JPH0342836B2 - - Google Patents
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- JPH0342836B2 JPH0342836B2 JP5958186A JP5958186A JPH0342836B2 JP H0342836 B2 JPH0342836 B2 JP H0342836B2 JP 5958186 A JP5958186 A JP 5958186A JP 5958186 A JP5958186 A JP 5958186A JP H0342836 B2 JPH0342836 B2 JP H0342836B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- circuit
- dial
- current
- resistor
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- Sub-Exchange Stations And Push- Button Telephones (AREA)
- Interface Circuits In Exchanges (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、交換装置の局線トランクインターフ
エースに用いられる電流ループ形成回路に関する
ものである。
エースに用いられる電流ループ形成回路に関する
ものである。
（従来技術とその問題点）
近年、PBXやボタン電話装置の加入者線イン
ターフエースは電子化が行われ、一般的にSLIC
と称するLSIやHICが出現している。このように
電子化が進むとシステム構成要素中電子化の進ん
だ部分とそうでない部分は実装が極めて不均一に
なり、実装単位寸法が不揃いにならざるを得な
い。PBXやボタン電話装置では、内線側インタ
ーフエースの電子化が進んでいるのに比べ、局線
側インターフエースは依然として大型トランス、
リレー及び大型コンデンサが用いられている。こ
れは印加される直流電圧、着信信号が過大であ
り、また、電流容量も百数十ｍＡを必要とするか
らであり、また雷対策の為でもある。
ターフエースは電子化が行われ、一般的にSLIC
と称するLSIやHICが出現している。このように
電子化が進むとシステム構成要素中電子化の進ん
だ部分とそうでない部分は実装が極めて不均一に
なり、実装単位寸法が不揃いにならざるを得な
い。PBXやボタン電話装置では、内線側インタ
ーフエースの電子化が進んでいるのに比べ、局線
側インターフエースは依然として大型トランス、
リレー及び大型コンデンサが用いられている。こ
れは印加される直流電圧、着信信号が過大であ
り、また、電流容量も百数十ｍＡを必要とするか
らであり、また雷対策の為でもある。
従来の回路を第１図に示す。ここで、L1，L2
は加入者線（局線）入側端子、RAは着信検出回
路、Ｔは音声結合用トランス、Ｃは火花吸収用コ
ンデンサ、Ｒは火花吸収用抵抗、RLはダイヤル
信号に基づいて動作するダイヤルパルス送出用リ
レー、SWは通話路スイツチ、TEL1〜TELoは電
話機である。従来は、端末電話機TEL（例えば
TEL1）の発信操作に基づき通話路スイツチSW
を介して局線L1，L2を捕捉し、次いでダイヤル
操作をしてリレーRLの接点rlを開閉することに
より、ダイヤルパルスを送出していた。このリレ
ーRLは、電流を120ｍＡ程度流さなくてはなら
ず、サイズも大きく高価格であつた。さらに、火
花防止用のコンデンサＣと抵抗Ｒが必要であり、
コンデンサＣは十分な耐圧が必要な為大型であ
る。次にトランスＴにも同様に120ｍＡ程度電流
を流すことを要求される。このために、値段は高
く、サイズも大きいトランスが必要である。ま
た、インダクタンスは大きくとれずトランス間で
漏洩磁束による結合が生じるため、漏話レベルの
低い所定値以下の漏話特性を得るのが困難であ
る。
は加入者線（局線）入側端子、RAは着信検出回
路、Ｔは音声結合用トランス、Ｃは火花吸収用コ
ンデンサ、Ｒは火花吸収用抵抗、RLはダイヤル
信号に基づいて動作するダイヤルパルス送出用リ
レー、SWは通話路スイツチ、TEL1〜TELoは電
話機である。従来は、端末電話機TEL（例えば
TEL1）の発信操作に基づき通話路スイツチSW
を介して局線L1，L2を捕捉し、次いでダイヤル
操作をしてリレーRLの接点rlを開閉することに
より、ダイヤルパルスを送出していた。このリレ
