JPH0444476B2 - - Google Patents
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- JPH0444476B2 JPH0444476B2 JP62175929A JP17592987A JPH0444476B2 JP H0444476 B2 JPH0444476 B2 JP H0444476B2 JP 62175929 A JP62175929 A JP 62175929A JP 17592987 A JP17592987 A JP 17592987A JP H0444476 B2 JPH0444476 B2 JP H0444476B2
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- dial
- current
- capacitor
- diode bridge
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Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、交換装置の局線トランクインターフ
エースに用いられるダイヤルパルス送出回路に関
するものである。
エースに用いられるダイヤルパルス送出回路に関
するものである。
（従来技術とその問題点）
近年、PBXやボタン電話装置の加入者線イン
ターフエースは電子化が行われ、一般的にSLIC
と称するLSIやHICが出現している。このように
電子化が進むとシステム構成要素中電子化の進ん
だ部分とそうでない部分は実装が極めて不均一に
なり、実装単位寸法が不揃いにならざるを得な
い。PBXやボタン電話装置では、内線側インタ
ーフエースの電子化が進んでいるのに比べ、局線
側インターフエースは依然として大型トランス，
リレー及び大型コンデンサが用いられている。こ
れは印加される直流電圧，着信信号が過大であ
り、また、電流容量も百数十mAを必要とするか
らであり、また雷対策の為でもある。
ターフエースは電子化が行われ、一般的にSLIC
と称するLSIやHICが出現している。このように
電子化が進むとシステム構成要素中電子化の進ん
だ部分とそうでない部分は実装が極めて不均一に
なり、実装単位寸法が不揃いにならざるを得な
い。PBXやボタン電話装置では、内線側インタ
ーフエースの電子化が進んでいるのに比べ、局線
側インターフエースは依然として大型トランス，
リレー及び大型コンデンサが用いられている。こ
れは印加される直流電圧，着信信号が過大であ
り、また、電流容量も百数十mAを必要とするか
らであり、また雷対策の為でもある。
従来、局線トランクインターフエース回路にお
いてダイヤルパルスを送出する際、リレー接点が
使われている。その例を第１図に示す。ここで、
L1，L2は加入者線（局線）入側端子、RLはダイ
ヤル信号に基づいて動作するダイヤルパルス送出
用リレー、rlはRLリレーの接点、SWは通話路ス
イツチ、TEL1〜TELoは端末電話機、Ｒは火花
吸収用抵抗、Ｃは火花吸収用コンデンサ、Ｔは音
声結合用トランス、RAは着信信号検出回路であ
る。局線L1，L2に直列にリレーの接点rlが入り、
端末電話機TEL（例えばTEL1）の発信操作に基
づき電話路スイツチSWを介して局線L1，L2を捕
促し、次いでダイヤル操作をしてこのRLリレー
をオン，オフすることにより、回線ループをメー
ク，ブレークさせてダイヤルパルスを送出してい
た。Ｒ，Ｃはリレーの接点rlが出す火花放電を吸
収する為のものである。この回路におけるRLリ
レーには電流を12mA程度流さなくてはならず、
従来水銀リレーが多く用いられているが、価格は
高くサイズは大きく、直立するように載置しなけ
ればならず、実装の方向にも制限がある。水銀リ
レー以外のリレーには方向性こそないが価格、サ
イズは同様であり、耐久性が劣る欠点がある。ま
た、火花吸収用のコンデンサＣは十分な耐圧を必
要とする為大型のコンデンサが必要である。次
に、トランスＴにも同様に120mA程度電流を流
すことが要求されるため、高価でサイズの大きい
ものが要求される。この様に大型部品を使用する
為に実装面積が広く、部品の価格も高い。また、
トランスのインダクタンスは大きくとれずトラン
ス間で漏洩磁束による結合が生じるため漏洩レベ
ルの低い所定値以下の漏話特性を得るのが困難で
ある。これが、局線トランク回路において電子化
を困難にしている一番大きな原因である。
いてダイヤルパルスを送出する際、リレー接点が
使われている。その例を第１図に示す。ここで、
L1，L2は加入者線（局線）入側端子、RLはダイ
ヤル信号に基づいて動作するダイヤルパルス送出
用リレー、rlはRLリレーの接点、SWは通話路ス
イツチ、TEL1〜TELoは端末電話機、Ｒは火花
吸収用抵抗、Ｃは火花吸収用コンデンサ、Ｔは音
声結合用トランス、RAは着信信号検出回路であ
る。局線L1，L2に直列にリレーの接点rlが入り、
端末電話機TEL（例えばTEL1）の発信操作に基
づき電話路スイツチSWを介して局線L1，L2を捕
促し、次いでダイヤル操作をしてこのRLリレー
をオン，オフすることにより、回線ループをメー
ク，ブレークさせてダイヤルパルスを送出してい
た。Ｒ，Ｃはリレーの接点rlが出す火花放電を吸
収する為のものである。この回路におけるRLリ
レーには電流を12mA程度流さなくてはならず、
従来水銀リレーが多く用いられているが、価格は
高くサイズは大きく、直立するように載置しなけ
ればならず、実装の方向にも制限がある。水銀リ
レー以外のリレーには方向性こそないが価格、サ
イズは同様であり、耐久性が劣る欠点がある。ま
た、火花吸収用のコンデンサＣは十分な耐圧を必
要とする為大型のコンデンサが必要である。次
に、トランスＴにも同様に120mA程度電流を流
すことが要求されるため、高価でサイズの大きい
ものが要求される。この様に大型部品を使用する
為に実装面積が広く、部品の価格も高い。また、
トランスのインダクタンスは大きくとれずトラン
ス間で漏洩磁束による結合が生じるため漏洩レベ
ルの低い所定値以下の漏話特性を得るのが困難で
ある。これが、局線トランク回路において電子化
を困難にしている一番大きな原因である。
この第１図の従来例の欠点を克服するための電
子化回路が提案されている（特公昭58−2512号公
報）。また、本願発明者等は、半導体スイツチ素
子を用いてダイヤルパルス送出回路を形成した回
路を特願昭61−59581号（特開昭62−217794号公
報）と特願昭61−59582号（特開昭62−217755号
公報）とに提案した。
子化回路が提案されている（特公昭58−2512号公
報）。また、本願発明者等は、半導体スイツチ素
子を用いてダイヤルパルス送出回路を形成した回
路を特願昭61−59581号（特開昭62−217794号公
報）と特願昭61−59582号（特開昭62−217755号
公報）とに提案した。
しかし、この公知の回路及び先願に係る回路で
は、ダイヤルパルス送出回路において通話音声
電流の無視できない減衰があること、及び局と
の距離が近い場合にダイヤルパルス送出回路のト
ランジスタの飽和により送出されるパルスの波形
が変形するという欠点がある。
は、ダイヤルパルス送出回路において通話音声
電流の無視できない減衰があること、及び局と
の距離が近い場合にダイヤルパルス送出回路のト
ランジスタの飽和により送出されるパルスの波形
が変形するという欠点がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、半導体スイツチ素子による電
圧降下が少なく、通話音声電流の減衰も無視でき
るとともに、局との距離が近い場合でも変形のな
いパルス波形を送出することができる、小形な回
路構成のダイヤルパルス送出回路を提供すること
にある。
圧降下が少なく、通話音声電流の減衰も無視でき
るとともに、局との距離が近い場合でも変形のな
いパルス波形を送出することができる、小形な回
路構成のダイヤルパルス送出回路を提供すること
にある。
（発明の構成）
この目的達成のため、本発明のダイヤルパルス
送出回路は、局線からの直流電流を一定の極性の
直流出力に変換するためのダイオードブリツジ
と、トランジスタのコレクタ・エミツタ路による
直流形成路を有する直流ループ形成回路との間に
配置され、ダイヤル信号によりオンオフ制御され
てダイヤルパルスを前記ダイオードブリツジを介
して前記局線に送出するダイヤルパルス送出回路
において、前記ダイヤル信号によりオンオフ制御
される光結合素子とコンデンサとを並列に接続し
た並列回路に抵抗を直列に接続して形成され前記
直流形成路と並列に接続された直列回路と、前記
光結合素子とコンデンサの並列回路と前記抵抗と
の接続点より駆動され直流は通過させるが交流電
流は阻止するように形成された第１のスイツチ素
子回路と、前記第１のスイツチ素子回路により駆
動され前記ダイオードブリツジの出力側と前記直
流形成路との間の直流接断をして前記ダイヤルパ
ルスの送出動作を行うように形成接続された第２
のスイツチ素子回路と、前記光結合素子とコンデ
ンサの並列回路と前記抵抗との接続点の電位を前
記ダイオードブリツジの出力電圧を平滑する平滑
コンデンサの電位にクランプするように接続され
前記第１のスイツチ回路素子が飽和するのを防止
するクランプ用ダイオードとを備えた構成を有し
ている。
送出回路は、局線からの直流電流を一定の極性の
直流出力に変換するためのダイオードブリツジ
と、トランジスタのコレクタ・エミツタ路による
直流形成路を有する直流ループ形成回路との間に
配置され、ダイヤル信号によりオンオフ制御され
てダイヤルパルスを前記ダイオードブリツジを介
して前記局線に送出するダイヤルパルス送出回路
において、前記ダイヤル信号によりオンオフ制御
される光結合素子とコンデンサとを並列に接続し
た並列回路に抵抗を直列に接続して形成され前記
直流形成路と並列に接続された直列回路と、前記
光結合素子とコンデンサの並列回路と前記抵抗と
の接続点より駆動され直流は通過させるが交流電
流は阻止するように形成された第１のスイツチ素
子回路と、前記第１のスイツチ素子回路により駆
動され前記ダイオードブリツジの出力側と前記直
流形成路との間の直流接断をして前記ダイヤルパ
ルスの送出動作を行うように形成接続された第２
のスイツチ素子回路と、前記光結合素子とコンデ
ンサの並列回路と前記抵抗との接続点の電位を前
記ダイオードブリツジの出力電圧を平滑する平滑
コンデンサの電位にクランプするように接続され
前記第１のスイツチ回路素子が飽和するのを防止
するクランプ用ダイオードとを備えた構成を有し
ている。
（実施例）
以下本発明の実施例につき詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例である。ここで、
T1は音声結合用トランス、C1はトランスの直流
電流阻止コンデンサ、１はダイオードブリツジ、
２は直流的には50〜300Ω程度の抵抗値を示し交
流的には無限大に近い値を示す電子化シンク回
路、３は電子化ダイヤルパルス送出回路である。
なお、R1，R2はいずれも10kΩ程度の抵抗値を有
し、抵抗R3は例えば20Ω程度の抵抗値を有して
いる。電子化シンク回路２は、ダーリントン接続
のトラジスタQ1，Q2のコレクタ・エミツタ路が
直流形成路となる直流ループ形成回路として用い
られ、直流電流は流すが、交流電流は流さないこ
とを要求される。この為、図中のAB間の電圧を
ダイヤル信号（HIGH）のときに抵抗R1，R2で
分割するように構成し、そのときの充電電流i2を
コンデンサC2に蓄積して平滑化した入力でシン
ク回路のトランジスタQ1，Q2を駆動してる。図
中の点Ｄが上述の平滑化電圧である。PC1は光結
合スイツチを構成するフオトカプラである。ダイ
ヤル信号（HIGH）が入力されるとトランジスタ
Q5がオンになりフオトカプラPC1が作動する。
T1は音声結合用トランス、C1はトランスの直流
電流阻止コンデンサ、１はダイオードブリツジ、
２は直流的には50〜300Ω程度の抵抗値を示し交
流的には無限大に近い値を示す電子化シンク回
路、３は電子化ダイヤルパルス送出回路である。
なお、R1，R2はいずれも10kΩ程度の抵抗値を有
し、抵抗R3は例えば20Ω程度の抵抗値を有して
いる。電子化シンク回路２は、ダーリントン接続
のトラジスタQ1，Q2のコレクタ・エミツタ路が
直流形成路となる直流ループ形成回路として用い
られ、直流電流は流すが、交流電流は流さないこ
とを要求される。この為、図中のAB間の電圧を
ダイヤル信号（HIGH）のときに抵抗R1，R2で
分割するように構成し、そのときの充電電流i2を
コンデンサC2に蓄積して平滑化した入力でシン
ク回路のトランジスタQ1，Q2を駆動してる。図
中の点Ｄが上述の平滑化電圧である。PC1は光結
合スイツチを構成するフオトカプラである。ダイ
ヤル信号（HIGH）が入力されるとトランジスタ
Q5がオンになりフオトカプラPC1が作動する。
いま、端末電話機TEL（例えばTEL1）の発信
操作に基づき通話路スイツチSWを介して局線
L1，L2を捕促し、次いでダイヤル操作をした場
合について順次説明する。ダイヤルメーク時に点
Ｄは所定の平滑化電圧を示すがダイヤルブレーク
時に、図中の電流i3がフオトカプラPC1とトラジ
スタQ1，Q2と抵抗R2，R3を通り放電しようとす
る。放電がおこると、コンデンサC2の電荷は無
くなる。この状態で、次のダイヤルメークがおこ
ると、まずコンデンサC2の充電が行われる為、
直ちに電子化シンク回路２を駆動して直流ループ
を形成することができない。そこで、ダイヤルブ
レーク時に、フオトカプラPC1をオフにし電流i3
が流れない様にする。以上により、ダイヤルブレ
ーク時、コンデンサC2の電荷は充電されたまま
である。次のダイヤルメークがおきると、直ちに
電子化シンク回路２を駆動して直流ループを形成
することになる。
操作に基づき通話路スイツチSWを介して局線
L1，L2を捕促し、次いでダイヤル操作をした場
合について順次説明する。ダイヤルメーク時に点
Ｄは所定の平滑化電圧を示すがダイヤルブレーク
時に、図中の電流i3がフオトカプラPC1とトラジ
スタQ1，Q2と抵抗R2，R3を通り放電しようとす
る。放電がおこると、コンデンサC2の電荷は無
くなる。この状態で、次のダイヤルメークがおこ
ると、まずコンデンサC2の充電が行われる為、
直ちに電子化シンク回路２を駆動して直流ループ
を形成することができない。そこで、ダイヤルブ
レーク時に、フオトカプラPC1をオフにし電流i3
が流れない様にする。以上により、ダイヤルブレ
ーク時、コンデンサC2の電荷は充電されたまま
である。次のダイヤルメークがおきると、直ちに
電子化シンク回路２を駆動して直流ループを形成
することになる。
ここで、電子化ダイヤルパルス送出回路３がな
くても、フオトカプラPC1でオン，オフ制御され
るトランジスタQ1，Q2を有する電子化シンク回
路２にてダイヤルパルスを送出できるように思え
る。しかし、電子化ダイヤルパルス送出回路３が
ない場合には、ダイヤルブレーク時にダイヤル送
出信号にLOWが入力され、トランジスタQ5がオ
フ、フオトカプラPC1がオフ、従つてトランジス
タQ2，Q1もオフとなるため、AB間の電圧は局電
圧の48Vに近い値まで上昇する。これにより、抵
抗R1を通してC2を充電する電流が流れ、正確な
ブレークパルスが得られないことになる。よつ
て、電子化ダイヤルパルス送出回路３を設けて、
ダイヤルブレーク時にC2を充電する電流が流れ
ないようにする必要がある。
くても、フオトカプラPC1でオン，オフ制御され
るトランジスタQ1，Q2を有する電子化シンク回
路２にてダイヤルパルスを送出できるように思え
る。しかし、電子化ダイヤルパルス送出回路３が
ない場合には、ダイヤルブレーク時にダイヤル送
出信号にLOWが入力され、トランジスタQ5がオ
フ、フオトカプラPC1がオフ、従つてトランジス
タQ2，Q1もオフとなるため、AB間の電圧は局電
圧の48Vに近い値まで上昇する。これにより、抵
抗R1を通してC2を充電する電流が流れ、正確な
ブレークパルスが得られないことになる。よつ
て、電子化ダイヤルパルス送出回路３を設けて、
ダイヤルブレーク時にC2を充電する電流が流れ
ないようにする必要がある。
次に電子化ダイヤルパルス送出回路３について
説明する。ダイヤル送出時ダイヤル信号
（HIGH）が入力されるとインバータ（INV）で
反転されその反転出力はLOWとなる。
説明する。ダイヤル送出時ダイヤル信号
（HIGH）が入力されるとインバータ（INV）で
反転されその反転出力はLOWとなる。
ダイヤルメイク時、ダイヤル操作に対応した
TTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイヤル信号
入力がインバータINVで反転してLOWになる
と、〔Q6OFF→PC2OFF→Q3ON→Q4ON〕の動
作となり、〔L1→ダイオードブリツジ１−電子化
シンク回路２→Q4→ダイオードブリツジ１→L2〕
のループができメイク信号として出力される。次
にダイヤルブレーク時、前記のダイヤル信号入力
がインバータINVで反転されHIGHになると、
〔Q6ON→PC2ON→Q3OFF→Q4OFF〕の動作と
なり、〔L1→電子化シンク回路２→Q4（OFF）→
L2〕のループは開となり、ブレーク信号として
出力される。なお、「開」となつたループには、
〔R4→D2→PC2のコレクタ・エミツタ〕の経路が
並列に入る。ここで抵抗R4を100kΩより充分に
高い値（例えば200kΩ）に設定すれば、局側が
ブレークを検出するのに必要な100kΩ以上とい
う条件を満足することができる。
TTLレベル又はＣ・MOSレベルのダイヤル信号
入力がインバータINVで反転してLOWになる
と、〔Q6OFF→PC2OFF→Q3ON→Q4ON〕の動
作となり、〔L1→ダイオードブリツジ１−電子化
シンク回路２→Q4→ダイオードブリツジ１→L2〕
のループができメイク信号として出力される。次
にダイヤルブレーク時、前記のダイヤル信号入力
がインバータINVで反転されHIGHになると、
〔Q6ON→PC2ON→Q3OFF→Q4OFF〕の動作と
なり、〔L1→電子化シンク回路２→Q4（OFF）→
L2〕のループは開となり、ブレーク信号として
出力される。なお、「開」となつたループには、
〔R4→D2→PC2のコレクタ・エミツタ〕の経路が
並列に入る。ここで抵抗R4を100kΩより充分に
高い値（例えば200kΩ）に設定すれば、局側が
ブレークを検出するのに必要な100kΩ以上とい
う条件を満足することができる。
この様に、フオトカプラPC1，PC2をダイヤル
パルス信号で同時に制御することにより、ダイヤ
ル信号を送出することができる。
パルス信号で同時に制御することにより、ダイヤ
ル信号を送出することができる。
通話中には、ダイヤル送出信号はHIGHであ
り、インバータINV出力はLOWである。従つ
て、〔Q6OFF→PC2OFF〕となり、〔L1（L2）→ダ
イオードブリツジ１→R4→D2→Q3のベース・エ
ミツタ→R5→Q4のベース・エミツタ→ダイオー
ドブリツジ１→L2（L1）〕の経路で電流が流れト
ランジスタQ3，Q4がONとなるため、〔Q3のコレ
クタ・エミツタ→R5→Q4のベース・エミツタ〕
の経路がダイオードブリツジ１を介してL1，L2
と並列に入る。トランジスタQ4が充分ONになる
ようにR5を1kΩ程度にしてもトランジスタQ3の
ベースをR4，D2，C3の回路で平滑してあるので
Q3のコレクタには交流電流は流れず、音声等の
交流信号がトランジスタQ4で減衰することはな
い。
り、インバータINV出力はLOWである。従つ
て、〔Q6OFF→PC2OFF〕となり、〔L1（L2）→ダ
イオードブリツジ１→R4→D2→Q3のベース・エ
ミツタ→R5→Q4のベース・エミツタ→ダイオー
ドブリツジ１→L2（L1）〕の経路で電流が流れト
ランジスタQ3，Q4がONとなるため、〔Q3のコレ
クタ・エミツタ→R5→Q4のベース・エミツタ〕
の経路がダイオードブリツジ１を介してL1，L2
と並列に入る。トランジスタQ4が充分ONになる
ようにR5を1kΩ程度にしてもトランジスタQ3の
ベースをR4，D2，C3の回路で平滑してあるので
Q3のコレクタには交流電流は流れず、音声等の
交流信号がトランジスタQ4で減衰することはな
い。
なお、局との距離が近いとトランジスタQ3の
ベース電流は増大し、トランジスタQ3のコレク
タ・エミツタ間電圧は減少するためトランジスタ
Q3は飽和に近づく。ここで、ダイオードD1がな
い場合に大振幅の交流信号が入力されると、コン
デンサC3は0.015μF程度の値であるので平滑は十
分になされずトランジスタQ3のベースに交流電
流が流れトランジスタQ3は飽和するため、送出
されるパルスの波形のピーク部分が変形すること
となる。しかし、ダイオードD1，D2を第２図の
ように接続すれば、コンデンサC2の容量は2.2μF
と大きいため平滑は十分に行われ、Ｄ点には交流
信号は現れない。Ｅ点の電位はＤ点の電位と等し
いためＥ点に交流信号は現れずトランジスタQ3
の飽和は防止され、波形変形のないパルスを送出
することができる。
ベース電流は増大し、トランジスタQ3のコレク
タ・エミツタ間電圧は減少するためトランジスタ
Q3は飽和に近づく。ここで、ダイオードD1がな
い場合に大振幅の交流信号が入力されると、コン
デンサC3は0.015μF程度の値であるので平滑は十
分になされずトランジスタQ3のベースに交流電
流が流れトランジスタQ3は飽和するため、送出
されるパルスの波形のピーク部分が変形すること
となる。しかし、ダイオードD1，D2を第２図の
ように接続すれば、コンデンサC2の容量は2.2μF
と大きいため平滑は十分に行われ、Ｄ点には交流
信号は現れない。Ｅ点の電位はＤ点の電位と等し
いためＥ点に交流信号は現れずトランジスタQ3
の飽和は防止され、波形変形のないパルスを送出
することができる。
第２図の実施例においてフオトカプラが大きな
耐圧を要求しない回路構成になつていることも、
コスト低減上有利である。
耐圧を要求しない回路構成になつていることも、
コスト低減上有利である。
（発明の効果）
以上、説明したように、本発明によればダイヤ
ル信号送出時、リレー接点を用いず、光結合素子
で駆動された半導体素子でダイヤルパルスを送出
する為、小型化、低価格という利点があり、実装
上の方向性等の制約も受けず自由であるととも
に、火花防止という付随部品も不必要となる効果
がある。また、半導体スイツチ素子による電圧降
下が少ない。さらに、通話音声電流の減衰も無視
できる程度であり、局との距離が近い場合でも変
形のないパルス波形を送出することが可能であ
る。
ル信号送出時、リレー接点を用いず、光結合素子
で駆動された半導体素子でダイヤルパルスを送出
する為、小型化、低価格という利点があり、実装
上の方向性等の制約も受けず自由であるととも
に、火花防止という付随部品も不必要となる効果
がある。また、半導体スイツチ素子による電圧降
下が少ない。さらに、通話音声電流の減衰も無視
できる程度であり、局との距離が近い場合でも変
形のないパルス波形を送出することが可能であ
る。
第１図は従来のダイヤルパルス送出回路の一例
を示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示す
回路図である。 １…ダイオードブリツジ、２…電子化シンク回
路（直流ループ形成回路）、３…電子化ダイヤル
パルス送出回路、RA…着信検出回路、L1，L2…
局線、PC1，PC2…フオトカプラ（光結合素子）、
Q1，Q2，Q3，Q4，Q5，Q6…トランジスタ、SW
…通話路スイツチ、TEL1〜TELo…端末電話機。
を示す回路図、第２図は本発明の一実施例を示す
回路図である。 １…ダイオードブリツジ、２…電子化シンク回
路（直流ループ形成回路）、３…電子化ダイヤル
パルス送出回路、RA…着信検出回路、L1，L2…
局線、PC1，PC2…フオトカプラ（光結合素子）、
Q1，Q2，Q3，Q4，Q5，Q6…トランジスタ、SW
…通話路スイツチ、TEL1〜TELo…端末電話機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 局線からの直流電流を一定の極性の直流出力
に変換するためのダイオードブリツジと、トラン
ジスタのコレクタ・エミツタ路による直流形成路
を有する直流ループ形成回路との間に配置され、
ダイヤル信号によりオンオフ制御されてダイヤル
パルスを前記ダイオードブリツジを介して前記局
線に送出するダイヤルパルス送出回路において、 前記ダイヤル信号によりオンオフ制御される光
結合素子とコンデンサとを並列に接続した並列回
路に抵抗を直列に接続して形成され前記直流形成
路と並列に接続された直列回路と、前記光結合素
子とコンデンサの並列回路と前記抵抗との接続点
より駆動され直流は通過させるが交流電流は阻止
するように形成された第１のスイツチ素子回路
と、前記第１のスイツチ素子回路により駆動され
前記ダイオードブリツジの出力側と前記直流形成
路との間の直流接断をして前記ダイヤルパルスの
送出動作を行うように形成接続された第２のスイ
ツチ素子回路と、前記光結合素子とコンデンサの
並列回路と前記抵抗との接続点の電位を前記ダイ
オードブリツジの出力電圧を平滑する平滑コンデ
ンサの電位にクランプするように接続され前記第
１のスイツチ回路素子が飽和するのを防止するク
ランプ用ダイオードとを備えたダイヤルパルス送
出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17592987A JPS6420790A (en) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Dial pulse transmitting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17592987A JPS6420790A (en) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Dial pulse transmitting circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6420790A JPS6420790A (en) | 1989-01-24 |
| JPH0444476B2 true JPH0444476B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=16004719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17592987A Granted JPS6420790A (en) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Dial pulse transmitting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6420790A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457107A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-24 | Hitachi Ltd | ロボットの制御装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582512A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 石油燃焼器 |
| JPS62217794A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Iwatsu Electric Co Ltd | 電流ル−プ形成回路 |
| JPS62217755A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Iwatsu Electric Co Ltd | ダイヤルパルス送出回路 |
-
1987
- 1987-07-16 JP JP17592987A patent/JPS6420790A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6420790A (en) | 1989-01-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |