JPS59101006A - 磁気的再生装置 - Google Patents
磁気的再生装置Info
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- JPS59101006A JPS59101006A JP20969082A JP20969082A JPS59101006A JP S59101006 A JPS59101006 A JP S59101006A JP 20969082 A JP20969082 A JP 20969082A JP 20969082 A JP20969082 A JP 20969082A JP S59101006 A JPS59101006 A JP S59101006A
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- magnetic
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、磁気記録媒体に記録された信号を再生する
装置に係り、特に磁気記録媒体からの記録磁界を磁性体
の高周波特性の変化として検出して再生を行なう磁気的
再生装置に関する。
装置に係り、特に磁気記録媒体からの記録磁界を磁性体
の高周波特性の変化として検出して再生を行なう磁気的
再生装置に関する。
磁気記録媒体からの記録信号に基く磁界（記録磁界）に
よる磁性体の電磁気的特性の変化を利用して磁気記録信
号を再生する方式ｈｃついては、磁気抵抗効果を利用し
たものが知られているが、本発明者らは高密匿記録再生
に極めてすぐれた方式として、記録磁界による磁性体の
高周波特性の変化として特にテンソル透磁率μ′および
その損失項μ“の変化を利用する方式を既に提案してい
る。この方式は再生ヘッドにフェライト、ハーマロイ、
アモルファス合金等の磁性体を使用し、この磁性体に結
合された高周波回路のインピーダンス変化による高周波
出力電圧の変化を検波整流することにより記録信号を再
生するものである。
よる磁性体の電磁気的特性の変化を利用して磁気記録信
号を再生する方式ｈｃついては、磁気抵抗効果を利用し
たものが知られているが、本発明者らは高密匿記録再生
に極めてすぐれた方式として、記録磁界による磁性体の
高周波特性の変化として特にテンソル透磁率μ′および
その損失項μ“の変化を利用する方式を既に提案してい
る。この方式は再生ヘッドにフェライト、ハーマロイ、
アモルファス合金等の磁性体を使用し、この磁性体に結
合された高周波回路のインピーダンス変化による高周波
出力電圧の変化を検波整流することにより記録信号を再
生するものである。
ところで、一般に高周波における磁性体のμ′およびμ
”は外部磁界により第１図に示したような変化を起こす
。この図で低磁界におけるμ′。
”は外部磁界により第１図に示したような変化を起こす
。この図で低磁界におけるμ′。
μ“の変化１１は磁性体の不飽和領域で起こる低磁界損
失を示し１．高磁界におけるμ′、μ”の変化１２は磁
性体の飽和領域で起こる強磁性共鳴を示す。ＨＲは強磁
性共鳴磁界を示す。この図かられかるように、低磁界損
失よりも強磁性共鳴を利用した方が磁性体のμ′、μ”
の変化が格段と犬きく、シたがって僅かな磁界の変化に
より高周波回路のインピーダンス変化が犬きく生じ、極
めて高感度でＳＮ比の良い再生が可能となる。
失を示し１．高磁界におけるμ′、μ”の変化１２は磁
性体の飽和領域で起こる強磁性共鳴を示す。ＨＲは強磁
性共鳴磁界を示す。この図かられかるように、低磁界損
失よりも強磁性共鳴を利用した方が磁性体のμ′、μ”
の変化が格段と犬きく、シたがって僅かな磁界の変化に
より高周波回路のインピーダンス変化が犬きく生じ、極
めて高感度でＳＮ比の良い再生が可能となる。
ところが、強磁性共鳴を用いて実際に記録磁界を検出し
再生を行なう場合には、動作点を強磁性共鳴によるμ′
、μ“の大きな変化が生ずるところに設定するために、
外部磁界として記録磁界以外に大きなバイアス磁界が必
要になる。したがって記録媒体の近傍に新たな磁界源が
存在することになり、その強さと方向によっては記録磁
界の減磁等の問題が発生する。
再生を行なう場合には、動作点を強磁性共鳴によるμ′
、μ“の大きな変化が生ずるところに設定するために、
外部磁界として記録磁界以外に大きなバイアス磁界が必
要になる。したがって記録媒体の近傍に新たな磁界源が
存在することになり、その強さと方向によっては記録磁
界の減磁等の問題が発生する。
この発明守せ≠は、バイアス磁界を使用せずに磁性体を
飽和させることにより強磁性共鳴を利用して極めて高感
度な再生を行なうことができる磁気的再生装置を提供す
ることを目的とする。
飽和させることにより強磁性共鳴を利用して極めて高感
度な再生を行なうことができる磁気的再生装置を提供す
ることを目的とする。
すなわち、この発明は磁性体に磁気異方性を付与するこ
とにより生じる異方性磁界をバイアス磁界の代わりに用
いて磁性体に強磁性共鳴を起こさせ、それによって磁性
体に記録磁界に応じ次高周波特性の変化を生じせしめる
ようにしたことを特徴としている。
とにより生じる異方性磁界をバイアス磁界の代わりに用
いて磁性体に強磁性共鳴を起こさせ、それによって磁性
体に記録磁界に応じ次高周波特性の変化を生じせしめる
ようにしたことを特徴としている。
この発明によれば、バイアス磁界を付加することなく強
磁性共鳴により極めて高感度な磁気記録信号の再生が可
能にカる。これによりバイアス磁界による媒体の記録磁
界の減磁等のバイアス磁界を用いることに起因する問題
も解消することができる。
磁性共鳴により極めて高感度な磁気記録信号の再生が可
能にカる。これによりバイアス磁界による媒体の記録磁
界の減磁等のバイアス磁界を用いることに起因する問題
も解消することができる。
第２図は本発明の一実施例を示すものである。
図において、２１は磁気記録媒体、２２はその記録トラ
ックであり、この記録トラック２２に対向して、薄板状
の磁性体２３の両面に電極２４＊ 、２４ｂを被着して
なる再生ヘッドが設けられている。磁性体２３としては
パーマロイやアモルファス合金等の導電性の磁性体、ま
たはフェライト等の絶縁性の磁性体が使用される。
ックであり、この記録トラック２２に対向して、薄板状
の磁性体２３の両面に電極２４＊ 、２４ｂを被着して
なる再生ヘッドが設けられている。磁性体２３としては
パーマロイやアモルファス合金等の導電性の磁性体、ま
たはフェライト等の絶縁性の磁性体が使用される。
この場合、磁性体２３と電極２４ａ、２４ｂとの間にＳ
ｉｏ ２等の絶縁物を挿入してキャパシタンスを持た
せ、高周波回路の特性を調整することも可能である。電
極２４ａ、２４ｂは高周波回路２５に接続されている。
ｉｏ ２等の絶縁物を挿入してキャパシタンスを持た
せ、高周波回路の特性を調整することも可能である。電
極２４ａ、２４ｂは高周波回路２５に接続されている。
高周波回路２５け高周波発振器２６．整合用コンデンサ
２７．２８および共振コンデンサ２９等により構成され
る。
２７．２８および共振コンデンサ２９等により構成され
る。
この場合、高周波発振器２６から電極２４ａ。
２４ｂを通して磁性体２３の厚み方向に高周波信号が印
加される。このとき、高周波回路２５から、磁気記録媒
体２１よりの記録磁界による磁性体２３のインピーダン
ス変化に応じた高周波出力電圧が得られる。従って、こ
の高周波出力電圧を例えばダイオード３１と抵抗３２お
よびコンデンサ３３からなるピーク検波回路３０で検波
