JPH0370843B2 - - Google Patents
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- JPH0370843B2 JPH0370843B2 JP57048853A JP4885382A JPH0370843B2 JP H0370843 B2 JPH0370843 B2 JP H0370843B2 JP 57048853 A JP57048853 A JP 57048853A JP 4885382 A JP4885382 A JP 4885382A JP H0370843 B2 JPH0370843 B2 JP H0370843B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は磁気再生装置に関する。
磁気記録媒体に記録された信号を再生するため
の従来一般の再生方式は、第１図に示すように、
信号が記録された磁気記録媒体１上をリング型の
再生ヘツド２を相対的に走らせて、電磁発電機同
様の原理により再生ヘツドの誘起する超電力に基
く出力を取り出すようにしたものであつた。とこ
ろがこのような再生方式においては、十分大きな
再生出力をSN比良く得るためには十分大きな磁
束を必要とするために、記録トラツクのトラツク
幅を大きくする必要があつた。第２図はこのよう
なトラツク幅Ｗを再生出力のSN比の関係を示し
たものである。この図から明らかのようにトラツ
ク幅Ｗが例えば200μｍ程度の大きいときには再
生出力のSN比も良好であるが、トラツク幅を
200μｍから徐々に小さくすると、SN比は約
3dB／octで低下する。そして再生増幅器ノイズ
NOとテープノイズNTが同程度となるトラツク幅
W1よりもさらにトラツク幅を小さくすると、NO
＞NTとなり、SN比はトラツク幅W1を境にして
6dB／octで低下するようになる。
の従来一般の再生方式は、第１図に示すように、
信号が記録された磁気記録媒体１上をリング型の
再生ヘツド２を相対的に走らせて、電磁発電機同
様の原理により再生ヘツドの誘起する超電力に基
く出力を取り出すようにしたものであつた。とこ
ろがこのような再生方式においては、十分大きな
再生出力をSN比良く得るためには十分大きな磁
束を必要とするために、記録トラツクのトラツク
幅を大きくする必要があつた。第２図はこのよう
なトラツク幅Ｗを再生出力のSN比の関係を示し
たものである。この図から明らかのようにトラツ
ク幅Ｗが例えば200μｍ程度の大きいときには再
生出力のSN比も良好であるが、トラツク幅を
200μｍから徐々に小さくすると、SN比は約
3dB／octで低下する。そして再生増幅器ノイズ
NOとテープノイズNTが同程度となるトラツク幅
W1よりもさらにトラツク幅を小さくすると、NO
＞NTとなり、SN比はトラツク幅W1を境にして
6dB／octで低下するようになる。
すなわちこの関係は次式で示される。
このようにトラツク幅がW1以下になるとSN比
が急激に劣化する。このSN比の劣化は、再生ヘ
ツドの巻線数を多くして再生出力の増加を図つて
も余り改善されない。なぜなら再生増幅器のノイ
ズNOは再生ヘツドのインピーダンスに関係して
おり、上記のようにヘツドの巻線数を多くすると
インピーダンスも大きくなり、NOも大きくなる
ためである。従つて、現在のVTRや磁気デイス
ク等では長時間記録再生が要求され、トラツク幅
を狭くすることが要求されているにもかかわら
ず、現状ではトラツク幅Ｗが20μｍ程度でSN比
が43dB程度が最小の値となつている。このよう
に従来の磁気記録再生方式ではトラツク幅を狭く
することができず、高密度記録再生に限界があつ
た。
が急激に劣化する。このSN比の劣化は、再生ヘ
ツドの巻線数を多くして再生出力の増加を図つて
も余り改善されない。なぜなら再生増幅器のノイ
ズNOは再生ヘツドのインピーダンスに関係して
おり、上記のようにヘツドの巻線数を多くすると
インピーダンスも大きくなり、NOも大きくなる
ためである。従つて、現在のVTRや磁気デイス
ク等では長時間記録再生が要求され、トラツク幅
を狭くすることが要求されているにもかかわら
ず、現状ではトラツク幅Ｗが20μｍ程度でSN比
が43dB程度が最小の値となつている。このよう
に従来の磁気記録再生方式ではトラツク幅を狭く
することができず、高密度記録再生に限界があつ
た。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、磁界の検出感度が極めて大きい磁気再生装置
を提供することを目的とするものである。
で、磁界の検出感度が極めて大きい磁気再生装置
を提供することを目的とするものである。
すなわち本発明は、磁気ヘツドとして磁性体を
直接インダクタンス素子として用いこれを同調素
子のひとつとして同調回路を構成し、磁気記録媒
体からの磁界の変化により、磁気ヘツドを構成す
る磁性体のμが変わり同調周波数が変わること、
及び又は磁気記録媒体からの磁界の変化により同
調回路Ｑが変化することを利用し、この同調周波
数及び又はＱの変化を電圧の変化として取り出す
ようにしたもので、磁気記録媒体から、わずかな
磁界の変化に対しても大きな電圧の変化が得ら
れ、従つて記録トラツク幅が狭くても、SN比が
極めて良好な再生出力を得ることができ、これに
より高密度記録再生が可能となるものである。
直接インダクタンス素子として用いこれを同調素
子のひとつとして同調回路を構成し、磁気記録媒
体からの磁界の変化により、磁気ヘツドを構成す
る磁性体のμが変わり同調周波数が変わること、
及び又は磁気記録媒体からの磁界の変化により同
調回路Ｑが変化することを利用し、この同調周波
数及び又はＱの変化を電圧の変化として取り出す
ようにしたもので、磁気記録媒体から、わずかな
磁界の変化に対しても大きな電圧の変化が得ら
れ、従つて記録トラツク幅が狭くても、SN比が
極めて良好な再生出力を得ることができ、これに
より高密度記録再生が可能となるものである。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例を示すものである。図
において板状の磁性体３１の両端には端子３１
１，３１２が設けられ磁気ヘツドを構成してい
る。この端子には同調回路の一部をなす同軸ケー
ブル３２が接続され、その中心導体は同調用トリ
マーコンデンサ３３と整合用コンデンサー３４，
３５により高周波発振器３６に接続されており、
同調回路の同調周波数と等しい周波数の信号が供
給される。この信号は磁性体３１を流れる。この
とき磁性体３１は断面積が非常に小さいため、信
号電流は磁性体３１の表面だけでなく、内部まで
流れるようになり、その結果として磁性体３１は
それ自信インダクタンス素子として機能するよう
になる。同軸ケーブル３２の他の一端は接地され
ている。一方同調用トリマーコンデンサ３３の同
軸ケーブル側端子はピーク検波回路３７０に接続
されるが、これはダイオード３７と、このダイオ
ード３７のカソードと接地間に接続された抵抗器
３８及びこの抵抗３８に並列に接続された容量３
９とから構成されている。このような構成におい
て信号が記録された磁気記録媒体４０に、前記磁
性体３１を主構成体とする磁気ヘツドを対峠させ
ると、磁気記録媒体４０からの記録に応じて変化
する磁界が磁気ヘツドに加わり、これにより磁性
体３１の透磁率μが、第４図に示す如く変化す
る。ここで磁性体３１としてμの変化が大きい材
料、例えば薄膜化したパーマロイ・アルパーム・
コバルト系非晶質合金などを選択し高周波損失の
起らない周波数領域で用いると、このμの変化に
より磁性体３１のインダクタンスが大きく変化
し、これによつて磁性体３１、同軸ケーブル３２
と容量３３とで構成される同調回路の同調周波数
が変化する。従つて例えば、この同調回路の初期
の同調周波数を、第５図ａ実線の特性曲線で示す
如くfroと設定しておくと、磁性体３１のインダ
クタンスが変化することによりその同調周波数が
第５図ａの破線の特性曲線で示す如くfro′に変化
する。従つて、高周波発振器３５からこの同調回
路に供給される高周波信号の周波数を第５図ａの
fr1の如く設定すると、同調回路の両端に発生す
る電圧はV1からV2の如く変化する。従つて、高
周波発振器３５の出力は第５図ｂのように、磁気
記録媒体４２の記録信号により振幅変調をうけた
ものとなる。この変調をうけた高周波信号はピー
ク検波回路３７に供給されてそのピーク値が検波
される。その結果第５図ｃに示すような検波出
力、即ち信号再生出力が得られる。
第３図は本発明の一実施例を示すものである。図
において板状の磁性体３１の両端には端子３１
１，３１２が設けられ磁気ヘツドを構成してい
る。この端子には同調回路の一部をなす同軸ケー
ブル３２が接続され、その中心導体は同調用トリ
マーコンデンサ３３と整合用コンデンサー３４，
３５により高周波発振器３６に接続されており、
同調回路の同調周波数と等しい周波数の信号が供
給される。この信号は磁性体３１を流れる。この
とき磁性体３１は断面積が非常に小さいため、信
号電流は磁性体３１の表面だけでなく、内部まで
流れるようになり、その結果として磁性体３１は
それ自信インダクタンス素子として機能するよう
になる。同軸ケーブル３２の他の一端は接地され
ている。一方同調用トリマーコンデンサ３３の同
軸ケーブル側端子はピーク検波回路３７０に接続
されるが、これはダイオード３７と、このダイオ
ード３７のカソードと接地間に接続された抵抗器
３８及びこの抵抗３８に並列に接続された容量３
９とから構成されている。このような構成におい
て信号が記録された磁気記録媒体４０に、前記磁
性体３１を主構成体とする磁気ヘツドを対峠させ
ると、磁気記録媒体４０からの記録に応じて変化
する磁界が磁気ヘツドに加わり、これにより磁性
体３１の透磁率μが、第４図に示す如く変化す
る。ここで磁性体３１としてμの変化が大きい材
料、例えば薄膜化したパーマロイ・アルパーム・
コバルト系非晶質合金などを選択し高周波損失の
起らない周波数領域で用いると、このμの変化に
