JPH0342634A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH0342634A JPH0342634A JP1175693A JP17569389A JPH0342634A JP H0342634 A JPH0342634 A JP H0342634A JP 1175693 A JP1175693 A JP 1175693A JP 17569389 A JP17569389 A JP 17569389A JP H0342634 A JPH0342634 A JP H0342634A
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- Japan
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- layer
- plastic
- moisture
- electrochromic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はプラスチック基板あるいはプラスチック素子基
板を用いたエレクトロクロミック素子（以下ＥＣ素子と
略称する）に関するものである。
板を用いたエレクトロクロミック素子（以下ＥＣ素子と
略称する）に関するものである。
［従来の技術］
従来のＥＣ素子は第５図に示すような構造であった。図
においで、ガラスからなる素子基板１０１の上には、少
なくとも一方が透明の一対の電極層１０２，１０４とそ
の間に挟まれたＥＣ層３が蒸着によって積層されている
。これらの電極層１０２，１０４及びＥＣ層１０３は非
常に薄く破損変形しやすいため、電極層１０４の外側に
はエポキシ樹脂等からなる接着層１０５を介してガラス
からなる保護基板１０８か貼設されている。
においで、ガラスからなる素子基板１０１の上には、少
なくとも一方が透明の一対の電極層１０２，１０４とそ
の間に挟まれたＥＣ層３が蒸着によって積層されている
。これらの電極層１０２，１０４及びＥＣ層１０３は非
常に薄く破損変形しやすいため、電極層１０４の外側に
はエポキシ樹脂等からなる接着層１０５を介してガラス
からなる保護基板１０８か貼設されている。
［発明か解決しようとする課題］
しかし、上記のような従来の技術に於いては、ＥＣ素子
のり・半量化を図るためにプラスデック保護基板を用い
ると、ＥＣ素子中の水分が接着層を介して保護基板によ
って吸収・放出され、透過率の変化幅か縮小してしまう
（ＥＣ素子の着消色の濃度差か小さくなる）という問題
点かあった。
のり・半量化を図るためにプラスデック保護基板を用い
ると、ＥＣ素子中の水分が接着層を介して保護基板によ
って吸収・放出され、透過率の変化幅か縮小してしまう
（ＥＣ素子の着消色の濃度差か小さくなる）という問題
点かあった。
水分の放出は、ＥＣ素子を高温環境下に保持した場合に
著しく（６０℃以上の耐熱テストにおいて透過率の変化
幅の減少が顕著）、８０℃、５０時間の耐熱テストでは
ＥＣ素子は殆ど着消色しなくなってしまう。
著しく（６０℃以上の耐熱テストにおいて透過率の変化
幅の減少が顕著）、８０℃、５０時間の耐熱テストでは
ＥＣ素子は殆ど着消色しなくなってしまう。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、軽
量でかつ水分量の変化による透過率変化幅の減少を防止
することのてきるＥＣ素子を提供することを目的とする
ものである。
量でかつ水分量の変化による透過率変化幅の減少を防止
することのてきるＥＣ素子を提供することを目的とする
ものである。
［課題を解決するための手段］
本発明のＥＣ素子は、素子基板上に、少なくとも一方か
透明な１対の電極層、この１対の電極層の間に形成され
たＥＣ層、接着層及び保護基板か積層されてなるＥＣ素
子であっで、上記目的の達成のために、下記１）又ｉ１
：２）又は３）の構成をなすＥＣ素子である。
透明な１対の電極層、この１対の電極層の間に形成され
たＥＣ層、接着層及び保護基板か積層されてなるＥＣ素
子であっで、上記目的の達成のために、下記１）又ｉ１
：２）又は３）の構成をなすＥＣ素子である。
１）素子基板がガラス、保護基板がプラスチックからな
り、接着層と保護基板の間に水分の透過を阻止するブロ
ック層を有する。
り、接着層と保護基板の間に水分の透過を阻止するブロ
ック層を有する。
２）素子基板及び保護基板の両方がプラスデックからな
り、電極層と素子基板の間及び接着層と保護基板の間の
少なくとも一方に水分の透過を阻止するブロック層を有
する。
り、電極層と素子基板の間及び接着層と保護基板の間の
少なくとも一方に水分の透過を阻止するブロック層を有
する。
３）素子基板がプラスチック、保護基板がガラスからな
り、電極層と素子基板の間に水分の透過を阻止するブロ
ック層を有する。
り、電極層と素子基板の間に水分の透過を阻止するブロ
ック層を有する。
本発明における水分のブロック層を構成するに好ましい
物質の具体例としては、５ｊ０２． へ１２０３Ｓｉ−
八ｌ−０−Ｎ等がある。
物質の具体例としては、５ｊ０２． へ１２０３Ｓｉ−
八ｌ−０−Ｎ等がある。
［作 用コ
本発明のＥＣ素子は、素子基板及び保護基板の少なくと
も何れか一方がプラスチックで構成されている。プラス
チック基板はガラス基板に比較して吸水率が大きいとい
う欠点があるが、本発明ではプラスチック基板の内側に
水分の透過を阻止するブロック層を設けているので、Ｅ
Ｃ素子内の水分かプラスチック基板に吸収されて減少す
るのを防止できる。ＥＣ層の着消色反応に関与する水分
量が一定に保たれることにより、はぼ一定の透過率の変
化幅が維持される。
も何れか一方がプラスチックで構成されている。プラス
チック基板はガラス基板に比較して吸水率が大きいとい
う欠点があるが、本発明ではプラスチック基板の内側に
水分の透過を阻止するブロック層を設けているので、Ｅ
Ｃ素子内の水分かプラスチック基板に吸収されて減少す
るのを防止できる。ＥＣ層の着消色反応に関与する水分
量が一定に保たれることにより、はぼ一定の透過率の変
化幅が維持される。
本発明におけるブロック層は、基板を構成するプラスチ
ックより吸水率が小さい物質であれば特に限定されるも
のではないが、薄膜化した場合にもほとんど水分を吸収
・透過しない５ｔ（ｈ、 Ａｌ２Ｏ３，５ｔ−ＡＩ−０
−Ｎ 、 ＧｅＯ２，Ｔｈｏ２． Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２
，Ｈｆ０２Ｔａ２０Ｂ 、 ＭｇＦ２． ＹＦ３ 、
ＮｄＦ３． Ｌ、ａＦ３． ＣｅＦ３等で構成すること
が望ましい。
ックより吸水率が小さい物質であれば特に限定されるも
のではないが、薄膜化した場合にもほとんど水分を吸収
・透過しない５ｔ（ｈ、 Ａｌ２Ｏ３，５ｔ−ＡＩ−０
−Ｎ 、 ＧｅＯ２，Ｔｈｏ２． Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２
，Ｈｆ０２Ｔａ２０Ｂ 、 ＭｇＦ２． ＹＦ３ 、
ＮｄＦ３． Ｌ、ａＦ３． ＣｅＦ３等で構成すること
が望ましい。
ここで、本発明にかかるＥＣ素子の電極及びＥＣ層の構
造について説明する。ＥＣ素子は、面状であり、好まし
い薄膜タイプの構造の一例を示すと、■電極層／ＥＣ層
／イオン導電層／電極層のような４層構造、■電極層／
還元着色型ＥＣ層／イオン導電層／可逆的電解酸化層な
いし酸化着色型ＥＣＣ層重電極層ような５層構造があげ
られる。この場合、電極層は、少なくともいずれか方が
透明でなければならない。
造について説明する。ＥＣ素子は、面状であり、好まし
い薄膜タイプの構造の一例を示すと、■電極層／ＥＣ層
／イオン導電層／電極層のような４層構造、■電極層／
還元着色型ＥＣ層／イオン導電層／可逆的電解酸化層な
いし酸化着色型ＥＣＣ層重電極層ような５層構造があげ
られる。この場合、電極層は、少なくともいずれか方が
透明でなければならない。
透明電極の材料としては、例えば５ｎ０２ 、 Ｉｎ２
０３ＩＴＯなどが使用される。不透明な電極材料として
は、へ１．へｇ、八ｕ、ステンレス等である。不透明な
電極は成用層を兼用していてもよい。このような電極層
は、一般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリングなどの真空薄膜形成技術で形成される。
０３ＩＴＯなどが使用される。不透明な電極材料として
は、へ１．へｇ、八ｕ、ステンレス等である。不透明な
電極は成用層を兼用していてもよい。このような電極層
は、一般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッ
タリングなどの真空薄膜形成技術で形成される。
（還元着色性）ＥＣ層としては一般にＷＯ３，ＭＯ０３
などがイ吏用される。
などがイ吏用される。
イオン導電層としては、例えは酸化ケイ素、酸化タンタ
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化
マグネシウムなとか使用される。
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化
マグネシウムなとか使用される。
これらの物質薄膜は製造方法により電子に対して絶縁体
であるが、プロトン（Ｈ”）およびヒドロキシイオン（
ＯＨ−）に対しては良導体となる。ＥＣ層の着色消色反
応にはカヂオンが必要とされ、Ｈ′″イオンやＬ１′″
イオンをＥＣ層その他に含有させる必要がある。Ｈ“イ
オンは初めからイオンである必要はなく、電圧か印加さ
れたときにＨ′″イオンか生しれはよく、従ってＨ１イ
オンの代わりに水を含有させてもよい。この水は非常に
少なくて十分てあり、しはしは、大気中から自然に侵入
をする水分ても着消色する。
であるが、プロトン（Ｈ”）およびヒドロキシイオン（
ＯＨ−）に対しては良導体となる。ＥＣ層の着色消色反
応にはカヂオンが必要とされ、Ｈ′″イオンやＬ１′″
イオンをＥＣ層その他に含有させる必要がある。Ｈ“イ
オンは初めからイオンである必要はなく、電圧か印加さ
れたときにＨ′″イオンか生しれはよく、従ってＨ１イ
オンの代わりに水を含有させてもよい。この水は非常に
少なくて十分てあり、しはしは、大気中から自然に侵入
をする水分ても着消色する。
ＥＣ層とイオン導電層とは、どちらを上にしても下にし
てもよい。さらにＥＣ層に対して間にイオン導電層を挟
んで可逆的電解酸化層ないし酸化着色型ＥＣ層又は触媒
層を配設してもよい。このような層としては、例えは酸
化ないし水酸化イリジウム、同しくニッケル、同しくク
ロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロ
ジウムなどかあげられる。
てもよい。さらにＥＣ層に対して間にイオン導電層を挟
んで可逆的電解酸化層ないし酸化着色型ＥＣ層又は触媒
層を配設してもよい。このような層としては、例えは酸
化ないし水酸化イリジウム、同しくニッケル、同しくク
ロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロ
ジウムなどかあげられる。
これらの物質は、イオン導電層又は透明電極中に分散さ
れていても良いし、それらの構成物質を分散して含有し
ていてもよい。
れていても良いし、それらの構成物質を分散して含有し
ていてもよい。
このようなＥＣ素子に１〜３ホルト程度の直流電圧を印
加すると徐々に着色され、同程度の逆電圧を印加すると
消色され、その結果、ＥＣ素子の透過率又は反射率を変
化させることができる。
加すると徐々に着色され、同程度の逆電圧を印加すると
消色され、その結果、ＥＣ素子の透過率又は反射率を変
化させることができる。
［実施例〕
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。本
実施例では、まず所定の曲率を有するガラス素子基材１
（平板であっても良い）の凹面上に透明電極層２．Ｅ
Ｃ層３．透明電極層４を順次蒸着して積層した。本実施
例においては透明電極層２．４はＩＴＯ（ＳｎＯ２等て
も良い）で構成し、ＥＣ層３は酸化発色型ＥＣ層／誘電
体層／還元発色型ＥＣ層の３層構造（図ではＥＣＣｓ２
Ｏ積層構造は省略している）、具体的にはＴｒＯｘ／Ｔ
ａ２０５／ＷＯ３の３層構造とした。電極層２．４は必
ずしも両方とも透明電極とする必要はなく、上部電極層
４を金属層として反射型ＥＣ素子としても良い。また、
ＥＣ層の構造も上記の３層構造以外てあっても良い。
実施例では、まず所定の曲率を有するガラス素子基材１
（平板であっても良い）の凹面上に透明電極層２．Ｅ
Ｃ層３．透明電極層４を順次蒸着して積層した。本実施
例においては透明電極層２．４はＩＴＯ（ＳｎＯ２等て
も良い）で構成し、ＥＣ層３は酸化発色型ＥＣ層／誘電
体層／還元発色型ＥＣ層の３層構造（図ではＥＣＣｓ２
Ｏ積層構造は省略している）、具体的にはＴｒＯｘ／Ｔ
ａ２０５／ＷＯ３の３層構造とした。電極層２．４は必
ずしも両方とも透明電極とする必要はなく、上部電極層
４を金属層として反射型ＥＣ素子としても良い。また、
ＥＣ層の構造も上記の３層構造以外てあっても良い。
方、ポリカーボネート（ＰＣ）からなるプラスデック保
護基板７の内側の面（凸面）には、ＳｉＯ２を蒸着する
ことによって予め水分のブロック層６ｂを形成しておき
、ブロック層６ｂ形成面を内側にしてエポキシ接着層５
を介して保護基板７を透明電極層４の凹面に貼設した。
護基板７の内側の面（凸面）には、ＳｉＯ２を蒸着する
ことによって予め水分のブロック層６ｂを形成しておき
、ブロック層６ｂ形成面を内側にしてエポキシ接着層５
を介して保護基板７を透明電極層４の凹面に貼設した。
保護基板７を構成するプラスチックとしては、ＰＣの他
にも、ポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）、ジエ
チレングリコールビスアリルポリカーボネート（商品名
ＣＲ３Ｂ、 ビービージー社製）を重合して得られる
もの等か好ましく使用される。また、ブロック層６ｂも
５ｉ０２（７）他ニＡｌ２Ｏ３，５ｉＡＩ−０−Ｎ等で
構成しても良く、真空蒸着、スパッタリング等によって
形成する以外に、プラスチック保護基板７表面にセラく
ツク等の粉末を塗布することによって形成しても良い。
にも、ポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）、ジエ
チレングリコールビスアリルポリカーボネート（商品名
ＣＲ３Ｂ、 ビービージー社製）を重合して得られる
もの等か好ましく使用される。また、ブロック層６ｂも
５ｉ０２（７）他ニＡｌ２Ｏ３，５ｉＡＩ−０−Ｎ等で
構成しても良く、真空蒸着、スパッタリング等によって
形成する以外に、プラスチック保護基板７表面にセラく
ツク等の粉末を塗布することによって形成しても良い。
以上のようにして作製した透過型ＥＣ素子を温度８０℃
の条件て５ｏ時間の耐熱テストを行なったところ、試験
前後において透過率変化幅に差はなく、加熱によるＥＣ
素子の劣化は認められなかった。
の条件て５ｏ時間の耐熱テストを行なったところ、試験
前後において透過率変化幅に差はなく、加熱によるＥＣ
素子の劣化は認められなかった。
また、本実施例のＥＣ素子は、ＥＣ素子の構成部材の中
で大きな重量比を占める素子基板と保護基板のうち保護
基板がプラスデックで構成されているので、素子基板、
保護基板ともガラス基板て構成する場合に比べて素子全
体の重量を約２５９６程度削減することができた。
で大きな重量比を占める素子基板と保護基板のうち保護
基板がプラスデックで構成されているので、素子基板、
保護基板ともガラス基板て構成する場合に比べて素子全
体の重量を約２５９６程度削減することができた。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図てある。本
実施例ては素子基板９．保護基板７の両方ともＰＣ等の
プラスチンつて構成した。所定の曲率のプラスチック素
子基板９の凹面上に、ＳｉＬ等からなる水分のブロック
層６ａを蒸着あるＵ）は塗布等によって薄膜状に形成し
、このプロ・ンク層６ａ上に透明電極層２．ＥＣ層３．
透明電極層４を積層した。電極層２．４及びＥＣ層の構
造は第１実施例と同様である。そしで、電極層４の外側
には水分のブロック層６ｂを蒸着又は塗布したフラスチ
ック保護基板７をエポキシ接着層５を介して貼設した。
実施例ては素子基板９．保護基板７の両方ともＰＣ等の
プラスチンつて構成した。所定の曲率のプラスチック素
子基板９の凹面上に、ＳｉＬ等からなる水分のブロック
層６ａを蒸着あるＵ）は塗布等によって薄膜状に形成し
、このプロ・ンク層６ａ上に透明電極層２．ＥＣ層３．
透明電極層４を積層した。電極層２．４及びＥＣ層の構
造は第１実施例と同様である。そしで、電極層４の外側
には水分のブロック層６ｂを蒸着又は塗布したフラスチ
ック保護基板７をエポキシ接着層５を介して貼設した。
このようにして構成した透過型ＥＣ素子についで、第１
の実施例と同様に耐熱テストを行なったところ、試験前
後において透過率変化幅に差はなく、加熱によるＥＣ素
子の劣化は誌められなかった。
の実施例と同様に耐熱テストを行なったところ、試験前
後において透過率変化幅に差はなく、加熱によるＥＣ素
子の劣化は誌められなかった。
また、木実施例においては素子基板、保護基板が両方と
もプラスチンつて構成されているので、素子基板、保護
基板をガラス基板て構成する場合に比へて素子全体の重
量を約５０零程度削減することかできた。
もプラスチンつて構成されているので、素子基板、保護
基板をガラス基板て構成する場合に比へて素子全体の重
量を約５０零程度削減することかできた。
第３図は本発明の第３の実施例を示す断面図である。本
実施例では、素子基板９．保護基板７ともプラスチック
基板を用い、保護基板７とエポキシ樹脂からなる接着層
５との間に水分のブロック層６ｂを設ｉ−１ない以外は
、第２実施例と同様な構成とした。
実施例では、素子基板９．保護基板７ともプラスチック
基板を用い、保護基板７とエポキシ樹脂からなる接着層
５との間に水分のブロック層６ｂを設ｉ−１ない以外は
