JPH0342662A - 重合体ホトレジスト被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〉 この発明は、ある種の置換されたブタジェン単量体の重
合によって形成されたフォトレジストＧこ関する。特に
、本発明は、ミクロリングラフィに有用であり、詳細に
は、シリコンチップ上の半導体デバイスの製造に有用で
ある。

（従来の技術とその課題） マイクロリングラフィ用のレジスト物質として、アニオ
ン的に又は両性イオン的に重合し得る単量体類を用いる
ことは、米国特許第４．６７５．２７３号及び第４，６
７５，２７０号に論議されているように技術的に知られ
ている。その内容はこの中に紹介されている。これまで
の方法は基質上にシアノアクリレート重合体の溶液をス
ピンコードすることを含んでいる。米国特許第４．６７
５．２７３号は、式：％式％ （式中、ＸとＹは強いエレクトロン吸引性基であり、Ｒ
はＨ又はＸとＹが共に一〇ＮであるならばＲはＣ１〜Ｃ
４のアルキルであってもよい。）のアニオン重合性単量
体の蒸気に被覆されるべき基質を、その上に重合性被覆
を沈積させるのに充分な時間さらしてエツチング可能な
基質に重合体レジスト被膜を適用する方法を記載してい
る。それに用いられる特に好ましい単量体類は、２−シ
アノアクリレートエステル類である。被覆された基質は
、次いで高エネルギー照射を用いて像形成される。その
像は、通常の溶剤現像法によって現像され、適切なプラ
ズマ又は酸エツチング法を用いてエツチングされる。ま
たレジスト被膜は、次いてその被膜を重合体の解重合温
度以上の温度にまで加熱することによって除去される。

米国特許第４．６７５．２７０号は、次の（ａ）〜（ｄ
）から成る像形成法を記載している。

（ａ）上に定義したような成上で明確にされた単量体の
重合を活性化する反応性表面を有する基質を提供するこ
と； （ｂ）化学線又は電離線放射にさらすとき酸を放つ感光
性化合物で該基質の表面を処理すること；；（ｃ）次い
で、その基質を、該感光性化合物から鎖酸を放出するの
に有効なエネルギーの放射にさらして像を形成させるこ
と；及び （ｄ）該基質を、その放射にさらされない基質上の部分
に重合体被膜を形成するのに充分な時間、上記単量体類
の少なくとも一種の蒸気にさらして浮き出し像を形成さ
せること。

シアノアクリレート重合体は、一般に陽画像レジストを
形成する。すなわち、放射線にさらされなかった部分に
浮き出し像が形成される（米国特許第４．２７９．９８
４号参照〉。米国特許第４，６７５，２７０号の方法も
また、陽画像レジストを形成する。

陰画像、すなわち放射線にさらされた部分に浮き出し像
を形成することも知られている。ｔｌｕｌｔらの米国特
許第４，５５１，４１８号は、次の工程：すなわち （１）カチオン系光開始剤を含むフィルムで基質を被覆
する工程； （２）該フィルムを像形成のために放射線にさらず工程
； （３）さらされたフィルムをカチオン感知性単量体で処
理して、プラズマエツチングに抵抗性の重合体フィルム
を形成させる工程；及び （４）プラズマでエツチングすることにより、レジスト
像を現像する工程； から成る陰画像レジスト像を形成させる方法を記載して
いる。

本発明の目的は、アニオン又は両性イオン重合性単量体
類を用いて陰画像レジストを生成させることにある。

１．１−ジ置換１，３−ブタジェン類はすでに知られて
いる。米国特許第３．３１６．２２７号は、及び （式中、Ｒ１は、水素、炭素原子１〜５を含むアルキル
基、フェニル及びハロゲンより成る群から選択され、Ｒ
２は、水素及びメチルより成る群から選択される。また
、ＸとＹは、同じでない電子吸弓基で′あり、シアノ、
カルブエトキシ、エチルスルホン、フェニルスルホン、
ホルミル、アセチル、ベンゾイル、ジエチル、ホスホニ
ル、アミド及びフェニルより成る群から別個に選択され
る。〉より成る群から選ばれる式を有する１、１シネ飽
和化合物を記載している。

米国特許第３．５５４．９９０号は、構造式：（式中、
Ｒ３は炭素原子２〜１０のアルキル基又は炭素原子２〜
１０のアルコキシ置換アルキル基である。〉 を有する２−シアノペンタ−２，４−ジェノイック酸の
エステル類を記載している。これらのエステル類は、外
科的用途の通常のまた特殊な接着剤として有用であると
いわれている。

置換された１、３−ブタシェフ類の重合体がフォトレジ
ストとして有用であることについては、従来技術には示
唆されていない。

（課題を解決するための手段〉 本発明者らは、驚くべきことに、ある置換された１、３
−ブタジェン類が、フォトレジストの製造において、シ
アノアクリレートと比べて異なる及び／又は有利な性質
をもっていることを見出した。

本発明は、式 （式中、ＸとＹは、強電子吸引基であり、Ｒ４はＨ又は
ＸとＹが共に−ＣＮであるならばＲ４はハイドロカルビ
ル、アリール又はアルカリルて゛あってもよい。） の単量体の重合体から成る重合体レジスト被膜を提供す
る。ここで用いられる“ハイドロカルビルパという語は
、アルキル、アルケニル及びアルキニルを包含する。本
発明の重合体レジスト被膜は、シアノアクリレート重合
体のレジスト被膜よりも優れた熱安定性を有するという
利点をもっている。

重合体レジスト被膜は、基質上に重合体の溶液を、例え
ば、知られたスピンコーティング技術で適用することに
よって形成することができる。しかし、蒸気沈積法を利
用することが好ましい。

従って、第一の特徴では本発明は、上に定義されるよう
な式Ｖの単量体の蒸気に基質をさらし、その基質上の単
量体の重合被膜を沈積させるのに充分な時間さらすこと
から成る基質に重合体レジスト被膜を形成させる方法を
提供する。第二の特徴では、本発明は、上記の重合体レ
ジスト被膜を基質に適用すること、その被覆基質を高エ
ネルギー放射線にさらして像を形成させること、及び溶
剤現像法により像を出現させて陰画調に現像することか
ら成る現像法を提供する。

この発明は、ある種の理論によって制限されないが、置
換されたブタジェン単量体の重合体は不飽和基を含有す
るので、高エネルギー放射線にさらすと更に架橋が進行
し、さらされなかった部分に比べてさらされた部分の溶
解度を低下すると信じられる。その結果、さらされなか
った部分は、溶剤現像法においては更に容易に溶解する
。逆に、シアノアクリレート重合体は飽和しており、こ
れに放射すると、さらされた部分の重合体は劣化し、そ
の部分はさらされなかった部分よりも一層溶け０ 易くなるという結果が得られる。

第三の特徴として、本発明は、次の（ａ）〜（ｄ）から
成る像形成法を提供する。

（ａ）上に定義する如き式Ｖの単量体の重合を活性化す
る反応性表面を有する基質を提供すること；（ｂ）該基
質の表面を、化学線又は電離線放射にさらすとき酸を放
出する感光性化合物で処理すること； ；（ｃ）続いて、その基質を該感光性化合物から上記酸
を放出させるのに有効なエネルギーの放射線にさらして
像を形成させること；次いで（ｄ）該基質を、前記式■
の単量体類の一つの蒸気に、放射線にさらされない基質
の部分に重合体被膜を形成する充分な時間さらずこと 本発明のこの第三の特徴の像形成法を用いると、陽画調
の像が生成する。このように、式Ｖの単量体は、採用さ
れる像形成法によって陽画調か陽画調の像のいずれかを
つくり出すことができるシアノアクリレート単量体より
利点を有する。