ーRLは、電流を120ｍＡ程度流さなくてはなら
ず、サイズも大きく高価格であつた。さらに、火
花防止用のコンデンサＣと抵抗Ｒが必要であり、
コンデンサＣは十分な耐圧が必要な為大型であ
る。次にトランスＴにも同様に120ｍＡ程度電流
を流すことを要求される。このために、値段は高
く、サイズも大きいトランスが必要である。ま
た、インダクタンスは大きくとれずトランス間で
漏洩磁束による結合が生じるため、漏話レベルの
低い所定値以下の漏話特性を得るのが困難であ
る。
最近、この大型トランスやリレーを追放するこ
とを目標として電子化が進んでいる。この電子化
回路の１例を第２図に示す。ここで、T1は音声
結合用トランス、C1はトランスの直流電流阻止
コンデンサ、１はダイオードブリツジ、２は直流
的には50〜300Ω程度の抵抗を示し交流的には無
限大に近い値を示す電子化シンク回路で、Ｑはト
ランジスタ、C2はコンデンサ、R1，R2，R3は抵
抗である。また３はダイヤルパルス送出回路であ
る。トランスT1へ流れこむ直流電流をコンデン
サC1で遮断し、トランスT1へ流れこむべき直流
電流を電子化シンク回路２へ流す。この為、トラ
ンスT1は小型のものでよく、さらに、構成部品
の価格も低下する。一方、電子化シンク回路２
は、直流電流は流すが、交流電流は流さないこと
を要求される。この為、図中のＡ，Ｂ間の電圧を
平滑化した入力でこのシンク回路を駆動してい
る。図中の点Ｄが上述の平滑化電圧である。
とを目標として電子化が進んでいる。この電子化
回路の１例を第２図に示す。ここで、T1は音声
結合用トランス、C1はトランスの直流電流阻止
コンデンサ、１はダイオードブリツジ、２は直流
的には50〜300Ω程度の抵抗を示し交流的には無
限大に近い値を示す電子化シンク回路で、Ｑはト
ランジスタ、C2はコンデンサ、R1，R2，R3は抵
抗である。また３はダイヤルパルス送出回路であ
る。トランスT1へ流れこむ直流電流をコンデン
サC1で遮断し、トランスT1へ流れこむべき直流
電流を電子化シンク回路２へ流す。この為、トラ
ンスT1は小型のものでよく、さらに、構成部品
の価格も低下する。一方、電子化シンク回路２
は、直流電流は流すが、交流電流は流さないこと
を要求される。この為、図中のＡ，Ｂ間の電圧を
平滑化した入力でこのシンク回路を駆動してい
る。図中の点Ｄが上述の平滑化電圧である。
ダイヤル信号を送出する場合の動作は次の通り
である。ダイヤルメーク時には、ダイヤル操作に
対応したTTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイ
ヤル信号入力はLOWになり、コンデンサC2は電
荷を充電し、次いでトランジスタＱがオンにな
り、電子化シンク回路２は動作する。ダイヤルブ
レーク時、前記のダイヤル信号はHIGHであり、
コンデンサC2に蓄えられた電荷は主として、ト
ランジスタＱのベースと抵抗R3を通り放電する。
さらに、一部は抵抗R2を通つて放電するが、こ
の電流は前者に比べて小である。
である。ダイヤルメーク時には、ダイヤル操作に
対応したTTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイ
ヤル信号入力はLOWになり、コンデンサC2は電
荷を充電し、次いでトランジスタＱがオンにな
り、電子化シンク回路２は動作する。ダイヤルブ
レーク時、前記のダイヤル信号はHIGHであり、
コンデンサC2に蓄えられた電荷は主として、ト
ランジスタＱのベースと抵抗R3を通り放電する。
さらに、一部は抵抗R2を通つて放電するが、こ
の電流は前者に比べて小である。
なお、ダイヤルメーク時には、メーク後直ちに
電子化シンク回路２を駆動してL1，L2に対して
直流ループを形成しなければならない。しかし、
コンデンサC2の電荷が減少しているため、まず
充電が行われる。その後、トランジスタＱがオン
になり、電子化シンク回路２は通常の動作を行
う。以上説明したように、L1，L2から見ると、
ダイヤルパルスを送出する場合において、ブレー
クからメークへ移る時には、コンデンサC2の充
電に時間を必要とする為送出されるダイヤルパル
ス波形が変形する欠点がある。
電子化シンク回路２を駆動してL1，L2に対して
直流ループを形成しなければならない。しかし、
コンデンサC2の電荷が減少しているため、まず
充電が行われる。その後、トランジスタＱがオン
になり、電子化シンク回路２は通常の動作を行
う。以上説明したように、L1，L2から見ると、
