JPH0344352A - エステル誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は新規な光学活性エステル誘導体に関するもので
あシ、詳しくは液晶組成物の成分を合成する際に有用な
光学活性含フツ素エステル誘導体に関するものである。

（従来の技術） 液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
くの液晶化合物が合皮され、ネマチック液晶またはネマ
チック−コレステリック液晶が、ねじれネマチックモー
ド表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利
用表示素子またはゲスト・ホスト効果利用表示素子など
に広く利用されている。

しかし、これらの表示素子の応答速度は最高でも数ｍ　
ｓ　ｅ　ｃ　　のオーダーであシ、この点が液晶表示素
子の応用範囲をせばめる一因となっている。

最近になり強誘電性を示す液晶すなわち強誘電性液晶を
用いると、μｓｅｃオーダーの高速で応答が得られると
いうことがわかって来た。

従来知られている強誘電性液晶の例としては、ｌり７！
年にＲ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒらにより合成されたψ−（ｔＡ
′−ｎ−デシルオキシベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−
２−メチルブチルエステル（以下、ＤＯＢＡＭＢＣと記
す）が挙げられ、該ＤＯＢＡＭＢＣは、そのカイラルス
メクチックＣ相（以下、ＳｍＣ＊と記す）　にかいて強
誘電性を示すことを特徴としている（Ｊ、ＰｈｙＳｉｑ
ｕｅ。

ＪＡＬ−１２（ｌり７り）。

１９１０年にな、ｊ）Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋらが　ＤＯ８
ＡＭＢＣを使用した薄膜セルにかいてμｓｅｃオーダー
の高速応答を見い出して以来（Ａｐｐｌ　、ｐｈｙｓ　
、Ｌｅ　ｔ　ｔ　。

３Ａ　　１？（／９１０））　　多くの、強誘電性液晶
の合成研究がなされて来たが、現状では、（１）室温で
液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高温までの出
来るだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示すこと、 （２）水分、空気、光、熱等に対して安定であること、 （３）　　自発分極が大きく低粘性であること（４）応
答速度の速いこと （５）駆動電圧の低いこと 等の物性的要求の全てを単一化合物で満たす強誘電性液
晶化合物はなく、何種類かの強誘電性液晶化合物を組み
合せた組成物として用いることによって目的を達してい
る。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、かかる要求を満たす液晶組成物を与える化合
物を合成する際に有用な化合物を提供することを街の目
的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、一般式〔Ｉ〕 （式中、Ｒは炭素数２〜ｌ♂のアルキル基を示し、Ｃ＊
は不斉炭素原子を示す。）で表わされる光学活性エステ
ル誘導体を要旨するものである。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明のエステル誘導体は、前記一般式〔Ｉ〕１２の直
鎖状アルキル基が挙げられる。

その代表的なものは、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ロー
ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル
、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデ
シル等の直鎖状アルキル基が挙げられる。

本発明のエステル誘導体は例えば次の反応により合成す
ることが出来る。

（ＩＤ （ＩＩＩ） 〔■〕 （一般式（ＩＩ）、Ｃ１１ｌ）　　中のＲは前記一般式
ＣＩ）におけるのと同意義を示す。） 上記反応中〔Ａ〕　の反応は例えば、ピリジン中、ある
いはジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒またはベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒
中、ピリジン、キノリン、トリエチルアミン、トリエチ
レンジアミン等のアミン系脱酸刺咬たは炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム等の無機系脱酸剤の
存在下で、例えば、１０℃〜１２０℃の温度で反応する
ことにより、実施することが出来る。

ＣＢ）の脱アセチル化反応は、例えば、エチルエーテル
、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエー
テル系溶媒中、夕〜ｌｒＯ℃の温度で、ロープチルアミ
ン、ベンジルアミン等のアルキルアミンまたはアラルキ
ルアミンで処理することにより実施出来る。

本発明の一般式〔Ｉ〕　で表わされるエステル誘導体の
具体例としては、以下のものが挙げられる。

６−ヒトロキシナフタレンーコーカルボン［／’−トリ
フルオロメチルブチルエステル ６−ヒドロキシナフタレンーコーカルボン酸ｌ′−１−
ＩＪフルオロメチルペンチルエステル６−ヒドロキシナ
フタレン−λ−カルボン［ｌｆｆ／’−トリフルオロメ
チルヘキシルエステル６−ヒドロキシナフタレンーλ−
カルボン酸／′−トリフルオロメチルへブチルエステル
６−ヒドロキシナフタレンーコーカルボン酸ｌ′−ト１
７　フルオロメチルオクチルエステル６−ヒトロキシナ
フタレンー２−カルボン酸／′−）　＋７　フルオロメ
チルノニルエステル６−ヒドロキシナフタレン−２−カ
ルボン酸ｌ′−トリフルオロメチルーデシルエステル６
−ヒドロキシナフタレンーコーカルポン酸／′−ト’Ｊ
　フルオロメチルドデシルエステル２−ヒドロキシナフ
タレンーコーカルボン酸ｌ′−トリフルオロメチルトリ
デシルエステル６−ヒドロキシナフタレン−２−カルボ
ン酸／′−トリフルオロメチルトリデシルエステル６−
ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸ｌ′−トリフル
オロメチルヘキサデシルエステル６−ヒドロキシナフタ
レン−２−カルボン酸ｌ′−トリフルオロメチルステア
リルエステル本発明のエステル誘導体は、液晶組成物の
成分として有用な化合物の中間体、特に、強誘電性液晶
組成物の成分として有用な化合物の中間体として重要で
あり、例えば、前記一般式〔Ｉ〕で示される本発明のエ
ステル誘導体から下記〔Ｃ〕の反応によシ、強誘電性液
晶組成物の成分として極めて有用な一般式〔■〕で示さ
れる光学活性含フツ素エステル誘導体を合成することが
できる０ （ＩＶ） 〔Ｉ〕 〔■〕 （一般式〔■〕　及び〔Ｖ〕　に釦けるＲ２　は炭素数
２〜／♂のアルキル基を示す。） 上記の〔Ｃ〕の反応は前記〔Ａ〕の反応と同様な条件で
実施することが出来る。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例によシ具体的に説明するが、本発
明は、その要旨を超えない限す以下の実施例に限定され
るものではない。

実施例１ 一般式〔Ｉ〕にかいてＲ＝　Ｃ６Ｈ４３（ｎ）　で表わ
される化合物〔６−ヒトロキシナフタレンー２−カルボ
ン酸／’−１リフルオロメチルヘプチルエステル〕の合
成 （１）　　７−アセドキシナフタレンー２−カルボン酸
／’−ト１７フルオロメチルヘプチルエステルの合成 ６−アセドキシナフタレンー２−カルボン酸０．３７７
を塩化チオニルタｒｕｔと共に３時間加熱還流した後、
未反応の塩化チオニルを留去して、酸塩化物を得た。

ｌ−トリフルオロメチル−７−ヘプタツール（〔α）”
；”　＋２６．７　（Ｃ／、４ざψ、メタノール））Ｏ
Ｊｆ７％−よびトリエチレンジアミン０．３７　？をト
ルエン１０．ｌに溶解し、攪拌しながら室温で、上記酸
塩化物の全量をトルエン４ＡＯ扉１に溶解した溶液を滴
下し１０℃で１０時間攪拌した後、水／　００　ｒｔｔ
ｌ及びクロロホルム！Ｑｃｃを加える。分離した有機層
を６Ｎ−塩酸。

！係炭酸ナトリウム水溶液次いで水で中性になるまで洗
浄する。

有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去後シ
リカゲルカラムクロマトにより精製することによシ、目
的の下記の式 で表わされる２−アセトキシナフタレン−２−カルボン
酸／’−１リフルオロメチルヘプチルエステルｏ、ｏ　
ｒ　ｙを得た。

ＭＳ（ｍ／Ｚ）：３ｒ４　（Ｍ＋） （２）　　４−ヒドロキシナフタレン−２−カルボン酸
／′−トリフルオロメチルヘプチルエステルの合成 （１）で得られた６−アセドキシナフタレンー２−カル
ボン酸／’−トリフルオロメチルへブチルエステルθ、
”　？　ｈ　　ｎ　　７”　ｆルアミソ０．０／Ｉｆを
イソプロピルエーテル１０ｒｎｌニ加えて溶解し、室温
で１２時間攪拌した後、水／　００　、ｌ及びクロロホ
ルムｊＯｍｌを加よる。

分離した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去後シリカゲルカラムクロマトによう精製すること
により、下記の式で表わされる本発明のエステル誘導体
、Ａ　−ヒドロキシナフタレンーコーカルボン酸／’−
トリフルオロメチルヘプチルエステル０．０１２を得た
。

物性値 〔α〕ｒ　＋ｒθ、Ｐ　４ｔ０（（：’Ｏ，ｔｊ、クロ
ロホルム）ＩＲ（ＮａＣ１）：　　３１ＡＯＯ，２９２
！　、２１　夕０　。

／７３０．１７００　、／４２０　。

／４Ｌ１０．／３９０．／２６０゜ ／／　９０．１０９０　、　　♂６θｃｒｎ−１元素分
析値（％）　　Ｃ：ｔｔｔ、ｔｔ　　Ｈ：ｔ、タタＣ□
、■−１２、Ｆ２Ｏ３としての計算値（％）Ｃ：６ψ、
ψＯＨ：よ、り７ 実施例２ 実施例／にふ・いて光学活性／−トリフルオロメチル−
７−ヘプタツールを使用する代りに下記第１表に示す種
々の光学活性ｌ−トリフルオロメチル−／−アルカノー
ルを使用し他は実施例／の方法で反応を行いそれぞれ目
的の光学活性エステル誘導体を合成した。これ等の元素
分析値を下記の第１表に示す。

第１表 （発明の効果）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｒは、炭素数２〜１８のアルキル基を示し、Ｃ
   ＾＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされる光学活性エ
   ステル誘導体。