することにより、信号再生出力３４を得ることができる
。
加される。このとき、高周波回路２５から、磁気記録媒
体２１よりの記録磁界による磁性体２３のインピーダン
ス変化に応じた高周波出力電圧が得られる。従って、こ
の高周波出力電圧を例えばダイオード３１と抵抗３２お
よびコンデンサ３３からなるピーク検波回路３０で検波
することにより、信号再生出力３４を得ることができる
。
さて、記録トラック２２の長さ方向をｘ、）ラック垂直
方向（記録媒体２１の厚み方向）をｙｔＦラック２２の
幅方向を２とすると、記録磁界Ｈｓと同じ方向（この例
ではｙ方向）に磁性体２３に磁気異方性を与え、異方性
磁界ＨＫを発生させる。この場合、磁性体２３のＭ−Ｈ
ｆｊｊＪＪは第３図に示したようになる。すなわち磁性
体２３け磁気モーメントが＋ｙ力方向そろうか（第３図
では磁界に対して磁化Ｍが＋−を示す領域）、或いは−
ｙ方向にそろうか（第３図では磁界に対して磁化Ｍが−
Ｍ８を示す領域〕のいづれかの単磁区（或いはそれに近
い状態）構造となり、磁界が−Ｈｃよりも減少すると＋
ｙ力方向ら−ｙ方向へ、また磁界がＨｃよりも増大する
と−ｙ方向から＋ｙ力方向磁気モーメントが反転する。
方向（記録媒体２１の厚み方向）をｙｔＦラック２２の
幅方向を２とすると、記録磁界Ｈｓと同じ方向（この例
ではｙ方向）に磁性体２３に磁気異方性を与え、異方性
磁界ＨＫを発生させる。この場合、磁性体２３のＭ−Ｈ
ｆｊｊＪＪは第３図に示したようになる。すなわち磁性
体２３け磁気モーメントが＋ｙ力方向そろうか（第３図
では磁界に対して磁化Ｍが＋−を示す領域）、或いは−
ｙ方向にそろうか（第３図では磁界に対して磁化Ｍが−
Ｍ８を示す領域〕のいづれかの単磁区（或いはそれに近
い状態）構造となり、磁界が−Ｈｃよりも減少すると＋
ｙ力方向ら−ｙ方向へ、また磁界がＨｃよりも増大する
と−ｙ方向から＋ｙ力方向磁気モーメントが反転する。
この結果、保磁力Ｈ６よりも小さな記録磁界Ｈ８に対し
て磁性体２３はバイアス磁界の付加なしに磁気モーメン
トが１つの方向に保たれ、バイアス磁界が全くなくとも
、条件を適当に設定することにより強磁性共鳴を起こす
ことが可能になる。
て磁性体２３はバイアス磁界の付加なしに磁気モーメン
トが１つの方向に保たれ、バイアス磁界が全くなくとも
、条件を適当に設定することにより強磁性共鳴を起こす
ことが可能になる。
ここで強磁性共鳴の生じる条件について説明すると、一
般に第１図に示した強磁性共鳴の外部共鳴磁界ＨＲ（ｙ
方向）は、これに直交するＸ−２平面に加える高周波磁
界の周波数ｆに対して以下の関係になる。
般に第１図に示した強磁性共鳴の外部共鳴磁界ＨＲ（ｙ
方向）は、これに直交するＸ−２平面に加える高周波磁
界の周波数ｆに対して以下の関係になる。
ｆ−γ〔（ＨＲ＋（Ｎｘ−Ｎｙ）ＭＳ＋（ＨＡｙ−ＨＡ
ｘ月（ＨＲ＋（ＮＺ−Ｎｙ）ＭＳ＋（ＨＡｙ−ＨＡ２）
〕％−（１）γ：ジャイロマグネティック比で通常２．
８ Ｍａｌ ｚ ／エルステッド Ｎ ：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｙ方向Ｘ、ｙ
、Ｚ とした場合の反磁界係数 Ｍｓ：飽和磁化 ＮＡｘ、Ａｙ、Ａｚ ”共鳴磁界の方向をｙ方向とした
場合の異方性磁界 第２図の実施例では、高周波発振器２６から供給した高
周波信号により磁性体２３に加わる高周波磁界はｙｚ面
内で回転する磁界となり、記録磁界（外部磁界〕の方向
（ｙ方向）とこの高周波磁界の方向（２方向）は直交す
るので強磁性共鳴が起こり、（１）式にＮＸ＝ １ 、
Ｎｙ＝Ｎ、＝０を、また磁性体２３に与えた磁気異方
性による異方性磁界をＨＫとしてＨＡＸ＝ＨＡ２＝ ０
＃ＨＡｙ＝ＨＫを代入すると ｆ＝γ （ＨＲ＋Ｍ８＋ＨＫ）（Ｈ，＋ＨＫ） −
（２）となる０したがって、高周波信号の周波数ｆ１或
は異方性磁界ＨＫの大きさを変化させることにより、任
意の外部磁界に共鳴磁界を設定できる。
ｘ月（ＨＲ＋（ＮＺ−Ｎｙ）ＭＳ＋（ＨＡｙ−ＨＡ２）
〕％−（１）γ：ジャイロマグネティック比で通常２．
８ Ｍａｌ ｚ ／エルステッド Ｎ ：共鳴磁界（外部磁界）の方向をｙ方向Ｘ、ｙ
、Ｚ とした場合の反磁界係数 Ｍｓ：飽和磁化 ＮＡｘ、Ａｙ、Ａｚ ”共鳴磁界の方向をｙ方向とした
場合の異方性磁界 第２図の実施例では、高周波発振器２６から供給した高
周波信号により磁性体２３に加わる高周波磁界はｙｚ面
内で回転する磁界となり、記録磁界（外部磁界〕の方向
（ｙ方向）とこの高周波磁界の方向（２方向）は直交す
るので強磁性共鳴が起こり、（１）式にＮＸ＝ １ 、
Ｎｙ＝Ｎ、＝０を、また磁性体２３に与えた磁気異方
性による異方性磁界をＨＫとしてＨＡＸ＝ＨＡ２＝ ０
＃ＨＡｙ＝ＨＫを代入すると ｆ＝γ （ＨＲ＋Ｍ８＋ＨＫ）（Ｈ，＋ＨＫ） −
（２）となる０したがって、高周波信号の周波数ｆ１或
は異方性磁界ＨＫの大きさを変化させることにより、任
意の外部磁界に共鳴磁界を設定できる。
特に外部磁界ＨＲ＝０の場合には（２）式はｆ＝ｒ〆で
角下Ｕ丁石 □（３） となる。
角下Ｕ丁石 □（３） となる。
次に実際にどのような外部磁界に共鳴磁界を設定するか
についての一例を説明する。わかり易くするためにμ′
の変化を例にとり説明すると、第４図に示したように、
μ”の磁界に対する最も変化率の大きく線型の部分が外
部磁界の０となるように（２）式を考慮して共鳴磁界を
設定する。
についての一例を説明する。わかり易くするためにμ′
の変化を例にとり説明すると、第４図に示したように、
μ”の磁界に対する最も変化率の大きく線型の部分が外
部磁界の０となるように（２）式を考慮して共鳴磁界を
設定する。
この場合、バイアス磁界を加えることなく −Ｈｓｍか
らＨｓｍまでの記録磁界Ｈｓが加わるだけで、μ各−Δ
μ−からｔｔ’６ ＋ ｉ ｐ”−までの記録磁界Ｈ８
に応じたμ“の変化を得ることができる。すなわち、異
方性磁界ＨＫを用いることにより、磁界による磁性体２
３０μ′およびμ“の変化を、外部磁界が００ところで
線型で且つ大きい状態に設定することができ、バイアス
磁界を付加することなく記録磁界ＨＫの変化を磁坪体２
３の高周波特性の、− 変化、すなわち再生出力３４として取り出すことができ
る。
らＨｓｍまでの記録磁界Ｈｓが加わるだけで、μ各−Δ
μ−からｔｔ’６ ＋ ｉ ｐ”−までの記録磁界Ｈ８
に応じたμ“の変化を得ることができる。すなわち、異
方性磁界ＨＫを用いることにより、磁界による磁性体２
３０μ′およびμ“の変化を、外部磁界が００ところで
線型で且つ大きい状態に設定することができ、バイアス
磁界を付加することなく記録磁界ＨＫの変化を磁坪体２
３の高周波特性の、− 変化、すなわち再生出力３４として取り出すことができ
る。
共鳴磁界の別の設定例を第５図を参照してμ“を例にと
って説明する。この図は外部磁界がＯのところに強磁性
共鳴のピークが来るように異方性磁界ＨＫの大きさ或い
は供給高周波信号の周波数を設定した場合で、μ”の変
化を外部磁界に対して対称に設定する。この図かられか
るように、バイアス磁界なしで−ＨｓｍからＨ８ｍまで
の記録磁界Ｈｓが加わるとμ“はμ“。からμｍ−Δμ
“□まで変化し、記録磁界Ｈ８の周波数に対して２倍の
周波数の変化が得られる。また、第４図の場合では、μ
”曲線の半値幅を小さくしなるべく大きなμ”の変化が
起こるようにすると、記録磁界Ｈ８が共鳴磁界すなわち
μ“のピークを越え易くなり、そのような場合、μ“の
変化は逆方向の変化となりμ“は記録磁界Ｈｓの大きさ
に応じて複雑な変化を生じる。さらに保磁力Ｈ６を越え
るような磁界が磁性体２３に及んだ場合、磁化反転が生
じ異方性磁界Ｈｋの方向が１８０°異なるため、記録磁
界Ｈｓに応じたμ“の変化は磁化反転の起こる前に比べ
て１８０°位相が異なるようになる。これに反して外部
磁界に対してμ“の変化の対称な第５図の場合では記録
磁界Ｈｓに応じたμ“の変化は単調減少であり、また、
もし保磁力を越えるような大きな磁界が磁性体２３に及
び磁化反転が起こっても、第４図の場合のような位相の
変化は起こらず安定した再生ができる特徴を有する。
って説明する。この図は外部磁界がＯのところに強磁性
共鳴のピークが来るように異方性磁界ＨＫの大きさ或い
は供給高周波信号の周波数を設定した場合で、μ”の変
化を外部磁界に対して対称に設定する。この図かられか
るように、バイアス磁界なしで−ＨｓｍからＨ８ｍまで
の記録磁界Ｈｓが加わるとμ“はμ“。からμｍ−Δμ
“□まで変化し、記録磁界Ｈ８の周波数に対して２倍の
周波数の変化が得られる。また、第４図の場合では、μ
”曲線の半値幅を小さくしなるべく大きなμ”の変化が
起こるようにすると、記録磁界Ｈ８が共鳴磁界すなわち
μ“のピークを越え易くなり、そのような場合、μ“の
変化は逆方向の変化となりμ“は記録磁界Ｈｓの大きさ
に応じて複雑な変化を生じる。さらに保磁力Ｈ６を越え
るような磁界が磁性体２３に及んだ場合、磁化反転が生
じ異方性磁界Ｈｋの方向が１８０°異なるため、記録磁
界Ｈｓに応じたμ“の変化は磁化反転の起こる前に比べ
て１８０°位相が異なるようになる。これに反して外部
磁界に対してμ“の変化の対称な第５図の場合では記録
磁界Ｈｓに応じたμ“の変化は単調減少であり、また、
もし保磁力を越えるような大きな磁界が磁性体２３に及
び磁化反転が起こっても、第４図の場合のような位相の
変化は起こらず安定した再生ができる特徴を有する。
以上の実施例では異方性磁界と記録磁界Ｈ８の方向は同
一であり、磁性体２３の磁気モーメントは記録磁界ＨＢ
が及んでも異方性磁界町の方向に一定であるが、異方性
磁界ＨＫを記録磁界Ｈ８と直角方向、或いはそれに準す
る方向に付与すると、外部磁界がＯでは異方性磁界ＨＫ
の方向にある磁性体２３中の磁気モーメントを記録磁界
Ｈにより回転させることにより、強磁性共鳴による磁性
体２３のμ′、μ“の変化を生じさせることが可能であ
る。
一であり、磁性体２３の磁気モーメントは記録磁界ＨＢ
が及んでも異方性磁界町の方向に一定であるが、異方性
磁界ＨＫを記録磁界Ｈ８と直角方向、或いはそれに準す
る方向に付与すると、外部磁界がＯでは異方性磁界ＨＫ
の方向にある磁性体２３中の磁気モーメントを記録磁界
Ｈにより回転させることにより、強磁性共鳴による磁性
体２３のμ′、μ“の変化を生じさせることが可能であ
る。
第６図はその一実施例で、この図では記録トラック２２
の幅方向（２方向）へ磁性体２３に高周波信号電流が流
れるように高周波回路２５が接続されている。磁性体２
３は第７図（、）に示すように銅等の良導体７１との２
層構造でもよいし、また第７図（ｂ）に示すように磁性
体２３と良導体７１との間に薄い絶縁層７２を設けた３
層構造でもよい。すなわち、このような構成により、フ
ェライト等の絶縁性磁性体の使用も可能となり、また／
９−マロイやアモルファス合金の導電性磁性体を使用す
る場合には直流抵抗値の減少による高周波回路２５のＱ
値の増大という利点を持たらす。
の幅方向（２方向）へ磁性体２３に高周波信号電流が流
れるように高周波回路２５が接続されている。磁性体２
３は第７図（、）に示すように銅等の良導体７１との２
層構造でもよいし、また第７図（ｂ）に示すように磁性
体２３と良導体７１との間に薄い絶縁層７２を設けた３
層構造でもよい。すなわち、このような構成により、フ
ェライト等の絶縁性磁性体の使用も可能となり、また／
９−マロイやアモルファス合金の導電性磁性体を使用す
る場合には直流抵抗値の減少による高周波回路２５のＱ
値の増大という利点を持たらす。
ここで磁性体２３に異方性磁界ＨＫをトラック幅方向（
２方向）に付与した場合、第８図に示したように磁性体
２３に記録磁界Ｈ８がトラック垂直方向（ｙ方向）に加
わると、磁気モーメントＭの方向は、Ｈｓ＝０では矢印
８１に示すようにトラック幅方向となり、記録磁界Ｈ８
が大きくなるにつれて矢印８２に示すように磁気モーメ
ン）Ｍはトラック垂直方向（ｙ方向）へ回転し、記録磁
界Ｈｓが異方性磁界ＨＫの大きさに達すると矢印８３に
ボすように磁気モーメン）Ｍはトラック垂直方向（ｙ方
向）を向く。従って記録磁界Ｈ８が０のところで異方性
磁界により（３）式を考慮して強磁性共鳴を生じさせる
と、記録磁界ＨＢが加わるにつれて磁気モーメン）Ｍが
回転し共鳴状態から外れるために磁性体２３０μ′、μ
”が変化し、その変化に応じて記録磁界Ｈ８を検出し再
生を行なうことができる。
２方向）に付与した場合、第８図に示したように磁性体
２３に記録磁界Ｈ８がトラック垂直方向（ｙ方向）に加
わると、磁気モーメントＭの方向は、Ｈｓ＝０では矢印
８１に示すようにトラック幅方向となり、記録磁界Ｈ８
が大きくなるにつれて矢印８２に示すように磁気モーメ
ン）Ｍはトラック垂直方向（ｙ方向）へ回転し、記録磁
界Ｈｓが異方性磁界ＨＫの大きさに達すると矢印８３に
ボすように磁気モーメン）Ｍはトラック垂直方向（ｙ方
向）を向く。従って記録磁界Ｈ８が０のところで異方性
磁界により（３）式を考慮して強磁性共鳴を生じさせる
と、記録磁界ＨＢが加わるにつれて磁気モーメン）Ｍが
回転し共鳴状態から外れるために磁性体２３０μ′、μ
”が変化し、その変化に応じて記録磁界Ｈ８を検出し再
生を行なうことができる。
ところで、第２図に示した実施例においても異方性磁界
ＨＫをトラック幅方向に付与することにより異方性磁界
ＨＫと記録磁界Ｈｓは直交し、第５図の場合と同様なμ
′、μ“の変化が生じるが、第２図の場合には前述した
ように高周波磁界は記録磁界Ｈ８の方向と直交する成分
を有するので、記録磁界Ｈ８による強磁性共鳴も存在す
る。ところが、第６図に示した実施例では、薄膜状磁性
体２３０面内トラック幅方向に高周波信号電流が流れる
ために、高周波磁界は大部分が記録磁界Ｈｓの方向と平
行になり、記録磁界Ｈ８による強磁性共鳴は存在しない
。その結果生じるμ′の変化の一例を第９図に示す。第
９図（、）は第６図の実施例の場合の外部磁界Ｈ（記録
磁界Ｈｓ）に対するμ”の変化を示したもので、記録磁
界Ｈｓに直交する異方性磁界ＨＫによる強磁性共鳴のピ
ークだけが記録磁界Ｈ８がＯのところに存在する。
ＨＫをトラック幅方向に付与することにより異方性磁界
ＨＫと記録磁界Ｈｓは直交し、第５図の場合と同様なμ
′、μ“の変化が生じるが、第２図の場合には前述した
ように高周波磁界は記録磁界Ｈ８の方向と直交する成分
を有するので、記録磁界Ｈ８による強磁性共鳴も存在す
る。ところが、第６図に示した実施例では、薄膜状磁性
体２３０面内トラック幅方向に高周波信号電流が流れる
ために、高周波磁界は大部分が記録磁界Ｈｓの方向と平
行になり、記録磁界Ｈ８による強磁性共鳴は存在しない
。その結果生じるμ′の変化の一例を第９図に示す。第
９図（、）は第６図の実施例の場合の外部磁界Ｈ（記録
磁界Ｈｓ）に対するμ”の変化を示したもので、記録磁
界Ｈｓに直交する異方性磁界ＨＫによる強磁性共鳴のピ
ークだけが記録磁界Ｈ８がＯのところに存在する。
第９図（ｂ）は第２図の実施例の場合の外部磁界Ｈ（記
録磁界Ｈ８）に対するμ”の変化を示したもので、記録
磁界Ｈｓに直交する異方性磁界による強磁性共鳴のピー
クか記録磁界Ｈ８が００ところに存在する他に、記録磁
界Ｈｓ方向による強磁性共鳴のピークが±ＨＲのところ
に存在する。したがって、第２図の場合に比べて第５図
の場合は正負の記録磁界Ｈ８に対してμ“は単調減少と
なり記録磁界Ｈｓの大きさの変化に対して安定した再生
ができるという特長を有する。
録磁界Ｈ８）に対するμ”の変化を示したもので、記録
磁界Ｈｓに直交する異方性磁界による強磁性共鳴のピー
クか記録磁界Ｈ８が００ところに存在する他に、記録磁
界Ｈｓ方向による強磁性共鳴のピークが±ＨＲのところ
に存在する。したがって、第２図の場合に比べて第５図
の場合は正負の記録磁界Ｈ８に対してμ“は単調減少と
なり記録磁界Ｈｓの大きさの変化に対して安定した再生
ができるという特長を有する。
なお、異方性磁界ＨＫを越えるよう々過大な記録磁界Ｈ
ｓが異方性磁界町に対して直角に加わると、第６図では
記録磁界Ｈ８がＯの場合磁性体２３は磁化が２方向と一
２方向を向く２種類の磁区を有し、単磁区構造とはなら
ないため、強磁性共鳴が起こらなくなる。このような現
象は、２方向に僅かなバイアス磁界を外部磁界として付
加したり、記録磁界Ｈ８と異方性磁界ＨＫのなす角を９
０°から僅かに傾ける等により容易に防ぐことができる
。
ｓが異方性磁界町に対して直角に加わると、第６図では
記録磁界Ｈ８がＯの場合磁性体２３は磁化が２方向と一
２方向を向く２種類の磁区を有し、単磁区構造とはなら
ないため、強磁性共鳴が起こらなくなる。このような現
象は、２方向に僅かなバイアス磁界を外部磁界として付
加したり、記録磁界Ｈ８と異方性磁界ＨＫのなす角を９
０°から僅かに傾ける等により容易に防ぐことができる
。
第１図は外部磁界の大きさに対する磁性体のテンソル透
磁率μ′および損失分μ“の関係を示す図、第２図はこ
の発明の一実施例に係る磁気的再生装置の構成を示す図
、第３図は第２図の磁性体の１１曲線を示す図、第４図
は第２図における磁性体の強磁性共鳴による外部磁界に
応じたμ”の変化の一例を示す図、第５図は第４図にお
ける磁性体のμ”の変化の別の例を示す図、第６図はこ
の発明の他の実施例の構成を示す図、第７図（、） （
ｂ）は第６図の磁性体部分の他の構成を示す図、第８図
は磁性体のトラック幅方向に異方性磁界ＨＫを付与しト
ラック垂直方向に記録磁界Ｈ８を印加してＨｓを変えた
場合の磁性体の磁気モーメントの変化を示す図、第９図
（、） （ｂ）は異方性磁界と直交する方向に外部磁界
を加えた場合のμ”の変化を各実施例の場合について示
す図である。 ２１・・・磁気記録媒体、２２・・・記録トラック、２
３・・・磁性体、２４ａ、２４ｂ・・・電極、２５・・
・高周波回路、３０・・・ピーク検波回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第６図 第７図 （ａ） （ｂ） 第８図 ｋ Ｈｓ＝ｏ Ｈｓ＜Ｈｋ Ｈｓ＞Ｈｋ第９図 （ｂ）
磁率μ′および損失分μ“の関係を示す図、第２図はこ
の発明の一実施例に係る磁気的再生装置の構成を示す図
、第３図は第２図の磁性体の１１曲線を示す図、第４図
は第２図における磁性体の強磁性共鳴による外部磁界に
応じたμ”の変化の一例を示す図、第５図は第４図にお
ける磁性体のμ”の変化の別の例を示す図、第６図はこ
の発明の他の実施例の構成を示す図、第７図（、） （
ｂ）は第６図の磁性体部分の他の構成を示す図、第８図
は磁性体のトラック幅方向に異方性磁界ＨＫを付与しト
ラック垂直方向に記録磁界Ｈ８を印加してＨｓを変えた
場合の磁性体の磁気モーメントの変化を示す図、第９図
（、） （ｂ）は異方性磁界と直交する方向に外部磁界
を加えた場合のμ”の変化を各実施例の場合について示
す図である。 ２１・・・磁気記録媒体、２２・・・記録トラック、２
３・・・磁性体、２４ａ、２４ｂ・・・電極、２５・・
・高周波回路、３０・・・ピーク検波回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第６図 第７図 （ａ） （ｂ） 第８図 ｋ Ｈｓ＝ｏ Ｈｓ＜Ｈｋ Ｈｓ＞Ｈｋ第９図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 磁気記録媒体からの記録磁界に応じた磁性体の高
周波特性の変化に伴なうこの磁性体に結合された高周波
回路の高周波信号出力の変化を検出して前記磁気記録媒
体に記録された信号を再生する装置において、前記磁性
体に磁気異方性を付与することにより生じる異方性磁界
を利用した強磁性共鳴により、前記磁性体に前記記録磁
界に応じた高周波特性の変化を生じせしめることを特徴
とする磁気的再生装置。 （２）＠性体に磁気記録媒体からの記録磁界とほぼ同方
向に異方性磁界が生ずるように磁気異方性を付与し、磁
気記録媒体からの記録磁界の異方性磁界との平行成分に
より磁性体に強磁性共鳴による高周波特性の変化を生じ
せしめることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁気的再生装置。 （３）磁性体に磁気記録媒体からの記録磁界とほぼ直角
方向に異方性磁界が生ずるように磁気異方性を付与し、
磁気記録媒体からの記録磁界により磁性体の磁化を回転
させることにより磁性体に強磁性共鳴による高周波特性
の変化を生じせしめることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の磁気的再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969082A JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969082A JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101006A true JPS59101006A (ja) | 1984-06-11 |
| JPH0344364B2 JPH0344364B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=16577010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20969082A Granted JPS59101006A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 磁気的再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109390464A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | Tdk株式会社 | 磁阻效应器件以及高频器件 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP20969082A patent/JPS59101006A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109390464A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | Tdk株式会社 | 磁阻效应器件以及高频器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344364B2 (ja) | 1991-07-05 |
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