より磁性体３１のインダクタンスが大きく変化
し、これによつて磁性体３１、同軸ケーブル３２
と容量３３とで構成される同調回路の同調周波数
が変化する。従つて例えば、この同調回路の初期
の同調周波数を、第５図ａ実線の特性曲線で示す
如くfroと設定しておくと、磁性体３１のインダ
クタンスが変化することによりその同調周波数が
第５図ａの破線の特性曲線で示す如くfro′に変化
する。従つて、高周波発振器３５からこの同調回
路に供給される高周波信号の周波数を第５図ａの
fr1の如く設定すると、同調回路の両端に発生す
る電圧はV1からV2の如く変化する。従つて、高
周波発振器３５の出力は第５図ｂのように、磁気
記録媒体４２の記録信号により振幅変調をうけた
ものとなる。この変調をうけた高周波信号はピー
ク検波回路３７に供給されてそのピーク値が検波
される。その結果第５図ｃに示すような検波出
力、即ち信号再生出力が得られる。
このように本発明は従来のリング型再生ヘツド
による再生方式とは異なり、記録媒体からの磁界
の強弱、方向及びその変化により高周波発振出力
を制御するようにしたもので、再生出力エネルギ
ーが発振器から供給でき、しかも極めて小さな磁
界の変化に対しても応答するので、SN比の良い
大きな出力信号を得ることができる。従つて磁気
記録媒体の記録トラツク幅を小さくすることがで
き、これにより高密度記録が可能になる。
による再生方式とは異なり、記録媒体からの磁界
の強弱、方向及びその変化により高周波発振出力
を制御するようにしたもので、再生出力エネルギ
ーが発振器から供給でき、しかも極めて小さな磁
界の変化に対しても応答するので、SN比の良い
大きな出力信号を得ることができる。従つて磁気
記録媒体の記録トラツク幅を小さくすることがで
き、これにより高密度記録が可能になる。
また本発明では薄膜磁性体３１に直接高周波信
号を流し、磁性体３１をその表面だけでなく内部
までインダクタンスとして機能させるようにして
いるため、磁性体にコイルを巻回したような従来
一般のインダクタンス素子に比べて大きなインダ
クタンス値を得ることが出来、結果として、共振
回路のＱを高くすることが出来る。従つて共振特
性が大幅に改善され、信号の再生感度を大幅に向
上することが出来る。
号を流し、磁性体３１をその表面だけでなく内部
までインダクタンスとして機能させるようにして
いるため、磁性体にコイルを巻回したような従来
一般のインダクタンス素子に比べて大きなインダ
クタンス値を得ることが出来、結果として、共振
回路のＱを高くすることが出来る。従つて共振特
性が大幅に改善され、信号の再生感度を大幅に向
上することが出来る。
なお上記実施例においては、再生ヘツドの磁性
体のμの変化による同調周波数の変化を利用して
信号を再生する場合について説明したが、上記と
同様な構成により、再生ヘツドの磁性体の高周波
損失の変化による同調回路の尖鋭度Ｑの変化を利
用して信号再生を行うことが可能である。すなわ
ち第６図ａに示すように同調回路の同調周波数お
よび高周波発振器３５からの高周波信号の周波数
をfrと設定しておく。磁気記録媒体からの磁界が
変化すると、再生ヘツドの磁性体の磁化の状態に
応じて高周波損失分が変化し、これにより同調回
路の尖鋭度Ｑが変化する。従つて磁性体として磁
界の変化によりこの高周波損失の変化が大きい材
料、例えば前述した例の薄膜化した従来のマパー
マロイ、アルパーム、コバルト系非晶質合金など
を適当な周波数の下で用いると、Ｑの大きな変化
が得られる。Ｑが変化すると、同調回路の両端の
電圧は第６図ａに示すように変化する。従つて高
周波発振出力は第６図ｂに示すようにＱの変化に
より振幅変調を受けたものになり、これをピーク
検波することにより、第６図ｃに示すように再生
出力を得ることができる。
体のμの変化による同調周波数の変化を利用して
信号を再生する場合について説明したが、上記と
同様な構成により、再生ヘツドの磁性体の高周波
損失の変化による同調回路の尖鋭度Ｑの変化を利
用して信号再生を行うことが可能である。すなわ
ち第６図ａに示すように同調回路の同調周波数お
よび高周波発振器３５からの高周波信号の周波数
をfrと設定しておく。磁気記録媒体からの磁界が
変化すると、再生ヘツドの磁性体の磁化の状態に
応じて高周波損失分が変化し、これにより同調回
路の尖鋭度Ｑが変化する。従つて磁性体として磁
界の変化によりこの高周波損失の変化が大きい材
料、例えば前述した例の薄膜化した従来のマパー
マロイ、アルパーム、コバルト系非晶質合金など
を適当な周波数の下で用いると、Ｑの大きな変化
が得られる。Ｑが変化すると、同調回路の両端の
電圧は第６図ａに示すように変化する。従つて高
周波発振出力は第６図ｂに示すようにＱの変化に
より振幅変調を受けたものになり、これをピーク
検波することにより、第６図ｃに示すように再生
出力を得ることができる。
Ｑ変化を利用する場合の原理について理解を助
けるために、次の実験例を示す。
けるために、次の実験例を示す。
導電性磁性体に高周波電流を流し、これは外部
磁界を飽和状態まで加えたときと加えてないとき
のインピーダンスＺの実数部分RH，とROの比
RO／RHを周波数を変えて実験し、プロツトした
図を第７図に示す。但し各材料寸法は（１×１×
0.01）mm3である。これによるとコバルト系非晶質
合金の場合500MHZでRO／RHは約４となり変化
が非常に大きくなることが判る。パーマロイの場
合は500MHZでは約1.5である。低い周波数では
0.95となりこれは直流の磁気抵抗効果によるもの
と思われる。逆にこの図から本発明は所謂直流抵
抗の磁界変化による再生磁気ヘツドとは本質的に
異なる、高周波磁気損失に基づくインピーダンス
の見掛けの抵抗分の変化を利用するものであり、
その効果も極めて大きいものである。
磁界を飽和状態まで加えたときと加えてないとき
のインピーダンスＺの実数部分RH，とROの比
RO／RHを周波数を変えて実験し、プロツトした
図を第７図に示す。但し各材料寸法は（１×１×
0.01）mm3である。これによるとコバルト系非晶質
合金の場合500MHZでRO／RHは約４となり変化
が非常に大きくなることが判る。パーマロイの場
合は500MHZでは約1.5である。低い周波数では
0.95となりこれは直流の磁気抵抗効果によるもの
と思われる。逆にこの図から本発明は所謂直流抵
抗の磁界変化による再生磁気ヘツドとは本質的に
異なる、高周波磁気損失に基づくインピーダンス
の見掛けの抵抗分の変化を利用するものであり、
その効果も極めて大きいものである。
上述したような２つの再生方式、即ち再生ヘツ
ドの磁性体のμの変化による同調周波数の変化を
利用した再生方式、および磁性体の高周波損失に
よる同調回路のＱの変化を利用した再生方式は、
どちらか一方のみを選択することもできるが、同
調回路の同調周波数の変化およびＱの変化という
現象は同時に起こり得るので、この２つの現象を
同時に利用して再生を行つても良い。
ドの磁性体のμの変化による同調周波数の変化を
利用した再生方式、および磁性体の高周波損失に
よる同調回路のＱの変化を利用した再生方式は、
どちらか一方のみを選択することもできるが、同
調回路の同調周波数の変化およびＱの変化という
現象は同時に起こり得るので、この２つの現象を
同時に利用して再生を行つても良い。
また上記実施例では低磁界におけるμの変化、
高周波損失分の変化を利用した場合を想定してい
るが、高磁界において生じる共鳴吸収を利用する
ことも可能である。
高周波損失分の変化を利用した場合を想定してい
るが、高磁界において生じる共鳴吸収を利用する
ことも可能である。
第８図は或る高周波数におけるテンソン透磁率
μ′およびその損失項μ″が外部磁界により変化する
様子を示している。この図で外部磁界の正方向と
しては、磁性体の磁化ベクトルの才差運動の向
き・回転数と、高周波の円偏波の向き・回転数と
が一致する共振の生ずる側をとつた。この図から
わかるように、一般に磁性体においては低磁界に
おいて透磁率μ（テンソル透磁率μ′）や損失μ″が
変化する特性Ｌを示すほか、高磁界においては共
鳴吸収という現象を生じ、テンソル透磁率μ′や損
失（共鳴損失）が変化する特性Ｋを示す。従つて
この共鳴吸収部を利用して前述と同様の再生を行
うことができる。この場合予め磁性体にバイアス
磁界を加えておく必要がある。バイアス磁界のか
け方としては永久磁石あるいは電磁石により直流
又は必要に応じ交流磁界を磁性体にかければよ
い。この場合共鳴磁界HR（Ｚ方向）は、これに直
交するｘ−ｙ平面に加える高周波磁界の周波数を
ｆとすると、以下の関係になる。
μ′およびその損失項μ″が外部磁界により変化する
様子を示している。この図で外部磁界の正方向と
しては、磁性体の磁化ベクトルの才差運動の向
き・回転数と、高周波の円偏波の向き・回転数と
が一致する共振の生ずる側をとつた。この図から
わかるように、一般に磁性体においては低磁界に
おいて透磁率μ（テンソル透磁率μ′）や損失μ″が
変化する特性Ｌを示すほか、高磁界においては共
鳴吸収という現象を生じ、テンソル透磁率μ′や損
失（共鳴損失）が変化する特性Ｋを示す。従つて
この共鳴吸収部を利用して前述と同様の再生を行
うことができる。この場合予め磁性体にバイアス
磁界を加えておく必要がある。バイアス磁界のか
け方としては永久磁石あるいは電磁石により直流
又は必要に応じ交流磁界を磁性体にかければよ
い。この場合共鳴磁界HR（Ｚ方向）は、これに直
交するｘ−ｙ平面に加える高周波磁界の周波数を
ｆとすると、以下の関係になる。
ｆ＝γ√｛R＋（X−Z）S｝｛R
＋（Y Z）S｝ γ：ジヤイロマグネテイツク比で通常2.8M
Hz／エルステード Nx，ｙ，ｚ：共鳴磁界（外部磁界）の方向をＺ
方向とした場合の反磁界係数でNx＋Ny＋Nz
＝4π MS：飽和磁界 ここで、例えば面状の磁性体（Nx＝4π，Ny＝
０，Nz＝０）の軸に沿つて外部磁界を加える場
合、上記の式は ｆ＝γ√｛R（R＋4S） となり、適当な飽和磁化値を選べば共鳴磁界HR
をテープの保持力300エルステツド〜500エルステ
ツド以下にして記録状態を保持することが容易で
ある。例えばｆ＝800MHzとすると、飽和磁化が
8000ガウスの磁性材料、例えばパーマロイを面状
にして約10エルステツドを加えて実現できる。従
つて10エルステツド近傍にバイアス磁界を設定し
ておくと、共鳴現象によるテンソル透磁率又はそ
の損失分の変化がとり出し易くなる。なお10エル
ステツドより低く、飽和状態に達しない保磁力を
下廻るバイアス磁界（無バイアス磁界状態も含め
て）に設定すれば前述したように低磁界損失の変
化をとり出すことが容易になる。
＋（Y Z）S｝ γ：ジヤイロマグネテイツク比で通常2.8M
Hz／エルステード Nx，ｙ，ｚ：共鳴磁界（外部磁界）の方向をＺ
方向とした場合の反磁界係数でNx＋Ny＋Nz
＝4π MS：飽和磁界 ここで、例えば面状の磁性体（Nx＝4π，Ny＝
０，Nz＝０）の軸に沿つて外部磁界を加える場
合、上記の式は ｆ＝γ√｛R（R＋4S） となり、適当な飽和磁化値を選べば共鳴磁界HR
をテープの保持力300エルステツド〜500エルステ
ツド以下にして記録状態を保持することが容易で
ある。例えばｆ＝800MHzとすると、飽和磁化が
8000ガウスの磁性材料、例えばパーマロイを面状
にして約10エルステツドを加えて実現できる。従
つて10エルステツド近傍にバイアス磁界を設定し
ておくと、共鳴現象によるテンソル透磁率又はそ
の損失分の変化がとり出し易くなる。なお10エル
ステツドより低く、飽和状態に達しない保磁力を
下廻るバイアス磁界（無バイアス磁界状態も含め
て）に設定すれば前述したように低磁界損失の変
化をとり出すことが容易になる。
第９図は本発明において使用する再生磁気ヘツ
ドの他の実施例を示すものである。この再生ヘツ
ドは第３図の例では同調回路の一部に同軸ケーブ
ルを用いているのに対し全てデイスクリートな素
子で構成し、これらを同一基板に配置し且つこれ
を磁気ヘツドに組込んだ形のまま回路化したもの
である。すなわち、磁性体８１はテープ９４を接
しテープ９４の記録媒体からの磁界の変化を受け
易い位置に配置されその両端には磁性体８１のイ
ンダクタンスと同調する値の容量素子８３が接続
されている。この一端にはピーク検出回路８７０
が接続されている。この回路はダイオード８７を
抵抗８８、容量８９とで構成されている。また、
容量素子８３の同じ端子には微調用トリマー８４
が接続され、この他端は高周波源との整合容量８
５，８６につながれている。容量素子８３の別の
端子は接地されている。以上は回路基板９３の上
に容易に構成することができる。
ドの他の実施例を示すものである。この再生ヘツ
ドは第３図の例では同調回路の一部に同軸ケーブ
ルを用いているのに対し全てデイスクリートな素
子で構成し、これらを同一基板に配置し且つこれ
を磁気ヘツドに組込んだ形のまま回路化したもの
である。すなわち、磁性体８１はテープ９４を接
しテープ９４の記録媒体からの磁界の変化を受け
易い位置に配置されその両端には磁性体８１のイ
ンダクタンスと同調する値の容量素子８３が接続
されている。この一端にはピーク検出回路８７０
が接続されている。この回路はダイオード８７を
抵抗８８、容量８９とで構成されている。また、
容量素子８３の同じ端子には微調用トリマー８４
が接続され、この他端は高周波源との整合容量８
５，８６につながれている。容量素子８３の別の
端子は接地されている。以上は回路基板９３の上
に容易に構成することができる。
以上のように、本発明は高周波回路のインダク
タンスを直接兼ねた磁性体が磁気記録媒体からの
磁界の強弱、方向とその変化に応じ、磁性体の透
磁率や高周波損失分等が変化することを利用し、
高周波電圧の変化を検出することにより、磁気記
録媒体に記録された信号を再生するようにしたも
のであり、従来一般の磁気再生ヘツドに比べて極
めて高感度に磁気記録媒体から磁界を検出するこ
とができ、SN比の良い大出力を得ることができ
るものである。そしてこれによつて記録媒体の記
録トラツク幅を容易に20μｍ以下にすることが可
能となり、極めて高密度な記録再生を行うことが
できる。
タンスを直接兼ねた磁性体が磁気記録媒体からの
磁界の強弱、方向とその変化に応じ、磁性体の透
磁率や高周波損失分等が変化することを利用し、
高周波電圧の変化を検出することにより、磁気記
録媒体に記録された信号を再生するようにしたも
のであり、従来一般の磁気再生ヘツドに比べて極
めて高感度に磁気記録媒体から磁界を検出するこ
とができ、SN比の良い大出力を得ることができ
るものである。そしてこれによつて記録媒体の記
録トラツク幅を容易に20μｍ以下にすることが可
能となり、極めて高密度な記録再生を行うことが
できる。
第１図は従来の磁気再生方式を示す図、第２図
は従来の磁気再生におけるトラツク幅と再生出力
のSN比の関係を示す図、第３図は本発明の一実
施例を示す図、第４図は磁界の変化に対する磁性
体の透磁率μの変化を示す図、第５図ａは同調回
路の同調周波数の変化により同調回路の両端の電
圧が変化する様子を示す図、第５図ｂは記録媒体
に記録された信号により振幅変調を受けた高周波
発振信号波形を示す図、第５図ｃはそのピーク検
波波形図、第６図ａは同調回路の尖鋭度Ｑの変化
により同調回路の両端の電圧が変化する様子を示
す図、第６図ｂは記録媒体に記録された信号によ
り振幅変調を受けた高周波発振信号波形を示す
図、第６図ｃはそのピーク検波波形図、第７図は
導電性磁性体に流される高周波電流の周波数に対
するインピーダンスの変化を示す図、第８図は磁
界の大きさに対するテンソル透磁率μ′および損失
分μ″の関係を示す図、第９図は本発明において用
いる磁気ヘツドの他の実施例を示す図である。 ３１……磁性体、３２……同軸ケーブル、３３
……容量、３６……高周波発振器、３７０……ピ
ーク検波回路。
は従来の磁気再生におけるトラツク幅と再生出力
のSN比の関係を示す図、第３図は本発明の一実
施例を示す図、第４図は磁界の変化に対する磁性
体の透磁率μの変化を示す図、第５図ａは同調回
路の同調周波数の変化により同調回路の両端の電
圧が変化する様子を示す図、第５図ｂは記録媒体
に記録された信号により振幅変調を受けた高周波
発振信号波形を示す図、第５図ｃはそのピーク検
波波形図、第６図ａは同調回路の尖鋭度Ｑの変化
により同調回路の両端の電圧が変化する様子を示
す図、第６図ｂは記録媒体に記録された信号によ
り振幅変調を受けた高周波発振信号波形を示す
図、第６図ｃはそのピーク検波波形図、第７図は
導電性磁性体に流される高周波電流の周波数に対
するインピーダンスの変化を示す図、第８図は磁
界の大きさに対するテンソル透磁率μ′および損失
分μ″の関係を示す図、第９図は本発明において用
いる磁気ヘツドの他の実施例を示す図である。 ３１……磁性体、３２……同軸ケーブル、３３
……容量、３６……高周波発振器、３７０……ピ
ーク検波回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体からの記録磁界の変化に対して
そのインダクタンスが変化する薄膜磁性体と、こ
の磁性体に接続された導電性線路と、この導電性
線路に接続され前記磁性体および導電性線路とと
もに同調回路を構成する容量と、前記磁性体に所
定の高周波信号を供給する手段と、前記磁性体の
インダクタンス変化による前記同調回路の出力電
圧の変化を検出し前記磁気記録媒体の記録磁界に
対応した信号を再生する手段とを備えることを特
徴とする磁気再生装置。 ２ 薄膜磁性体は、磁界の変化に対して透磁率変
化の大きい磁性材料であり、この透磁率の変化に
よる同調回路の同調周波数の変化を利用して信号
再生を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の磁気再生装置。 ３ 薄膜磁性体は、磁界の変化に対して高周波損
失の大きい磁性材料であり、この高周波損失の変
化による同調回路のＱの変化を利用して信号再生
を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048853A JPS58166510A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気再生装置 |
| US06/477,858 US4609950A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-22 | Magnetic head apparatus with variable inductance |
| DE8383102995T DE3377089D1 (en) | 1982-03-29 | 1983-03-25 | Magnetic head apparatus |
| EP83102995A EP0090376B1 (en) | 1982-03-29 | 1983-03-25 | Magnetic head apparatus |
| CA000424674A CA1227278A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Magnetic head apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048853A JPS58166510A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166510A JPS58166510A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0370843B2 true JPH0370843B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12814820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048853A Granted JPS58166510A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 磁気再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4609950A (ja) |
| EP (1) | EP0090376B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58166510A (ja) |
| CA (1) | CA1227278A (ja) |
| DE (1) | DE3377089D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06105482B2 (ja) * | 1983-11-16 | 1994-12-21 | 株式会社東芝 | 磁気記録信号再生装置 |
| JPH04102215A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| FR2702919B1 (fr) * | 1993-03-19 | 1995-05-12 | Thomson Csf | Transducteur magnétorésistif et procédé de réalisation. |
| EP0629998A2 (en) * | 1993-06-18 | 1994-12-21 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive film, method of its fabrication and magnetoresistive sensor |
| US8259409B2 (en) * | 2009-06-25 | 2012-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor |
| US8432644B2 (en) * | 2009-06-25 | 2013-04-30 | HGST Netherlands B.V. | Spin torque oscillator sensor enhanced by magnetic anisotropy |
| CN105277187A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-01-27 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种用于硅微陀螺仪的抗振动电路板设计方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE45966C (de) * | JOH. RUI3. PAGENSTECHER in Lechtingen, Kreis Osnabrück | Blitzableiter für Windmühlen | ||
| US2918534A (en) * | 1954-03-26 | 1959-12-22 | Armour Res Found | Coil-less playback head |
| US2952503A (en) * | 1955-06-13 | 1960-09-13 | Trionics Corp | Method and apparatus for magnetic recording and reproducing |
| US3293636A (en) * | 1963-07-22 | 1966-12-20 | Unimation Inc | Magnetic flux responsive sensing device |
| US3387100A (en) * | 1964-07-30 | 1968-06-04 | Navy Usa | Means of recording and reading microwave energy |
| US3394234A (en) * | 1965-01-08 | 1968-07-23 | Ampex | Transmission system for applying bias and record signals to a recording head |
| DE1474404A1 (de) * | 1965-08-18 | 1969-07-10 | Licentia Gmbh | Anordnung zur beruehrungslosen und statischen Abtastung von magnetisch gespeicherten Informationen |
| NL6612895A (ja) * | 1965-09-27 | 1967-03-28 | ||
| US3487388A (en) * | 1965-12-28 | 1969-12-30 | Univ Iowa State Res Found Inc | Variable reluctance head |
| US3693072A (en) * | 1967-08-25 | 1972-09-19 | Us Navy | Ferromagnetic resonance magnetometer |
| US3562638A (en) * | 1968-11-18 | 1971-02-09 | Honeywell Inc | Thin film magnetometer using magnetic vector rotation |
| US3585312A (en) * | 1968-12-31 | 1971-06-15 | Rca Corp | Signal transmission in recorder systems with impedance transformation |
| US3651281A (en) * | 1969-06-06 | 1972-03-21 | Carl H Becker | Laser recording system using photomagnetically magnetizable storage medium |
| DE1931003C3 (de) * | 1969-06-19 | 1978-04-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Magnetkopf für ein Magnetspeichergerät |
| US3633188A (en) * | 1969-07-22 | 1972-01-04 | Burroughs Corp | Electromagnetic transducer employing a thin magnetic film having an oriented easy direction of magnetization |
| US3629520A (en) * | 1969-12-11 | 1971-12-21 | Us Navy | Readout and recording method and apparatus |
| FR2165206A5 (ja) * | 1971-12-22 | 1973-08-03 | Cii | |
| US4120011A (en) * | 1977-09-21 | 1978-10-10 | Eastman Kodak Company | Magnetic head employing easy axis thin film inductor |
| US4182987A (en) * | 1977-09-21 | 1980-01-08 | Eastman Kodak Company | Magnetometer employing hard axis thin film inductor |
| GB2035659B (en) * | 1978-11-11 | 1982-11-10 | Emi Ltd | Reading secure magnetic documents |
| JPS55146632A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing method |
| JPS567222A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-24 | Sony Corp | Magnetic head unit |
| JPS5736407A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Toshiba Corp | Magnetic reproducer |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57048853A patent/JPS58166510A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-22 US US06/477,858 patent/US4609950A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-25 EP EP83102995A patent/EP0090376B1/en not_active Expired
- 1983-03-25 DE DE8383102995T patent/DE3377089D1/de not_active Expired
- 1983-03-28 CA CA000424674A patent/CA1227278A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1227278A (en) | 1987-09-22 |
| EP0090376B1 (en) | 1988-06-15 |
| US4609950A (en) | 1986-09-02 |
| EP0090376A1 (en) | 1983-10-05 |
| DE3377089D1 (en) | 1988-07-21 |
| JPS58166510A (ja) | 1983-10-01 |
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