、第２実施例と同様な構成とした。
木実施例のＥＣ素子は、素子基板９．保護基板７の両方
をプラスチンつて構成しているのに対しで、素子基板９
にしか水分のブロック層６ａを設けていないが、第１及
び第２実施例と同様に耐熱テストを行なったところ、水
分のブロック層を全く設４−］ない従来の場合に比へて
ＥＣ素子の透過率変化幅の縮小の程度は僅かであった。
をプラスチンつて構成しているのに対しで、素子基板９
にしか水分のブロック層６ａを設けていないが、第１及
び第２実施例と同様に耐熱テストを行なったところ、水
分のブロック層を全く設４−］ない従来の場合に比へて
ＥＣ素子の透過率変化幅の縮小の程度は僅かであった。
また、本実施例の場合も第２実施例と同様に、素子全体
の重量はガラス基板を用いる場合に比較して約５０＊程
度削減することがてきた。
の重量はガラス基板を用いる場合に比較して約５０＊程
度削減することがてきた。
第４図は本発明の第４実施例を示す断面図である。本実
施例においては、第１図に示された実施例とは逆に素子
基板９をプラスチンつで、保護基１ 板８をガラスて構成した。プラスチ・ンク素子基板９の
内側には第３図の場合と同様に水のブロック層６ａを形
成し、その上に上述した実施例と同様に電極層２．ＥＣ
層、電極層４を積層した。そして電極層４の外側に、接
着層５を介してガラス保護基板８を貼設した。ガラスは
水分を吸収・透過しないので、接着層５と保護基板との
間にはブロック層は設けなかった。
施例においては、第１図に示された実施例とは逆に素子
基板９をプラスチンつで、保護基１ 板８をガラスて構成した。プラスチ・ンク素子基板９の
内側には第３図の場合と同様に水のブロック層６ａを形
成し、その上に上述した実施例と同様に電極層２．ＥＣ
層、電極層４を積層した。そして電極層４の外側に、接
着層５を介してガラス保護基板８を貼設した。ガラスは
水分を吸収・透過しないので、接着層５と保護基板との
間にはブロック層は設けなかった。
このように構成したＥＣ素子についで、上記の実施例と
同様に耐熱テストを行なったところ、ＥＣ素子の透過率
変化幅は変化せず、耐熱テストによる劣化は認められな
かった。
同様に耐熱テストを行なったところ、ＥＣ素子の透過率
変化幅は変化せず、耐熱テストによる劣化は認められな
かった。
また、ＥＣ素子全体の重量は第１の実施例と同様に素子
基板、保護基板ともガラスで構成した場合に比べて約２
５＊程度削減できた。
基板、保護基板ともガラスで構成した場合に比べて約２
５＊程度削減できた。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によるＥＣ素子は素子基板または
保護基板の少なくとも一方かプラスチックで構成され、
かつプラスチック基板の内側に水分の透過を阻止するブ
ロック層が設りられている２ ので、ＥＣ素子の着消色に関与する水分がプラスチック
基板によって吸収放出されることがなく、加熱時におい
てもほぼ一定の水分量が保たれる。
保護基板の少なくとも一方かプラスチックで構成され、
かつプラスチック基板の内側に水分の透過を阻止するブ
ロック層が設りられている２ ので、ＥＣ素子の着消色に関与する水分がプラスチック
基板によって吸収放出されることがなく、加熱時におい
てもほぼ一定の水分量が保たれる。
即ち、本発明のＥＣ素子は、軽量であるとともに、水分
量の減少によって透過率の変化幅が小さくなってしまう
ことがなく、高温環境下にあっても良好な着消色特性を
確保することかてきるという優れた効果を有するもので
ある。
量の減少によって透過率の変化幅が小さくなってしまう
ことがなく、高温環境下にあっても良好な着消色特性を
確保することかてきるという優れた効果を有するもので
ある。
第１図は本発明の第１実施例を示す断面図、第２図は本
発明の第２実施例を示す断面図、第３図は本発明の第３
実施例を示す断面図、第４図木発明の第４実施例を示す
断面図、第５図は従来例を示す断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・・・・・・・・・・・・・ガラス素子基板２．
４・・・・・・・・・電極層 ３・・・・・・・・・・・・・・・ＥＣ層５・・・・・
・・・・・・・・・・接着層６ａ、６ｂ・・・水分のブ
ロック層
発明の第２実施例を示す断面図、第３図は本発明の第３
実施例を示す断面図、第４図木発明の第４実施例を示す
断面図、第５図は従来例を示す断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ １・・・・・・・・・・・・・・・ガラス素子基板２．
