JPS60220914A - 磁性薄膜 - Google Patents
磁性薄膜Info
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- JPS60220914A JPS60220914A JP59076435A JP7643584A JPS60220914A JP S60220914 A JPS60220914 A JP S60220914A JP 59076435 A JP59076435 A JP 59076435A JP 7643584 A JP7643584 A JP 7643584A JP S60220914 A JPS60220914 A JP S60220914A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁性薄膜に関するものであり、さらに詳細にば
Ｆｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とし且つ酸素を含有してなる
磁性薄膜ＶＣ関するものである。
Ｆｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とし且つ酸素を含有してなる
磁性薄膜ＶＣ関するものである。
例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応Ｌ′″Ｃ磁
気記録媒体として磁性粉ｖｃＦｅ、Ｃｏ、Ｎ’ｉ等の強
磁性金属の粉末を用いた所謂メタルテープや強磁性金属
材料を蒸着によりベースフィルム上に被着した所謂蒸着
テープ等が使用されるようになっている。そして、この
種の磁気記録媒体は高い残留磁束密度Ｂｒを有するため
に、記録再生に用いる磁気ヘッドのへノド材料にも高い
飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求されている。例え
ば、従来磁気ヘッド材料として多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度Ｂｓが低く、またパーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応Ｌ′″Ｃ磁
気記録媒体として磁性粉ｖｃＦｅ、Ｃｏ、Ｎ’ｉ等の強
磁性金属の粉末を用いた所謂メタルテープや強磁性金属
材料を蒸着によりベースフィルム上に被着した所謂蒸着
テープ等が使用されるようになっている。そして、この
種の磁気記録媒体は高い残留磁束密度Ｂｒを有するため
に、記録再生に用いる磁気ヘッドのへノド材料にも高い
飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求されている。例え
ば、従来磁気ヘッド材料として多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度Ｂｓが低く、またパーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
一方、上述の高密度記録化に伴なって、磁気記録媒体に
記録される記録トランクのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極
めて狭いものが要求されている。
記録される記録トランクのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極
めて狭いものが要求されている。
そこで従来、セラミックス等の非磁性基板上に磁気コア
となる磁性薄膜と絶縁層を交互に被着形成しこれをトラ
ンク部分とした所謂複合型磁気ヘッドや、磁性薄膜や導
体薄膜を絶縁体薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁
気ヘッド等が提案されてお９、この種の磁気ヘッドに使
用される磁性薄膜としてＦｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とす
るセンダスト合金薄膜が注目を集めている。
となる磁性薄膜と絶縁層を交互に被着形成しこれをトラ
ンク部分とした所謂複合型磁気ヘッドや、磁性薄膜や導
体薄膜を絶縁体薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁
気ヘッド等が提案されてお９、この種の磁気ヘッドに使
用される磁性薄膜としてＦｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とす
るセンダスト合金薄膜が注目を集めている。
このセンダスト合金薄膜は、高い飽５１′０磁束密度Ｂ
ｓを有し、比較的高硬度を有するので、上記メタルテー
プ等のように高い残留磁束密度を有する磁気配録媒体に
対しても適用することがＵ」能である。
ｓを有し、比較的高硬度を有するので、上記メタルテー
プ等のように高い残留磁束密度を有する磁気配録媒体に
対しても適用することがＵ」能である。
しかしながら、上記センダスト合金薄膜は比較的高硬度
を有するものの例えばフェライト材等に比べると耐摩耗
性に劣り、また金属材料であるので錆易い等の欠点を有
している。
を有するものの例えばフェライト材等に比べると耐摩耗
性に劣り、また金属材料であるので錆易い等の欠点を有
している。
このため、上記センダスト合金薄１１ｉＪの主成分であ
るＦｅ 、Ａｔ、Ｓｉの外に、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｂ
、白金族元素等の添加物を添加して上記錆の発生を防い
だり硬度を高めて耐摩耗性を向上するという方法が考え
られている。
るＦｅ 、Ａｔ、Ｓｉの外に、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｂ
、白金族元素等の添加物を添加して上記錆の発生を防い
だり硬度を高めて耐摩耗性を向上するという方法が考え
られている。
ところが、上記添加物を加えると、上記センダスト合金
薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが低下してしまうことが分かっ
た。本発明者等の実験によれば、添加物を加えていない
センダスト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが約１１０００
ガウスであったのに対して、上記添加物を加えたセンダ
スト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓは９０００ガウス程度
であった。この飽和磁束密度Ｂｓの低下は、メタルテー
プの如き高い残留磁束密度Ｂｒを有する磁気記録媒体に
対処するうえで極めて不利である。
薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが低下してしまうことが分かっ
た。本発明者等の実験によれば、添加物を加えていない
センダスト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが約１１０００
ガウスであったのに対して、上記添加物を加えたセンダ
スト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓは９０００ガウス程度
であった。この飽和磁束密度Ｂｓの低下は、メタルテー
プの如き高い残留磁束密度Ｂｒを有する磁気記録媒体に
対処するうえで極めて不利である。
さらに、上記センダスト合金薄膜のように金属材料を磁
気ヘッドのコアとして使用した場合［［、所謂渦電流損
による高周波数領域での透磁率の低下が問題となってお
シ、上記高周波数領域では充分な再生出力を得られない
虞れがある。
気ヘッドのコアとして使用した場合［［、所謂渦電流損
による高周波数領域での透磁率の低下が問題となってお
シ、上記高周波数領域では充分な再生出力を得られない
虞れがある。
そこでさらに従来は、上記センダスト合金薄膜の代わり
に高周波数領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束
密度Ｂｓを有する非晶質磁性合金材料（所謂アモルファ
ス磁性合金材料）を用いることが考えられているが、こ
の非晶質磁性合金材料は熱的に不安定で、長時間の加熱
や熱サイクルにより透磁率が大きく劣化し再生効率が悪
くなってしまい、特に結晶化の可能性が大きいので５０
０℃以上の温Ｋを長時間加えることはできない。
に高周波数領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束
密度Ｂｓを有する非晶質磁性合金材料（所謂アモルファ
ス磁性合金材料）を用いることが考えられているが、こ
の非晶質磁性合金材料は熱的に不安定で、長時間の加熱
や熱サイクルにより透磁率が大きく劣化し再生効率が悪
くなってしまい、特に結晶化の可能性が大きいので５０
０℃以上の温Ｋを長時間加えることはできない。
したがって、上記非晶質磁性合金材料を製造工程におい
て例えばガラス融着のようＶＣ５００℃以上の温度での
処理が必要な磁気へノドに使用することは好ましくない
。
て例えばガラス融着のようＶＣ５００℃以上の温度での
処理が必要な磁気へノドに使用することは好ましくない
。
そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点全解消
するために提案されたものであって、磁気特性及び面Ｊ
久性に優れ熱的に安定ｉ’ｌ磁性薄膜を提供することを
目的とする。
するために提案されたものであって、磁気特性及び面Ｊ
久性に優れ熱的に安定ｉ’ｌ磁性薄膜を提供することを
目的とする。
本発明者等は、前述の如き目的を達成せんものと鋭意研
究の結果、Ｆｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とする磁性薄膜に
酸素を添加することにより飽和磁束密度を低下すること
なく硬度や透磁率を大幅に改善することができることを
見出し本発明を完成するに至ったものであって、Ｆｅ
、Ａｔ、Ｓｉを主成分とし、上記Ａｔ及びＳｉの組成範
囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａｔ、３〜１６重量％ｓ１
であって、さら［０，００５〜６重量％の酸素０を含有
することを特徴とするものである。
究の結果、Ｆｅ、Ａｔ、Ｓｉを主成分とする磁性薄膜に
酸素を添加することにより飽和磁束密度を低下すること
なく硬度や透磁率を大幅に改善することができることを
見出し本発明を完成するに至ったものであって、Ｆｅ
、Ａｔ、Ｓｉを主成分とし、上記Ａｔ及びＳｉの組成範
囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａｔ、３〜１６重量％ｓ１
であって、さら［０，００５〜６重量％の酸素０を含有
することを特徴とするものである。
本発明に係る磁性薄膜は、Ｆ’ｅ 、 Ａ７ 、 Ｓｉ
を主成分とする磁性薄膜であり、さらＶＣ重要なことは
酸素０を含有することである。
を主成分とする磁性薄膜であり、さらＶＣ重要なことは
酸素０を含有することである。
この酸素Ｏを含有することにより、磁性薄膜の透磁率や
硬度が大幅に改善される。
硬度が大幅に改善される。
第１図に、磁性薄膜中に含−！れる酸素Ｏの量と１、’
ＭＨｚでの透磁率の関係を示す。また、第２図に磁性
薄膜中に含捷れる酸素０の量とビン・カース硬度の関係
を示す。なお、ここで上記磁性薄膜は、Ｆｅ８４．５重
量％、Ａｔ５重量％、Ｓｉ９．５重量％からなる合金イ
ンゴントをターゲットとして用い、酸素０２ を含むＡ
ｒガス雰囲気中でスパッタリングを行なうことによシ作
製し、上記雰囲気中の酸素０２ の割合を変えることに
より上記磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの含有量を制御した
ものである。
ＭＨｚでの透磁率の関係を示す。また、第２図に磁性
薄膜中に含捷れる酸素０の量とビン・カース硬度の関係
を示す。なお、ここで上記磁性薄膜は、Ｆｅ８４．５重
量％、Ａｔ５重量％、Ｓｉ９．５重量％からなる合金イ
ンゴントをターゲットとして用い、酸素０２ を含むＡ
ｒガス雰囲気中でスパッタリングを行なうことによシ作
製し、上記雰囲気中の酸素０２ の割合を変えることに
より上記磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの含有量を制御した
ものである。
上記第１図より、磁性薄膜中の酸素０の含有量が増加す
るのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に酸素０の含
有量が約１．８重量％のときに酸素０を全く含まない磁
性薄膜に比べて透磁率がおよそ２倍にも達していること
が分かる。また、この透磁率は、上記磁性薄膜に含捷れ
る酸素Ｏの含有量が多すぎると却って低下してしまい、
ｌ ＭＨｚの周波数では上記酸素Ｏの含有量が３重量％
以下であることが好ましい。しかしながら、上記磁性薄
膜においては、酸素Ｏの含有量の増加とともｌこ比抵抗
が増加することから、より高周波数領域での使用、例え
ばデジタルＶ Ｔ Ｒ用磁気ヘッド等への使用を考える
と、上記酸素０の含有量が６重量％程度までは実用可能
であると考えられる。
るのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に酸素０の含
有量が約１．８重量％のときに酸素０を全く含まない磁
性薄膜に比べて透磁率がおよそ２倍にも達していること
が分かる。また、この透磁率は、上記磁性薄膜に含捷れ
る酸素Ｏの含有量が多すぎると却って低下してしまい、
ｌ ＭＨｚの周波数では上記酸素Ｏの含有量が３重量％
以下であることが好ましい。しかしながら、上記磁性薄
膜においては、酸素Ｏの含有量の増加とともｌこ比抵抗
が増加することから、より高周波数領域での使用、例え
ばデジタルＶ Ｔ Ｒ用磁気ヘッド等への使用を考える
と、上記酸素０の含有量が６重量％程度までは実用可能
であると考えられる。
また、上記第２図よし、磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの含
有量の増加に伴なって、ピンカース硬度も急激に高くな
り、上記酸素Ｏの含有量が約２重量％を越えるとほぼ一
定の硬度を確保することができることが分かる。
有量の増加に伴なって、ピンカース硬度も急激に高くな
り、上記酸素Ｏの含有量が約２重量％を越えるとほぼ一
定の硬度を確保することができることが分かる。
したがって、本発明に係る磁性薄膜に含有される酸素Ｏ
の含有量としては、０．００５〜６重量％の範囲である
ことが好ましい。上記含有量が０．００５重量％未満で
あると充分な効果が期待できず、また上記含有量が６重
量％を越えると却って透イ鼓率が低下してしまい保磁力
Ｈｃも大きくなってしまう虞れがある。さらに、上記酸
素Ｏとともに窒素を含有してもよい。
の含有量としては、０．００５〜６重量％の範囲である
ことが好ましい。上記含有量が０．００５重量％未満で
あると充分な効果が期待できず、また上記含有量が６重
量％を越えると却って透イ鼓率が低下してしまい保磁力
Ｈｃも大きくなってしまう虞れがある。さらに、上記酸
素Ｏとともに窒素を含有してもよい。
一方、上記磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａ４、Ｓｉの
組成範囲としては、上記Ａｔの含有量が２〜１０重量％
、上記Ｓｉの含有量が３〜１６重量％、残部がＦｅであ
ることが好ましい。すなわち、上記磁性薄膜を ＦｅａＡｔｂＳｉｃＯｄ （ａ、ｂ、ｃ、ｄＱ各成分の
重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．０３≦ｄ≦４ ａ＋ ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ ｌ Ｑ Ｑであること
が望ましい。上記ＡＡやＳｉが少なすぎても、また逆に
多すぎても磁性薄膜の磁気特性が劣化してしまう。
組成範囲としては、上記Ａｔの含有量が２〜１０重量％
、上記Ｓｉの含有量が３〜１６重量％、残部がＦｅであ
ることが好ましい。すなわち、上記磁性薄膜を ＦｅａＡｔｂＳｉｃＯｄ （ａ、ｂ、ｃ、ｄＱ各成分の
重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ７０≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．０３≦ｄ≦４ ａ＋ ｂ ＋ ｃ ＋ ｄ ＝ ｌ Ｑ Ｑであること
が望ましい。上記ＡＡやＳｉが少なすぎても、また逆に
多すぎても磁性薄膜の磁気特性が劣化してしまう。
また、上記Ｆｅの一部をＣｏあるいはＮ１のうち少なく
とも１種と置換することも可能である。
とも１種と置換することも可能である。
上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することによジ飽和磁束密
度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％
をＣｏで置換したもので最大の飽和磁束密度Ｂｓが得ら
れる。このＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６
０重景％の範囲内であることが好ましい。
度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％
をＣｏで置換したもので最大の飽和磁束密度Ｂｓが得ら
れる。このＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６
０重景％の範囲内であることが好ましい。
一方、上記Ｆｅの一部をＮｉと置換することにより、飽
和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態に
保つことができる。このＮ１の置換量としては、Ｆｅに
対して０〜４０重）什％の範囲内であることが好ましい
。
和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態に
保つことができる。このＮ１の置換量としては、Ｆｅに
対して０〜４０重）什％の範囲内であることが好ましい
。
さらに、上述の磁性薄膜には、耐食性や耐摩耗性を改善
するために各種元素を添加剤として加えてもよい。上記
添加剤として使用される元素としては、Ｙ等のＩＩＩ
ａ族元素、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ等の■ａａ族元素
Ｖ、Ｎｂ、’ｒａ等のＶａａ族元素Ｃｒ、ｙｌｏ、Ｗ等
のＭａａ族元素Ｍｎ 、 ’ｌ’ｃ 、 Ｒｅ等のＶｌ
ｌａ族元素、Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｎｄ 、Ｇｄ等のランタ
ン系列元素、Ｃｕ 、 Ａｇ 、 Ａｕ等のｌ’ｂ族元
素、Ｇ’ａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ等が挙げら
れる。これら添加剤の１種丑たは２種以上を組み合わせ
て、上記磁性薄膜に対して０〜１０重量％の範囲で添加
する。すなわち、上記添加剤をＴとし上記磁性薄膜を Ｆｅ ａＡｔｂＳｉ ＣＯ（Ｉ Ｔｅ（ａ、ｂ、 ｃ
、ｄ、 ｅは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦ｌＯ ａ −ｉ−ｂ ＋ ｃ 十ｄ ＋ ｅ ＝ １００を満
足することが望ましい。上記添加剤の添加量が１０重量
％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。
するために各種元素を添加剤として加えてもよい。上記
添加剤として使用される元素としては、Ｙ等のＩＩＩ
ａ族元素、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ等の■ａａ族元素
Ｖ、Ｎｂ、’ｒａ等のＶａａ族元素Ｃｒ、ｙｌｏ、Ｗ等
のＭａａ族元素Ｍｎ 、 ’ｌ’ｃ 、 Ｒｅ等のＶｌ
ｌａ族元素、Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｎｄ 、Ｇｄ等のランタ
ン系列元素、Ｃｕ 、 Ａｇ 、 Ａｕ等のｌ’ｂ族元
素、Ｇ’ａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ等が挙げら
れる。これら添加剤の１種丑たは２種以上を組み合わせ
て、上記磁性薄膜に対して０〜１０重量％の範囲で添加
する。すなわち、上記添加剤をＴとし上記磁性薄膜を Ｆｅ ａＡｔｂＳｉ ＣＯ（Ｉ Ｔｅ（ａ、ｂ、 ｃ
、ｄ、 ｅは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａ≦９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦ｌＯ ａ −ｉ−ｂ ＋ ｃ 十ｄ ＋ ｅ ＝ １００を満
足することが望ましい。上記添加剤の添加量が１０重量
％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。
あるいは、上記添加剤としてＲｕ 、 Ｒｈ 、 Ｐｄ
、Ｏｓ 、Ｉｒ 、Ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加
してもよい。この場合、上記白金族元素の添加量として
は４０重量％以下であることが好ましい。
、Ｏｓ 、Ｉｒ 、Ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加
してもよい。この場合、上記白金族元素の添加量として
は４０重量％以下であることが好ましい。
上記添加量が４０重量％を越えると磁性薄膜の磁気特性
を劣化してしまう虞れがある。
を劣化してしまう虞れがある。
さらに上記１１ａ族元素、■ａ族元素等の添加剤と上記
白金族元素の両者を添加することも可能である。この場
合の組成範囲としては、上記ｌｅａ族元素、■ａ族元素
等の添加剤をＴ、上記白金族元素をＰとし、上記磁性薄
膜を ＦｅａＡｔｂＳｌｏＯｄＴｅＰｆ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは各成分の重量比を表わす。
白金族元素の両者を添加することも可能である。この場
合の組成範囲としては、上記ｌｅａ族元素、■ａ族元素
等の添加剤をＴ、上記白金族元素をＰとし、上記磁性薄
膜を ＦｅａＡｔｂＳｌｏＯｄＴｅＰｆ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは各成分の重量比を表わす。
）で表わしたときに、
６５≦ａ≦集９
２≦ｂ≦１０
３≦Ｃ≦ｉ；６
０．００５≦ｄ≦６
０≦ｅ≦１０
０≦ｆ≦４０
ａ＋ｂ十ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝ｌ Ｑ Ｑ
を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ 。
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ 。
Ｒｈ、Ｐｄｉ使用したときＶＣはｅ＋ｆ≦２０．上記白
金族元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯｓ
、Ｉｒ 、Ｐｔ（ｉ７使用したとき［はｅ＋ｆ≦４０で
あることが望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加
すると、磁気特性が劣化する虞れがある。
金族元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯｓ
、Ｉｒ 、Ｐｔ（ｉ７使用したとき［はｅ＋ｆ≦４０で
あることが望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加
すると、磁気特性が劣化する虞れがある。
上述の組成を有する磁性薄膜の膜厚としては、１０Ａ以
上１聴以下であることが好ましく、さらＯ。
上１聴以下であることが好ましく、さらＯ。
にＩＯＡ以上１００μｍ以下であることがよシ好ましい
。
。
以上述べたように、本発明に係る磁性薄膜においては、
その成分として酸素Ｏを含有していることによシ、高透
磁率及び高硬度が達成され、またこのとき飽和磁束密度
や保磁力等の磁気特性の劣化も見られない。特に、上記
酸素Ｏを含有することにより比抵抗が増加し、高周波領
域での渦電流損失が小さくなることから透磁率の周波数
特性が向上してｌＱＭＨｚ以上の高周波数領域で使用さ
れる磁気ヘッド等に対して極めて有用である。
その成分として酸素Ｏを含有していることによシ、高透
磁率及び高硬度が達成され、またこのとき飽和磁束密度
や保磁力等の磁気特性の劣化も見られない。特に、上記
酸素Ｏを含有することにより比抵抗が増加し、高周波領
域での渦電流損失が小さくなることから透磁率の周波数
特性が向上してｌＱＭＨｚ以上の高周波数領域で使用さ
れる磁気ヘッド等に対して極めて有用である。
さらに、上記酸素Ｏを含有する磁性薄Ｍは耐久性の点で
も優れた特性を有し、例えば市水に３日間浸した場合に
も錆の発生は見られなかった。
も優れた特性を有し、例えば市水に３日間浸した場合に
も錆の発生は見られなかった。
上Ｓｔ磁磁性膜膜中おける酸素０の果たす役割について
は、その詳細は不明であるが、硬度が著しく向上するこ
とがらＦｅの酸化物やアルミナ、石英等の高硬度粒子の
生成等が予想される。
は、その詳細は不明であるが、硬度が著しく向上するこ
とがらＦｅの酸化物やアルミナ、石英等の高硬度粒子の
生成等が予想される。
ところで、本発明の磁性薄膜の製造方法としては、種々
の方法が考えられるが、例えば一般の溶解ｆよる方法で
は均一に多量の酸素を導入することは難かしい。すなわ
ち、通常酸素は合金溶融中にスラグとして浮上し不純物
として合金と分離されてし捷うのである。
の方法が考えられるが、例えば一般の溶解ｆよる方法で
は均一に多量の酸素を導入することは難かしい。すなわ
ち、通常酸素は合金溶融中にスラグとして浮上し不純物
として合金と分離されてし捷うのである。
そこで、上記磁性薄膜は、真空蒸着やイオンインプラン
テーション等の方法により作製するのが奸才しい。上記
真空蒸着の手法としては、例えばフラッシュ蒸着、ガス
中蒸着法、イオンブレーティング、スパッタリング、ク
ラスター・イオンビーム法等が挙げられ、また蒸着とイ
オンインプランテーションを同時に行なってもよい。ま
た、上記磁性簿膜に酸素Ｏを導入する方法としては、（
１）酸素ガスを含む雰囲気中で上記真空蒸着等を行ない
、この酸素ガスの濃度によって得られる磁性薄膜中の酸
素Ｏの含有量を調節して導入する方法、 （２）酸素と各成分のうちの１種の元素との化合物と、
残りの成分の合金とを蒸発源として使用し、得られる磁
性薄膜中に酸素Ｏを導入する方法、 等が挙げられる。さらに、上記磁性薄膜を構成するＦｅ
、Ａｔ、Ｓｉ等の各成分元素の組成を調節する方法とし
ては、 （１） Ｆｅ 、 Ａ４ 、 Ｓｉや他の添加剤、置換
金属等を所定の割合となるように秤量し、これらをあら
かじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金インゴット
を形成しておき、この合金インゴットを蒸発源として使
用する方法、（２）各成分の単独元素の蒸発源を用意し
、これら蒸発源の数で組成を制御する方法、 （３）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 （４）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
テーション等の方法により作製するのが奸才しい。上記
真空蒸着の手法としては、例えばフラッシュ蒸着、ガス
中蒸着法、イオンブレーティング、スパッタリング、ク
ラスター・イオンビーム法等が挙げられ、また蒸着とイ
オンインプランテーションを同時に行なってもよい。ま
た、上記磁性簿膜に酸素Ｏを導入する方法としては、（
１）酸素ガスを含む雰囲気中で上記真空蒸着等を行ない
、この酸素ガスの濃度によって得られる磁性薄膜中の酸
素Ｏの含有量を調節して導入する方法、 （２）酸素と各成分のうちの１種の元素との化合物と、
残りの成分の合金とを蒸発源として使用し、得られる磁
性薄膜中に酸素Ｏを導入する方法、 等が挙げられる。さらに、上記磁性薄膜を構成するＦｅ
、Ａｔ、Ｓｉ等の各成分元素の組成を調節する方法とし
ては、 （１） Ｆｅ 、 Ａ４ 、 Ｓｉや他の添加剤、置換
金属等を所定の割合となるように秤量し、これらをあら
かじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金インゴット
を形成しておき、この合金インゴットを蒸発源として使
用する方法、（２）各成分の単独元素の蒸発源を用意し
、これら蒸発源の数で組成を制御する方法、 （３）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 （４）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等が挙げられる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは百９
捷でもない。
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは百９
捷でもない。
純度９９．９９９９％のＳｉ 、純度９９．９９％のＡ
ｔ、純度９９．９９％のＦｅを原料として用い、これら
各原料を所定の成分比となるように秤量して分取した後
、高周波溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流して
込んで成形して合金ターゲットを作成した。
ｔ、純度９９．９９％のＦｅを原料として用い、これら
各原料を所定の成分比となるように秤量して分取した後
、高周波溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流して
込んで成形して合金ターゲットを作成した。
この合金ターゲットを標準とし、この上にＦｅ、Ａｚ、
Ｓｉやその他の添加元素を乗せて、高周波スパッタ装置
を用い酸素Ｏを含むＡｒガス中でスパッタリングを行な
って厚さ約５μ〃Ｌの磁性薄膜を得た。
Ｓｉやその他の添加元素を乗せて、高周波スパッタ装置
を用い酸素Ｏを含むＡｒガス中でスパッタリングを行な
って厚さ約５μ〃Ｌの磁性薄膜を得た。
得られた磁性薄膜を３５０〜８００℃で１〜５時間熱処
理した後、透磁率及びビッカース硬度を測定した。結果
を第１表に示す。なお、上記透磁率はパーミアンスメー
タを用いて測定し、ピンカース硬度は重量５０９で１５
秒秒間型することにより測定した。才だ、得られた磁性
薄膜の金属成分の分析にＨＸ線マイクロアナライザーを
使用し、酸素の含有量はＮｉ基板上に同時に形成した磁
性薄膜のガス分析によりめた。
理した後、透磁率及びビッカース硬度を測定した。結果
を第１表に示す。なお、上記透磁率はパーミアンスメー
タを用いて測定し、ピンカース硬度は重量５０９で１５
秒秒間型することにより測定した。才だ、得られた磁性
薄膜の金属成分の分析にＨＸ線マイクロアナライザーを
使用し、酸素の含有量はＮｉ基板上に同時に形成した磁
性薄膜のガス分析によりめた。
第 １ 表
上記第１表からも明らかなように、酸素を含有する磁性
薄膜にあっては、酸素を含有しない磁性薄膜に比べて透
磁率やビッカース硬度が大幅に改善されていることが分
かる。
薄膜にあっては、酸素を含有しない磁性薄膜に比べて透
磁率やビッカース硬度が大幅に改善されていることが分
かる。
る場合と酸素を含有しない場合でほとんど変わらないこ
とが判明した。例えば、比較例１のものの飽和磁束密度
が１１０００ガウス、保磁力が０．３エルステンドであ
るのに対して、実施例１のものの飽和磁束密度は１１０
００ガウス、保磁力は０゜３エルステツドであった。
とが判明した。例えば、比較例１のものの飽和磁束密度
が１１０００ガウス、保磁力が０．３エルステンドであ
るのに対して、実施例１のものの飽和磁束密度は１１０
００ガウス、保磁力は０゜３エルステツドであった。
以上述べたように、本発明においては、磁気特性に優れ
、かつ高硬度を有する磁性薄膜を得ることが可能である
。
、かつ高硬度を有する磁性薄膜を得ることが可能である
。
第１図は磁性薄膜中の酸素含有量と］ＭＨｚＫおける透
磁率の関係を示す特性図であり、第２図は磁性薄膜中の
酸素含有量とピンカース硬度の関係を示す特性図である
。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 利 榮 − 第１図 酔％α量０１０）→ 白覧聾 （壜理参°！・）− 手続補正書輸発） 昭和５９年１０ 月５ 口 昭和５９年 特許頼第 ７６４３５ 号２、発明の名称 事１′１との関係 特１′「出願人 任 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２
１８）ソニー株式会社 略 称） 代表者 大 賀 典 雄 ４、代理人 〒１０５ 住 所 東京都港区虎ノ門二丁目６番４＋３自 発 （１） 明細書全文を別紙の通り訂正する。 （２）図面全図を別紙の通り補正する。 訂正明細書 １、発明の名称 磁性薄膜 ２、特許請求の範囲 Ｆｅ、ＡＡ、Ｓｉを主成分とし、上記Ａｇ及びＳｉ の
組成範囲がそれぞれ２〜１０重量％ＡＡ 。 ４〜１５ 重ｉｔ％ Ｓｉ テアッて、さらＲ１０，０
０５〜５重量％の酸素を含有することを特徴とする磁性
薄膜。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性薄膜に関するものであり、さらに詳細には
Ｆｅ、ＡＡ、Ｓｉ を主成分とし且つ酸素を含有してな
る磁性薄膜に関するものである。 〔背景技術とその問題点〕 例えばＶＴＲ（ヒテオテーブレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉に１；’ｅ。 Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタルテ
ープや強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に
被着した所謂蒸着テープ等が使用されるようになってい
る。そして、このイ車のイ１剋気記録媒体は高い保磁力
Ｈｃを有するために、記録再生に用いる磁気ヘットのヘ
ッド利料にも１％い飽和磁束密度Ｂｓを廂することか要
求されている。例えば、従来磁気ヘッド材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度Ｂｓか低く、
またパーマロイでは耐摩耗性に問題がある。 一方、上述の高密度記録化に伴なって、磁気記録媒体に
記録された磁気パターンのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘノ１−の１−ランク幅
も極めて狭いものか要求されている。 そこで従来、セラミックス等の非磁性基板上に磁気コア
となる磁性薄膜と絶縁層を交互に被着形成しこれをトラ
ック部分とした所謂複合型磁気ヘッドや、磁性薄膜や導
体薄膜を絶縁体薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁
気ヘッド等か提案されており、この種の磁気ヘッドに使
用される磁性薄膜としてＦｅ、Ａ７．Ｓｉを主成分とす
るセンジスト合金薄膜が注目を進めている。 このセンジスト合金薄膜は、高い飽和磁束密層ＢＳを有
し、比較的高硬度を有するので、上記メタルテープ等の
ように高い残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対して
も適用することが可能である。 しかしながら、上記センダスト合金薄膜は比較的高硬度
を有するものの例えばフェライト材等に比べると耐摩耗
性に劣り、また金属材料であるので錆易い等の欠点を有
している。 このため、上記センダスト合金薄膜の主成分であるＦｅ
、ＡＡ、Ｓｉの外に、例えばＴ ｌ ＋ Ｃｒ ＋ Ｎ
ｂ＋白金族元素等の添加物を添加して上記錆の発生を
防いだり硬度を高めて耐摩耗性を向上するという方法が
考えられている。 ところか、上記添加物を加えると、上記センダスト合金
薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが低下してしまうことが分かっ
た。本発明者等の実験によれば、添加物を加えていない
センダスト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが約１１０００
カウスであったのに対して、上記添加物を加えたセンダ
スト合金薄膜の飽和磁束密度ＢＳは９０００ガウス程度
であった。この飽和磁束密度ＢＳの低下は、メタルテー
プの如き高い残留磁束密度Ｂｒを有する磁気記録媒体に
対処するうえで不利である。 さらに、上記センダスト合金薄膜のように金属材料を磁
気ヘッドのコアとし、て使用した場合には、所謂渦電流
損による筒周波数領域での透磁率の低下か問題となって
おり、上記高周波数領域では光分な再生出力を得られな
い虞れがある。 そこでさらに従来は、上記センダスト合金薄膜の代わり
に高周波数領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束
密度Ｂｓを有する非晶質磁性合金材料（所謂アモルファ
ス磁性合金材料）を用いることが考えられているが、こ
の非晶質磁性合金材料は熱的に不安定で、長時間の加熱
や熱ザイクルにより透磁率が大きく劣化し再生効率が悪
くなってしまい、特に結晶化の可能性が大きいので５゜
Ｏ′Ｃ以上の温度を長時間加えることはできない。 したがって、上記非晶質磁性合金材料を製造工程におい
て例えばガラス融着のように５００ ’Ｃ以上の温度で
の処理か必要な磁気ヘッドに使用することは好ましくな
い。 〔発明の目的〕 そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点を解消
するために提案されたものであって、磁気特性及び耐久
性に優れ熱的に安定な磁性薄膜を提供することを目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、前述の如き目的を達成せんものと鋭意研
究の結果、Ｆｅ、ＡＡ’、Ｓｉを主成分とする磁性薄膜
に酸素を添加することにより飽和磁束密度を低下するこ
となく硬度や透磁率を大幅に改善することができること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、ｒｅ
、 ＡＡ 、 Ｓ ｉを主成分とし、上記ＡＡ及びＳ
ｉの組成範囲がそれぞれ２〜１０重量９６１’Ｊ！、４
〜１５重量％ Ｓ ｉであって、さらに０．００５〜５
重量％の酸素０を含有し残部がＦｅであることを特徴と
するものである。 本発明に係る磁性薄膜は、Ｆｅ＋ Ａ １１ 、３ ｉ
を主成分とする磁性薄膜であり、さらに重要なことは酸
素Ｏを含有することである。 この酸素Ｏを含有することにより、磁性薄膜の透磁率や
硬度が大幅に改善される。 本発明者等の実験によれば、磁性薄膜中の酸素Ｏの含有
量か増加するのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に
酸素Ｏの含有量が約１．５重量％のときに酸素Ｏを全く
含まない磁性薄膜に比べて透磁率がおよそ２倍にも達し
ていることか分かった。 また、この透磁率は、上記磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの
含有量が多すぎると却って低下してしまい、Ｉ Ｍｆ（
ｚの周波数では上記酸素Ｏの含有量か４重量％以下であ
ることが好ましい。しかしながら、上記磁性薄膜におい
ては、酸素Ｏの含イ」量の増加とともに比抵抗が増加す
ることから、より高周波数領域での使用、例えばデジタ
ルＶＴＲ用磁気ヘット等への使用を考えると、上記酸素
０の含有量が５重量％程度までは笑用可能であると考え
られる。 また、磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの含有量の増加に伴な
って、ビッカース硬度も急激に高くなり、上記酸素Ｏの
含有量が約２重量％を越えるとほぼ一定の硬度を確保す
ることができることが分かった。 したがって、本発明に係る磁性薄膜に含有される酸素Ｏ
の含有量としては、０．００５〜５重量％の範囲である
ことが好ましい。上記含有量がｏ、。 Ｏ５重量％未満であると光分な効果が期待できす、また
上記含有量が５重量％を越えると却って透磁率が低下し
てしまい保磁力Ｈｃも大きくなってしまう虞れがある。 さらに、上記酸素Ｏとともに窒素を含有してもよい。 一方、上記磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの
組成範囲としては、上記ＡＡの含有量か２〜１０重量％
、上記Ｓｉの含有量が４〜１５重量％、残部がＦｅであ
ることが好ましい。すなわち、上記磁性薄膜を ＦｅａＡｌｂＳｉｃＯ８ （ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量比を表わす。） て表わしたときに、その組成範囲が ７０≦ａく９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦５ ａ ＋ｂ 十ｃ 十ｄ ＝ １００ であることが望ましい。上記へｌやＳ＋が少なすぎても
、また逆に多すぎても磁性薄膜の磁気特性が劣化してし
まう。 また、上記Ｆｅの一部をＣＯあるいはＮｉのうち少なく
とも１種と置換することも可能である。 上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することにより飽和磁束密
度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％
をＣｏで置換したもので最大の飽和磁束密度Ｂｓか得ら
れる。このＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６
０重量％の範囲内であることが好才しい。 一方、上記Ｆｅの一部をＮｉ と置換することにより、
飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態
に保つことができる。このＮｉの置換量としては、Ｆｅ
に対して０〜４０重量％の範囲内であることが好ましい
。 さらに、上述の磁性薄膜には、耐食性や耐摩耗性を改善
するために各種元素を添加剤として加えてもよい。上記
添加剤として使用される元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ
、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系列元素を含む１ｌｌ
ａ族元素、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｈｆ等の■ａａ族元素Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ等のＶａａ族元素Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の■ａａ
族元素Ｍｎ 、 Ｔｅ 、 Ｒｅ等の■ａａ族元素Ｃｕ
、Ａｇ、Ａｕ等のＩｂ族元素、Ｇａ、 Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ。 ｓｂ等が挙げられる。これら添加剤の１種または２種以
上を組み合わせて、上記磁性薄膜に対して０〜１０重量
％の範囲で添加する。すなイつち、上記添加剤をＴとし
上記磁性薄膜を ＦｅａＡ４Ｓ １ｃｏｄＴｅ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝ｌＯＯ を満足することが望ましい。上記添加剤の添加量が１０
重量％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう
虞れがある。 アルイハ、上記添加剤としてＲｕ 、 １１．＋１．
Ｐｄ 、 Ｏｓ 。 Ｉｒ 、 ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加してもよ
い。この場合、上記白金族元素の添加量としては４０重
量％以下であることが好ましい。上記添加量が４０重量
％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。 さらに上記■ａａ族元素ＩＶ ａ族元素等の添加剤と上
記白金族元素の両者を添加することも可能である。この
場合の組成範囲としては、上記１１１ａ族元素、ＩＶ
ａ族元素等の添加剤をＴ、上記白金族元素をＰとし、上
記磁性薄膜を ＦｅａＡｌｂＳｉｃＯａＴｅＰ （ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは谷成分の重量比を表わす。 ） で表わしたときに、 ５５≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ０≦ｆ≦４０ ａ 十ｂ 十ｃ 十ｄ ＋ ｅ 十ｆ ＝ １． ＯＯ
を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ、Ｒｈ。 Ｐｄを使用したときにはｅ ＋ ｆ≦２０、上記白金族
元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯ５゜Ｉｒ
、Ｐｔ を使用したときにはｅ 十ｆ≦４０であるこ
とが望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加すると
、磁気特性が劣化する虞れがある。 上述の組成を有する磁性薄膜の膜厚としては、１０Ａ以
上１ｍｍ以下であることが好ましく、さらに１． ＯＡ
以上１００μｍ以下であることがより好ましい。 以上述べたように、本発明に係る磁性薄膜においては、
その成分として酸素Ｏを含有していることにより、高透
磁率及び高”硬度が達成され、またこのとき飽和磁束密
度や保磁力等の磁気特性の劣化も見られない。特に、上
記酸素Ｏを含イ）することにより比抵抗が増加し、高周
波領域での渦電流損失が小さくなることから透磁率の周
波数特性が向上して］、ＯＭＨｚ以上の高周波数領域で
使用される磁気ヘソＦ等に対して極めて有用である。 さらに、上記酸素Ｏを含有する磁性薄膜は耐久性の点で
も優れた特性を有し、例えば市水に３日間浸した場合に
も錆の発生は見られなかった。 上記磁性薄膜中における酸素Ｏの果たす役割については
、その詳細は不明であるが、硬度が著しく向」二するこ
とがらＦｅの酸化物やアルミナ、石英等の高硬度粒子の
生成等も予想される。 ところで、本発明の磁性薄膜の製造方法としては、種々
の方法が考えられるが、例えば一般の溶解による方法で
は均一に多量の酸素を導入することは難かしい。すなわ
ち、通常酸素は合金溶融中にスラグとして浮上し不純物
として合金と分離されてしまうのである。 そこで、上記磁性薄膜は、真空蒸着やイオンインプラン
テーション等の方法により作製するのが好ましい。上記
真空蒸着の手法としては、例えばフラッシュ蒸着、ガス
中蒸着法、イオンブレーティング、スパツタリング、ク
ラスター・イオンビーム法等が挙げられ、また蒸着とイ
オンインプランテーションを同時に行なってもよい。ま
た、上記磁性薄膜に酸素Ｏを導入する方法としては、（
１）酸素ガスを含む雰囲気中で上記真空蒸着等を行ない
、この酸素ガスの濃度によって得られる磁性薄膜中の酸
素Ｏの含有量を調節して導入する方法、 （２）酸素と各成分のうちの少なくとも１種の元素との
化合物と、残りの成分の合金とを蒸発源として使用し、
得られる磁性薄膜中に酸素Ｏを導入する方法、 等が挙げられる。さらに、上記磁性薄膜を構成するＦｅ
、Ａｇ、Ｓｉ等の各成分元素の組成を調節する方法とし
ては、 （１） ’ ｅ＋ ＡＺ 、 Ｓ ｒや他の添加剤、置
換金属等を所定の割合となるように秤量し、これらをあ
らかじめ例えば高周波溶解炉等で溶フ愕して合金インコ
ツトを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源とし
て使用する方法、 （２） 谷成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸
発源の数で組成を制御する方法、 （３）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 （４）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等か挙げられる。 以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。 し実施例〕 実施例１ 純度９９．９９９９９りのＳｉ 、純度９９．９ ！Ｊ
９６のＡ／？ 、純度９９．９９％のＦｅを原料として
用い、これら谷原料を秤量して分取した後、高周波溶解
炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し込んで成形して
直径５０ｍｍ、厚さｉｍｍの電極用クーケントを作製し
た。このターゲットの組成はＰ″ｅ８□、Ａ１１ｔ。 Ｓｉｎであった。 上記ターゲットを用い、下記のスパッタ条件に従ってマ
グネトロンスパッタ法によるスパツタリングを行なった
。 スパッタ条件 ＲＦパワー １００Ｗ ターゲット・基板間距離 ３０ｎｎｎ 基板温度 〜２０℃（水冷） 到達真空度 ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ガス圧力 ４Ｘ１０ Ｔｏｒｒ 膜厚 約６μｍ 上記スパッタ条件に従い、不活性ガスとしてＡ「ガスを
用いこのＡｒガスに０２ヲ混入してスパッタリングを行
なった。ここで、上記０２の混入量を分圧で制御し、こ
の０２の割合を変えながらスパッタリングを行ない、結
晶化ガラス基板上にＦｅ−Ａｌ−８ｉ 系合金膜を形成
した。得られたト” ｅ −Ｍ−８ｉ ’ ＝ −一 系合金簿膜を５５０°Ｃで１時間熱処理し、硬度、比電
気抵抗、透磁率及び飽和磁束密度を測定した。 第１図は、Ｅ”ｅ−Ａｌ−８ｉ合金薄膜に含まれる０２
の割合と硬度の関係を示す特性図である。ここで硬度は
ヒノカース硬度として測定し、重量５０ｇで１５秒秒間
型することにより測定した。 この第１図より、Ｅ”ｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜に含ま
れる０２の割合が増加するのに伴なって、Ｆｅ−へｌ１
−８ｉ合金の硬度が大幅に増加することが分かる。例え
ば、０２を全く含有しないＦ ｅ −Ａｇ −８ｉ系合
金薄膜の硬度Ｈｖ＝６３０であるのに対して、０２を３
．８重量％含むＦｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の硬度１（
ｖ＝１０００であった。 次に、第２図はＦｅ−４１４−８ｉ系合金薄膜に含まれ
る０２の割合と電気抵抗（比抵抗）の関係を示ず特性図
である。なお、上記電気抵抗は四端子法で測定し、０２
を含まないＦｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜の電気抵抗を１
．０としたときの比抵抗としてめたものである。 この比抵抗は、Ｆ ｅ −Ａｇ −８ｉ系合金薄膜の高
周波数領域での透磁率を推定するうえで、重要な要素で
ある。すなわち、一般に磁性体内には時間的に変化する
磁束に対して同心円状の誘導電流（渦電流）が流れ、こ
の渦電流によって電力が消費されて所謂渦電流損が発生
する。この渦電流損は、周波数や磁性体の抵抗率に大き
く関係し、特に高周波数領域では透磁率の低下をもたら
す。例えば通常のセンダスト合金材料の抵抗率は８５μ
Ω・ｃｍとアモルファス合金材料の抵抗率１５０μΩ・
ｃｍに比べて小さいので、高周波数領域における透磁率
が低くなる傾向にあることが知られている。 したがって、Ｆｅ −ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の抵抗率は
大きいほど好ましい。ここで、第２図より０２の割合が
増加するのに伴なってＦｅ−Ａ＃−８ｉ系合金薄膜の比
抵抗が直線的に増加しているのが分かる。 ｌのため、０２を含有するＦｅ −Ａ＃−８ｉ系合金薄
膜は、高周波数領域での透磁率においても有利であると
推定される。 第３図は、Ｆｅ −Ａ６−８ ｉ系合金薄膜に含まれる
０２の割合とＩＭＨｚにおける透磁率の関係を示す特性
図である。なお、ここで透磁率はパーミアンスメータを
用いて測定した。 この第３図より、０２の割合か増加するのに伴なってＦ
ｅ−へβ−８ｌ系合金薄ｊ摸の透磁率か大幅に向上する
ことか分かる。例えば０２の割合が１．０重量％である
ときに、透磁率かおよそ２．５倍にも達していることが
分かる。 さらに、第４図に０２を含むＦ ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金
薄膜の透磁率の周波数特性を示す。なお、この第４図に
おいて、曲線ａば０２の割合か０重量％、曲線すは０２
の割合が０．３重量％、曲線Ｃは０２の割合が１．０重
量％、曲線ｄは０２の割合が２．４重量％、曲線ｅは０
２の割合が３．８重量％、曲線ｆは０２の割合が４．９
重量％である場合をそれぞれ示すものである。 この第４図より、 ０２を含有するＦｅ−へ１３−８ｉ
系合金薄膜においては、０２を含まないものに比べてど
の周波数においても相対的に高い透磁率が得られること
が分かる。特に、０２の割合が増加するのに伴なって高
周波数における透磁率の低下が少なくなる傾向にあるこ
とが認められ、例えば０２の割合が４．９重量％である
ときには１０ ＭＨｚの周波数領域では光分実用性を有
するものと考えられる。 第５図は、Ｆｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２
の割合と飽和磁束密度の関係を示す特性図である。 この第５図において注目すべきことは、０２を添加する
ことによりＦｅ−へ１−８ｉ系合金薄膜の飽和磁束密度
の向上が見られることである。これは、一般に硬度や透
磁率の温度特性等を改善するために添加剤を加えたとき
に飽和磁束密度の低下を来すのに比べて極めて有用であ
る。本実施例においては、飽和磁束密度の低下が抑制さ
れたばかりか、却って飽和磁束密度が改善されたのであ
る。 上述の各測定結果からも明らかなように、０２を含むＩ
ｉ’ｅ−へβ−８ｉ系合金薄膜は、硬度や錆等、耐久性
の点で優れたものであるばかりか、透磁率や飽和磁束密
度等の磁気特性ζこも優れたものであって、例えば磁気
ヘッド等に適用して好適なものである。 実施例２ ターゲットとして純鉄のターゲラ１−上にＡｌ、Ｓｉを
乗せた複合ターゲットあるいはＦ” ｅ ８ｚ １Ｌ１
３７ Ｓ ＋ １ｉのターゲット上にＦｅ、Ａｌ、Ｓｉ
を乗ぜた複合ターゲットを用い、上記ＡＡ 、 Ｓ ｉ
あるいはＦｅ、Ａ６．ＳｉＯ数を変えて０２を含むＡｒ
ガス中及び０２を含まない０２ガス中でスパッタリング
を行ない、種々の組成のＦ”ｅ −ＡＡ−８ｉ系合金薄
膜（厚さ約５μｙｎ ）を製造した。 得られたＦｅ−へｉニーＳｌ系合金薄膜を３５０〜８０
０°Ｃで１〜５時間熱処理した後、透磁率及びヒソカー
ス硬度を測定した。なお、上記透磁率はパーミアンスメ
ータを用いて測定し、またヒソカース硬度は加重５０ｇ
で測定した。さらに、得られち−Ｆｅ−へ／ｊ−８ｉ系
合金薄膜の組成はＸ線マイクロアナライザーを用いてＦ
’ｅ、Ａｌ、Ｓｉについて分析した。また、酸素の含有
量はＮｉ基板上に形成した磁性薄膜のガス分析によりめ
た。結果を第１表に示す。 第１表 − 組 成 透磁率 ヒソか Ｆｅ Ａ＃ Ｓｉ ＯＩＭＪｌｚ ５Ｍ＝［（ｚ ｊｌ
ｆ１比較サンプル１ ９４．８ ２−１ ３．１ ０
２６０ ２２０ ５３ザンプル１ ７２２ ３６０ ３
１０ ６’１比軟ザンプル２ ９１．６ ２．６ ５．
８ ０ ３９０ ３３０ ６Ｅ→〕−ンプル２ｊ 、２
．２ ４．６０ ４００ ７と（比較サンプル３，８７
．１’ ９８ ３．３ ０ ２８０ ２４０ ６２Ｌ−
、−− １→）−ンブル３８７°Ｊ９°”’ ３−３２２ ３９
０ ３２０ ７Ｅ↓比戟ザンプル４）８５．１ ５．６
９．３ ０ ２３００１８２０ ６（サンプル４・
２゜２ ３２０２８８０ ８（□比軟ザンプル５１８２
．４ ８．２ ９．４ ０ １５５０ １４５０ ７Ｓ
１→〕°ンプル５ｉ ２°４１８２９Ａ２２１７２０１
ｏ３０８１：比較サンプル６ ；８０．４ 、８．７
１０．９ ０ ２７０ ２００ 別ｉ−リーンプル６ｉ
’ ｏ、９７２．”２ ５８０１１３１０ ９Ｅ−−
一 ：、比１１ツサンブル７１８６．３ ｊ ２．４１１．
３ ０ ３８０ ３３０ ７（□−ンプル７ ：”７２
．２ ４９０ ４７０ ９Ｅ１比較サンプル８１７８．
１１８．２１３．７ ０ １１０ ９０ ６’：１サン
プルＢ： ２２ ６４．０ ６００ ９（： １４□ｉ
鉤°？→÷゛〕１°１・０ ： −〜−−一−−−゛こ
の第１表より、０２２．２重責％含むサンプル＝ １な
いしサンプル１０にあっては、Ｎ２を含まな一ス ー い比較サンプル−ないし比較サンプル１０に比べ度 。 て組成によらず透磁率が高くなっていることが分０
かり、特にＩＭＨ２及び５ ｆｖＨ（ｚでの透磁率の
値から０ 周波数特性も良くなっていることが分かる。 また、□１ 萱■ ピンカース硬度についても２００〜３００程度改
善されていることが分かる。 卜（ 実施例３ ターゲットとして純鉄のターゲット上にＡｌ、ＳｉＯ及
びＣＯあるいはＮ１を乗せた複合ターゲットを跡 用い
、０２を含むＡｒカス中及び０２を含まない・０ −ｊ Ａｒガス中でスパッタリングを行なってＦｅ−Ａ
ＡＯ； ＦＩ Ｓ １ 竿合金薄膜を製造した 得られたＦｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の透磁率、ビ０
） ツカース硬度及び飽和磁束密度を測定した。結果■
」 を第２表に示す。 第２表 この第２表より、 ０２２’、２重量％含む→ノーンプ
ル１１及びサンプル１２にあっては、０２を含まない比
較サンプル１１及び比較サンプル１２に比べて透磁率及
びヒソカース硬度の向上が見られ、また飽和磁束密度の
低下は見られなかった。 実施例４ 純度９９．９９９９％のＳｒ、純度９９．９９％のＡ６
、純度９９．９９９１）のＦｅを原料として用い、これ
ら各原料を所定の成分比となるように秤量して分取した
後、高周波溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し
込んで成形して合金ターゲット蛋作成した。 この合金ターゲットを標準とし、この上にＦｅ。 ＡＡ 、 Ｓ ｉやその他の添加元素を乗せて、高周波
スパンタ装置を用い酸素Ｏを含むＡｒカス中でスパツタ
リングを行なって厚さ約５μｍの磁性薄膜を得た。 得られた磁性薄膜を３５０〜８００℃で１〜５時間熱処
理した後、透磁率及びビッカース硬度を測定した。結果
を第３表に示す。なお、上記透磁率はパーミアンスメー
クを用いて測定し、ヒソカース硬度は重量５０．９で１
５秒秒間型することにより測定した。また、得られた磁
性薄膜の金属成分の分析にはＸ線マイクロアナライザー
を使用し、酸素の含有量はＮｉ基板上に同時に形成した
磁性薄膜のガス分析によりめた。 第３表 上詰糸３表からも明らかなように、酸素を含有する磁性
薄膜にあっては、酸素を含有しない磁性薄膜に比べて透
磁率やピンカース硬度が大幅に改善されていることが分
かる。 また、上記各実施例及び比較例について飽和磁束密度や
保磁力を測定したところ、酸素を含有する場合と酸素を
含有しない場合でほとんど変わらないことが判明した。 例えば、比較サンプル１３のものの飽和磁束密度が１１
０００ガウス、保磁力が０．３エルステツドであるのに
対して、サンプル１３のものの飽和磁束密度は１．１０
００カウス、保磁力は０．３エルステツドであった。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明においては、磁気特性に優れ
、かつ高硬度を有する磁性薄膜を得ることが可能である
。 ４、図面の簡単な説明 第１図はＦｅ−へ１ｌ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２
の割合とビッカース硬度の関係を示す特性図、第２図は
Ｆ”ｅ−Ａｇ−ｓｉ系合金薄膜に含まれるＯ２の割合と
比抵抗（０２を含まないｂ’ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜
の抵抗率を１として）の関係を示す特性図、第３図はＦ
ｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２の割合とＩＭ
Ｈｚ における透磁率の関係を示す特性図、第４図は０
２を含むＦｅ −Ａｇ−８ｉ系合金薄膜の透磁率の周波
数特性を示す特性図、第５図はＰｃ−Ａｌ−８ｉ系合金
薄膜に含まれる０２の割合と飽和磁束密度の関係を示す
特性図である。 特許出願人ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 第２図 ｏ ｒ’Ｌ＋覧） − 第３図 ０ｃｔ−ｔ％）− 第４図 Ｊリシ皮」１夕ＪＭＨｚ＋ 第５図
磁率の関係を示す特性図であり、第２図は磁性薄膜中の
酸素含有量とピンカース硬度の関係を示す特性図である
。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 利 榮 − 第１図 酔％α量０１０）→ 白覧聾 （壜理参°！・）− 手続補正書輸発） 昭和５９年１０ 月５ 口 昭和５９年 特許頼第 ７６４３５ 号２、発明の名称 事１′１との関係 特１′「出願人 任 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２
１８）ソニー株式会社 略 称） 代表者 大 賀 典 雄 ４、代理人 〒１０５ 住 所 東京都港区虎ノ門二丁目６番４＋３自 発 （１） 明細書全文を別紙の通り訂正する。 （２）図面全図を別紙の通り補正する。 訂正明細書 １、発明の名称 磁性薄膜 ２、特許請求の範囲 Ｆｅ、ＡＡ、Ｓｉを主成分とし、上記Ａｇ及びＳｉ の
組成範囲がそれぞれ２〜１０重量％ＡＡ 。 ４〜１５ 重ｉｔ％ Ｓｉ テアッて、さらＲ１０，０
０５〜５重量％の酸素を含有することを特徴とする磁性
薄膜。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁性薄膜に関するものであり、さらに詳細には
Ｆｅ、ＡＡ、Ｓｉ を主成分とし且つ酸素を含有してな
る磁性薄膜に関するものである。 〔背景技術とその問題点〕 例えばＶＴＲ（ヒテオテーブレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉に１；’ｅ。 Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタルテ
ープや強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に
被着した所謂蒸着テープ等が使用されるようになってい
る。そして、このイ車のイ１剋気記録媒体は高い保磁力
Ｈｃを有するために、記録再生に用いる磁気ヘットのヘ
ッド利料にも１％い飽和磁束密度Ｂｓを廂することか要
求されている。例えば、従来磁気ヘッド材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度Ｂｓか低く、
またパーマロイでは耐摩耗性に問題がある。 一方、上述の高密度記録化に伴なって、磁気記録媒体に
記録された磁気パターンのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘノ１−の１−ランク幅
も極めて狭いものか要求されている。 そこで従来、セラミックス等の非磁性基板上に磁気コア
となる磁性薄膜と絶縁層を交互に被着形成しこれをトラ
ック部分とした所謂複合型磁気ヘッドや、磁性薄膜や導
体薄膜を絶縁体薄膜を介して多層積層構造とした薄膜磁
気ヘッド等か提案されており、この種の磁気ヘッドに使
用される磁性薄膜としてＦｅ、Ａ７．Ｓｉを主成分とす
るセンジスト合金薄膜が注目を進めている。 このセンジスト合金薄膜は、高い飽和磁束密層ＢＳを有
し、比較的高硬度を有するので、上記メタルテープ等の
ように高い残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対して
も適用することが可能である。 しかしながら、上記センダスト合金薄膜は比較的高硬度
を有するものの例えばフェライト材等に比べると耐摩耗
性に劣り、また金属材料であるので錆易い等の欠点を有
している。 このため、上記センダスト合金薄膜の主成分であるＦｅ
、ＡＡ、Ｓｉの外に、例えばＴ ｌ ＋ Ｃｒ ＋ Ｎ
ｂ＋白金族元素等の添加物を添加して上記錆の発生を
防いだり硬度を高めて耐摩耗性を向上するという方法が
考えられている。 ところか、上記添加物を加えると、上記センダスト合金
薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが低下してしまうことが分かっ
た。本発明者等の実験によれば、添加物を加えていない
センダスト合金薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが約１１０００
カウスであったのに対して、上記添加物を加えたセンダ
スト合金薄膜の飽和磁束密度ＢＳは９０００ガウス程度
であった。この飽和磁束密度ＢＳの低下は、メタルテー
プの如き高い残留磁束密度Ｂｒを有する磁気記録媒体に
対処するうえで不利である。 さらに、上記センダスト合金薄膜のように金属材料を磁
気ヘッドのコアとし、て使用した場合には、所謂渦電流
損による筒周波数領域での透磁率の低下か問題となって
おり、上記高周波数領域では光分な再生出力を得られな
い虞れがある。 そこでさらに従来は、上記センダスト合金薄膜の代わり
に高周波数領域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束
密度Ｂｓを有する非晶質磁性合金材料（所謂アモルファ
ス磁性合金材料）を用いることが考えられているが、こ
の非晶質磁性合金材料は熱的に不安定で、長時間の加熱
や熱ザイクルにより透磁率が大きく劣化し再生効率が悪
くなってしまい、特に結晶化の可能性が大きいので５゜
Ｏ′Ｃ以上の温度を長時間加えることはできない。 したがって、上記非晶質磁性合金材料を製造工程におい
て例えばガラス融着のように５００ ’Ｃ以上の温度で
の処理か必要な磁気ヘッドに使用することは好ましくな
い。 〔発明の目的〕 そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点を解消
するために提案されたものであって、磁気特性及び耐久
性に優れ熱的に安定な磁性薄膜を提供することを目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、前述の如き目的を達成せんものと鋭意研
究の結果、Ｆｅ、ＡＡ’、Ｓｉを主成分とする磁性薄膜
に酸素を添加することにより飽和磁束密度を低下するこ
となく硬度や透磁率を大幅に改善することができること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、ｒｅ
、 ＡＡ 、 Ｓ ｉを主成分とし、上記ＡＡ及びＳ
ｉの組成範囲がそれぞれ２〜１０重量９６１’Ｊ！、４
〜１５重量％ Ｓ ｉであって、さらに０．００５〜５
重量％の酸素０を含有し残部がＦｅであることを特徴と
するものである。 本発明に係る磁性薄膜は、Ｆｅ＋ Ａ １１ 、３ ｉ
を主成分とする磁性薄膜であり、さらに重要なことは酸
素Ｏを含有することである。 この酸素Ｏを含有することにより、磁性薄膜の透磁率や
硬度が大幅に改善される。 本発明者等の実験によれば、磁性薄膜中の酸素Ｏの含有
量か増加するのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に
酸素Ｏの含有量が約１．５重量％のときに酸素Ｏを全く
含まない磁性薄膜に比べて透磁率がおよそ２倍にも達し
ていることか分かった。 また、この透磁率は、上記磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの
含有量が多すぎると却って低下してしまい、Ｉ Ｍｆ（
ｚの周波数では上記酸素Ｏの含有量か４重量％以下であ
ることが好ましい。しかしながら、上記磁性薄膜におい
ては、酸素Ｏの含イ」量の増加とともに比抵抗が増加す
ることから、より高周波数領域での使用、例えばデジタ
ルＶＴＲ用磁気ヘット等への使用を考えると、上記酸素
０の含有量が５重量％程度までは笑用可能であると考え
られる。 また、磁性薄膜に含まれる酸素Ｏの含有量の増加に伴な
って、ビッカース硬度も急激に高くなり、上記酸素Ｏの
含有量が約２重量％を越えるとほぼ一定の硬度を確保す
ることができることが分かった。 したがって、本発明に係る磁性薄膜に含有される酸素Ｏ
の含有量としては、０．００５〜５重量％の範囲である
ことが好ましい。上記含有量がｏ、。 Ｏ５重量％未満であると光分な効果が期待できす、また
上記含有量が５重量％を越えると却って透磁率が低下し
てしまい保磁力Ｈｃも大きくなってしまう虞れがある。 さらに、上記酸素Ｏとともに窒素を含有してもよい。 一方、上記磁性薄膜の主成分であるＦｅ、Ａｌ、Ｓｉの
組成範囲としては、上記ＡＡの含有量か２〜１０重量％
、上記Ｓｉの含有量が４〜１５重量％、残部がＦｅであ
ることが好ましい。すなわち、上記磁性薄膜を ＦｅａＡｌｂＳｉｃＯ８ （ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量比を表わす。） て表わしたときに、その組成範囲が ７０≦ａく９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦５ ａ ＋ｂ 十ｃ 十ｄ ＝ １００ であることが望ましい。上記へｌやＳ＋が少なすぎても
、また逆に多すぎても磁性薄膜の磁気特性が劣化してし
まう。 また、上記Ｆｅの一部をＣＯあるいはＮｉのうち少なく
とも１種と置換することも可能である。 上記Ｆｅの一部をＣｏと置換することにより飽和磁束密
度Ｂｓを上げることができる。特に、Ｆｅの４０重量％
をＣｏで置換したもので最大の飽和磁束密度Ｂｓか得ら
れる。このＣｏの置換量としては、Ｆｅに対して０〜６
０重量％の範囲内であることが好才しい。 一方、上記Ｆｅの一部をＮｉ と置換することにより、
飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態
に保つことができる。このＮｉの置換量としては、Ｆｅ
に対して０〜４０重量％の範囲内であることが好ましい
。 さらに、上述の磁性薄膜には、耐食性や耐摩耗性を改善
するために各種元素を添加剤として加えてもよい。上記
添加剤として使用される元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ
、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランタン系列元素を含む１ｌｌ
ａ族元素、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｈｆ等の■ａａ族元素Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ等のＶａａ族元素Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の■ａａ
族元素Ｍｎ 、 Ｔｅ 、 Ｒｅ等の■ａａ族元素Ｃｕ
、Ａｇ、Ａｕ等のＩｂ族元素、Ｇａ、 Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ。 ｓｂ等が挙げられる。これら添加剤の１種または２種以
上を組み合わせて、上記磁性薄膜に対して０〜１０重量
％の範囲で添加する。すなイつち、上記添加剤をＴとし
上記磁性薄膜を ＦｅａＡ４Ｓ １ｃｏｄＴｅ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝ｌＯＯ を満足することが望ましい。上記添加剤の添加量が１０
重量％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう
虞れがある。 アルイハ、上記添加剤としてＲｕ 、 １１．＋１．
Ｐｄ 、 Ｏｓ 。 Ｉｒ 、 ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加してもよ
い。この場合、上記白金族元素の添加量としては４０重
量％以下であることが好ましい。上記添加量が４０重量
％を越えると磁性薄膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。 さらに上記■ａａ族元素ＩＶ ａ族元素等の添加剤と上
記白金族元素の両者を添加することも可能である。この
場合の組成範囲としては、上記１１１ａ族元素、ＩＶ
ａ族元素等の添加剤をＴ、上記白金族元素をＰとし、上
記磁性薄膜を ＦｅａＡｌｂＳｉｃＯａＴｅＰ （ （ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは谷成分の重量比を表わす。 ） で表わしたときに、 ５５≦ａ〈９５ ２≦ｂ≦１０ ３≦Ｃ≦１６ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ０≦ｆ≦４０ ａ 十ｂ 十ｃ 十ｄ ＋ ｅ 十ｆ ＝ １． ＯＯ
を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ、Ｒｈ。 Ｐｄを使用したときにはｅ ＋ ｆ≦２０、上記白金族
元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯ５゜Ｉｒ
、Ｐｔ を使用したときにはｅ 十ｆ≦４０であるこ
とが望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加すると
、磁気特性が劣化する虞れがある。 上述の組成を有する磁性薄膜の膜厚としては、１０Ａ以
上１ｍｍ以下であることが好ましく、さらに１． ＯＡ
以上１００μｍ以下であることがより好ましい。 以上述べたように、本発明に係る磁性薄膜においては、
その成分として酸素Ｏを含有していることにより、高透
磁率及び高”硬度が達成され、またこのとき飽和磁束密
度や保磁力等の磁気特性の劣化も見られない。特に、上
記酸素Ｏを含イ）することにより比抵抗が増加し、高周
波領域での渦電流損失が小さくなることから透磁率の周
波数特性が向上して］、ＯＭＨｚ以上の高周波数領域で
使用される磁気ヘソＦ等に対して極めて有用である。 さらに、上記酸素Ｏを含有する磁性薄膜は耐久性の点で
も優れた特性を有し、例えば市水に３日間浸した場合に
も錆の発生は見られなかった。 上記磁性薄膜中における酸素Ｏの果たす役割については
、その詳細は不明であるが、硬度が著しく向」二するこ
とがらＦｅの酸化物やアルミナ、石英等の高硬度粒子の
生成等も予想される。 ところで、本発明の磁性薄膜の製造方法としては、種々
の方法が考えられるが、例えば一般の溶解による方法で
は均一に多量の酸素を導入することは難かしい。すなわ
ち、通常酸素は合金溶融中にスラグとして浮上し不純物
として合金と分離されてしまうのである。 そこで、上記磁性薄膜は、真空蒸着やイオンインプラン
テーション等の方法により作製するのが好ましい。上記
真空蒸着の手法としては、例えばフラッシュ蒸着、ガス
中蒸着法、イオンブレーティング、スパツタリング、ク
ラスター・イオンビーム法等が挙げられ、また蒸着とイ
オンインプランテーションを同時に行なってもよい。ま
た、上記磁性薄膜に酸素Ｏを導入する方法としては、（
１）酸素ガスを含む雰囲気中で上記真空蒸着等を行ない
、この酸素ガスの濃度によって得られる磁性薄膜中の酸
素Ｏの含有量を調節して導入する方法、 （２）酸素と各成分のうちの少なくとも１種の元素との
化合物と、残りの成分の合金とを蒸発源として使用し、
得られる磁性薄膜中に酸素Ｏを導入する方法、 等が挙げられる。さらに、上記磁性薄膜を構成するＦｅ
、Ａｇ、Ｓｉ等の各成分元素の組成を調節する方法とし
ては、 （１） ’ ｅ＋ ＡＺ 、 Ｓ ｒや他の添加剤、置
換金属等を所定の割合となるように秤量し、これらをあ
らかじめ例えば高周波溶解炉等で溶フ愕して合金インコ
ツトを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源とし
て使用する方法、 （２） 谷成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸
発源の数で組成を制御する方法、 （３）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 （４）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち
込む方法、 等か挙げられる。 以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。 し実施例〕 実施例１ 純度９９．９９９９９りのＳｉ 、純度９９．９ ！Ｊ
９６のＡ／？ 、純度９９．９９％のＦｅを原料として
用い、これら谷原料を秤量して分取した後、高周波溶解
炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し込んで成形して
直径５０ｍｍ、厚さｉｍｍの電極用クーケントを作製し
た。このターゲットの組成はＰ″ｅ８□、Ａ１１ｔ。 Ｓｉｎであった。 上記ターゲットを用い、下記のスパッタ条件に従ってマ
グネトロンスパッタ法によるスパツタリングを行なった
。 スパッタ条件 ＲＦパワー １００Ｗ ターゲット・基板間距離 ３０ｎｎｎ 基板温度 〜２０℃（水冷） 到達真空度 ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ガス圧力 ４Ｘ１０ Ｔｏｒｒ 膜厚 約６μｍ 上記スパッタ条件に従い、不活性ガスとしてＡ「ガスを
用いこのＡｒガスに０２ヲ混入してスパッタリングを行
なった。ここで、上記０２の混入量を分圧で制御し、こ
の０２の割合を変えながらスパッタリングを行ない、結
晶化ガラス基板上にＦｅ−Ａｌ−８ｉ 系合金膜を形成
した。得られたト” ｅ −Ｍ−８ｉ ’ ＝ −一 系合金簿膜を５５０°Ｃで１時間熱処理し、硬度、比電
気抵抗、透磁率及び飽和磁束密度を測定した。 第１図は、Ｅ”ｅ−Ａｌ−８ｉ合金薄膜に含まれる０２
の割合と硬度の関係を示す特性図である。ここで硬度は
ヒノカース硬度として測定し、重量５０ｇで１５秒秒間
型することにより測定した。 この第１図より、Ｅ”ｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜に含ま
れる０２の割合が増加するのに伴なって、Ｆｅ−へｌ１
−８ｉ合金の硬度が大幅に増加することが分かる。例え
ば、０２を全く含有しないＦ ｅ −Ａｇ −８ｉ系合
金薄膜の硬度Ｈｖ＝６３０であるのに対して、０２を３
．８重量％含むＦｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の硬度１（
ｖ＝１０００であった。 次に、第２図はＦｅ−４１４−８ｉ系合金薄膜に含まれ
る０２の割合と電気抵抗（比抵抗）の関係を示ず特性図
である。なお、上記電気抵抗は四端子法で測定し、０２
を含まないＦｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜の電気抵抗を１
．０としたときの比抵抗としてめたものである。 この比抵抗は、Ｆ ｅ −Ａｇ −８ｉ系合金薄膜の高
周波数領域での透磁率を推定するうえで、重要な要素で
ある。すなわち、一般に磁性体内には時間的に変化する
磁束に対して同心円状の誘導電流（渦電流）が流れ、こ
の渦電流によって電力が消費されて所謂渦電流損が発生
する。この渦電流損は、周波数や磁性体の抵抗率に大き
く関係し、特に高周波数領域では透磁率の低下をもたら
す。例えば通常のセンダスト合金材料の抵抗率は８５μ
Ω・ｃｍとアモルファス合金材料の抵抗率１５０μΩ・
ｃｍに比べて小さいので、高周波数領域における透磁率
が低くなる傾向にあることが知られている。 したがって、Ｆｅ −ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の抵抗率は
大きいほど好ましい。ここで、第２図より０２の割合が
増加するのに伴なってＦｅ−Ａ＃−８ｉ系合金薄膜の比
抵抗が直線的に増加しているのが分かる。 ｌのため、０２を含有するＦｅ −Ａ＃−８ｉ系合金薄
膜は、高周波数領域での透磁率においても有利であると
推定される。 第３図は、Ｆｅ −Ａ６−８ ｉ系合金薄膜に含まれる
０２の割合とＩＭＨｚにおける透磁率の関係を示す特性
図である。なお、ここで透磁率はパーミアンスメータを
用いて測定した。 この第３図より、０２の割合か増加するのに伴なってＦ
ｅ−へβ−８ｌ系合金薄ｊ摸の透磁率か大幅に向上する
ことか分かる。例えば０２の割合が１．０重量％である
ときに、透磁率かおよそ２．５倍にも達していることが
分かる。 さらに、第４図に０２を含むＦ ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金
薄膜の透磁率の周波数特性を示す。なお、この第４図に
おいて、曲線ａば０２の割合か０重量％、曲線すは０２
の割合が０．３重量％、曲線Ｃは０２の割合が１．０重
量％、曲線ｄは０２の割合が２．４重量％、曲線ｅは０
２の割合が３．８重量％、曲線ｆは０２の割合が４．９
重量％である場合をそれぞれ示すものである。 この第４図より、 ０２を含有するＦｅ−へ１３−８ｉ
系合金薄膜においては、０２を含まないものに比べてど
の周波数においても相対的に高い透磁率が得られること
が分かる。特に、０２の割合が増加するのに伴なって高
周波数における透磁率の低下が少なくなる傾向にあるこ
とが認められ、例えば０２の割合が４．９重量％である
ときには１０ ＭＨｚの周波数領域では光分実用性を有
するものと考えられる。 第５図は、Ｆｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２
の割合と飽和磁束密度の関係を示す特性図である。 この第５図において注目すべきことは、０２を添加する
ことによりＦｅ−へ１−８ｉ系合金薄膜の飽和磁束密度
の向上が見られることである。これは、一般に硬度や透
磁率の温度特性等を改善するために添加剤を加えたとき
に飽和磁束密度の低下を来すのに比べて極めて有用であ
る。本実施例においては、飽和磁束密度の低下が抑制さ
れたばかりか、却って飽和磁束密度が改善されたのであ
る。 上述の各測定結果からも明らかなように、０２を含むＩ
ｉ’ｅ−へβ−８ｉ系合金薄膜は、硬度や錆等、耐久性
の点で優れたものであるばかりか、透磁率や飽和磁束密
度等の磁気特性ζこも優れたものであって、例えば磁気
ヘッド等に適用して好適なものである。 実施例２ ターゲットとして純鉄のターゲラ１−上にＡｌ、Ｓｉを
乗せた複合ターゲットあるいはＦ” ｅ ８ｚ １Ｌ１
３７ Ｓ ＋ １ｉのターゲット上にＦｅ、Ａｌ、Ｓｉ
を乗ぜた複合ターゲットを用い、上記ＡＡ 、 Ｓ ｉ
あるいはＦｅ、Ａ６．ＳｉＯ数を変えて０２を含むＡｒ
ガス中及び０２を含まない０２ガス中でスパッタリング
を行ない、種々の組成のＦ”ｅ −ＡＡ−８ｉ系合金薄
膜（厚さ約５μｙｎ ）を製造した。 得られたＦｅ−へｉニーＳｌ系合金薄膜を３５０〜８０
０°Ｃで１〜５時間熱処理した後、透磁率及びヒソカー
ス硬度を測定した。なお、上記透磁率はパーミアンスメ
ータを用いて測定し、またヒソカース硬度は加重５０ｇ
で測定した。さらに、得られち−Ｆｅ−へ／ｊ−８ｉ系
合金薄膜の組成はＸ線マイクロアナライザーを用いてＦ
’ｅ、Ａｌ、Ｓｉについて分析した。また、酸素の含有
量はＮｉ基板上に形成した磁性薄膜のガス分析によりめ
た。結果を第１表に示す。 第１表 − 組 成 透磁率 ヒソか Ｆｅ Ａ＃ Ｓｉ ＯＩＭＪｌｚ ５Ｍ＝［（ｚ ｊｌ
ｆ１比較サンプル１ ９４．８ ２−１ ３．１ ０
２６０ ２２０ ５３ザンプル１ ７２２ ３６０ ３
１０ ６’１比軟ザンプル２ ９１．６ ２．６ ５．
８ ０ ３９０ ３３０ ６Ｅ→〕−ンプル２ｊ 、２
．２ ４．６０ ４００ ７と（比較サンプル３，８７
．１’ ９８ ３．３ ０ ２８０ ２４０ ６２Ｌ−
、−− １→）−ンブル３８７°Ｊ９°”’ ３−３２２ ３９
０ ３２０ ７Ｅ↓比戟ザンプル４）８５．１ ５．６
９．３ ０ ２３００１８２０ ６（サンプル４・
２゜２ ３２０２８８０ ８（□比軟ザンプル５１８２
．４ ８．２ ９．４ ０ １５５０ １４５０ ７Ｓ
１→〕°ンプル５ｉ ２°４１８２９Ａ２２１７２０１
ｏ３０８１：比較サンプル６ ；８０．４ 、８．７
１０．９ ０ ２７０ ２００ 別ｉ−リーンプル６ｉ
’ ｏ、９７２．”２ ５８０１１３１０ ９Ｅ−−
一 ：、比１１ツサンブル７１８６．３ ｊ ２．４１１．
３ ０ ３８０ ３３０ ７（□−ンプル７ ：”７２
．２ ４９０ ４７０ ９Ｅ１比較サンプル８１７８．
１１８．２１３．７ ０ １１０ ９０ ６’：１サン
プルＢ： ２２ ６４．０ ６００ ９（： １４□ｉ
鉤°？→÷゛〕１°１・０ ： −〜−−一−−−゛こ
の第１表より、０２２．２重責％含むサンプル＝ １な
いしサンプル１０にあっては、Ｎ２を含まな一ス ー い比較サンプル−ないし比較サンプル１０に比べ度 。 て組成によらず透磁率が高くなっていることが分０
かり、特にＩＭＨ２及び５ ｆｖＨ（ｚでの透磁率の
値から０ 周波数特性も良くなっていることが分かる。 また、□１ 萱■ ピンカース硬度についても２００〜３００程度改
善されていることが分かる。 卜（ 実施例３ ターゲットとして純鉄のターゲット上にＡｌ、ＳｉＯ及
びＣＯあるいはＮ１を乗せた複合ターゲットを跡 用い
、０２を含むＡｒカス中及び０２を含まない・０ −ｊ Ａｒガス中でスパッタリングを行なってＦｅ−Ａ
ＡＯ； ＦＩ Ｓ １ 竿合金薄膜を製造した 得られたＦｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜の透磁率、ビ０
） ツカース硬度及び飽和磁束密度を測定した。結果■
」 を第２表に示す。 第２表 この第２表より、 ０２２’、２重量％含む→ノーンプ
ル１１及びサンプル１２にあっては、０２を含まない比
較サンプル１１及び比較サンプル１２に比べて透磁率及
びヒソカース硬度の向上が見られ、また飽和磁束密度の
低下は見られなかった。 実施例４ 純度９９．９９９９％のＳｒ、純度９９．９９％のＡ６
、純度９９．９９９１）のＦｅを原料として用い、これ
ら各原料を所定の成分比となるように秤量して分取した
後、高周波溶解炉を用いて真空中で溶解し、鋳型に流し
込んで成形して合金ターゲット蛋作成した。 この合金ターゲットを標準とし、この上にＦｅ。 ＡＡ 、 Ｓ ｉやその他の添加元素を乗せて、高周波
スパンタ装置を用い酸素Ｏを含むＡｒカス中でスパツタ
リングを行なって厚さ約５μｍの磁性薄膜を得た。 得られた磁性薄膜を３５０〜８００℃で１〜５時間熱処
理した後、透磁率及びビッカース硬度を測定した。結果
を第３表に示す。なお、上記透磁率はパーミアンスメー
クを用いて測定し、ヒソカース硬度は重量５０．９で１
５秒秒間型することにより測定した。また、得られた磁
性薄膜の金属成分の分析にはＸ線マイクロアナライザー
を使用し、酸素の含有量はＮｉ基板上に同時に形成した
磁性薄膜のガス分析によりめた。 第３表 上詰糸３表からも明らかなように、酸素を含有する磁性
薄膜にあっては、酸素を含有しない磁性薄膜に比べて透
磁率やピンカース硬度が大幅に改善されていることが分
かる。 また、上記各実施例及び比較例について飽和磁束密度や
保磁力を測定したところ、酸素を含有する場合と酸素を
含有しない場合でほとんど変わらないことが判明した。 例えば、比較サンプル１３のものの飽和磁束密度が１１
０００ガウス、保磁力が０．３エルステツドであるのに
対して、サンプル１３のものの飽和磁束密度は１．１０
００カウス、保磁力は０．３エルステツドであった。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明においては、磁気特性に優れ
、かつ高硬度を有する磁性薄膜を得ることが可能である
。 ４、図面の簡単な説明 第１図はＦｅ−へ１ｌ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２
の割合とビッカース硬度の関係を示す特性図、第２図は
Ｆ”ｅ−Ａｇ−ｓｉ系合金薄膜に含まれるＯ２の割合と
比抵抗（０２を含まないｂ’ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜
の抵抗率を１として）の関係を示す特性図、第３図はＦ
ｅ−ＡＡ−８ｉ系合金薄膜に含まれる０２の割合とＩＭ
Ｈｚ における透磁率の関係を示す特性図、第４図は０
２を含むＦｅ −Ａｇ−８ｉ系合金薄膜の透磁率の周波
数特性を示す特性図、第５図はＰｃ−Ａｌ−８ｉ系合金
薄膜に含まれる０２の割合と飽和磁束密度の関係を示す
特性図である。 特許出願人ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 第２図 ｏ ｒ’Ｌ＋覧） − 第３図 ０ｃｔ−ｔ％）− 第４図 Ｊリシ皮」１夕ＪＭＨｚ＋ 第５図
Claims (1)
- Ｆｅ、Ａ４．Ｓｉを主成分とし、上記Ａｔ及びＳｌの組
成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａ４゜３〜１６重量％
Ｓ１であって、さらＶＣｏ、００５〜６重量％の酸素を
含有することを特徴とする磁性薄膜。
Priority Applications (6)
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| JP59076435A JPS60220914A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 磁性薄膜 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278408A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-12-10 | Nikko Kyodo Co Ltd | Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ合金磁性薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0144150B2 (en) * | 1983-11-02 | 1991-01-23 | Hitachi, Ltd. | Ferromagnetic material, ferromagnetic laminate and magnetic head |
| US4735865A (en) * | 1985-06-10 | 1988-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic head core |
| JPH0777008B2 (ja) * | 1985-06-21 | 1995-08-16 | 株式会社日立製作所 | 非晶質合金膜を用いた磁気ヘツド |
| US4894742A (en) * | 1985-10-07 | 1990-01-16 | Nippon Mining Company, Limited | Thin-film laminated magnetic heads of Fe-Si-Al alloy |
| JPS6285413A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-18 | Hitachi Ltd | 強磁性多層膜及びその製造法 |
| US5038242A (en) * | 1988-05-13 | 1991-08-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Magnetic head containing a barrier layer |
| JPH03111528A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Toshiba Corp | 磁性合金 |
| EP0531514B1 (en) * | 1991-03-25 | 1996-08-28 | Eastman Kodak Company | A magnetic head for high-frequency, high-density recording |
| US5230818A (en) * | 1991-12-20 | 1993-07-27 | Eastman Kodak Company | Coating compositions for master media for anhysteretic recording |
| SG46191A1 (en) * | 1993-01-15 | 1998-02-20 | Ibm | Layered magnetic structure for use in a magnetic head |
| JPH07210856A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2005223177A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Tdk Corp | 磁性膜の形成方法、磁性パターンの形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4319059B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2009-08-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁性膜の形成方法、磁性パターンの形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4319060B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2009-08-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁性膜の形成方法、磁性パターンの形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3089795A (en) * | 1959-11-18 | 1963-05-14 | Westinghouse Electric Corp | Method for producing fiber texture and cube-texture sheets of iron-base alloys |
| US3965463A (en) * | 1972-08-29 | 1976-06-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus using amorphous magnetic compositions |
| US4065330A (en) * | 1974-09-26 | 1977-12-27 | The Foundation: The Research Institute Of Electric And Magnetic Alloys | Wear-resistant high-permeability alloy |
| US4177089A (en) * | 1976-04-27 | 1979-12-04 | The Arnold Engineering Company | Magnetic particles and compacts thereof |
| JPS53119723A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-19 | Hitachi Metals Ltd | Method of making abrassionnresistant high permeability alloy |
| JPS5562145A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-10 | Hitachi Metals Ltd | Corrosion resistant, high permeability alloy |
| JPS5585656A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-27 | Hitachi Denshi Ltd | Wear-resistant high-permeability alloy, heat treating method therefor and magnetic head using said alloy |
| JPS55125258A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-26 | Kobe Steel Ltd | High permeability alloy with superior workability |
| JPS55152155A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-27 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Fine crystalline strip material for high permeability magnetic material, preparation and product thereof |
| JPS597334B2 (ja) * | 1979-09-03 | 1984-02-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐食性にすぐれたセンダスト系合金の製造法 |
| JPS5644755A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Hitachi Metals Ltd | Alloy of high magnetic permeability |
-
1984
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1985
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278408A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-12-10 | Nikko Kyodo Co Ltd | Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ合金磁性薄膜の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| US4671828A (en) | 1987-06-09 |
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| DE3586404D1 (de) | 1992-09-03 |
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