ダイヤルパルスを送出する場合において、ブレー
クからメークへ移る時には、コンデンサC2の充
電に時間を必要とする為送出されるダイヤルパル
ス波形が変形する欠点がある。
さらに、これらの欠点を除去するため、第３図
ａに示すような電子化シンク回路が特開昭60−
48693号により提案されている。この電子化シン
ク回路２ａでは、コンデンサC2の電荷がダイヤ
ルブレーク時に放電しないようにコンデンサC2
と放電経路を切断するリレー接点K2を直列に接
続している。しかしながら、このような構成は、
電流ループ形成回路の電子化にリレーを必要とす
る結果となり、本来の電子化の目的に反し、実際
的な効果がないに等しい。しかも、リレー接点
K2の経路はコンデンサC2に対する充放電路にな
つており、一方向性の電子回路素子で置き換える
ことはできない。また、仮に、リレー接点K2を
第３図ｂの電子化シンク回路２ｂに示すようにト
ランジスタＱのベース回路に挿入したとしても、
これだけではコンデンサC2の電荷が抵抗R1を介
して放電される可能性がある。この回路例では、
抵抗R1のみの経路しか記述がないが、実際には
この回路構成では、電流シンク回路２として十分
な特性が得られない。特に、局と距離が小さい時
には、直流電流によりトランジスタＱが飽和する
欠点がある。従つて、実際上は第２図のように抵
抗R2も必要であり、これがまた第３図ａ，ｂの
回路の本質的な欠点でもある。
ａに示すような電子化シンク回路が特開昭60−
48693号により提案されている。この電子化シン
ク回路２ａでは、コンデンサC2の電荷がダイヤ
ルブレーク時に放電しないようにコンデンサC2
と放電経路を切断するリレー接点K2を直列に接
続している。しかしながら、このような構成は、
電流ループ形成回路の電子化にリレーを必要とす
る結果となり、本来の電子化の目的に反し、実際
的な効果がないに等しい。しかも、リレー接点
K2の経路はコンデンサC2に対する充放電路にな
つており、一方向性の電子回路素子で置き換える
ことはできない。また、仮に、リレー接点K2を
第３図ｂの電子化シンク回路２ｂに示すようにト
ランジスタＱのベース回路に挿入したとしても、
これだけではコンデンサC2の電荷が抵抗R1を介
して放電される可能性がある。この回路例では、
抵抗R1のみの経路しか記述がないが、実際には
この回路構成では、電流シンク回路２として十分
な特性が得られない。特に、局と距離が小さい時
には、直流電流によりトランジスタＱが飽和する
欠点がある。従つて、実際上は第２図のように抵
抗R2も必要であり、これがまた第３図ａ，ｂの
回路の本質的な欠点でもある。
（発明の目的）
本発明は、これらの大型トランスまたはリレー
接点を使用せずに電子化シンク回路を構成し、ダ
イヤルパルス送出時にダイヤルパルス信号が純化
するのを解消するようにした電流ループ形成回路
を提供するものである。
接点を使用せずに電子化シンク回路を構成し、ダ
イヤルパルス送出時にダイヤルパルス信号が純化
するのを解消するようにした電流ループ形成回路
を提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の電流ルー
プ形成回路は、局線からの直流電流を一定の極性
の直流出力に変換するためのダイオードブリツジ
と、該ダイオードブリツジの出力側に配置される
ダイヤルパルス送出回路とを備え、該ダイヤルパ
ルス送出回路の出力に第１の抵抗と第２の抵抗と
の直列回路並びに通話電流ループを形成するトラ
ンジスタのコレクタ・エミツタ路とが並列に接続
され、前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との接続
点と前記トランジスタのベースとの間に該トラン
ジスタのベース電流に対して順方向にダイオード
が配置され、該ダイオードのカソード側に前記ト
ランジスタのベース端子に現れる交流信号を平滑
するコンデンサが接続され、前記ダイオードのカ
ソードと該トランジスタのベース間または該トラ
ンジスタのエミツタ路に順方向にダイヤルブレイ
ク時にオフに制御されるように構成されたフオト
カプラの受光側素子を備えている。
プ形成回路は、局線からの直流電流を一定の極性
の直流出力に変換するためのダイオードブリツジ
と、該ダイオードブリツジの出力側に配置される
ダイヤルパルス送出回路とを備え、該ダイヤルパ
ルス送出回路の出力に第１の抵抗と第２の抵抗と
の直列回路並びに通話電流ループを形成するトラ
ンジスタのコレクタ・エミツタ路とが並列に接続
