は上記るつぼ１の噴射孔３から噴射された金属蒸
気、５ば上記るつぼ１を加熱するフィラメント、６は交
流電源、７は直流電源、８ばグリッド、９は上記金属蒸
気４をイオン化するための熱電子を放出するイオン化フ
ィラメント、１０ば交流電源、１１は直流電源、１２は
上記イオン化された金属蒸気を加速する加速電極、１４
は上記基板１３の表面に蒸着形成された薄膜、１５は直
流電源、１６は上記るつぼ１からの輻射熱を遮蔽する熱
シールド板、１７は所定の真空度に保持された直空容器
である。
次に動作について説明する。
第１図において、フィラメント５は電源６によって加熱
され、電源７によって与えられた電圧により電子をるつ
ぼ１に照射し、該るつぼ１は該電子の衝突を受けて加熱
される。これによりるつぼｊ内の金属２は蒸発し、該金
１．１ｓ Ｈｆ、気はｐ（″ｉ射孔３から貴空中に照射
される。該イ）射された金１ｉｊ’Ｅ范気４はイオン化
フィラメント９．電源１０．グリッド３（によって発生
された！；ハ電子の衝突を受のでイオン化され、該イオ
ン化された金属蒸気４は加速電極１２と電源１５とによ
って加速され、基板１３に射突し゛ζ范着薄映１４を作
る。
され、電源７によって与えられた電圧により電子をるつ
ぼ１に照射し、該るつぼ１は該電子の衝突を受けて加熱
される。これによりるつぼｊ内の金属２は蒸発し、該金
１．１ｓ Ｈｆ、気はｐ（″ｉ射孔３から貴空中に照射
される。該イ）射された金１ｉｊ’Ｅ范気４はイオン化
フィラメント９．電源１０．グリッド３（によって発生
された！；ハ電子の衝突を受のでイオン化され、該イオ
ン化された金属蒸気４は加速電極１２と電源１５とによ
って加速され、基板１３に射突し゛ζ范着薄映１４を作
る。
ところで、この薄膜蒸着装置においζは、−Ｊ−、記金
属蒸気４を発生セしめる際、上記るっぽ１は相当の高温
になり、そのため輻射熱が該るつは１の表面から周囲に
放出されることとなる。そこでこの従来装置では、るつ
ぼ１の側面及び底面の外力には」−２輻射熱を反射させ
るＦ；（レール１′板１６を配置しており、また上面に
おいては上記加速電極１２を！；ｌ）シールド板に共用
している。しかしごの加速電極Ｉ２はるつぼ１からかな
り」二方に離れた位置にあるため金ＪｊＪＳ ＦＡ気４
は該電極１２ ａ＋＋分を拡がって通ることとなり、そ
のための加速電極１２には大きな開ＬＪ部が形成されて
いる。このためるつぼｌの噴射孔３側の面からの輻射熱
は、」二記開ＬＩ部を通、って基板１３乙こ到達して該
基板１３を加！；１ｔするごとになる。そこで従来の薄
膜系着装’＋ＶＣでは、基板の６１７Ｌ度」二昇を防止
するためには基板１３を冷却する必要があった。
属蒸気４を発生セしめる際、上記るっぽ１は相当の高温
になり、そのため輻射熱が該るつは１の表面から周囲に
放出されることとなる。そこでこの従来装置では、るつ
ぼ１の側面及び底面の外力には」−２輻射熱を反射させ
るＦ；（レール１′板１６を配置しており、また上面に
おいては上記加速電極１２を！；ｌ）シールド板に共用
している。しかしごの加速電極Ｉ２はるつぼ１からかな
り」二方に離れた位置にあるため金ＪｊＪＳ ＦＡ気４
は該電極１２ ａ＋＋分を拡がって通ることとなり、そ
のための加速電極１２には大きな開ＬＪ部が形成されて
いる。このためるつぼｌの噴射孔３側の面からの輻射熱
は、」二記開ＬＩ部を通、って基板１３乙こ到達して該
基板１３を加！；１ｔするごとになる。そこで従来の薄
膜系着装’＋ＶＣでは、基板の６１７Ｌ度」二昇を防止
するためには基板１３を冷却する必要があった。
本発明は、上記のような従来のものの欠点をなくすため
になされたもので、るつぼの噴射孔が形成された面の近
傍に該噴射孔に対応する部分に開「１が形成された！ｊ
ハシールト板を配設することにより、るつぼからの輻射
熱が基板にあまり届がない、Ｊ、うにして基板・＼のｊ
ｉｂ影響を小さくできる薄膜蒸：１７装置を提供するこ
とを目的としている。
になされたもので、るつぼの噴射孔が形成された面の近
傍に該噴射孔に対応する部分に開「１が形成された！ｊ
ハシールト板を配設することにより、るつぼからの輻射
熱が基板にあまり届がない、Ｊ、うにして基板・＼のｊ
ｉｂ影響を小さくできる薄膜蒸：１７装置を提供するこ
とを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。し１において、第１
し１と同一符号は同−又は相当部分を示し、２１は耐熱
性の断！；ハ材からなる２枚の熱シールド板であり、こ
れは上記るつぼ１の噴射孔３が形成されている面の少し
上方に配設され、るっぽ１と同電位になっている。そし
て上記各熱シールド板２■の」−記るつぼド１の噴射孔
３に対応する部分には、開］」２２が形成されており、
該各間［ゴ２２はるつぼｌと反対側に行くほど径が大き
い頂角３０゜の円錐形の外表面上に位置している。
し１と同一符号は同−又は相当部分を示し、２１は耐熱
性の断！；ハ材からなる２枚の熱シールド板であり、こ
れは上記るつぼ１の噴射孔３が形成されている面の少し
上方に配設され、るっぽ１と同電位になっている。そし
て上記各熱シールド板２■の」−記るつぼド１の噴射孔
３に対応する部分には、開］」２２が形成されており、
該各間［ゴ２２はるつぼｌと反対側に行くほど径が大き
い頂角３０゜の円錐形の外表面上に位置している。
次に作用効果について説明する。
本実施例装；ｂ：により基板１３に薄膜を形成するには
、従来と同様にるつぼ１から金属蒸気を噴出せしめる訳
であるが、本実施例装置の熱シールド板２１の開ｌ」２
２の面位は小さいため、るつぼ１の噴射孔３から噴出す
る金１ｊｊＳ ％％、気は開口２２を通るが、るつぼ１
からの基板１３への輻射熱のほとんどはごの熱シールド
板２１により遮断され、基板１３に到達する熱ば従来の
ものと比較して卵重に少なく、従って熱の影響が小さく
なり、基板冷Ｊｉｌｌ装置など特別な装置を必要としな
い。
、従来と同様にるつぼ１から金属蒸気を噴出せしめる訳
であるが、本実施例装置の熱シールド板２１の開ｌ」２
２の面位は小さいため、るつぼ１の噴射孔３から噴出す
る金１ｊｊＳ ％％、気は開口２２を通るが、るつぼ１
からの基板１３への輻射熱のほとんどはごの熱シールド
板２１により遮断され、基板１３に到達する熱ば従来の
ものと比較して卵重に少なく、従って熱の影響が小さく
なり、基板冷Ｊｉｌｌ装置など特別な装置を必要としな
い。
以」二のように本発明に係る薄膜蒸着装置によ゛れば、
るつぼの噴射孔が形成された面の近傍に該噴射孔と対応
する部分に開口を有する熱シールド板を配設したので、
基板に到達するるつぼからの輻射熱量を大きく低減でき
、該輻射多１ハによる基板への悪影響を防止でき、基板
冷却装置を不要にできる効果がある。
るつぼの噴射孔が形成された面の近傍に該噴射孔と対応
する部分に開口を有する熱シールド板を配設したので、
基板に到達するるつぼからの輻射熱量を大きく低減でき
、該輻射多１ハによる基板への悪影響を防止でき、基板
冷却装置を不要にできる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図は本
発明の一実施例による曹、股蒸ヱ「装置の概略構成図で
ある。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、３・・・噴射孔、
４・・・蒸気、１３・・・基板、１４・・・’ＡＶ膜、
２１・・・熱シールド板、２２・・・開１］。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 １．ｊ（： 第１図 第２図
発明の一実施例による曹、股蒸ヱ「装置の概略構成図で
ある。 １・・・るつぼ、２・・・蒸着物質、３・・・噴射孔、
４・・・蒸気、１３・・・基板、１４・・・’ＡＶ膜、
２１・・・熱シールド板、２２・・・開１］。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 １．ｊ（： 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板に蒸着すべき蒸着物質の蒸気を噴出するるつ
ぼを備え、上記るつぼからの蒸気を基板に衝突させて薄
膜を蒸着させる薄膜蒸着装置において、上記るつぼの噴
射孔が形成された面の近傍に該るつぼの噴射孔と対応す
る部分に開口を有する熱シールド板が配設されているこ
とを特徴とする薄膜蒸着装置。 （２） 上記熱シールド板は、複数段けられ”ζおり、
該各熱シールド板の開口は、るつぼと反対側に行くほど
径が大きい頂角３０°の円錐形の外表面上に位置するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040766A JPS60183721A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040766A JPS60183721A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183721A true JPS60183721A (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=12589745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040766A Pending JPS60183721A (ja) | 1984-03-01 | 1984-03-01 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251116A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置用分子線源 |
| US4982696A (en) * | 1988-01-08 | 1991-01-08 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming thin film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123870A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin semiconductor film producing apparatus |
| JPS5372467A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS5694731A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-31 | Philips Nv | Method of forming epitaxial layer and semiconductor device formed of semiconductor substrate for imparting same layer |
| JPS5863130A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
-
1984
- 1984-03-01 JP JP59040766A patent/JPS60183721A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123870A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin semiconductor film producing apparatus |
| JPS5372467A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS5694731A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-31 | Philips Nv | Method of forming epitaxial layer and semiconductor device formed of semiconductor substrate for imparting same layer |
| JPS5863130A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251116A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長装置用分子線源 |
| US4982696A (en) * | 1988-01-08 | 1991-01-08 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming thin film |
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