４・・・・・・・・・電極層 ３・・・・・・・・・・・・・・・ＥＣ層５・・・・・
・・・・・・・・・・接着層６ａ、６ｂ・・・水分のブ
ロック層
Claims (4)
- （１）素子基板上に、少なくとも一方が透明な１対の電
極層、該１対の電極層の間に形成されたエレクトロクロ
ミック層、接着層及び保護基板が積層されてなるエレク
トロクロミック素子において、 前記素子基板がガラスで、前記保護基板がプラスチック
で構成されるとともに、前記接着層と保護基板の間に水
分の透過を阻止するブロック層が設けられたことを特徴
とするエレクトロクロミック素子。 - （２）素子基板上に、少なくとも一方が透明な１対の電
極層、該１対の電極層の間に形成されたエレクトロクロ
ミック層、接着層及び保護基板が積層されてなるエレク
トロクロミック素子において、 前記素子基板及び前記保護基板がプラスチックで構成さ
れるとともに、前記電極層と素子基板の間及び前記接着
層と保護基板の間の少なくとも一方に水分の透過を阻止
するブロック層が設けられたことを特徴とするエレクト
ロクロミック素子。 - （３）素子基板上に、少なくとも一方が透明な１対の電
極層、該１対の電極層の間に形成されたエレクトロクロ
ミック層、接着層及び保護基板が積層されてなるエレク
トロクロミック素子において、 前記素子基板がプラスチックで、前記保護基板がガラス
で構成されるとともに、前記電極層と素子基板の間に水
分の透過を阻止するブロック層が設けられたことを特徴
とするエレクトロクロミック素子。 - （４）前記ブロック層がセラミック薄膜からなることを
特徴とする請求項１又は２又は３のエレクトロクロミッ
ク素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175693A JP2787086B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175693A JP2787086B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342634A true JPH0342634A (ja) | 1991-02-22 |
| JP2787086B2 JP2787086B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=16000593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1175693A Expired - Fee Related JP2787086B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2787086B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471338A (en) * | 1993-11-12 | 1995-11-28 | Ppg Industries, Inc. | Electrochromic device with plastic substrate |
| US5471554A (en) * | 1993-11-12 | 1995-11-28 | Ppg Industries, Inc. | Primer for electrochromic device with plastic substrate |
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| JPS6118925A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-27 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1175693A patent/JP2787086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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Cited By (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2787086B2 (ja) | 1998-08-13 |
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