JPH0344364B2 - - Google Patents
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- JPH0344364B2 JPH0344364B2 JP20969082A JP20969082A JPH0344364B2 JP H0344364 B2 JPH0344364 B2 JP H0344364B2 JP 20969082 A JP20969082 A JP 20969082A JP 20969082 A JP20969082 A JP 20969082A JP H0344364 B2 JPH0344364 B2 JP H0344364B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、磁気記録媒体に記録された信号を
再生する装置に係り、特に磁気記録媒体からの記
録磁界を磁性体の高周波特性の変化として検出し
て再生を行なう磁気的再生装置に関する。
再生する装置に係り、特に磁気記録媒体からの記
録磁界を磁性体の高周波特性の変化として検出し
て再生を行なう磁気的再生装置に関する。
磁気記録媒体からの記録信号に基く磁界（記録
磁界）による磁性体の電磁気的特性の変化を利用
して磁気記録信号を再生する方式については、磁
気抵抗効果を利用したものが知られているが、本
発明者らは高密度記録再生に極めてすぐれた方式
として、記録磁界による磁性体の高周波特性の変
化として特にテンソル透磁率μ′およびその損失項
μ″の変化を利用する方式を既に提案している。こ
の方式は再生ヘツドにフエライト、パーマロイ、
アモルフアス合金等の磁性体を使用し、この磁性
体に結合された高周波回路のインピーダンス変化
による高周波出力電圧の変化を検波整流すること
により記録信号を再生するものである。
磁界）による磁性体の電磁気的特性の変化を利用
して磁気記録信号を再生する方式については、磁
気抵抗効果を利用したものが知られているが、本
発明者らは高密度記録再生に極めてすぐれた方式
として、記録磁界による磁性体の高周波特性の変
化として特にテンソル透磁率μ′およびその損失項
μ″の変化を利用する方式を既に提案している。こ
の方式は再生ヘツドにフエライト、パーマロイ、
アモルフアス合金等の磁性体を使用し、この磁性
体に結合された高周波回路のインピーダンス変化
による高周波出力電圧の変化を検波整流すること
により記録信号を再生するものである。
ところで、一般に高周波における磁性体のμ′お
よびμ″は外部磁界により第１図に示したような変
化を起こす。この図で低磁界におけるμ′，μ″の変
化１１は磁性体の不飽和領域で起こる低磁界損失
を示し、高磁界におけるμ′，μ″の変化１２は磁性
体の飽和領域で起こる強磁性共鳴を示す。HRは
強磁性共鳴磁界を示す。この図からわかるよう
に、低磁界損失よりも強磁性共鳴を利用した方が
磁性体のμ′，μ″の変化が格段と大きく、したがつ
て僅かな磁界の変化により高周波回路のインピー
ダンス変化が大きく生じ、極めて高感度でSN比
の良い再生が可能となる。
よびμ″は外部磁界により第１図に示したような変
化を起こす。この図で低磁界におけるμ′，μ″の変
化１１は磁性体の不飽和領域で起こる低磁界損失
を示し、高磁界におけるμ′，μ″の変化１２は磁性
体の飽和領域で起こる強磁性共鳴を示す。HRは
強磁性共鳴磁界を示す。この図からわかるよう
に、低磁界損失よりも強磁性共鳴を利用した方が
磁性体のμ′，μ″の変化が格段と大きく、したがつ
て僅かな磁界の変化により高周波回路のインピー
ダンス変化が大きく生じ、極めて高感度でSN比
の良い再生が可能となる。
ところが、強磁性共鳴を用いて実際に記録磁界
を検出し再生を行なう場合には、動作点を強磁性
共鳴によるμ′，μ″の大きな変化が生ずるところに
設定するために、外部磁界として記録磁界以外に
大きなバイアス磁界が必要になる。したがつて記
録媒体の近傍に新たな磁界源が存在することにな
り、その強さと方向によつては記録磁界の減磁等
の問題が発生する。
を検出し再生を行なう場合には、動作点を強磁性
共鳴によるμ′，μ″の大きな変化が生ずるところに
設定するために、外部磁界として記録磁界以外に
大きなバイアス磁界が必要になる。したがつて記
録媒体の近傍に新たな磁界源が存在することにな
り、その強さと方向によつては記録磁界の減磁等
の問題が発生する。
この発明は、バイアス磁界を使用せずに磁性体
を飽和させることにより強磁性共鳴を利用して極
めて高感度な再生を行なうことができる磁気的再
生装置を提供することを目的とする。
を飽和させることにより強磁性共鳴を利用して極
めて高感度な再生を行なうことができる磁気的再
生装置を提供することを目的とする。
すなわち、この発明は磁性体に磁気異方性を付
与することにより生じる異方性磁界をバイアス磁
界の代わりに用いて磁性体に強磁性共鳴を起こさ
せ、それによつて磁性体に記録磁界に応じた高周
波特性の変化を生じせしめるようにしたことを特
徴としている。
与することにより生じる異方性磁界をバイアス磁
界の代わりに用いて磁性体に強磁性共鳴を起こさ
せ、それによつて磁性体に記録磁界に応じた高周
波特性の変化を生じせしめるようにしたことを特
徴としている。
この発明によれば、バイアス磁界を付加するこ
となく強磁性共鳴により極めて高感度な磁気記録
信号の再生が可能になる。これによりバイアス磁
界による媒体の記録磁界の減磁等のバイアス磁界
を用いることに起因する問題も解消することがで
きる。
となく強磁性共鳴により極めて高感度な磁気記録
信号の再生が可能になる。これによりバイアス磁
界による媒体の記録磁界の減磁等のバイアス磁界
を用いることに起因する問題も解消することがで
きる。
第２図は本発明の一実施例を示すものである。
図において、２１は磁気記録媒体、２２はその記
録トラツクであり、この記録トラツク２２に対向
して、薄板状の磁性体２３の両面に電極２４ａ，
２４ｂを被着してなる再生ヘツドが設けられてい
る。磁性体２３としてはパーマロイやアモルフア
ス合金等の導電性の磁性体、またはフエライト等
の絶縁性の磁性体が使用される。この場合、磁性
体２３と電極２４ａ，２４ｂとの間にSiO2等の
絶縁物を挿入してキヤパシタンスを持たせ、高周
波回路の特性を調整することも可能である。電極
２４ａ，２４ｂは高周波回路２５に接続されてい
る。高周波回路２５は高周波発振器２６、整合用
コンデンサ２７，２８および共振コンデンサ２９
等により構成される。この場合、高周波発振器２
６から電極２４ａ，２４ｂを通して磁性体２３の
厚み方向に高周波信号が印加される。このとき、
高周波回路２５から、磁気記録媒体２１よりの記
録磁界による磁性体２３のインピーダンス変化に
応じた高周波出力電圧が得られる。従つて、この
高周波出力電圧を例えばダイオード３１と抵抗３
２およびコンデンサ３３からなるピーク検波回路
３０で検波することにより、信号再生出力３４を
得ることができる。
図において、２１は磁気記録媒体、２２はその記
録トラツクであり、この記録トラツク２２に対向
して、薄板状の磁性体２３の両面に電極２４ａ，
２４ｂを被着してなる再生ヘツドが設けられてい
る。磁性体２３としてはパーマロイやアモルフア
ス合金等の導電性の磁性体、またはフエライト等
の絶縁性の磁性体が使用される。この場合、磁性
体２３と電極２４ａ，２４ｂとの間にSiO2等の
絶縁物を挿入してキヤパシタンスを持たせ、高周
波回路の特性を調整することも可能である。電極
２４ａ，２４ｂは高周波回路２５に接続されてい
る。高周波回路２５は高周波発振器２６、整合用
コンデンサ２７，２８および共振コンデンサ２９
等により構成される。この場合、高周波発振器２
６から電極２４ａ，２４ｂを通して磁性体２３の
厚み方向に高周波信号が印加される。このとき、
高周波回路２５から、磁気記録媒体２１よりの記
録磁界による磁性体２３のインピーダンス変化に
応じた高周波出力電圧が得られる。従つて、この
高周波出力電圧を例えばダイオード３１と抵抗３
２およびコンデンサ３３からなるピーク検波回路
３０で検波することにより、信号再生出力３４を
得ることができる。
さて、記録トラツク２２の長さ方向ｘ、トラツ
ク垂直方向（記録媒体２１の厚み方向）をｙ、ト
ラツク２２の幅方向をｚとすると、記録磁界HS
と同じ方向（この例ではｙ方向）に磁性体２３に
磁気異方性を与え、異方性磁界HKを発生させる。
この場合、磁性体２３のＭ−Ｈ曲線は第３図に示
したようになる。すなわち磁性体２３は磁気モー
メントが＋ｙ方向にそろうか（第３図では磁界に
対して磁化Ｍが＋MSを示す領域）、或いは−ｙ方
向にそろうか（第３図では磁界に対して磁化Ｍが
−MSを示す領域）のいづれかの単磁区（或いは
それに近い状態）構造となり、磁界が−HCより
も減少すると＋ｙ方向から−ｙ方向へ、また磁界
がHCよりも増大すると−ｙ方向から＋ｙ方向へ
磁気モーメントが反転する。この結果、保磁力
HCよりも小さな記録磁界HSに対して磁性体２３
はバイアス磁界の付加なしに磁気モーメントが１
つの方向に保たれ、バイアス磁界が全くなくと
も、条件を適当に設定することにより強磁性共鳴
を起こすことが可能になる。
ク垂直方向（記録媒体２１の厚み方向）をｙ、ト
ラツク２２の幅方向をｚとすると、記録磁界HS
と同じ方向（この例ではｙ方向）に磁性体２３に
磁気異方性を与え、異方性磁界HKを発生させる。
この場合、磁性体２３のＭ−Ｈ曲線は第３図に示
したようになる。すなわち磁性体２３は磁気モー
メントが＋ｙ方向にそろうか（第３図では磁界に
対して磁化Ｍが＋MSを示す領域）、或いは−ｙ方
向にそろうか（第３図では磁界に対して磁化Ｍが
−MSを示す領域）のいづれかの単磁区（或いは
それに近い状態）構造となり、磁界が−HCより
も減少すると＋ｙ方向から−ｙ方向へ、また磁界
がHCよりも増大すると−ｙ方向から＋ｙ方向へ
磁気モーメントが反転する。この結果、保磁力
HCよりも小さな記録磁界HSに対して磁性体２３
はバイアス磁界の付加なしに磁気モーメントが１
つの方向に保たれ、バイアス磁界が全くなくと
も、条件を適当に設定することにより強磁性共鳴
を起こすことが可能になる。
ここで強磁性共鳴の生じる条件について説明す
ると、一般に第１図に示した強磁性共鳴の外部共
鳴磁界HR（ｙ方向）は、これに直交するｘ−ｚ平
面に加える高周波磁界の周波数に対して以下の
関係になる。
ると、一般に第１図に示した強磁性共鳴の外部共
鳴磁界HR（ｙ方向）は、これに直交するｘ−ｚ平
面に加える高周波磁界の周波数に対して以下の
関係になる。
＝γ〔｛HR＋（Nx−Ny）MS
＋（HAy−HAx）｝｛HR＋（Nz−Ny）MS
＋（HAy−HAz）〕1/2 …(1)
γ：ジヤイロマグネテイツク比で通常2.8MHz／
エルステツド Nx,y,z：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｙ方向と
した場合の反磁界係数 MS：飽和磁化 NAx,Ay,Az：共鳴磁界の方向をｙ方向とした場合の
異方性磁界 第２図の実施例では、高周波発振器２６から供
給した高周波信号により磁性体２３に加わる高周
波磁界はyz面内で回転する磁界となり、記録磁
界（外部磁界）の方向（ｙ方向）とこの高周波磁
界の方向（ｚ方向）は直交するので強磁性共鳴が
起こり、(1)式にNx＝１、Ny＝Nz＝０を、また磁
性体２３に与えた磁気異方性による異方性磁界を
HKとしてHAx＝HAz＝０、HAy＝HKを代入すると ＝γ√（R＋S＋K）（R＋K）…(2) となる。したがつて、高周波信号の周波数、或
は異方性磁界HKの大きさを変化させることによ
り、任意の外部磁界に共鳴磁界を設定できる。特
に外部磁界HR＝０の場合には(2)式は ＝γ√（S＋K）K …(3) となる。
エルステツド Nx,y,z：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｙ方向と
した場合の反磁界係数 MS：飽和磁化 NAx,Ay,Az：共鳴磁界の方向をｙ方向とした場合の
異方性磁界 第２図の実施例では、高周波発振器２６から供
給した高周波信号により磁性体２３に加わる高周
波磁界はyz面内で回転する磁界となり、記録磁
界（外部磁界）の方向（ｙ方向）とこの高周波磁
界の方向（ｚ方向）は直交するので強磁性共鳴が
起こり、(1)式にNx＝１、Ny＝Nz＝０を、また磁
性体２３に与えた磁気異方性による異方性磁界を
HKとしてHAx＝HAz＝０、HAy＝HKを代入すると ＝γ√（R＋S＋K）（R＋K）…(2) となる。したがつて、高周波信号の周波数、或
は異方性磁界HKの大きさを変化させることによ
り、任意の外部磁界に共鳴磁界を設定できる。特
に外部磁界HR＝０の場合には(2)式は ＝γ√（S＋K）K …(3) となる。
次に実際にどのような外部磁界に共鳴磁界を設
定するかについての一例を説明する。わかり易く
するためにμ″の変化を例にとり説明すると、第４
図に示したように、μ″の磁界に対する最も変化率
の大きく線型の部分が外部磁界の０となるように
(2)式を考慮して共鳴磁界を設定する。この場合、
バイアス磁界を加えることなく−HsnからHsnま
での記録磁界HSが加わるだけで、μ″0−Δμ″nから
μ″0＋Δμ″nまでの記録磁界HSに応じたμ″の変化を
得ることができる。すなわち、異方性磁界HKを
用いることにより、磁界による磁性体２３のμ′お
よびμ″の変化を、外部磁界が０のところで線型で
且つ大きい状態に設定することができ、バイアス
磁界を付加することなく記録磁界HKの変化を磁
性体２３の高周波特性の変化、すなわち再生出力
３４として取り出すことができる。
定するかについての一例を説明する。わかり易く
するためにμ″の変化を例にとり説明すると、第４
図に示したように、μ″の磁界に対する最も変化率
の大きく線型の部分が外部磁界の０となるように
(2)式を考慮して共鳴磁界を設定する。この場合、
バイアス磁界を加えることなく−HsnからHsnま
での記録磁界HSが加わるだけで、μ″0−Δμ″nから
μ″0＋Δμ″nまでの記録磁界HSに応じたμ″の変化を
得ることができる。すなわち、異方性磁界HKを
用いることにより、磁界による磁性体２３のμ′お
よびμ″の変化を、外部磁界が０のところで線型で
且つ大きい状態に設定することができ、バイアス
磁界を付加することなく記録磁界HKの変化を磁
性体２３の高周波特性の変化、すなわち再生出力
３４として取り出すことができる。
共鳴磁界の別の設定例を第５図を参照してμ″を
例にとつて説明する。この図は外部磁界が０のと
ころに強磁性共鳴のピークが来るように異方性磁
界HKの大きさ或いは供給高周波信号の周波数を
設定した場合で、μ″の変化を外部磁界に対して対
称に設定する。この図からわかるように、バイア
ス磁界なしで−HsnからHsnまでの記録磁界HSが
加わるとμ″はμ″0からμ″0−Δμ″nまで変化し、
記
録磁界HSの周波数に対して２倍の周波数の変化
が得られる。また、第４図の場合では、μ″曲線の
半値幅を小さくしなるべく大きなμ″の変化が起こ
るようにすると、記録磁界HSが共鳴磁界すなわ
ちμ″のピークを越え易くなり、そのような場合、
μ″の変化は逆方向の変化となりμ″は記録磁界HS
の大きさに応じて複雑な変化を生じる。さらに保
磁力HCを越えるような磁界が磁性体２３に及ん
だ場合、磁化反転が生じ異方性磁界Hkの方向が
180゜異なるため、記録磁界HSに応じたμ″の変化は
磁化反転の起こる前に比べて180゜位相が異なるよ
うになる。これに反して外部磁界に対してμ″の変
化の対称な第５図の場合では記録磁界HSに応じ
たμ″の変化は単調減少であり、また、もし保磁力
を越えるような大きな磁界が磁性体２３に及び磁
化反転が起こつても、第４図の場合のような位相
の変化は起こらず安定した再生ができる特徴を有
する。
例にとつて説明する。この図は外部磁界が０のと
ころに強磁性共鳴のピークが来るように異方性磁
界HKの大きさ或いは供給高周波信号の周波数を
設定した場合で、μ″の変化を外部磁界に対して対
称に設定する。この図からわかるように、バイア
ス磁界なしで−HsnからHsnまでの記録磁界HSが
加わるとμ″はμ″0からμ″0−Δμ″nまで変化し、
記
録磁界HSの周波数に対して２倍の周波数の変化
が得られる。また、第４図の場合では、μ″曲線の
半値幅を小さくしなるべく大きなμ″の変化が起こ
るようにすると、記録磁界HSが共鳴磁界すなわ
ちμ″のピークを越え易くなり、そのような場合、
μ″の変化は逆方向の変化となりμ″は記録磁界HS
の大きさに応じて複雑な変化を生じる。さらに保
磁力HCを越えるような磁界が磁性体２３に及ん
だ場合、磁化反転が生じ異方性磁界Hkの方向が
180゜異なるため、記録磁界HSに応じたμ″の変化は
磁化反転の起こる前に比べて180゜位相が異なるよ
うになる。これに反して外部磁界に対してμ″の変
化の対称な第５図の場合では記録磁界HSに応じ
たμ″の変化は単調減少であり、また、もし保磁力
を越えるような大きな磁界が磁性体２３に及び磁
化反転が起こつても、第４図の場合のような位相
の変化は起こらず安定した再生ができる特徴を有
する。
以上の実施例では異方性磁界と記録磁界HSの
方向は同一であり、磁性体２３の磁気モーメント
は記録磁界HSが及んでも異方性磁界HKの方向に
一定であるが、異方性磁界HKを記録磁界HSと直
角方向、或いはそれに準ずる方向に付与すると、
外部磁界が０では異方性磁界HKの方向にある磁
性体２３中の磁気モーメントを記録磁界HSによ
り回転させることにより、強磁性共鳴による磁性
体２３のμ′，μ″の変化を生じさせることが可能で
ある。
方向は同一であり、磁性体２３の磁気モーメント
は記録磁界HSが及んでも異方性磁界HKの方向に
一定であるが、異方性磁界HKを記録磁界HSと直
角方向、或いはそれに準ずる方向に付与すると、
外部磁界が０では異方性磁界HKの方向にある磁
性体２３中の磁気モーメントを記録磁界HSによ
り回転させることにより、強磁性共鳴による磁性
体２３のμ′，μ″の変化を生じさせることが可能で
ある。
第６図はその一実施例で、この図では記録トラ
ツク２２の幅方向（ｚ方向）へ磁性体２３に高周
波信号電流が流れるように高周波回路２５が接続
されている。磁性体２３は第７図ａに示すように
銅等の良導体７１との２層構造でもよいし、また
第７図ｂに示すように磁性体２３と良導体７１と
の間に薄い絶縁層７２を設けた３層構造でもよ
い。すなわち、このような構成により、フエライ
ト等の絶縁性磁性体の使用も可能となり、またパ
ーマロイやアモルフアス合金の導電性磁性体を使
用する場合には直流抵抗値の減少による高周波回
路２５のＱ値の増大という利点を持たらす。
ツク２２の幅方向（ｚ方向）へ磁性体２３に高周
波信号電流が流れるように高周波回路２５が接続
されている。磁性体２３は第７図ａに示すように
銅等の良導体７１との２層構造でもよいし、また
第７図ｂに示すように磁性体２３と良導体７１と
の間に薄い絶縁層７２を設けた３層構造でもよ
い。すなわち、このような構成により、フエライ
ト等の絶縁性磁性体の使用も可能となり、またパ
ーマロイやアモルフアス合金の導電性磁性体を使
用する場合には直流抵抗値の減少による高周波回
路２５のＱ値の増大という利点を持たらす。
ここで磁性体２３に異方性磁界HKをトラツク
幅方向（ｚ方向）に付与した場合、第８図に示し
たように磁性体２３に記録磁界HSがトラツク垂
直方向（ｙ方向）に加わると、磁気モーメントＭ
の方向は、HS＝０では矢印８１で示すようにト
ラツク幅方向となり、記録磁界HSが大きくなる
につれて矢印８２に示すように磁気モーメントＭ
はトラツク垂直方向（ｙ方向）へ回転し、記録磁
界HSが異方性磁界HKの大きさに達すると矢印８
３に示すように磁気モーメントＭはトラツク垂直
方向（ｙ方向）を向く。従つて記録磁界HSが０
のところで異方性磁界により(3)式を考慮して強磁
性共鳴を生じさせると、記録磁界HSが加わるに
つれて磁気モーメントＭが回転し共鳴状態から外
れるために磁性体２３のμ′，μ″が変化し、その変
化に応じて記録磁界HSを検出し再生を行なうこ
とができる。
幅方向（ｚ方向）に付与した場合、第８図に示し
たように磁性体２３に記録磁界HSがトラツク垂
直方向（ｙ方向）に加わると、磁気モーメントＭ
の方向は、HS＝０では矢印８１で示すようにト
ラツク幅方向となり、記録磁界HSが大きくなる
につれて矢印８２に示すように磁気モーメントＭ
はトラツク垂直方向（ｙ方向）へ回転し、記録磁
界HSが異方性磁界HKの大きさに達すると矢印８
３に示すように磁気モーメントＭはトラツク垂直
方向（ｙ方向）を向く。従つて記録磁界HSが０
のところで異方性磁界により(3)式を考慮して強磁
性共鳴を生じさせると、記録磁界HSが加わるに
つれて磁気モーメントＭが回転し共鳴状態から外
れるために磁性体２３のμ′，μ″が変化し、その変
化に応じて記録磁界HSを検出し再生を行なうこ
とができる。
ところで、第２図に示した実施例においても異
方性磁界HKをトラツク幅方向に付与することに
より異方性磁界HKと記録磁界HSは直交し、第５
図の場合と同様なμ′，μ″の変化が生じるが、第２
図の場合には前述したように高周波磁界は記録磁
界HSの方向と直交する成分を有するので、記録
磁界HSによる強磁性共鳴も存在する。ところが、
第６図に示した実施例では、薄膜状磁性体２３の
面内トラツク幅方向に高周波信号電流が流れるた
めに、高周波磁界は大部分が記録磁界HSの方向
と平行になり、記録磁界HSによる強磁性共鳴は
存在しない。その結果生じるμ″の変化の一例を第
９図に示す。第９図ａは第６図の実施例の場合の
外部磁界Ｈ（記録磁界HS）に対するμ″の変化を示
したもので、記録磁界HSに直交する異方性磁界
HKによる強磁性共鳴のピークだけが記録磁界HS
が０のところに存在する。第９図ｂは第２図の実
施例の場合の外部磁界Ｈ（記録磁界HS）に対する
μ″の変化を示したもので、記録磁界HSに直交す
る異方性磁界による強磁性共鳴のピークが記録磁
界HSが０のところに存在する他に、記録磁界HS
方向による強磁性共鳴のピークが±HRのところ
に存在する。したがつて、第２図の場合に比べて
第５図の場合は正負の記録磁界HSに対してμ″は
単調減少となり記録磁界HSの大きさの変化に対
して安定した再生ができるという特長を有する。
方性磁界HKをトラツク幅方向に付与することに
より異方性磁界HKと記録磁界HSは直交し、第５
図の場合と同様なμ′，μ″の変化が生じるが、第２
図の場合には前述したように高周波磁界は記録磁
界HSの方向と直交する成分を有するので、記録
磁界HSによる強磁性共鳴も存在する。ところが、
第６図に示した実施例では、薄膜状磁性体２３の
面内トラツク幅方向に高周波信号電流が流れるた
めに、高周波磁界は大部分が記録磁界HSの方向
と平行になり、記録磁界HSによる強磁性共鳴は
存在しない。その結果生じるμ″の変化の一例を第
９図に示す。第９図ａは第６図の実施例の場合の
外部磁界Ｈ（記録磁界HS）に対するμ″の変化を示
したもので、記録磁界HSに直交する異方性磁界
HKによる強磁性共鳴のピークだけが記録磁界HS
が０のところに存在する。第９図ｂは第２図の実
施例の場合の外部磁界Ｈ（記録磁界HS）に対する
μ″の変化を示したもので、記録磁界HSに直交す
る異方性磁界による強磁性共鳴のピークが記録磁
界HSが０のところに存在する他に、記録磁界HS
方向による強磁性共鳴のピークが±HRのところ
に存在する。したがつて、第２図の場合に比べて
第５図の場合は正負の記録磁界HSに対してμ″は
単調減少となり記録磁界HSの大きさの変化に対
して安定した再生ができるという特長を有する。
なお、異方性磁界HKを越えるような過大な記
録磁界HSが異方性磁界HKに対して直角に加わる
と、第６図では記録磁界HSが０の場合磁性体２
３は磁化ｚ方向と−ｚ方向を向く２種類の磁区を
有し、単磁区構造とはならないため、強磁性共鳴
が起こらなくなる。このような現象は、ｚ方向に
僅かなバイアス磁界を外部磁界として付加した
り、記録磁界HSと異方性磁界HKのなす角を90゜か
ら僅かに傾ける等により容易に防ぐことができ
る。
録磁界HSが異方性磁界HKに対して直角に加わる
と、第６図では記録磁界HSが０の場合磁性体２
３は磁化ｚ方向と−ｚ方向を向く２種類の磁区を
有し、単磁区構造とはならないため、強磁性共鳴
が起こらなくなる。このような現象は、ｚ方向に
僅かなバイアス磁界を外部磁界として付加した
り、記録磁界HSと異方性磁界HKのなす角を90゜か
ら僅かに傾ける等により容易に防ぐことができ
る。
第１図は外部磁界の大きさに対する磁性体のテ
ンソル透磁率μ′および損失分μ″の関係を示す図、
第２図はこの発明の一実施例に係る磁気的再生装
置の構成を示す図、第３図は第２図の磁性体のＭ
−Ｈ曲線を示す図、第４図は第２図における磁性
体の強磁性共鳴による外部磁界に応じたμ″の変化
の一例を示す図、第５図は第４図における磁性体
のμ″の変化の別の例を示す図、第６図はこの発明
の他の実施例の構成を示す図、第７図ａ，ｂは第
６図の磁性体部分の他の構成を示す図、第８図は
磁性体のトラツク幅方向に異方性磁界HKを付与
しトラツク垂直方向に記録磁界HSを印加してHS
を変えた場合の磁性体の磁気モーメントの変化を
示す図、第９図ａ，ｂは異方性磁界と直交する方
向に外部磁界を加えた場合のμ″の変化を各実施例
の場合について示す図である。 ２１…磁気記録媒体、２２…記録トラツク、２
３…磁性体、２４ａ，２４ｂ…電極、２５…高周
波回路、３０…ピーク検波回路。
ンソル透磁率μ′および損失分μ″の関係を示す図、
第２図はこの発明の一実施例に係る磁気的再生装
置の構成を示す図、第３図は第２図の磁性体のＭ
−Ｈ曲線を示す図、第４図は第２図における磁性
体の強磁性共鳴による外部磁界に応じたμ″の変化
の一例を示す図、第５図は第４図における磁性体
のμ″の変化の別の例を示す図、第６図はこの発明
の他の実施例の構成を示す図、第７図ａ，ｂは第
６図の磁性体部分の他の構成を示す図、第８図は
磁性体のトラツク幅方向に異方性磁界HKを付与
しトラツク垂直方向に記録磁界HSを印加してHS
を変えた場合の磁性体の磁気モーメントの変化を
示す図、第９図ａ，ｂは異方性磁界と直交する方
向に外部磁界を加えた場合のμ″の変化を各実施例
の場合について示す図である。 ２１…磁気記録媒体、２２…記録トラツク、２
３…磁性体、２４ａ，２４ｂ…電極、２５…高周
波回路、３０…ピーク検波回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体からの記録磁界に応じた磁性体
の高周波特性の変化に伴なうこの磁性体に結合さ
れた高周波回路の高周波信号出力の変化を検出し
て前記磁気記録媒体に記録された信号を再生する
装置において、前記磁性体に磁気異方性を付与す
ることにより生じる異方性磁界を利用した強磁性
共鳴により、前記磁性体に前記記録磁界に応じた
高周波特性の変化を生じせしめることを特徴とす
る磁気的再生装置。 ２ 磁性体に磁気記録媒体からの記録磁界とほぼ
同方向に異方性磁界が生ずるように磁気異方性を
付与し、磁気記録媒体からの記録磁界の異方性磁
界との平行成分により磁性体に強磁性共鳴による
高周波特性の変化を生じせしめることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の磁気的再生装置。 ３ 磁性体に磁気記録媒体からの記録磁界とほぼ
直角方向に異方性磁界が生ずるように磁気異方性
を付与し、磁気記録媒体からの記録磁界により磁
性体の磁化を回転させることにより磁性体に強磁
性共鳴による高周波特性の変化を生じせしめるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
的再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969082A JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969082A JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101006A JPS59101006A (ja) | 1984-06-11 |
| JPH0344364B2 true JPH0344364B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=16577010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20969082A Granted JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101006A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019033159A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果デバイス及び高周波デバイス |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP20969082A patent/JPS59101006A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59101006A (ja) | 1984-06-11 |
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