本発明の第四の特徴は、前述の発明の各方法によって調
製される像形成物品を包含する。

式Ｖの単量体類の定義では、゛強電子吸引基″という語
は、ハロより強い電子吸引性の基に関する。一般に、電
子吸引性基ＸとＹは、独立して、−３Ｏ２Ｒｅ　；　−
３Ｏ３ＲＢ　；　−ＣＮ　　；−ＣＤＯＲ５及び−ＣＯ
Ｒ６から選択される。ここに、Ｒ５はハイドロカルビル
又は置換したハイドロカルビル基、例えば直鎖もしくは
分枝鎖Ｃ２〜Ｃ１０のアルキル基（ハロゲン原子やアル
コキシ基のような置換基で置換されていてもよい）、直
鎖又は分枝鎖Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニル基、シクロアル
キル基、アルアルキル基又はアリール基を表わす：また
Ｒ６は、Ｈ又はハイドロカルビル、好ましくはＣ１〜Ｃ
１２のハイドロカルビルを表わす。

好ましくは、ＸとＹの少なくとも一つは一〇Ｎである。

Ｒ５の基の特定の例は、メチル基、エチル基、ｎプロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、アリル基、メタリル基、クロ
チル基、プロパギル基、シクロヘキシル基、ベンジル基
、フェニル基、フレ２ シル基、２−クロロエチル基、クロロプロピル基、２−
クロロブチル基、トリフルオロエチル基、２メトキシエ
チル基、３−メトキシブチル基及び２−工１〜キシエチ
ル基である。

式■の単量体Ｇこおいて、Ｒ４は好ましくはＨであるが
、ＸとＹが共に−ＣＮであるならば、Ｒ４は、好適には
Ｃ１〜Ｃ２０のハイドロカルビル基、更に詳しくはＣ１
〜Ｃ２０のアルキル基であってもよい。

式■の最も好ましい単量体類は、下記式■ａで表わされ
るものである。

（ここに、Ｒ７はＣ１〜Ｃ５のアルキル又はＣ２〜Ｃ５
のアルケニル基、更Ｇこ詳しくは、エチル２−シアノペ
ンタ−２，４−ジェノエート又はアリル２−シアノペン
タ−２，４−ジェノエートである。）溶液から沈積させ
る場合には、重合体がつくられ、次いで、ジクロロメタ
ン、アセトン、ニトロメタン、テｆ−ラヒドロフラン、
アセトニトリル、３ 又はクロロホルムのような適切な溶剤に溶解される。蒸
気沈積法の場合には、単量体蒸気は、雰囲気の温度及び
圧力下で単量体を発生させてもよいが、基質に重合体が
適度の時間に沈積し得る充分な単量体濃度を形成させる
ために、通常、単量体を加熱し、及び／又は包囲圧を低
減させて室内に発生する単量体をより多くすることが好
ましい。

実際、重合体の像が所望される基質は、本発明の方法に
おいて利用することができる。最も有利には、基質は、
重合体コーティングがエツチングレジストとして働いて
いる間に、続く酸やプラズマエツチングにかけられる。

好適な基質材料は、二酸化けい素、５ｉｏ２被覆シリコ
ン、金、属酸化物、及びガラスを包含する。それらのす
べては、プラズマ又は酸エツチング法でエツチングする
ことができる。印刷回路基板の製造に用いられる銅被覆
エポキシ／ガラス板や金属印刷板のような酸処理によっ
てエツチングされる金属基質もまた、本発明の方法に利
用することができる。本発明の方法がエツチングレジス
トの製造に用いられる場合、４ そのレジスト被覆は箱荷性溶液（例えばＮａ０ｔ（）で
の処理又は適当なプラズマ（例えば酸素プラズマ）Ｇこ
さらすことによってエツチングしたのち除去される。

好ましい基質は、５ｉｎ２被覆シリコン、例えは、半導
体デバイスの製造に普通に用いられるシリコンチップで
ある。最も好適には、この基質はプラズマエツチング法
によってエツチングされる。

蒸気沈積法の場合には、その基質表面か単量体のアニオ
ン重合又は両性イオン重合を引き起こす固有の活性をも
つならば表面処理は必要ないであろう。しかし、ある場
合（こは、基質が僅かに酸性あるいは中性であるならば
、単量体蒸気を基質にさらす前に実質的に取り除かれる
塩基性の液体又は蒸気で表面を活性化することが必要で
ある。好適な活性化剤は、アルキルシアノアクリレート
のアニオン又は両性イオン重合用として知られた開始剤
類を包含する。特に好適な活性化剤は、有機アミン類及
びホスフィン類である。

本発明の第二の像形成法においては、例えば、５ エチルアセテートイソブチル、メチルケトン、アセトン
又はエチルアセトンとイソブチルメチルケトン又はアセ
トンのいずれがとのブレンド液に浸漬して現像する通常
の溶剤現像法が用いられる。

本発明の第三の方法の照射で酸を放出する化合物類は、
エポキシやビニルエーテル類のようなカチオン的重合性
樹脂用の開始剤として知られたレビス又はプロトン酸類
を放つ化合物類を包含する。

更に、照射でスルホン酸を放出する化合物及び酸硬化性
スト−ピングラッカー用の光分解に放出する潜在的熱触
媒として知られた化合物類が含まれる。

本発明の方法に有用な放射線感知性の酸先駆物質は、式
： ％式％（） （式中、Ａは、イオドニウム、イオドジル、ＶＩａ族オ
ニオニウムリリウム、チオピリリウム、スルホニルスル
ホニウム、及び゛ジアゾニウムがら選択されるカチオン
である。Ｍは、金属又は非金属で、Ｘはハロゲン基であ
る。ｄ＝ｅ−ｆ　、　ｆ＝Ｍの原子価６ で２〜７に等しい整数である。また、ｅは、ｆより大き
く８までの数値を有する整数である。）で表わされるハ
ロゲン化物複合塩、式 ％式％］ （式中、Ｒは１〜４価の有機基であり、Ｑは水素又はふ
っ素で、ｎは１〜４の整数である。）の化合物、及びい
ずれもこの中で紹介する米国特許第４．５０４．３７２
号と第４．５１０．２９０号に記載されたような照射時
にスルホン酸類を放出する化合物類を包含する。

酸発生化合物はそのまＮ適用してもよいし、あとで蒸発
する溶剤に溶かして適用することもできる。表面活性剤
がまた基質に適用されるときは、その活性剤と酸発生化
合物とが共通の溶剤で同時に適用できる。選択的には、
活性剤は酸発生化合物の適用の前か後に適用される。表
面活性剤と酸発生化合物のほんの痕跡量が必要である。

鏡面仕上げの基質は、これらの化合物を適用し、照射と
単量体蒸気に暴露したのちに、鮮明なレジスト像を与え
る充分量の活性剤と酸発生剤をなお残存さ７ せて、例えば適当なティシ又で再研摩される。

（実施例〉 次に、実施例により本発明を説明するが、本発明はそれ
らに限定されない。

実施例↑ エチルシアノアセテート（６５ｇ、　０．５８モル）を
塩化亜鉛（５０ｇ＞含有テトラヒドロフラン（ＴＨＥ、
２００ｍ、Ｉｌ　）溶かした溶液をかきまぜながら、ア
クロレイン（５０ｇ、０．８９モル）を１５分かけて滴
加した。

室温で１９時間かきまぜた後、透明な黄色溶液を石油エ
ーテル（ｂ、　ｌ）、　４０〜６０℃、２（＞Ｏｍ、Ｑ
　＞で希釈し、その混合液を希塩酸（０，１ｍ、１００
ｍ、ＩＩ　Ｘ４回〉で洗い、次いで水（１００ｍｆｆｌ
　Ｘ３回〉で３回洗浄した。

石油エーテル抽出物を乾燥しくＮａ２５Ｏ４）　、ろ過
し、減圧下に溶剤を除去して、数時間後にワクス状物質
に固化したオイル（６６，６ｇ、７６％〉を得た。生成
物のスペクトル分析は、エチル２−シアノペンタ−２，
４−ジェノエート： ８ と一致することを示した。