され、前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との接続
点と前記トランジスタのベースとの間に該トラン
ジスタのベース電流に対して順方向にダイオード
が配置され、該ダイオードのカソード側に前記ト
ランジスタのベース端子に現れる交流信号を平滑
するコンデンサが接続され、前記ダイオードのカ
ソードと該トランジスタのベース間または該トラ
ンジスタのエミツタ路に順方向にダイヤルブレイ
ク時にオフに制御されるように構成されたフオト
カプラの受光側素子を備えている。
（実施例）
以下本発明の実施例につき詳細に説明する。
第４図は本発明の１実施例である。ここで、
T1は音声結合用トランス、C1はトランスの直流
電流阻止コンデンサ、１はダイオードブリツジ、
２１は直流的には50〜300Ω程度の抵抗値を示し
交流的には無限大に近い値を示す電子化シンク回
路、３１は電子化ダイヤルパルス送出回路であ
る。いま、端末電話機TEL（例えばTEL1）の発
信操作に基づき通話路スイツチSWを介して局線
L1，L2を捕捉し、次いでダイヤル操作をした場
合について順次説明する。なお、R1，R2はいず
れも10kΩ程度の抵抗値を有し、抵抗R3は例えば
20Ω程度の抵抗値を有している。電子化シンク回
路２１は、直流ループ形成回路として用いられ、
直流電流は流すが、交流電流は流さないことを要
求される。この為、図中のAB間の電圧を抵抗
R1，R2で分割し、順方向のダイオードD1を介し
て流す充電電流をコンデンサC2に蓄積して平滑
化した入力でシンク回路のトランジスタQ1を駆
動している。図中の点Ｄが上述の平滑化電圧であ
る。PC1は光結合スイツチを構成するフオトカプ
ラである。ダイヤル信号（HIGH）が入力される
とトランジスタQ2がオンになり、フオトカプラ
PC1が作動する。
T1は音声結合用トランス、C1はトランスの直流
電流阻止コンデンサ、１はダイオードブリツジ、
２１は直流的には50〜300Ω程度の抵抗値を示し
交流的には無限大に近い値を示す電子化シンク回
路、３１は電子化ダイヤルパルス送出回路であ
る。いま、端末電話機TEL（例えばTEL1）の発
信操作に基づき通話路スイツチSWを介して局線
L1，L2を捕捉し、次いでダイヤル操作をした場
合について順次説明する。なお、R1，R2はいず
れも10kΩ程度の抵抗値を有し、抵抗R3は例えば
20Ω程度の抵抗値を有している。電子化シンク回
路２１は、直流ループ形成回路として用いられ、
直流電流は流すが、交流電流は流さないことを要
求される。この為、図中のAB間の電圧を抵抗
R1，R2で分割し、順方向のダイオードD1を介し
て流す充電電流をコンデンサC2に蓄積して平滑
化した入力でシンク回路のトランジスタQ1を駆
動している。図中の点Ｄが上述の平滑化電圧であ
る。PC1は光結合スイツチを構成するフオトカプ
ラである。ダイヤル信号（HIGH）が入力される
とトランジスタQ2がオンになり、フオトカプラ
PC1が作動する。
ダイヤルメーク時に点Ｄは所定の平滑化電圧を
示すがダイヤルブレーク時に、図中の電流i3がフ
オトカプラPC1のトランジスタ側と抵抗R3を通り
放電しようとする。放電がおこると、コンデンサ
C2の電荷は無くなる。この状態で、次のダイヤ
ルメークがおこると、まずコンデンサC2の充電
が行われる為、直ちに電子化シンク回路２１を駆
動して直流ループを形成することができない。そ
こで、ダイヤルブレーク時に、フオトカプラPC1
のトランジスタ側をオフにし電流i3が流れない様
にする。さらに安定化の為にダイオードD1を入
れ電流i2が流れない様にしてある。以上により、
ダイヤルブレーク時、コンデンサC2の電荷は充
電されたままである。次のダイヤルメークがおき
ると、直ちに電子化シンク回路２１を駆動して直
流ループを形成することになる。
示すがダイヤルブレーク時に、図中の電流i3がフ
オトカプラPC1のトランジスタ側と抵抗R3を通り
放電しようとする。放電がおこると、コンデンサ
C2の電荷は無くなる。この状態で、次のダイヤ
ルメークがおこると、まずコンデンサC2の充電
が行われる為、直ちに電子化シンク回路２１を駆
動して直流ループを形成することができない。そ
こで、ダイヤルブレーク時に、フオトカプラPC1
のトランジスタ側をオフにし電流i3が流れない様
にする。さらに安定化の為にダイオードD1を入
れ電流i2が流れない様にしてある。以上により、
ダイヤルブレーク時、コンデンサC2の電荷は充
電されたままである。次のダイヤルメークがおき
ると、直ちに電子化シンク回路２１を駆動して直
流ループを形成することになる。
次に電子化ダイヤルパルス送出回路３１につい
て説明する。ダイヤル送出時ダイヤル信号
（HIGH）が入力されるとインバータ（INV）で
反転されその反転出力はLOWとなる。
て説明する。ダイヤル送出時ダイヤル信号
（HIGH）が入力されるとインバータ（INV）で
反転されその反転出力はLOWとなる。
まず、ダイヤルメイク時、ダイヤル操作に対応
したTTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイヤル
信号入力がインバータINVで反転してLOWにな
ると〔Q3OFF→PC2OFF→Q4ON→Q5ON〕の動
作となり、〔L1→ダイオードブリツジ１→電子化
シンク回路２１→Q5→ダイオードブリツジ１→
L2〕のループができメイク信号として出力され
る。次にダイオードブリツジ時、前記のダイヤル
信号入力がインバータINVで反転されHIGHにな
ると、〔Q3ON→PC2ON→Q4OFF→Q5OFF〕の
動作となり、〔L1→電子化シンク回路２１→Q5
（OFF）→L2〕のループは開となりブレーク信号
として出力される。なお、「開」となつたループ
には、〔PC2のコレクタ・エミツタ→R4〕の経路
が並列に入る。ここで抵抗R4を100kΩより充分
に高い値（例えば200kΩ）に設定すれば、局側
がブレークを検出するのに必要な100kΩ以上と
いう条件を満足することができる。なお抵抗R5
が過大でトランジスタQ5を駆動できない時には、
トランジスタQ5をダーリントン回路にすればよ
い。
したTTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイヤル
信号入力がインバータINVで反転してLOWにな
ると〔Q3OFF→PC2OFF→Q4ON→Q5ON〕の動
作となり、〔L1→ダイオードブリツジ１→電子化
シンク回路２１→Q5→ダイオードブリツジ１→
L2〕のループができメイク信号として出力され
る。次にダイオードブリツジ時、前記のダイヤル
信号入力がインバータINVで反転されHIGHにな
ると、〔Q3ON→PC2ON→Q4OFF→Q5OFF〕の
動作となり、〔L1→電子化シンク回路２１→Q5
（OFF）→L2〕のループは開となりブレーク信号
として出力される。なお、「開」となつたループ
には、〔PC2のコレクタ・エミツタ→R4〕の経路
が並列に入る。ここで抵抗R4を100kΩより充分
に高い値（例えば200kΩ）に設定すれば、局側
がブレークを検出するのに必要な100kΩ以上と
いう条件を満足することができる。なお抵抗R5
が過大でトランジスタQ5を駆動できない時には、
トランジスタQ5をダーリントン回路にすればよ
い。
この様に、フオトカプラPC1，PC2とダイヤル
パルス信号とを同時に制御することにより、ダイ
ヤルパルス信号を送出することができる。
パルス信号とを同時に制御することにより、ダイ
ヤルパルス信号を送出することができる。
第５図は本発明の他の実施例である。フオトカ
プラの位置が、第４図の実施例で示したようなト
ランジスタQ1のベース側から、エミツタ側に移
つた電子化シンク回路２２が用いられているもの
であり、動作原理は第４図の実施例の場合と同様
である。
プラの位置が、第４図の実施例で示したようなト
ランジスタQ1のベース側から、エミツタ側に移
つた電子化シンク回路２２が用いられているもの
であり、動作原理は第４図の実施例の場合と同様
である。
（発明の効果）
以上詳細に説明した様に、本発明は平滑化コン
デンサの電荷の放電路にフオトカプラを挿入して
その電荷の放電を防いでいる為に立上り立下り特
性のよい波形歪の少ないダイヤルパルスを送出す
ることができる。よつて、大型リレーと大型コイ
ルを追放して小型で安価な電子回路により電流ル
ープ形成回路を実現するという効果が得られる。
デンサの電荷の放電路にフオトカプラを挿入して
その電荷の放電を防いでいる為に立上り立下り特
性のよい波形歪の少ないダイヤルパルスを送出す
ることができる。よつて、大型リレーと大型コイ
ルを追放して小型で安価な電子回路により電流ル
ープ形成回路を実現するという効果が得られる。
第１図は従来の電流ループ形成回路の例を示す
回路図、第２図および第３図ａ，ｂは従来の電流
ループ形成回路の他の例を示す回路図、第４図は
本発明の１実施例を示す回路図、第５図は本発明
の他の実施例を示す回路図である。 １……ダイオードブリツジ、２，２１，２２…
