JPH0525094A - 光学活性エステル誘導体 - Google Patents

光学活性エステル誘導体

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JPH0525094A
JPH0525094A JP3202314A JP20231491A JPH0525094A JP H0525094 A JPH0525094 A JP H0525094A JP 3202314 A JP3202314 A JP 3202314A JP 20231491 A JP20231491 A JP 20231491A JP H0525094 A JPH0525094 A JP H0525094A
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JP
Japan
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biphenyl
carboxylate
phenyl
liquid crystal
ester derivative
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Application number
JP3202314A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Ozawa
鉄男 尾澤
Chiyoko Fukahori
ちよ子 深堀
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
Mitsubishi Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 強誘電性液晶表示素子材料として有用な光学
活性エステル誘導体を提供する。 【構成】 一般式〔I〕 【化1】 (式中、R1 およびR2 は、それぞれ炭素数2〜18の
アルキル基を示し、Xは単結合又は酸素原子を示し、Y
は−COO−または単結合を示し、mおよびnはそれぞ
れ1または2を示し、かつmおよびnの少なくとも一方
は1を示し、C*は不斉炭素原子を示す。)で表わされ
る光学活性なエステル誘導体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な光学活性エステル
誘導体に関するものであり、詳しくは液晶組成物の成分
として有用な光学活性エステル誘導体に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】液晶化合物が電気光学表示装置に利用さ
れて以来、数多くの液晶化合物が合成され、ネマチック
液晶またはネマチック−コレステリック液晶が、ねじれ
ネマチックモード表示素子、コレステリック−ネマチッ
ク相転移現象利用表示素子またはゲスト・ホスト効果利
用表示素子等に広く利用されている。しかしながら、こ
れらの表示素子の応答速度は、最高でも数msecのオ
ーダーであり、この点が液晶表示素子の応用範囲を狭め
る一因となっている。
【0003】最近になり、強誘電性を示す液晶、すなわ
ち強誘電性液晶を用いると、μsecオーダーの高速で
応答が得られるということがわかってきた。従来知られ
ている強誘電性液晶の例としては、1975年にR.
M.Meyer等により合成された4−(4′−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2−メチル
ブチルエステル(以下、DOBAMBCと略記する。)
が挙げられる。このDOBAMBCは、そのカイラルス
メクチックC相(以下、SmC*と略記する。)におい
て、強誘電性を示すという特徴を有している(J.Ph
ysique.36L−69(1975))。1980
年になり、N.A.Clark等によって、DOBAM
BCを使用した薄膜セルにおいてμsecオーダーの高
速応答が見いだされて以来(Appl.phys Le
tt.36 89(1980))、強誘電性液晶の合成
研究が数多くなされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単一の
化合物で、次のような物性的要求、すなわち、(1)室
温で液晶状態であるのは勿論のこと、低温から高温まで
のできるだけ広い範囲で強誘電性液晶状態を示すこと、
(2)水分、空気、光、熱等に対して安定であること、
(3)自発分極が大きく低粘性であること、(4)応答
速度が速いこと、(5)駆動電圧が低いこと、等の物性
的要求の全てを満たす強誘電性液晶化合物は、未だ見い
だされていない。したがって、現状では、何種類かの液
晶化合物同士、または液晶化合物と非液晶化合物とを混
合して液晶組成物を作成して強誘電性液晶表示素子に使
用することによって、上記の物性的諸要求に対処してお
り、単一の化合物でこれら物性的諸要求の全てを満たす
強誘電性液晶化合物の出現が求められている。
【0005】本発明は、上記のような実情に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、強誘電性液晶表示素子
材料として好適な、新規な光学活性エステル誘導体を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の光学活性なエス
テル誘導体は、一般式〔I〕
【0007】
【化2】
【0008】(式中、R1 およびR2 は、それぞれ炭素
数2〜18のアルキル基を示し、Xは単結合又は酸素原
子を示し、Yは−COO−または単結合を示し、mおよ
びnは、それぞれ1または2を示し、かつmおよびnの
少なくとも一方は1を示し、C*は不斉炭素原子を示
す。)で表わされることを特徴とする。
【0009】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
のエステル誘導体において、前記一般式〔I〕中、R1
およびR2 としては、炭素数2〜18のアルキル基が挙
げられ、好ましくは炭素数2〜15の直鎖状アルキル
基、例えば、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−
ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチ
ル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ド
デシル等が挙げられる。本発明のエステル誘導体は、例
えば、次の反応により合成することができる。
【0010】(1)Y=−COO−の場合
【化3】
【0011】(2)Y=単結合の場合
【化4】 (反応式〔A〕、〔B〕、〔C〕および〔D〕中、
R1 、R2 、X、mおよびnは、前記一般式〔I〕にお
けると同意義を示す。)
【0012】上記反応中、〔A〕および[C〕の反応
は、例えば塩化チオニル、塩化ベンゾイル等の塩素化剤
を使用して、50〜100℃の温度で実施することがで
きる。また、〔B〕および〔D〕の反応は、例えば、ピ
リジン中で、あるいはジオキサン、テトラヒドロフラン
等のエーテル系溶媒またはベンゼン、トルエン等の芳香
族炭化水素系溶媒中、ピリジン、キノリン、トリエチル
アミン等のアミン系脱酸剤または炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、重炭酸ナトリウム等の無機系脱酸剤の存在下
で、例えば、10〜150℃の温度で反応することによ
り、実施することができる。
【0013】本発明に係るエステル誘導体の具体例とし
ては、例えば、下記のものを挙げることができる。4−
(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカルボニル)
フェニル−4′−(1−メチルプロピルカルボニルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4−(1−ト
リフルオロメチルヘプチルオキシカルボニル)フェニル
−4′−(1−メチルペンチルカルボニルオキシ)ビフ
ェニル−4−カルボキシレート、4−(1−トリフルオ
ロメチルヘプチルオキシカルボニル)フェニル−4′−
(1−メチルオクチルカルボニルオキシ)ビフェニル−
4−カルボキシレート、4−(1−トリフルオロメチル
ヘプチルオキシカルボニル)フェニル−4′−(1−メ
チルデシルカルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボ
キシレート、4−(1−トリフルオロメチルオクチルオ
キシカルボニル)フェニル−4′−(1−メチルヘキシ
ルカルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト、4−(1−トリフルオロメチルオクチルオキシカル
ボニル)フェニル−4′−(1−メチルノニルカルボニ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4−
(1−トリフルオロメチルオクチルオキシカルボニル)
フェニル−4′−(1−メチルドデシルカルボニルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4−(1−ト
リフルオロメチルペンチルオキシカルボニル)フェニル
−4′−(1−メチルブチルカルボニルオキシ)ビフェ
ニル−4−カルボキシレート、4−(1−トリフルオロ
メチルヘキシルオキシカルボニル)フェニル−4′−
(1−メチルヘプチルカルボニルオキシ)ビフェニル−
4−カルボキシレート、4−(1−トリフルオロメチル
ノニルオキシカルボニル)フェニル−4′−(1−メチ
ルヘキシルカルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボ
キシレート、
【0014】4−(1−トリフルオロメチルノニルオキ
シカルボニル)フェニル−4′−(1−メチルプロピル
カルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト、4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカル
ボニル)フェニル−4′−(1−ヘキシルオキシエチル
カルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト、4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカル
ボニル)フェニル−4′−(1−ブチルオキシエチルカ
ルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート、
4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカルボニ
ル)フェニル−4′−(1−オクチルオキシエチルカル
ボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4
−(1−トリフルオロメチルノニルオキシカルボニル)
フェニル−4′−(1−プロピルオキシエチルカルボニ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4−
(1−トリフルオロメチルノニルオキシカルボニル)フ
ェニル−4′−(1−ペンチルオキシエチルカルボニル
オキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート、4−(1
−トリフルオロメチルペンチルオキシカルボニル)フェ
ニル−4′−(1−デシルオキシエチルカルボニルオキ
シ)ビフエニル−4−カルボキシレート、4−(1−ト
リフルオロメチルペンチルオキシカルボニル)フェニル
−4′−(1−ウンデシルオキシエチルカルボニルオキ
シ)ビフェニル−4−カルボキシレート、{4′−(1
−トリフルオロメチルノニルオキシカルボニル)フェニ
ル−4−イル}−4−(1−メチルペンチルカルボニル
オキシ)フェニル カルボキシレート、{4′−(1−
トリフルオロメチルヘプチルオキシカルボニル)ビフェ
ニル−4−イル}−4−(1−メチルヘプチルカルボニ
ルオキシ)フェニル カルボキシレート、
【0015】{4′−(1−トリフルオロメチルドデシ
ルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−4−
(1−メチルブチルカルボニルオキシ)フェニル カル
ボキシレート、{4′−(1−トリフルオロメチルウン
デシルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−4
−(1−メチルプロピルカルボニルオキシ)フェニル
カルボキシレート、{4′−(1−トリフルオロメチル
ペンチルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−
4−(1−メチルオクチルカルボニルオキシ)フェニル
カルボキシレート、{4′−(1−トリフルオロメチ
ルヘキシルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}
−4−(1−ヘキシルオキシエチルカルボニルオキシ)
フェニル カルボキシレート、{4′−(1−トリフル
オロメチルヘプチルオキシカルボニル)ビフェニル−4
−イル}−4−(1−ブチルオキシエチルカルボニルオ
キシ)フェニル カルボキシレート、{4′−(1−ト
リフルオロメチルノニルオキシカルボニル)ビフェニル
−4−イル}−4−(1−ヘプチルオキシエチルカルボ
ニルオキシ)フェニル カルボキシレート、{4′−
(1−トリフルオロメチルオクチルオキシカルボニル)
ビフェニル−4−イル}−4−(1−オクチルオキシエ
チルカルボニルオキシ)フェニル カルボキシレート、
{4′−(1−トリフルオロメチルペンタデシルオキシ
カルボニル)ビフェニル−4−イル}−4−(1−プロ
ピルオキシエチルカルボニルオキシ)フェニルカルボキ
シレート、{4′−(1−トリフルオロメチルウンデシ
ルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−4−
(1−ブチルオキシエチルカルボニルオキシ)フェニル
カルボキシレート、{4′−(1−トリフルオロメチ
ルデシルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−
4−(1−ペンチルオキシエチルカルボニルオキシ)フ
ェニル カルボキシレート、
【0016】{4′−(1−トリフルオロメチルデシル
オキシカルボニル)ビフェニル−4−イル}−4−(1
−ヘキシルオキシエチルカルボニルオキシ)フェニル
カルボキシレート、4′−(1−トリフルオロメチルヘ
プチルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル−1−
メチルヘキシル カルボキシレート、4′−(1−トリ
フルオロメチルオクチルオキシカルボニル)ビフェニル
−4−イル−1−メチルヘプチル カルボキシレート、
4′−(1−トリフルオロメチルノニルオキシカルボニ
ル)ビフェニル−4−イル−1−メチルブチル カルボ
キシレート、4′−(1−トリフルオロメチルウンデシ
ルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル−1−メチ
ルブチル カルボキシレート、4′−(1−トリフルオ
ロメチルヘプチルオキシカルボニル)ビフェニル−4−
イル−1−ヘキシルオキシエチル カルボキシレート、
4′−(1−トリフルオロメチルデシルオキシカルボニ
ル)ビフェニル−4−イル−1−ヘキシルオキシエチル
カルボキシレート、4′−(1−トリフルオロメチル
ペンタデシルオキシカルボニル)ビフェニル−4−イル
−1−ペンチルオキシエチルカルボキシレート、4′−
(1−トリフルオロメチルノニルオキシカルボニル)ビ
フェニル−4−イル−1−ブチルオキシエチル カルボ
キシレート。
【0017】本発明のエステル誘導体は、1種類であっ
ても、2種類以上の混合物であっても、液晶化合物とし
て用いることができ、更には、適当な公知の液晶化合物
と組み合わせて使用することもできる。公知の液晶化合
物に本発明のエステル誘導体を混合することにより、高
温部の液晶温度範囲の広い液晶組成物を得ることができ
る。そのような公知の液晶化合物としては、エステル
系、ジエステル系、アゾキシ系、シッフ系、ピリミジン
系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、シクロ
ヘキシルシクロヘキサン系、ビシクロオクタン系、ジオ
キサン系、あるいはベンゼン環、シクロヘキサン環より
なる多環式化合物系等が挙げられる。更に、本発明のエ
ステル誘導体用いて液晶組成物を形成する場合、公知の
二色性色素、光安定化剤あるいは減粘剤等の添加剤を併
用することができる。
【0018】
【実施例】次に、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。 実施例1 {4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキシカルボ
ニル)フェニル−4′−(1−メチルプロピルカルボニ
ルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレート}〔一般
式〔I〕において、R1 =C2 H5 、R2 =C6 H
13(n)、m=2、n=1、X=単結合、Y=−COO
−で表わされる化合物〕の合成
【0019】(1)(S)−(+)−2−メチルブチル
酸 613mgに塩化チオニル10mlを加え、5.5時間
加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去し、
(S)−(+)−2−メチルブチル酸塩化物を得た。こ
の塩化物全量をトルエン6mlに溶解した溶液を、4′
−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸1.285g
をトルエン6mlとピリジン12mlに溶解した溶液中
に氷冷下滴下した。滴下終了後、60℃にて12時間撹
拌し、溶媒を留去し、析出した結晶をメタノールにて再
結晶することにより、4′−(1−メチルプロピルカル
ボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボン酸551mg
を得た。
【0020】(2)上記(1)で得られたカルボン酸誘
導体200mgに、塩化チオニル5mlを加え、5時間
加熱還流した後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去し、
4′−(1−メチルプロピルカルボニルオキシ)ビフェ
ニル−4−カルボン酸塩化物を得た。
【0021】この塩化物全量を塩化メチレン3mlに溶
解した溶液を(R)−(+)−4−ヒドロキシ安息香酸
−1−トリフルオロメチルヘプチルエステル 204mgを塩化メチレン3mlとピリジン3mlに溶
解した溶液中に氷冷下滴下した。滴下終了後、室温にて
一昼夜放置した後、水50ml中に注加した。クロロホ
ルムにて抽出し、有機層を2N塩酸、飽和食塩水にて順
次洗浄した後、芒硝にて乾燥した。クロロホルムを留去
した後、シリカゲルカラムクロマトを用いて精製するこ
とにより目的の下記の式で表わされるエステル誘導体3
22mgを得た。
【0022】
【化5】
【0023】MS(m/z);584(M+) IR(KBr);2970,2950,2870,17
60,1740,1610,1510,1470,14
20,1400,1360,1270,1220,11
90,1170,1130,1120,1070,10
20,1010cm-1 この化合物の相転移温度は以下の如くである。
【0024】
【数1】 (但し、Cryは結晶相、SmAはスメクチックA相、
Isoは等方性液体を示す。)
【0025】実施例2 実施例1における(R)−(+)−4−ヒドロキシ安息
香酸−1−トリオフルオロメチルヘプチルエステルの代
わりに、(S)−(−)−4−ヒドロキシ安息香酸−1
−トリオフルオロメチルヘプチルエステル を同量使用し、他は実施例1と同様にして下記式で表わ
されるエステル誘導体212mgを得た。
【0026】
【化6】
【0027】MS(m/z):584(M+) IR(KBr):2970,2950,2870,17
60,1740,1610,1510,1470,14
20,1400,1370,1270,1220,11
90,1170,1130,1120,1070,10
20,1010cm-1 この化合物の相転移温度は以下の如くである。
【0028】
【数2】 (但し、Cryは結晶相、SmAはスメクチックA相、
Isoは等方性液体を示す。)
【0029】実施例3 {4−(1−トリフルオロメチルヘプチルオキオシカル
ボニル)フェニル−4′−(1−ヘキシルオキオシエチ
ルカルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボキシレー
ト}〔一般式〔I〕において、R1 =R2 =−C6 H13
(n)、X=−O−、Y=−COO−、m=2、n=1
で表わされる化合物〕の合成
【0030】(1) L−乳酸エチル12.0gとヨウ
化ヘキシル25.8gを、ジメチルホルムアミド80m
lに溶解し、酸化銀23.6gを加えた。60℃にて1
4時間撹拌後、濾過して不溶物を除き、水中に注加して
ヘキサンにより抽出した。有機層を芒硝乾燥後、減圧濃
縮して得られた残渣を減圧蒸留して、2−ヘキシルオキ
シプロピオン酸エチル8.0gを得た。
【0031】(2)上記(1)で得られた2−ヘキシル
オキシプロピオン酸エチル4.0gを、5N水酸化ナト
リウム水溶液20mlに溶解し、室温にて3時間撹拌し
た。氷冷下、2N塩酸にてpH3として塩化メチレンに
て抽出した。有機層を乾燥後、溶媒を留去して、2−ヘ
キシルオキシプロピオン酸3.25gを得た。
【0032】(3)上記(2)で得られた2−ヘキシル
オキシプロピオン酸3.25gに塩化チオニル16ml
を加え、4時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留
去して2−ヘキシルオキシプロピオン酸塩化物を得た。
この酸塩化物全量を塩化メチレン35mlに溶解した溶
液を、4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸
3.81gを塩化メチレン35mlとピリジン35ml
に溶解した溶液中に滴下した。滴下終了後、8時間加熱
還流した後、中和し、溶液を留去して得られた残渣をメ
タノールより再結晶して、4′−(1−ヘキシルオキシ
−エチルカルボニルオキシ)ビフェニル−4−カルボン
酸の白色結晶1.07gを得た。
【0033】(4)上記(3)で得られたカルボン酸誘
導体370mgに塩化チオニル8mlを加え、5時間加
熱還流した。過剰の塩化チオニルを留去して、4′−
(1−ヘキシルオキシエチルカルボニルオキシ)ビフェ
ニル−4−カルボン酸塩化物を得た。この塩化物全量を
塩化メチレン5mlに溶解した溶液を、(R)−(+)
−4−ヒドロキシ安息香酸−1−トリフルオロメチルヘ
プチルエステル304mgを塩化メチレン5mlとピリ
ジン5mlに溶解した溶液中に氷冷下滴下した。滴下終
了後、室温にて一昼夜放置した後、水60ml中に注加
した。クロロホルムにて抽出し、有機層を2N塩酸、飽
和食塩水にて順次洗浄した後、芒硝にて乾燥した。クロ
ロホルムを留去後、シリカゲルカラムクロマトを用いて
精製することにより目的の下記式で表わされるエステル
誘導体186mgを得た。
【0034】
【化7】
【0035】MS:656(M+) IR(KBr):2970,2950,2870.17
70,1740,1610,1510,1260,12
10,1180,1170,1120,1070,10
20,1010cm-1 Mp:−2.8℃
【0036】実施例4 実施例3における(R)−(+)−4−ヒドロキシ安息
香酸−1−トリフルオロメチルヘプチルエステルの代わ
りに、(S)−(−)−4−ヒドロキシ安息香酸−1−
トリフルオロメチルヘプチルエステルを同量使用し、他
は実施例3と同様にして下記式で表わされるエステル誘
導体383mgを得た。
【0037】
【化8】
【0038】MS:656(M+) IR(KBr):2970,2950,2870,17
80,1740,1610,1510,1260,12
10,1190,1170,1120,1070,10
20,1010cm-1 Mp:16.7℃
【0039】
【発明の効果】本発明のエステル誘導体は、強誘電性を
示す液晶化合物であって、液晶テレビ等のディスプレ
イ、光プリンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライト
バルブ等に使用する強誘電性液晶組成物用の成分として
有用である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 一般式〔I〕 【化1】 (式中、R1 およびR2 は、それぞれ炭素数2〜18の
    アルキル基を示し、Xは単結合又は酸素原子を示し、Y
    は−COO−または単結合を示し、mおよびnはそれぞ
    れ1または2を示し、かつmおよびnの少なくとも一方
    は1を示し、C*は不斉炭素原子を示す。)で表わされ
    るエステル誘導体。
JP3202314A 1991-07-18 1991-07-18 光学活性エステル誘導体 Pending JPH0525094A (ja)

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JP3202314A JPH0525094A (ja) 1991-07-18 1991-07-18 光学活性エステル誘導体

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JP3202314A JPH0525094A (ja) 1991-07-18 1991-07-18 光学活性エステル誘導体

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JPH0525094A true JPH0525094A (ja) 1993-02-02

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