JPH0343777B2 - - Google Patents
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- JPH0343777B2 JPH0343777B2 JP59077023A JP7702384A JPH0343777B2 JP H0343777 B2 JPH0343777 B2 JP H0343777B2 JP 59077023 A JP59077023 A JP 59077023A JP 7702384 A JP7702384 A JP 7702384A JP H0343777 B2 JPH0343777 B2 JP H0343777B2
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- resist
- etched
- etching
- mixed gas
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路装置（IC）などの半
導体基板またはフオトマスク用基板の主面上に形
成された金属膜などの被エツチング膜のパターン
をドライエツチングによつて形成する方法に関す
るものである。
導体基板またはフオトマスク用基板の主面上に形
成された金属膜などの被エツチング膜のパターン
をドライエツチングによつて形成する方法に関す
るものである。
ICなどの半導体装置やフオトマスクを製造す
る際に、これらの基板の主面上に形成された金属
膜などの被エツチング膜の微細パターンを形成す
るためには、写真製版技術は不可欠である。最
近、電子ビーム露光装置またはＸ線露光装置とリ
アクテイブイオンエツチング（RIE）装置などの
ドライエツチング装置とを用いる写真製版技術が
研究され実用化されている。
る際に、これらの基板の主面上に形成された金属
膜などの被エツチング膜の微細パターンを形成す
るためには、写真製版技術は不可欠である。最
近、電子ビーム露光装置またはＸ線露光装置とリ
アクテイブイオンエツチング（RIE）装置などの
ドライエツチング装置とを用いる写真製版技術が
研究され実用化されている。
以下、フオトマスクを製造する方法を例にとり
説明する。
説明する。
第１図Ａ〜Ｅはフオトマスクの従来の製造方法
の一例の主要段階における状態を示す断面図であ
る。
の一例の主要段階における状態を示す断面図であ
る。
まず、第１図Ａに示すように、ガラス基板１の
主面上に蒸着装置を用いて600Å程度の膜厚を有
する金属クロム（Cr）膜２を形成し、このCr膜
２の表面上にスピンナーなどの塗布装置を用いて
4000Å程度の膜厚を有する電子ビーム用のレジス
トOEBR−100（東京応化社商品名）膜３を形成
し、しかるのち170℃程度の温度で約20分間のベ
ーキングを行う。
主面上に蒸着装置を用いて600Å程度の膜厚を有
する金属クロム（Cr）膜２を形成し、このCr膜
２の表面上にスピンナーなどの塗布装置を用いて
4000Å程度の膜厚を有する電子ビーム用のレジス
トOEBR−100（東京応化社商品名）膜３を形成
し、しかるのち170℃程度の温度で約20分間のベ
ーキングを行う。
次に、第１図Ｂに示すように、Cr膜２の所定
パターンに形成される部分に対応するレジスト
OEBR−100膜３の部分に電子ビーム露光装置を
用いて図示矢印の方向から５×10-6クーロンＣ／
cm2程度のドーズ量の電子ビームを照射する。
パターンに形成される部分に対応するレジスト
OEBR−100膜３の部分に電子ビーム露光装置を
用いて図示矢印の方向から５×10-6クーロンＣ／
cm2程度のドーズ量の電子ビームを照射する。
次に、第１図Ｃに示すように、メチルエチルケ
トン（MEK）６量に対してエタノール１量の割
合で混合した現像液を用いてレジストOEBR−
100膜３の電子ビームが照射されていない部分を
除去してCr膜２の表面上に上記所定パターンを
有するレジストOEBR−100膜３ａを残す。次い
で、レジストOEBR−100膜３ａをリンスし乾燥
する。
トン（MEK）６量に対してエタノール１量の割
合で混合した現像液を用いてレジストOEBR−
100膜３の電子ビームが照射されていない部分を
除去してCr膜２の表面上に上記所定パターンを
有するレジストOEBR−100膜３ａを残す。次い
で、レジストOEBR−100膜３ａをリンスし乾燥
する。
次に、第１図Ｄに示すように、レジストOEBR
−100膜３ａをマスクとして、Cr膜２にRIE装置
などのドライエツチング装置を用いて酸素（O2）
と四塩化炭素（CCl4）との混合ガスのプラズマ
によるエツチングを施してレジストOEBR−100
膜３ａの下に上記所定パターンを有するCr膜２
ａを形成する。このとき、O2およびCCl4の混合
ガスの圧力は0.2Torr程度に設定されており、ガ
ラス基板１の温度は20℃程度に設定されている。
−100膜３ａをマスクとして、Cr膜２にRIE装置
などのドライエツチング装置を用いて酸素（O2）
と四塩化炭素（CCl4）との混合ガスのプラズマ
によるエツチングを施してレジストOEBR−100
膜３ａの下に上記所定パターンを有するCr膜２
ａを形成する。このとき、O2およびCCl4の混合
ガスの圧力は0.2Torr程度に設定されており、ガ
ラス基板１の温度は20℃程度に設定されている。
このO2およびCCl4の混合ガスのプラズマによ
るCr膜２へのエツチングの機構は、この混合ガ
スのプラズマ中に生成する酸素ラジカル（O*）
および塩素ラジカル（Cl*）とCr膜２との間に、
下記反応式が生ずることによるものと考えられて
いる。
るCr膜２へのエツチングの機構は、この混合ガ
スのプラズマ中に生成する酸素ラジカル（O*）
および塩素ラジカル（Cl*）とCr膜２との間に、
下記反応式が生ずることによるものと考えられて
いる。
Cr＋２・O*＋２・Cl*→CrO2Cl2↑
このO2およびCCl4の混合ガスのプラズマによ
るCr膜２へのエツチング速度は、O2とCCl4との
混合比（体積比）が19（O2）：５（CCl4）であると
きに最大になり、ガラス基板１すなわちCr膜２
の温度が20℃である場合には30Å／min.程度で
ある。従つて、600Å程度の膜厚を有するCr膜２
をエツチングするに必要な時間は約20分である。
最後に、第１図Ｅに示すように、レジストOEBR
−100膜３ａを除去すると、ガラス基板１の主面
上に上記所定パターンを有するCr膜２ａが形成
されたこの従来例の方法になるフオトマスクが得
られる。
るCr膜２へのエツチング速度は、O2とCCl4との
混合比（体積比）が19（O2）：５（CCl4）であると
きに最大になり、ガラス基板１すなわちCr膜２
の温度が20℃である場合には30Å／min.程度で
ある。従つて、600Å程度の膜厚を有するCr膜２
をエツチングするに必要な時間は約20分である。
最後に、第１図Ｅに示すように、レジストOEBR
−100膜３ａを除去すると、ガラス基板１の主面
上に上記所定パターンを有するCr膜２ａが形成
されたこの従来例の方法になるフオトマスクが得
られる。
ところで、この従来例の方法では、レジスト
OEBR−100膜３ａがO2およびCCl4の混合ガスの
プラズマに対する耐性が悪いので、レジスト
OEBR−100膜３ａの膜べりが大きく、微細パタ
ーンのCr膜２ａを精度よく形成することが容易
ではないという欠点があつた。また、Cr膜２へ
のエツチング時間が約20分であるので、バツチ処
理が容易なウエツトエツチングに比べて生産性が
悪いという欠点もあつた。
OEBR−100膜３ａがO2およびCCl4の混合ガスの
プラズマに対する耐性が悪いので、レジスト
OEBR−100膜３ａの膜べりが大きく、微細パタ
ーンのCr膜２ａを精度よく形成することが容易
ではないという欠点があつた。また、Cr膜２へ
のエツチング時間が約20分であるので、バツチ処
理が容易なウエツトエツチングに比べて生産性が
悪いという欠点もあつた。
この発明は、上述の欠点を除去する目的でなさ
れたもので、基板の主面上に形成され酸素ラジカ
ルおよび塩素ラジカルとの反応によつてエツチン
グ可能な材料からなる被エツチング膜の所定パタ
ーンの部分の表面上にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜をマスクとして被エツチング膜に酸素
および四塩化炭素の混合ガスに四フツ化炭素を添
加し、かつその混合比率を19：５：３の体積比と
することによつて、微細パターンの被エツチング
膜を精度よく形成することができ、しかも生産性
のよいドライエツチングによるパターンの形成方
法を提供するものである。
れたもので、基板の主面上に形成され酸素ラジカ
ルおよび塩素ラジカルとの反応によつてエツチン
グ可能な材料からなる被エツチング膜の所定パタ
ーンの部分の表面上にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜をマスクとして被エツチング膜に酸素
および四塩化炭素の混合ガスに四フツ化炭素を添
加し、かつその混合比率を19：５：３の体積比と
することによつて、微細パターンの被エツチング
膜を精度よく形成することができ、しかも生産性
のよいドライエツチングによるパターンの形成方
法を提供するものである。
第２図Ａ〜Ｅはフオトマスクの製造に適用した
この発明の一実施例の主要段階における状態を示
す断面図である。
この発明の一実施例の主要段階における状態を示
す断面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は
同等部分を示す。
同等部分を示す。
まず、第２図Ａに示すように、従来例の第１図
Ａに示した段階と同様に、ガラス基板１の主面上
にこの実施例での被エツチング膜であるCr膜２
およびこの実施例でのレジスト膜であるレジスト
OEBR−100膜３を順次形成したのちに、ベーキ
ンクを行う。
Ａに示した段階と同様に、ガラス基板１の主面上
にこの実施例での被エツチング膜であるCr膜２
およびこの実施例でのレジスト膜であるレジスト
OEBR−100膜３を順次形成したのちに、ベーキ
ンクを行う。
次に、第２図Ｂに示すように、従来例の第１図
Ｂに示した段階と同様に、Cr膜２の所定パター
ンに形成される部分に対応するレジストOEBR−
100膜３の部分に図示矢印の方向から５×
10-6C／cm2程度のドーズ量の電子ビームを照射す
る。
Ｂに示した段階と同様に、Cr膜２の所定パター
ンに形成される部分に対応するレジストOEBR−
100膜３の部分に図示矢印の方向から５×
10-6C／cm2程度のドーズ量の電子ビームを照射す
る。
次に、第２図Ｃに示すように、従来例の第１図
Ｃに示した段階と同様に、MEK6量に対してエタ
ノール１量の割合で混合した現像液を用いてレジ
ストOEBR−100膜３の電子ビームが照射されて
いない部分を除去してCr膜２の表面上に上記所
定パターンを有するレジストOEBR−100膜３ａ
を残す。次いで、レジストOEBR−100膜３ａを
リンスし乾燥する。
Ｃに示した段階と同様に、MEK6量に対してエタ
ノール１量の割合で混合した現像液を用いてレジ
ストOEBR−100膜３の電子ビームが照射されて
いない部分を除去してCr膜２の表面上に上記所
定パターンを有するレジストOEBR−100膜３ａ
を残す。次いで、レジストOEBR−100膜３ａを
リンスし乾燥する。
次に、第２図Ｄに示すように、レジストOEBR
−100膜３ａをマスクとして、O2、この実施例で
の有機塩素系ハロカーボンであるCCl4およびこ
の実施例での有機フツ素系ハロカーボンである四
フツ化炭素（CF4）を体積比19（O2）：５（CCl4）：
３（CF4）で混合した混合ガスのプラズマによる
エツチングをCr膜２に施してレジストOEBR−
100膜３ａの下に上記所定パターンを有するCr膜
２ａを形成する。このとき、このO2、CCl4およ
びCF4の混合ガスの圧力は0.2Torr程度に設定さ
れており、ガラス基板１の温度は20℃程度に設定
されている。
−100膜３ａをマスクとして、O2、この実施例で
の有機塩素系ハロカーボンであるCCl4およびこ
の実施例での有機フツ素系ハロカーボンである四
フツ化炭素（CF4）を体積比19（O2）：５（CCl4）：
３（CF4）で混合した混合ガスのプラズマによる
エツチングをCr膜２に施してレジストOEBR−
100膜３ａの下に上記所定パターンを有するCr膜
２ａを形成する。このとき、このO2、CCl4およ
びCF4の混合ガスの圧力は0.2Torr程度に設定さ
れており、ガラス基板１の温度は20℃程度に設定
されている。
このようなO2、CCl4およびCF4の体積比19：
５：３の混合ガスのプラズマによるCr膜２への
エツチング速度は、従来例におけるO2および
CCl4の体積比19：５の混合ガスのプラズマによ
るエツチング速度より大きいことが発明者らの研
究によつて判明した。
５：３の混合ガスのプラズマによるCr膜２への
エツチング速度は、従来例におけるO2および
CCl4の体積比19：５の混合ガスのプラズマによ
るエツチング速度より大きいことが発明者らの研
究によつて判明した。
第３図は発明者らの研究によるO2およびCCl4
の体積比19：５の混合ガスにCF4を添加した場合
におけるCr膜へのエツチング速度とCF4の添加量
との関係の一例を示す図である。
の体積比19：５の混合ガスにCF4を添加した場合
におけるCr膜へのエツチング速度とCF4の添加量
との関係の一例を示す図である。
図において、縦軸はCr膜２へのエツチング速
度（単位Å／min.）を示し、横軸はCF4の添加量
｛CF4／（O2＋CCl4＋CF4）｝（単位％）を示す。
なお、O2、CCl4およびCF4の混合ガスの圧力は
0.2Torrに設定され、ガラス基板１の温度は20℃
に設定されている。
度（単位Å／min.）を示し、横軸はCF4の添加量
｛CF4／（O2＋CCl4＋CF4）｝（単位％）を示す。
なお、O2、CCl4およびCF4の混合ガスの圧力は
0.2Torrに設定され、ガラス基板１の温度は20℃
に設定されている。
第３図に示すように、従来例におけるO2およ
びCCl4の体積比19：５の混合ガスの場合にはCr
膜２へのエツチング速度が30Å／min.程度であ
るが、この混合ガスに10％程度のCF4を添加した
場合、すなわちO2、CCl4およびCF4の体積比19：
５：３の混合ガスの場合にはCr膜２へのエツチ
ング速度が50Å／min.の最大値になり、CF4の添
加量が10％程度以上になる場合にはCr膜２への
エツチング速度が急激に低下する。
びCCl4の体積比19：５の混合ガスの場合にはCr
膜２へのエツチング速度が30Å／min.程度であ
るが、この混合ガスに10％程度のCF4を添加した
場合、すなわちO2、CCl4およびCF4の体積比19：
５：３の混合ガスの場合にはCr膜２へのエツチ
ング速度が50Å／min.の最大値になり、CF4の添
加量が10％程度以上になる場合にはCr膜２への
エツチング速度が急激に低下する。
このような現象は、O2、CCl4およびCF4の混合
ガスのプラズマ中における酸素ラジカルO*およ
び塩素ラジカルCl*の生成が、CF4の添加量が10
％程度以内ではCF4の添加によつて増長され、
CF4の添加量が10％程度以上では逆にCF4の添加
によつて妨害されることによつて生ずるものと考
えられる。
ガスのプラズマ中における酸素ラジカルO*およ
び塩素ラジカルCl*の生成が、CF4の添加量が10
％程度以内ではCF4の添加によつて増長され、
CF4の添加量が10％程度以上では逆にCF4の添加
によつて妨害されることによつて生ずるものと考
えられる。
また、ガラス基板１の温度が20℃から60℃に上
昇すれば、Cr膜２へのエツチング速度の最大値
が50Å／min.から70Å／min.に向上することも
判明した。
昇すれば、Cr膜２へのエツチング速度の最大値
が50Å／min.から70Å／min.に向上することも
判明した。
このように、Cr膜２へのエツチング速度が従
来例における30Å／min.から50Å／min.に向上
することによつて、600Å程度の膜厚を有するCr
膜２をエツチングするに要する時間が従来例にお
ける20分から12分に減少し、レジストOEBR−
100膜３ａの膜べりが500Å程度のわずかなものと
なる。
来例における30Å／min.から50Å／min.に向上
することによつて、600Å程度の膜厚を有するCr
膜２をエツチングするに要する時間が従来例にお
ける20分から12分に減少し、レジストOEBR−
100膜３ａの膜べりが500Å程度のわずかなものと
なる。
最後に、第２図Ｅに示すように、従来例の第１
図Ｅに示した段階と同様に、レジストOEBR−
100膜３ａを除去すると、ガラス基板１の主面上
に上記所定パターンを有するCr膜２ａが形成さ
れたこの実施例の方法になるフオトマスクが得ら
れる。
図Ｅに示した段階と同様に、レジストOEBR−
100膜３ａを除去すると、ガラス基板１の主面上
に上記所定パターンを有するCr膜２ａが形成さ
れたこの実施例の方法になるフオトマスクが得ら
れる。
以上のように、この実施例の方法では、O2、
CCl4およびCF4の体積比19：５：３の混合ガスの
プラズマによるCr膜２へのエツチング速度が従
来例におけるO2およびCCl4の体積比19：５の混
合ガスのプラズマによるCr膜２へのエツチング
速度より大きいので、Cr膜２へのエツチング時
間が従来例におけるCr膜２へのエツチング時間
より短かくなる。従つて、レジストOEBR−100
膜３ａの膜べりが従来例におけるレジストOEBR
−100膜３ａの膜べりより少なくなり、微細パタ
ーンのCr膜２ａを精度よく形成することができ、
しかも生産性の向上を図ることができる。
CCl4およびCF4の体積比19：５：３の混合ガスの
プラズマによるCr膜２へのエツチング速度が従
来例におけるO2およびCCl4の体積比19：５の混
合ガスのプラズマによるCr膜２へのエツチング
速度より大きいので、Cr膜２へのエツチング時
間が従来例におけるCr膜２へのエツチング時間
より短かくなる。従つて、レジストOEBR−100
膜３ａの膜べりが従来例におけるレジストOEBR
−100膜３ａの膜べりより少なくなり、微細パタ
ーンのCr膜２ａを精度よく形成することができ、
しかも生産性の向上を図ることができる。
この実施例では、ガラス基板１の主面上に形成
されたCr膜２について述べたが、これに限らず、
半導体基板などのその他の基板の主面上に形成さ
れ酸素ラジカルおよび塩素ラジカルとの反応によ
つてエツチング可能な材料からなる被エツチング
膜についてもこの実施例と同様の効果がある。
されたCr膜２について述べたが、これに限らず、
半導体基板などのその他の基板の主面上に形成さ
れ酸素ラジカルおよび塩素ラジカルとの反応によ
つてエツチング可能な材料からなる被エツチング
膜についてもこの実施例と同様の効果がある。
また、この実施例では、レジストOEBR−100
膜３ａを用いる場合について述べたが、これに限
らず、フオトレジスト膜などのその他のレジスト
膜を用いる場合でもこの実施例と同様の効果があ
る。
膜３ａを用いる場合について述べたが、これに限
らず、フオトレジスト膜などのその他のレジスト
膜を用いる場合でもこの実施例と同様の効果があ
る。
なお、この実施例では、O2およびCCl4の混合
ガスにCF4の所定量を添加する場合について述べ
たが、この発明はこれに限らず、O2とCCl2F2、
CCl3F、CClF3などの有機塩素系ハロカーボンと
の混合ガスにC2F6、C3F8、CHF3、CBrF3などの
有機フツ素系ハロカーボンの所定量を添加する場
合にも適用することができる。
ガスにCF4の所定量を添加する場合について述べ
たが、この発明はこれに限らず、O2とCCl2F2、
CCl3F、CClF3などの有機塩素系ハロカーボンと
の混合ガスにC2F6、C3F8、CHF3、CBrF3などの
有機フツ素系ハロカーボンの所定量を添加する場
合にも適用することができる。
以上、説明したように、この発明のドライエツ
チングによるパターンの形成方法では、基板の主
面上に形成され酸素ラジカルおよび塩素ラジカル
との反応によつてエツチング可能な材料からなる
被エツチング膜の所定パターンの部分の表面上に
レジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクと
して被エツチング膜に酸素および有機塩素系ハロ
カーボンの混合ガスのプラズマ中におけるエツチ
ングを施し、上記所定パターンを有する被エツチ
ング膜を形成する方法において、酸素および有機
塩素系ハロカーボンとして四塩化炭素を混合した
ガスに有機フツ素系ハロカーボンとして四フツ化
炭素を添加し、かつその混合比率を19：５：３の
体積比とするようにしたので、所定量の有機フツ
素系ハロカーボンを添加した酸素および有機塩素
系ハロカーボンの混合ガスのプラズマによる被エ
ツチング膜へのエツチング速度が有機フツ素系ハ
ロカーボンを添加しない酸素および有機塩素系ハ
ロカーボンの混合ガスのプラズマによる被エツチ
ング膜へのエツチング速度より大きくなる。従つ
て、有機フツ素系ハロカーボンを添加した酸素お
よび有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズ
マによる被エツチング膜へのエツチング時間が有
機フツ素系ハロカーボンを添加しない酸素および
有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズマに
よる被エツチング膜へのエツチング時間より短か
くなるので、レジスト膜の膜べりが少なくなり、
微細パターンの被エツチング膜を精度よく形成す
ることができ、しかも生産性の向上を図ることが
できる。
チングによるパターンの形成方法では、基板の主
面上に形成され酸素ラジカルおよび塩素ラジカル
との反応によつてエツチング可能な材料からなる
被エツチング膜の所定パターンの部分の表面上に
レジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクと
して被エツチング膜に酸素および有機塩素系ハロ
カーボンの混合ガスのプラズマ中におけるエツチ
ングを施し、上記所定パターンを有する被エツチ
ング膜を形成する方法において、酸素および有機
塩素系ハロカーボンとして四塩化炭素を混合した
ガスに有機フツ素系ハロカーボンとして四フツ化
炭素を添加し、かつその混合比率を19：５：３の
体積比とするようにしたので、所定量の有機フツ
素系ハロカーボンを添加した酸素および有機塩素
系ハロカーボンの混合ガスのプラズマによる被エ
ツチング膜へのエツチング速度が有機フツ素系ハ
ロカーボンを添加しない酸素および有機塩素系ハ
ロカーボンの混合ガスのプラズマによる被エツチ
ング膜へのエツチング速度より大きくなる。従つ
て、有機フツ素系ハロカーボンを添加した酸素お
よび有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズ
マによる被エツチング膜へのエツチング時間が有
機フツ素系ハロカーボンを添加しない酸素および
有機塩素系ハロカーボンの混合ガスのプラズマに
よる被エツチング膜へのエツチング時間より短か
くなるので、レジスト膜の膜べりが少なくなり、
微細パターンの被エツチング膜を精度よく形成す
ることができ、しかも生産性の向上を図ることが
できる。
第１図はフオトマスクの従来の製造方法の一例
の主要段階における状態を順次示す断面図、第２
図はフオトマスクの製造に適用したこの発明の一
実施例の主要段階における状態を順次示す断面
図、第３図は発明者らの研究によるO2および
CCl4の体積比19：５の混合ガスにCF4を添加した
場合におけるCr膜へのエツチング速度とCF4の添
加量との関係の一例を示す図である。 図において、１はガラス基板（基板）、２はCr
膜（被エツチング膜）、２ａはCr膜２へのエツチ
ングによつて形成され所定パターンを有するCr
膜（被エツチング膜へのエツチングによつて形成
され所定パターンを有する被エツチング膜）、３
ａは所定パターンを有するレジストOEBR−100
膜（所定パターンを有するレジスト膜）である。
なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部
分を示す。
の主要段階における状態を順次示す断面図、第２
図はフオトマスクの製造に適用したこの発明の一
実施例の主要段階における状態を順次示す断面
図、第３図は発明者らの研究によるO2および
CCl4の体積比19：５の混合ガスにCF4を添加した
場合におけるCr膜へのエツチング速度とCF4の添
加量との関係の一例を示す図である。 図において、１はガラス基板（基板）、２はCr
膜（被エツチング膜）、２ａはCr膜２へのエツチ
ングによつて形成され所定パターンを有するCr
膜（被エツチング膜へのエツチングによつて形成
され所定パターンを有する被エツチング膜）、３
ａは所定パターンを有するレジストOEBR−100
膜（所定パターンを有するレジスト膜）である。
なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- １ 基板の主面上に形成され酸素ラジカルおよび
塩素ラジカルとの反応によつてエツチング可能な
クロム膜の所定パターン上にレジスト膜を形成
し、このレジスト膜をマスクとして、酸素および
四塩化炭素を主成分とするエツチングガスにより
上記クロム膜にエツチングを施し、上記所定パタ
ーンを有するクロム膜を形成する方法において、
酸素、四塩化炭素および四フツ化炭素を体積比
19：５：３の比率で混合したものを、上記エツチ
ングガスとして用いることを特徴とするドライエ
ツチングによるパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077023A JPS60219748A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | ドライエツチングによるパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077023A JPS60219748A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | ドライエツチングによるパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219748A JPS60219748A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0343777B2 true JPH0343777B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=13622153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077023A Granted JPS60219748A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | ドライエツチングによるパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219748A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000214575A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Sharp Corp | クロムマスクの形成方法 |
| US7115523B2 (en) | 2000-05-22 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching photomasks |
| US6391790B1 (en) | 2000-05-22 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching photomasks |
| WO2001096955A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for etching metal layers on substrates |
| US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| WO2003021659A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| WO2004086143A2 (en) | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7077973B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS60148123A (ja) * | 1983-12-30 | 1985-08-05 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 乾式エツチング方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59077023A patent/JPS60219748A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60219748A (ja) | 1985-11-02 |
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