JPH0342508B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342508B2 JPH0342508B2 JP58028027A JP2802783A JPH0342508B2 JP H0342508 B2 JPH0342508 B2 JP H0342508B2 JP 58028027 A JP58028027 A JP 58028027A JP 2802783 A JP2802783 A JP 2802783A JP H0342508 B2 JPH0342508 B2 JP H0342508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- degrees
- compound semiconductor
- wafer
- chipping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は発光素子を形成する化合物半導体の切
断方法に関する。
断方法に関する。
(ロ) 従来技術
従来発光ダイオードは、発光効率を向上させる
ため、ガリウム燐（GaP）は（111）面、ガリウ
ム砒素（GaAs）やカリウム砒素燐（GaAsP）は
100面の上にそれぞれPn接合を形成していたが、
これら化合物半導体のウエハの100面にPn接合を
形成した場合、第１図に示すように（110）方向
Ａ，Ａが２つあり、これが完全劈開方向となるの
で、概ねこの方向又はこの方向からわずかにずれ
た方向（±10°程度）でダイシングをして素子を
形成していた。ところがこの時に切断刃が深くウ
エハ１に切り込めば切り込む程、また切断速度が
速ければ速い程、第２図に示すように切断部端縁
に欠け（通称チツピング）２，２…が生じ、素子
３，３…は立方体状となりにくい。このようなチ
ツピングは単に製造治具での取扱いが不便になる
ばかりでなく、電流分布や光の反射率や屈折率に
も影響するので、光取出効率を考慮した発光効率
は著しく低下する。
ため、ガリウム燐（GaP）は（111）面、ガリウ
ム砒素（GaAs）やカリウム砒素燐（GaAsP）は
100面の上にそれぞれPn接合を形成していたが、
これら化合物半導体のウエハの100面にPn接合を
形成した場合、第１図に示すように（110）方向
Ａ，Ａが２つあり、これが完全劈開方向となるの
で、概ねこの方向又はこの方向からわずかにずれ
た方向（±10°程度）でダイシングをして素子を
形成していた。ところがこの時に切断刃が深くウ
エハ１に切り込めば切り込む程、また切断速度が
速ければ速い程、第２図に示すように切断部端縁
に欠け（通称チツピング）２，２…が生じ、素子
３，３…は立方体状となりにくい。このようなチ
ツピングは単に製造治具での取扱いが不便になる
ばかりでなく、電流分布や光の反射率や屈折率に
も影響するので、光取出効率を考慮した発光効率
は著しく低下する。
(ハ) 発明の目的
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、
切断深さにほとんど影響なく、切断速度を速く出
来しかも発光効率の低下しない化合物半導体の切
断方法を提供するものである。
切断深さにほとんど影響なく、切断速度を速く出
来しかも発光効率の低下しない化合物半導体の切
断方法を提供するものである。
(ニ) 発明の構成
本発明は化合物半導体ウエハの２方向の完全劈
開方向にはさまれた方向に切断していく方法であ
り以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
開方向にはさまれた方向に切断していく方法であ
り以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
(ホ) 実施例
第３図は本発明実施例を説明する化合物半導体
ウエハの要部側面図でシート４上に、100面上に
Pn接合５を有した化合物半導体ウエハ６を載置
しダイシング法により溝７，７…を形成する。こ
れは第１図における完全劈開方向に対し略45度ず
れた方向(B)(B)に沿つてダイシング刃を進めること
でチツピング８はほとんど生じない。その後、シ
ート４の裏面から加圧して素子を分離するが、従
来はこの工程でのチツピングが切断中の数倍生じ
ていたのに対し、本発明において切断中の数十分
の一しか生じない。分離後は真空ピンセツトを用
いる等により素子をシート４から剥離する。この
ような切断方法による具体例を示す。まず化合物
半導体としてGaAsを例にとつて、劈開方向に沿
う一方向のみの不良率を調べると、前述のチツピ
ング等は全くといつていいほど発生していない。
しかし、結晶軸は劈開方行が直交していないので
縦横に溝を設ける必要があり、これにより不良率
が高くなる。２方向の切断方向を劈開方向に合わ
せ表面を平行四辺形とすることも出来なくはない
が、発光ダイオード等では光放出分布（輝度分
布）が素子形状に依存するので、概ねは略サイコ
ロ状となる立方体が好まれ、そのため切断方向は
略直交することになる。以下一枚のウエハの中で
略立方体の素子を得る場合、ウエハ端部において
立方体に成り得ない素子を除き、得られた素子の
中で外観的に前記チツピング等があるものを不良
とし、その割合を不良率という。
ウエハの要部側面図でシート４上に、100面上に
Pn接合５を有した化合物半導体ウエハ６を載置
しダイシング法により溝７，７…を形成する。こ
れは第１図における完全劈開方向に対し略45度ず
れた方向(B)(B)に沿つてダイシング刃を進めること
でチツピング８はほとんど生じない。その後、シ
ート４の裏面から加圧して素子を分離するが、従
来はこの工程でのチツピングが切断中の数倍生じ
ていたのに対し、本発明において切断中の数十分
の一しか生じない。分離後は真空ピンセツトを用
いる等により素子をシート４から剥離する。この
ような切断方法による具体例を示す。まず化合物
半導体としてGaAsを例にとつて、劈開方向に沿
う一方向のみの不良率を調べると、前述のチツピ
ング等は全くといつていいほど発生していない。
しかし、結晶軸は劈開方行が直交していないので
縦横に溝を設ける必要があり、これにより不良率
が高くなる。２方向の切断方向を劈開方向に合わ
せ表面を平行四辺形とすることも出来なくはない
が、発光ダイオード等では光放出分布（輝度分
布）が素子形状に依存するので、概ねは略サイコ
ロ状となる立方体が好まれ、そのため切断方向は
略直交することになる。以下一枚のウエハの中で
略立方体の素子を得る場合、ウエハ端部において
立方体に成り得ない素子を除き、得られた素子の
中で外観的に前記チツピング等があるものを不良
とし、その割合を不良率という。
この不良率は劈開方向からわずかにずれたとき
が最も悪く、およそ10％あり、劈開方向から±30
度程度ずれるまでは徐々に改善され、７〜８％と
なる。しかしその後急激に不良率が低下し、劈開
方向に対して40〜50度交差（±40〜±45度）の方
向で最も不良率が少なく、およそ２％の不良率と
なる。この様な傾向は、シリコン系の半導体にお
いては劈開方向に対して30度交差でも45度交差で
も不良率が余り変化しなかつたので、結晶の脆い
化合物半導体の切断において特有な性質と考えら
れる。
が最も悪く、およそ10％あり、劈開方向から±30
度程度ずれるまでは徐々に改善され、７〜８％と
なる。しかしその後急激に不良率が低下し、劈開
方向に対して40〜50度交差（±40〜±45度）の方
向で最も不良率が少なく、およそ２％の不良率と
なる。この様な傾向は、シリコン系の半導体にお
いては劈開方向に対して30度交差でも45度交差で
も不良率が余り変化しなかつたので、結晶の脆い
化合物半導体の切断において特有な性質と考えら
れる。
また化合物半導体においては、外観上は前述の
チツピングがなくとも、結晶内部に歪みを残すこ
とがある。この内部歪みを示す例示としてGaP赤
色発光ダイオードにおいて光の量のバラ付きを見
ると、バラつきの程度は劈開方向からわずかにず
れたとき±20％程度で、角度のずれが大きくなる
につればらつきが漸次小さくなり、45度交差する
時にはおよそ±10％になつた。
チツピングがなくとも、結晶内部に歪みを残すこ
とがある。この内部歪みを示す例示としてGaP赤
色発光ダイオードにおいて光の量のバラ付きを見
ると、バラつきの程度は劈開方向からわずかにず
れたとき±20％程度で、角度のずれが大きくなる
につればらつきが漸次小さくなり、45度交差する
時にはおよそ±10％になつた。
従つて外観的な不良からいつても、内部歪みか
ら見ても、化合物半導体の切断には劈開方向から
略45度傾けて溝を形成するのがよい。
ら見ても、化合物半導体の切断には劈開方向から
略45度傾けて溝を形成するのがよい。
(ヘ) 発明の効果
以上の如く本発明は、化合物半導体ウエハの
100面にPn接合を形成し、結晶の完全へき開方向
に対し略45度傾けて溝を形成し、その溝に基づい
て素子を分離する化合物半導体の切断方法である
から後工程の作業性もよく、また発光効率も良好
である。
100面にPn接合を形成し、結晶の完全へき開方向
に対し略45度傾けて溝を形成し、その溝に基づい
て素子を分離する化合物半導体の切断方法である
から後工程の作業性もよく、また発光効率も良好
である。
第１図は半導体ウエハの平面図、第２図は従来
のウエハ切断分離時のウエハ要部平面図、第３図
は本発明実施例の半導体ウエハの要部側面図であ
る。 ４……シート、５……Pn接合、１，６……ウ
エハ、７，７……溝。
のウエハ切断分離時のウエハ要部平面図、第３図
は本発明実施例の半導体ウエハの要部側面図であ
る。 ４……シート、５……Pn接合、１，６……ウ
エハ、７，７……溝。
Claims (1)
- １ 化合物半導体ウエハの100面にPn接合を形成
し、結晶の完全へき開方向に対し略45度傾けて溝
を形成し、その溝に基づいて素子を分離する事を
特徴とする化合物半導体の切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028027A JPS59152638A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 化合物半導体の切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028027A JPS59152638A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 化合物半導体の切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152638A JPS59152638A (ja) | 1984-08-31 |
| JPH0342508B2 true JPH0342508B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=12237256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028027A Granted JPS59152638A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 化合物半導体の切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152638A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105446A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0256987A (ja) * | 1988-02-23 | 1990-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路の実装方法 |
| JP2002090566A (ja) | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波回路装置 |
| JP2005033196A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Showa Denko Kk | 半導体ウエーハのダイシング方法および発光ダイオードチップ |
| US7183137B2 (en) * | 2003-12-01 | 2007-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for dicing semiconductor wafers |
| JP2008028139A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Ricoh Co Ltd | 半導体チップの製造方法、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP2008235521A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池 |
| JP6433644B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2018-12-05 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526144B2 (ja) * | 1972-08-24 | 1977-02-19 |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58028027A patent/JPS59152638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152638A (ja) | 1984-08-31 |
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