１．Ｒ，（ＫＢｒディスク）　、　２，２２０ｃｍ−１
，−ＣＭ基１、７３０ｃｍ−１，−Ｃ＝Ｏ基 １、６２０ａｎ−１，Ｈ２Ｃ＝Ｃ−基 １．５８０ｃｍ−１，−ＣＨ＝Ｃ−基 ｎ、　ｍ、　ｒ、　；（ｃＤＣ４’３）　；　２．１　
ｄ、　ＩＨ（−ＣＨ＝Ｃ；（ｃＮ）ＣＯＯＲ３，０ｍ　
　ＩＨ−Ｃｔｉ−Ｃ ３，９ｍ　　　２１１　　　ＣＨ，＝Ｃ−５，６ｑ、２
０　０−ＣＨ２ ８，６ｔ、　３Ｈ−ＣＨ３ 実施例２ Ｎ、Ｎ、Ｎ、Ｎ−テトラメチルエチレン−ジアミン（Ｔ
ＭＥＤ）　１０％を溶解した１、　１．１．３．３．３
−へキサメチルジシラザン（１１ＨＤｓ）溶液を、直径
３インチ（７，５ｃｍ）の磨かれたシリコンウェーハに
、その表面をカバーするのに充分な量を注いで活性化し
１つ た。次いで、そのウェーハを４．００Ｏｒｐｍで３０秒
間回転させて鏡面仕上げを回復させ、エチル２−シアノ
−ペンタ−２，４−ジェノエート（実施例］−）２．０
ｇが入っているアルミニウムベースとプラスチック側部
から成る直径が１１ｃｍで高さ２ｃｍの閉じた円筒室の
頂部に置いた。その室を、活性化ウェハーの導入に先だ
って、サーモスタットで調節されたホットプレートに載
せ、５０°Ｃに予備加熱した。

ウェーハを加熱された単量体液の上方に直装置いてその
蒸気に１０分間さらした。その間、さらされたウェーハ
表面に薄い重合体フィルムが形成された。

次に、その被覆ウェーハを、表面にパターン付けされた
１０００−１μｍの範囲にわたって変化する大きさの交
互に不透過性と透過性成分とを有する４インチ（１０ａ
ｎ）平方のクロム板石英テストマスクを通して中圧水銀
灯（８０Ｗ／ａｎで操作）からの紫外線にさらして、像
を形成させた。マスクと被覆ウェーハの充分な接触を確
実にするために、２インチ（５印〉平方の中心孔をもつ
４インチ（１００ 印）平方で５７８インチ（１，６ｃｍ）の厚さの銅板を
マスクの周辺に置いた。その板の重量は１ｋｇであった
。アークランプの真下で２０ｃｍの距離に５分間さらし
た後、ウェーハを取り出し、エチルアセテート浴に６０
秒間浸し、その間にマスクの陰画調像が現像された。像
が形成されたウェーハを沸点４０〜６０℃の石泊エーテ
ル中で３０秒間すすぎ、顕微鏡的に検査した。Ｆｉｌｅ
ｒ接眼レンズを用いて測定した最小像の大きさは、２．
５μｍであることがわかった。

実施例３ 実施例１に記載の方法において、エチルシアノアセテー
トに代えてアリルシアノアセテートの当量を用いて、ア
リル２−シアノペンタ−２，４−ジェノニー１へを調製
した。この反応からの生成物の収率は８０％であった。

生成物の構造は、赤外線スペクＩ・ルによって確認され
た。

実施側口 ポリ（アリル−２−シアノペンタ−２，４−ジェノニー
１・）の薄いフィルムが、実施例２に記載１ された方法により、予備活性化された３インチ（７，５
ｃｍ）のシリコンウェーハ上に、４０℃で単量体（実施
例３）から直接蒸気沈積された。単量体暴露時間を変え
て沈積させた重合体材料の量は、半微量天秤で沈積前後
のウェーハの重量を測ることによって決定した。その結
果は次のとおりであった。

単量体蒸気に さらした時間（分）　被膜重量（Ｈｇｓ）試料Ａ　　　
　　２０　　　　　　　１．５４Ｂ　　　　　２７　　
　　　　　２．３５Ｃ４０３，９５ Ｄ　　　　　５５　　　　　　　．４．Ｉ１９実施例５ 実施例４のレジスト被膜ウェーハＡに実施例２に記載さ
れるようなＵｖ光に３分間さらして像形成された。アセ
トンで２分現像し、エタノールですすいだ後、陰画調の
像が５μｍの解像度で観察された。

２ 実施例６ 直径３インチ（７，５ｃｍ）の研摩したシリコンウェー
ハを光カチオン触媒Ｕ＼ＩＥ　１０１４　（置換された
１へリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ−アンチモ
ネ−１−の５０％溶液として記載され、水銀アークラン
プからのＵ＼を光の照射で強酸を生ずることが知られて
いるＧＥ社から提供される触媒）３滴で処理した。次い
で、ウェーハを鏡面仕上げを回復するためにティシュペ
ーパーで研摩した。続いて、アミンＴＩ−ＩＥＤの３滴
がウェーハ表面全体に均一にブラシ掛けされ、更に鏡面
仕上げに戻すため再度ペーパーティシュで研摩された。

次に、ウェーハは、約２ｍｍの間隔で規則正しく配列さ
れた３ｍｍの径の孔を含有する厚さ］、ｍｍのアルミニ
ウムグリッドプレートマスクを通して、６０秒間ＵＸｌ
光（実施例２）にさらして像形成された。照射後、ウェ
ーハを実施例２に記載の蒸気室内Ｇこ１０分分間−た。

この時間の後、薄い重合体フィルムがウェーハ表面のさ
らされなかった部分に形成され、マスクパタンの正確な
陽画調像が得られた。

３ 実施例７ 光触媒ＵＶＥ　１０１４　（０，３％）　トＴＮＥＤ　
（２％）　ノア七トン溶液をシリコンウェーハ上にスピ
ンコードした。そのウェーハを実施例２に記載のような
テストマスクを通してＵＶ光を６６秒間、像形成のため
にさらした。次いで、ウェーハをアリル２−シアノペン
タ−２，４−ジェノエート（実施例３）を含有する４０
’Ｃの蒸気沈積室（実施例２で記載された）に９．５分
装置いた。この間に、マスクパターンの陽画調像が、シ
リコン表面のさらされなかった部分に選択的重合体沈積
によって形成された。ウェーハのさらされなかった部分
の全面的パタンは均一ではないが、１０μｍの大きさの
解像度が観察された。

実施例８ 実施例７の実験を繰り返して、３０秒間のＵＶ照射と蒸
気室中での９．５分の単量体暴露を行った。このケース
では、最善の解像度は２．５μｍであった。

実施例９ 実施例７の実験を繰り返し、２０秒間照射と１２分４ 間の単量体暴露を行った。全Ｕｖ暴露部分にパタン像が
得られた。解像度は、２，５〜１０．０μｍの範囲にわ
たって変化することが見出された。

実施例１０ 実施例↑に記載された単量体から誘導された重合体の溶
液をジクロロメタン（１００ｇ　）に重合体（８ｇ）を
溶解して調製した。３インチ（７，５ｃｍ）の予め重量
を測ったシリコンウェーハを４．００ＯＲ，Ｐ、　Ｍ、
で回転させながら充分量の重合体溶液で１０秒間スピン
コードした。余分の溶剤を窒素流で除去しノこ。沈積し
た被膜の重量は６．８１Ｔｎｇであることが確認された
。これは約１，２μｍのフィルム厚さに相当する。次Ｇ
こ、レジスト被覆ウェーハを紫外線（実施例２に記載の
）に３分間さらし、冷却してエチルアセテ−１〜浴に１
５秒秒間上た。溶剤現像によって陰画調像が形成された
。続く顕微鏡的試験は、解像度１５μｍのディメンショ
ンを示した。

比較例 １ｃｍ２の研摩されたシリコンテストウェーハを実施例
２に概説された方法によって活性化され、５ 研摩側が見えるように３インチ（７，５ａｎ）の支持ウ
ェーハ上に、小さな両面接着テープにより取り付けた。

結合部材を実施例２に記載されるようＧこ５０℃のエチ
ル２−シアノペンタ−２，４−ジェノエート（実施例上
）含有蒸気被覆室に入れた。５分間の蒸気暴露後、重合
体被覆ウェーハを室から取り出し、テストウェーハの被
覆されていない裏側に接着剤が残らないように支持ウェ
ーハから注意深く分離した。

手順は、アリル２−シアノ−ペンタ−２，４−ジェノエ
ートを用いて、単量体エチル及びアリル２シアノアクリ
レート類の相当する従来の蒸気沈積技術を繰り返した。

重合体被覆ウェーハを、表面温度が目盛り付けされた熱
電対により監視できるように修正された通常のセラミッ
クが被覆された研究室的ホットプレート上に並べて置い
た。その被覆ウェーハを毎分的３０’Ｃの昇温速度で加
熱し、生じた相の変化を温度の関数として記録した。得
られた結果は次のとおりである： ６ 重合体　　□ エチル２−シアノアクリレート　　液　化蒸発 エチル２−シアノペンタ−液　化 ２４−ジェノエータ　　蒸　発 アリル２−シアノアクリレート　　液　化蒸発 アリル２−シアノペンタ−液　化 ２４−ジェノエート　　蒸　発 （発明の効果） この結果は、本発明の蒸気沈積重合体層が従来技術材料
より顕著に改善された熱安定性を有することを示してい
る。両エチルエステルの蒸発温度の差は１０７°Ｃであ
り、両アリルエステルのそれは８９℃である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｖ （式中ＸとＹは強い電子吸引基であり、Ｒ＿４はＨであ
   るか、ＸとＹがいずれも−ＣＮであるならばＲ＿４はハ
   イドロカルビル、アリール又はアルカリルである。） で表わされる単量体の重合体から成る重合体レジスト被
   膜。 ２、ＸとＹが独立して、−ＳＯ＿２Ｒ＿６；−ＳＯ＿３
   Ｒ＿６；−ＣＮ；−ＣＯＯＲ＿５及びＣＯＲ＿６（ここ
   に、Ｒ＿５はハイドロカルビル基又は置換されたハイド
   ロカルビル基、シクロアルキル基、アルアルキル基又は
   アリール基を表わす。またＲ＿６はＨ又はハイドロカル
   ビル基を表わす。）から選択される請求項１に記載の被
   膜。 ３、単量体が式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｖａ （式中、Ｒ＿７はＣ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基又はＣ＿
   ２〜Ｃ＿５のアルケニル基である。） で表わされる請求項１に記載の被膜。 ４、基質を、請求項１に定義される式Ｖの単量体に、該
   基質に該単量体の重合体被膜を析出させるのに充分な時
   間さらすことから成る基質に重合体レジスト被膜を形成
   させる方法。 ５、被膜された基質を像形成のために高エネルギー照射
   にさらし、その像を溶剤現像法により現像して陰画調の
   像を形成される基質に請求項１による重合体レジスト被
   膜を適用することから成る像形成方法。 ６、（ａ）上記請求項１に定義された式Ｖの単量体の重
   合を起こしやすくする反応性表面を有する基質を提供す
   ること； （ｂ）該基質の表面を化学線又は電離線の照射にさらす
   とき酸を放出する感光性化合物で処理すること； （ｃ）続いて、該基質を該感光性化合物から該酸を放出
   するのに有効なエネルギーの照射にさらして像を形成さ
   せること； 及び、次に （ｄ）該基質を式Ｖの上記単量体の一つの蒸気に、放射
   線にさらされない基質上の部分に重合被膜を形成するの
   に充分な時間さらすこと； から成る像形成方法。 ７、請求項５又は６による方法で調製された像形成物品
   。