…電子化シンク回路（直流ループ形成回路）、３，
３１……ダイヤルパルス送出回路、L1，L2……
局線、C2……平滑コンデンサ、PC1，PC2……フ
オトカプラ（光結合スイツチ回路）、Ｑ，Q1，
Q2，Q3，Q4，Q5……トランジスタ、RA……着
信検出回路、SW……通話路スイツチ、TEL1〜
TELo……端末電話機。
回路図、第２図および第３図ａ，ｂは従来の電流
ループ形成回路の他の例を示す回路図、第４図は
本発明の１実施例を示す回路図、第５図は本発明
の他の実施例を示す回路図である。 １……ダイオードブリツジ、２，２１，２２…
…電子化シンク回路（直流ループ形成回路）、３，
３１……ダイヤルパルス送出回路、L1，L2……
局線、C2……平滑コンデンサ、PC1，PC2……フ
オトカプラ（光結合スイツチ回路）、Ｑ，Q1，
Q2，Q3，Q4，Q5……トランジスタ、RA……着
信検出回路、SW……通話路スイツチ、TEL1〜
TELo……端末電話機。
Claims (1)
- １ 局線からの直流電流を一定の極性の直流出力
に変換するためのダイオードブリツジと、該ダイ
オードブリツジの出力側に配置されるダイヤルパ
ルス送出回路とを備え、該ダイヤルパルス送出回
路の出力に第１の抵抗と第２の抵抗との直列回路
並びに通話電流ループを形成するトランジスタの
コレクタ・エミツタ路とが並列に接続され、前記
第１の抵抗と前記第２の抵抗との接続点と前記ト
ランジスタのベースとの間に該トランジスタのベ
ース電流に対して順方向にダイオードが配置さ
れ、該ダイオードのカソード側に前記トランジス
タのベース端子に現れる交流信号を平滑するコン
デンサが接続され、前記ダイオードのカソードと
該トランジスタのベース間又は該トランジスタの
エミツタ路に順方向にダイヤルブレイク時にオフ
に制御されるように構成されたフオトカプラの受
光側素子を備えた電流ループ形成回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5958186A JPS62217794A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 電流ル−プ形成回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5958186A JPS62217794A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 電流ル−プ形成回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217794A JPS62217794A (ja) | 1987-09-25 |
| JPH0342836B2 true JPH0342836B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=13117337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5958186A Granted JPS62217794A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 電流ル−プ形成回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217794A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6420790A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Iwatsu Electric Co Ltd | Dial pulse transmitting circuit |
| JPH02100592A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Fujitsu Denso Ltd | ダイヤルパルス送出回路 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP5958186A patent/JPS62217794A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62217794A (ja) | 1987-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |