JPH0343768B2 - - Google Patents
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- JPH0343768B2 JPH0343768B2 JP9530284A JP9530284A JPH0343768B2 JP H0343768 B2 JPH0343768 B2 JP H0343768B2 JP 9530284 A JP9530284 A JP 9530284A JP 9530284 A JP9530284 A JP 9530284A JP H0343768 B2 JPH0343768 B2 JP H0343768B2
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- Japan
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- thin film
- saturation
- flux density
- soft magnetic
- magnetic flux
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
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- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非晶質軟磁性薄膜に関するものであ
り、特に飽和磁束密度Bsが大きく飽和磁歪定数
λsの小さい非晶質軟磁性薄膜を得ようとするも
のである。
り、特に飽和磁束密度Bsが大きく飽和磁歪定数
λsの小さい非晶質軟磁性薄膜を得ようとするも
のである。
磁気記録の分野においては、例えば垂直磁気記
録方式のように記録信号の高密度化や高周波数化
等が進められているが、この高密度記録化に対応
して磁気記録媒体としても、例えば磁性粉にFe、
Co、Ni等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタ
ルテープや、強磁性金属材料を蒸着によりベース
フイルム上に被着した蒸着テープ等の如き高い残
留磁束密度Brや高抗磁力Hcを有する磁気記録媒
体が使用されるようになつている。このため、こ
の種の磁気記録媒体の記録再生に使用する磁気ヘ
ツドのヘツド材料としては、飽和磁束密度Bsが
大きく、また透磁率が大きな、すなわち飽和磁歪
定数λsが小さなものが要求されている。
録方式のように記録信号の高密度化や高周波数化
等が進められているが、この高密度記録化に対応
して磁気記録媒体としても、例えば磁性粉にFe、
Co、Ni等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタ
ルテープや、強磁性金属材料を蒸着によりベース
フイルム上に被着した蒸着テープ等の如き高い残
留磁束密度Brや高抗磁力Hcを有する磁気記録媒
体が使用されるようになつている。このため、こ
の種の磁気記録媒体の記録再生に使用する磁気ヘ
ツドのヘツド材料としては、飽和磁束密度Bsが
大きく、また透磁率が大きな、すなわち飽和磁歪
定数λsが小さなものが要求されている。
一方、上述の高密度記録化に伴つて、磁気記録
媒体に記録される記録トラツクのトラツク幅の狭
小化も進められており、これに対応して磁気ヘツ
ドのトラツク幅も極めて狭いものが要求されてい
る。
媒体に記録される記録トラツクのトラツク幅の狭
小化も進められており、これに対応して磁気ヘツ
ドのトラツク幅も極めて狭いものが要求されてい
る。
そこで従来、例えばセラミツクス等の非磁性基
板上に磁気コアとなる軟磁性薄膜と絶縁層を交互
に被着形成しこれをトラツク部分とした所謂複合
型磁気ヘツドや、軟磁性薄膜や導体薄膜を絶縁体
薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁気ヘツド
等が提案されており、この種の磁気ヘツドに使用
される軟磁性薄膜として、非晶質軟磁性薄膜が注
日を集めている。
板上に磁気コアとなる軟磁性薄膜と絶縁層を交互
に被着形成しこれをトラツク部分とした所謂複合
型磁気ヘツドや、軟磁性薄膜や導体薄膜を絶縁体
薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁気ヘツド
等が提案されており、この種の磁気ヘツドに使用
される軟磁性薄膜として、非晶質軟磁性薄膜が注
日を集めている。
この非晶質軟磁性薄膜は、磁歪が零に近く高透
磁率を有するとともに結晶磁気異方性が無い等の
数々の優れた特性を有し、上述の磁気ヘツドの軟
磁性薄膜として極めて有用であることが知られて
いる。
磁率を有するとともに結晶磁気異方性が無い等の
数々の優れた特性を有し、上述の磁気ヘツドの軟
磁性薄膜として極めて有用であることが知られて
いる。
ところで、上記非晶質軟磁性薄膜の材質として
は、一般にFe、Ni、Co等の遷移金属元素にSi、
Ｂ、Ｐ等の半金属元素を含有した金属−半金属系
非晶質合金が知られているが、この金属−半金属
系非晶質合金では所定の飽和磁束密度Bsを確保
することは難かしく、例えば垂直記録用単磁極ヘ
ツドに用いた場合には飽和磁束密度Bsが不十分
なものとなつてしまう。すなわち、上記垂直記録
用単磁極ヘツドにおいて主磁極膜厚を3000Å以下
にしようとすると、上記主磁極を構成する軟磁性
薄膜は飽和磁束密度Bsが14000ガウス以上である
ことが必要となるが、上述の金属−半金属系非晶
質合金の飽和磁束密度Bsはおよそ10000ガウス程
度である。
は、一般にFe、Ni、Co等の遷移金属元素にSi、
Ｂ、Ｐ等の半金属元素を含有した金属−半金属系
非晶質合金が知られているが、この金属−半金属
系非晶質合金では所定の飽和磁束密度Bsを確保
することは難かしく、例えば垂直記録用単磁極ヘ
ツドに用いた場合には飽和磁束密度Bsが不十分
なものとなつてしまう。すなわち、上記垂直記録
用単磁極ヘツドにおいて主磁極膜厚を3000Å以下
にしようとすると、上記主磁極を構成する軟磁性
薄膜は飽和磁束密度Bsが14000ガウス以上である
ことが必要となるが、上述の金属−半金属系非晶
質合金の飽和磁束密度Bsはおよそ10000ガウス程
度である。
そこでさらに従来、高飽和磁束密度を有する非
晶質合金として、例えばCo−Zr系、Co−Hf系等
の金属−金属系非晶質合金が見出されている。し
かしながら、上記金属−金属系非晶質合金にあつ
ては、例えばZrあるいはHfの割合が約５原子％
であるときにおよそ15000ガウスと極めて大きな
飽和磁束密度を示すものの、飽和磁歪定数λsが
約＋３×10-6と大きく、したがつて初期透磁率も
約2000以下（1MHz〜10MHz、困難軸方向）とな
つてしまつている。
晶質合金として、例えばCo−Zr系、Co−Hf系等
の金属−金属系非晶質合金が見出されている。し
かしながら、上記金属−金属系非晶質合金にあつ
ては、例えばZrあるいはHfの割合が約５原子％
であるときにおよそ15000ガウスと極めて大きな
飽和磁束密度を示すものの、飽和磁歪定数λsが
約＋３×10-6と大きく、したがつて初期透磁率も
約2000以下（1MHz〜10MHz、困難軸方向）とな
つてしまつている。
また、上記飽和磁歪定数λsを低くするために
Nbを添加したCo−Zr−Nb系非晶質合金も提案
されているが、この種の非晶質合金にあつては、
例えばCoの割合≦93原子％、Zr：Nb＝３：５の
組成で飽和磁歪定数λsは零を示し、初期透磁率
も約3000以上（1MHz〜10MHz、困難軸方向）と
良好な軟磁気特性を示すが、この場合には飽和磁
束密度Bsの低下がみられ、飽和磁束密度Bsの値
は約14000ガウス以下となつてしまつている。
Nbを添加したCo−Zr−Nb系非晶質合金も提案
されているが、この種の非晶質合金にあつては、
例えばCoの割合≦93原子％、Zr：Nb＝３：５の
組成で飽和磁歪定数λsは零を示し、初期透磁率
も約3000以上（1MHz〜10MHz、困難軸方向）と
良好な軟磁気特性を示すが、この場合には飽和磁
束密度Bsの低下がみられ、飽和磁束密度Bsの値
は約14000ガウス以下となつてしまつている。
このように、飽和磁束密度Bs及び飽和磁歪定
数λsの両者をともに満足する軟磁性薄膜は見あ
たらず、なお一層の改善が要望されている。
数λsの両者をともに満足する軟磁性薄膜は見あ
たらず、なお一層の改善が要望されている。
そこで本発明は、前述の如き当該技術分野の要
望にこたえて提案されたものであつて、飽和磁束
密度Bsが大きく（14000ガウス以上）、飽和磁歪
定数λsが小さい（＋1.5×10-6以下）非晶質軟磁
性薄膜を提供することを目的とする。
望にこたえて提案されたものであつて、飽和磁束
密度Bsが大きく（14000ガウス以上）、飽和磁歪
定数λsが小さい（＋1.5×10-6以下）非晶質軟磁
性薄膜を提供することを目的とする。
本発明者等は、飽和磁束密度Bsが大きく飽和
磁歪定数λsが小さい非晶質軟磁性薄膜を開発せ
んものと鋭意研究の結果、Co、Hf、Ptを所定の
割合で含有する非晶質軟磁性薄膜がこの目的に適
合することを見出し本発明を完成するに至つたも
のであり、Co1-x-yHfxPtyなる組成式であらわさ
れ、その組成範囲が 0.04≦ｘ≦0.07 0.005≦ｙ≦0.15 であることを特徴とするものである。
磁歪定数λsが小さい非晶質軟磁性薄膜を開発せ
んものと鋭意研究の結果、Co、Hf、Ptを所定の
割合で含有する非晶質軟磁性薄膜がこの目的に適
合することを見出し本発明を完成するに至つたも
のであり、Co1-x-yHfxPtyなる組成式であらわさ
れ、その組成範囲が 0.04≦ｘ≦0.07 0.005≦ｙ≦0.15 であることを特徴とするものである。
すなわち、本発明に係る非晶質軟磁性薄膜は、
金属−金属系非晶質合金であるCo−Hf系非晶質
合金にPtを添加したCo−Hf−Pt系非晶質合金材
料により形成されるものであつて、上記Ptを添
加することによりCo−Hf系非晶質合金の有する
高飽和磁束密度を低下することなく飽和磁歪定数
λsを下げることが達成されるのである。
金属−金属系非晶質合金であるCo−Hf系非晶質
合金にPtを添加したCo−Hf−Pt系非晶質合金材
料により形成されるものであつて、上記Ptを添
加することによりCo−Hf系非晶質合金の有する
高飽和磁束密度を低下することなく飽和磁歪定数
λsを下げることが達成されるのである。
ここで、上記非晶質軟磁性薄膜においては、
Pt及びHfの含有量が重要であつて、これらPtや
Hfの含有量が多すぎたり少なすぎたりすると飽
和磁束密度Bsと飽和磁歪定数λsの両者をともに
改善することは難しい。
Pt及びHfの含有量が重要であつて、これらPtや
Hfの含有量が多すぎたり少なすぎたりすると飽
和磁束密度Bsと飽和磁歪定数λsの両者をともに
改善することは難しい。
例えば、Hfの含有量が４原子％未満であると
結晶化の虞れが大きく、したがつて非晶質軟磁性
薄膜が得られない可能性が大きい。また、上記
Hfの含有量が多すぎると飽和磁束密度Bsの低下
が見られ、特に飽和磁束密度Bsが14000ガウス以
上のものを得ようとする場合には、Hfの含有量
が７原子％以下であることが必要である。
結晶化の虞れが大きく、したがつて非晶質軟磁性
薄膜が得られない可能性が大きい。また、上記
Hfの含有量が多すぎると飽和磁束密度Bsの低下
が見られ、特に飽和磁束密度Bsが14000ガウス以
上のものを得ようとする場合には、Hfの含有量
が７原子％以下であることが必要である。
一方、上記Ptはわずかな添加量であつても飽
和磁歪定数λsを下げるという効果を示すが、実
用的には上記Ptの添加量が0.5原子％以上である
ことが好ましい。また、上記Ptの添加量を増加
すればするほど飽和磁歪定数λsが小さくなるが、
あまりPtの添加量を多くするとこのPtが高価な
ものであるので経済的見地から好ましくないばか
りか、飽和磁束密度Bsが低下してしまう虞れも
ある。
和磁歪定数λsを下げるという効果を示すが、実
用的には上記Ptの添加量が0.5原子％以上である
ことが好ましい。また、上記Ptの添加量を増加
すればするほど飽和磁歪定数λsが小さくなるが、
あまりPtの添加量を多くするとこのPtが高価な
ものであるので経済的見地から好ましくないばか
りか、飽和磁束密度Bsが低下してしまう虞れも
ある。
したがつて、実用的な範囲としては、Hfの含
有量が４〜７原子％、Ptの含有量が0.5〜15原子
％、残部がCoであることが好ましい。すなわち、
上記非晶質軟磁性薄膜を Co1-x-yHfxPty なる組成式で表したときに、その組成範囲が 0.04≦Ｘ≦0.07、0.005≦Ｙ≦0.15となるように設
定することが好ましい。
有量が４〜７原子％、Ptの含有量が0.5〜15原子
％、残部がCoであることが好ましい。すなわち、
上記非晶質軟磁性薄膜を Co1-x-yHfxPty なる組成式で表したときに、その組成範囲が 0.04≦Ｘ≦0.07、0.005≦Ｙ≦0.15となるように設
定することが好ましい。
ところで、上述の非晶質軟磁性薄膜の作製方法
としては、液体急冷法やスパツタ法等が考えられ
るが、特に上記非晶質軟磁性薄膜を垂直記録用単
磁極ヘツドや狭ギヤツプリングヘツド等に利用す
る場合には極めて膜厚の薄いものが要求されるの
で、スパツタ法が採用される。このスパツタ法に
よれば、非晶質化が容易で、数百オングストロー
ムから数mm程度の薄膜〜厚膜が作製可能であつ
て、また膜の密着性にも優れる等、本発明に係る
非晶質軟磁性薄膜を作製するうえで好適である。
としては、液体急冷法やスパツタ法等が考えられ
るが、特に上記非晶質軟磁性薄膜を垂直記録用単
磁極ヘツドや狭ギヤツプリングヘツド等に利用す
る場合には極めて膜厚の薄いものが要求されるの
で、スパツタ法が採用される。このスパツタ法に
よれば、非晶質化が容易で、数百オングストロー
ムから数mm程度の薄膜〜厚膜が作製可能であつ
て、また膜の密着性にも優れる等、本発明に係る
非晶質軟磁性薄膜を作製するうえで好適である。
上記スパツタ法としては、通常の手法であれば
如何なる方法であつてもよいが、例えば二極式ス
パツタ法、三極・四極式スパツタ法、マグネトロ
ン式スパツタ法、高周波式スパツタ法、バイアス
式スパツタ法、非対称交流式スパツタ法等が挙げ
られる。
如何なる方法であつてもよいが、例えば二極式ス
パツタ法、三極・四極式スパツタ法、マグネトロ
ン式スパツタ法、高周波式スパツタ法、バイアス
式スパツタ法、非対称交流式スパツタ法等が挙げ
られる。
なお、上記非晶質軟磁性薄膜を構成するCo、
Hf、Ptの各成分元素の量を調節する方法として
は、 (1) Co、Hf、Ptを所定の割合となるように秤量
し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉等
で溶解して合金インゴツトを形成しておき、こ
の合金インゴツトをターゲツトとして使用する
方法、 (2) Co単独元素のCoターゲツトを用意し、この
Coターゲツト上にHf片を乗せ、これらHf片や
Pt片の数を調節することによつて組成を制御
する方法、 (3) 各成分の単独元素のターゲツトを用意し、こ
れら各ターゲツトに加える出力（印可電圧）を
制御してスパツタリング速度をコントロールし
組成を制御する方法、 等が挙げられる。
Hf、Ptの各成分元素の量を調節する方法として
は、 (1) Co、Hf、Ptを所定の割合となるように秤量
し、これらをあらかじめ例えば高周波溶解炉等
で溶解して合金インゴツトを形成しておき、こ
の合金インゴツトをターゲツトとして使用する
方法、 (2) Co単独元素のCoターゲツトを用意し、この
Coターゲツト上にHf片を乗せ、これらHf片や
Pt片の数を調節することによつて組成を制御
する方法、 (3) 各成分の単独元素のターゲツトを用意し、こ
れら各ターゲツトに加える出力（印可電圧）を
制御してスパツタリング速度をコントロールし
組成を制御する方法、 等が挙げられる。
上述の方法により作製される本発明に係る非晶
質軟磁性薄膜にあつては、その成分としてPtを
添加することにより、飽和磁束密度Bsが14000ガ
ウス以上でかつ飽和磁歪定数λsが＋1.5×10-6以
下である組成領域が見出され、したがつてこの領
域では初期透磁率も3000以上（1MHz〜10MHz、
困難軸方向）と従来のCo−Hf系非晶質合金と比
べて大幅に改善されることがわかつた。さらに、
上記HfやPtの含有量を選択することにより、飽
和磁束密度Bs14500ガウス以上、飽和磁歪定数λs
＋1.0×10-6以下の非晶質軟磁性薄膜を得ること
が可能であることも判明した。
質軟磁性薄膜にあつては、その成分としてPtを
添加することにより、飽和磁束密度Bsが14000ガ
ウス以上でかつ飽和磁歪定数λsが＋1.5×10-6以
下である組成領域が見出され、したがつてこの領
域では初期透磁率も3000以上（1MHz〜10MHz、
困難軸方向）と従来のCo−Hf系非晶質合金と比
べて大幅に改善されることがわかつた。さらに、
上記HfやPtの含有量を選択することにより、飽
和磁束密度Bs14500ガウス以上、飽和磁歪定数λs
＋1.0×10-6以下の非晶質軟磁性薄膜を得ること
が可能であることも判明した。
次に、本発明の実施例について説明する。
Coターゲツト上にHf片及びPt片を乗せ、これ
らHf片やPt片の数を調節しながら下記の条件で
スパツタを行い、ガラス基板上に非晶質軟磁性薄
膜を成長させた。
らHf片やPt片の数を調節しながら下記の条件で
スパツタを行い、ガラス基板上に非晶質軟磁性薄
膜を成長させた。
スパツタの条件
Arガス圧 7.0×10-1Pa
電 力 200W
形成速度 100〜300Å／min
基 板 ガラス（水冷）
得られた非晶質軟磁性薄膜の組成と飽和磁束密
度Bsの関係を第１図に、また、得られた非晶質
軟磁性薄膜の組成と飽和磁歪定数λsの関係を第
２図にそれぞれ示す。
度Bsの関係を第１図に、また、得られた非晶質
軟磁性薄膜の組成と飽和磁歪定数λsの関係を第
２図にそれぞれ示す。
なお、この第１図において、曲線ａはBs＝
14000ガウスが得られる組成、曲線ｂはBs＝
14500ガウスが得られる組成、曲線ｃはBs＝
15000ガウスが得られる組成をそれぞれ示す。ま
た、第２図において、曲線Ａはλs＝＋3.0×10-6
となる組成、曲線Ｂはλs＝＋2.0×10-6となる組
成、曲線Ｃはλs＝＋1.5×10-6となる組成、曲線
Ｄはλs＝＋1.0×10-6となる組成をそれぞれ示す。
14000ガウスが得られる組成、曲線ｂはBs＝
14500ガウスが得られる組成、曲線ｃはBs＝
15000ガウスが得られる組成をそれぞれ示す。ま
た、第２図において、曲線Ａはλs＝＋3.0×10-6
となる組成、曲線Ｂはλs＝＋2.0×10-6となる組
成、曲線Ｃはλs＝＋1.5×10-6となる組成、曲線
Ｄはλs＝＋1.0×10-6となる組成をそれぞれ示す。
これら第１図及び第２図より、Ptを添加する
ことにより飽和磁歪定数λsが次第に小さくなり、
またHfの所定の範囲内に設定すれば同時に高飽
和磁束密度も達成されることが分かる。
ことにより飽和磁歪定数λsが次第に小さくなり、
またHfの所定の範囲内に設定すれば同時に高飽
和磁束密度も達成されることが分かる。
例えばBs≧14500ガウス、λs≦2.0×10-6を達成
するためには、上記非晶質軟磁性薄膜の組成を Co1-x-yHfxPty としたときに、0.05＜ｘ≦0.06、0.01≦ｙに設定
すればよい。
するためには、上記非晶質軟磁性薄膜の組成を Co1-x-yHfxPty としたときに、0.05＜ｘ≦0.06、0.01≦ｙに設定
すればよい。
同様に、Bs≧14500ガウス、λs≦＋1.5×10-6を
達成するためには0.05＜ｘ≦0.06、0.02≦ｙに設
定すればよく、さらにBs≧14500ガウス、λs≦＋
1.0×10-6を達成するためには0.05＜ｘ≦0.06、
0.03≦ｙに設定すればよい。
達成するためには0.05＜ｘ≦0.06、0.02≦ｙに設
定すればよく、さらにBs≧14500ガウス、λs≦＋
1.0×10-6を達成するためには0.05＜ｘ≦0.06、
0.03≦ｙに設定すればよい。
さらに、より高い飽和磁束密度Bsが必要な場
合には、例えばBs≧15000ガウスを達成するため
には、0.04＜ｘ≦0.05、0.01≦ｙに設定すればよ
い。この場合にはλs≦2.0×10-6である。
合には、例えばBs≧15000ガウスを達成するため
には、0.04＜ｘ≦0.05、0.01≦ｙに設定すればよ
い。この場合にはλs≦2.0×10-6である。
同様に、さらに飽和磁歪定数λsもより一層低
くするためには、例えばBs≧15000ガウス、λs≦
＋1.5×10-6を達成するためには0.04＜ｘ≦0.05、
0.02≦ｙに設定すればよく、さらにBs≧15000ガ
ウス、λs≦＋1.0×10-6を達成するためには0.04＜
ｘ≦0.06、0.03≦ｙに設定すればよい。
くするためには、例えばBs≧15000ガウス、λs≦
＋1.5×10-6を達成するためには0.04＜ｘ≦0.05、
0.02≦ｙに設定すればよく、さらにBs≧15000ガ
ウス、λs≦＋1.0×10-6を達成するためには0.04＜
ｘ≦0.06、0.03≦ｙに設定すればよい。
このように、本実施例の非晶質軟磁性薄膜にお
いては、Hf及びPtの含有量を上述の如く設定す
ることにより、飽和磁束密度Bsを低下すること
なく飽和磁歪定数λsの改善を図ることが可能で
ある。
いては、Hf及びPtの含有量を上述の如く設定す
ることにより、飽和磁束密度Bsを低下すること
なく飽和磁歪定数λsの改善を図ることが可能で
ある。
以上述べたように、本発明においては、Co及
びHfにPtを添加することにより飽和磁束密度Bs
が大きく飽和磁歪定数λsの小さい非晶質軟磁性
薄膜を得ることが可能となつている。
びHfにPtを添加することにより飽和磁束密度Bs
が大きく飽和磁歪定数λsの小さい非晶質軟磁性
薄膜を得ることが可能となつている。
第１図は本発明に係わる非晶質軟磁性薄膜にお
ける飽和磁束密度Bsの組成依存性を示す特性図
であり、第２図は飽和磁歪定数λsの組成依存性
を示す特性図である。
ける飽和磁束密度Bsの組成依存性を示す特性図
であり、第２図は飽和磁歪定数λsの組成依存性
を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Co1-x-yHfxPtyなる組成式で表され、その組
成範囲が 0.04≦ｘ≦0.07 0.005≦ｙ≦0.15 であることを特徴とする非晶質軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9530284A JPS60239007A (ja) | 1984-05-12 | 1984-05-12 | 非晶質軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9530284A JPS60239007A (ja) | 1984-05-12 | 1984-05-12 | 非晶質軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239007A JPS60239007A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0343768B2 true JPH0343768B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=14133975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9530284A Granted JPS60239007A (ja) | 1984-05-12 | 1984-05-12 | 非晶質軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239007A (ja) |
-
1984
- 1984-05-12 JP JP9530284A patent/JPS60239007A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60239007A (ja) | 1985-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |