JPH0344472A - プラズマ薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、プラズマ薄膜の製造方法に関するものである
。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板上にプラズマ酸化シリコン膜を形成す
る方法は、例えば第３図に示すように表面を絶縁した電
極を平行に配置し、一定温度に保たれた真空容器内に半
導体基板を搬送する。続いて、容器内を真空に引いた後
、チャートによって膜成長に必要な反応ガスを流す、ガ
スの流量と圧力が所定値に達した後、前記電極に高周波
（ＲＦ）を印加し、一定時間保持した後、高周波（ＲＦ
）を切る。膜形成の終了した半導体基板は真空容器外に
搬出される。

【発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来技術では、膜形成終了後高周波（Ｒ
Ｆ）を急激に切るために印加された電荷の一部が半導体
基板上に残る６通常、下部電極は、半導体基板の支持も
兼ねているので、残った電荷は、半導体基板と電気的に
絶縁され電極間で逃げ場を失い静電気力となって半導体
基板と電極を引きつける。静電気力は酸化シリコン膜の
生成条件によっては大きな力となり、搬送トラブルを引
き起こしていた。

しかるに本発明は、かかる課題を解決するちのであり、
その目的とするところは、搬送トラブルのない安定した
プラズマ薄膜を提供することである。

［課題を解決するための手段Ｊ 本発明によるプラズマ薄膜の製造方法は、（１）高周波
（ＲＦ）を印加したプラズマＣＶＤにより薄膜を形成し
、続いて主反応ガスを遮断し、膜を成長させないガスを
流しながら、高周波（ＲＦ）出力を経時的に変化させて
いく。

（２）請求項１記載の変化が１００％から徐々に小さく
なっていく。

（３）請求項１記載の変化が１００％から一旦零になっ
た後、再度５０％以下の値をとりその後零になる。

ことを特徴とする。

〔実　施　例〕

以下本発明の実施例における工程を、第１図に示すチャ
ートに基づいて詳細に説明する。

まず、トランジスタや抵抗等の半導体素子及びアルミニ
ウム配線の形成された半導体基板をプラズマ酸化シリコ
ン膜を形成するために、約４００℃に保たれ、絶縁され
た電極が平行に配置された真空容器内に搬送する。この
容器内を一旦真空に引いた後、ＴＥＯＳ　［Ｓ　Ｌ　（
ＱＣｓ　Ｈｓ　）　４］　１０□等の反応ガスを流し、
所定の流量、圧力にコントロールした後、１３．５６Ｍ
Ｈｚ、４００Ｗの高周波（ＲＦ）を印加する。所望の時
間経過した後、主反応ガス（ＴＥＯＳ）を切り、圧力を
下げ、０２ガスを流しながら徐々にＲＦ出力を下げてい
く、半導体基板上に蓄積された電荷は、ＲＦの減少と共
に減っていきついには零になり、基板を下部電極から離
そうとして吸着することはなくなる。

または、第２図に示すチャートでは、同様に所望の時間
の経過した後、主反応ガス（ＴＥＯＳ）を切り、０２ガ
スのみを流し圧力を下げ、ＲＦを一旦切った後、再度ご
く弱いＲＦを印加し、切る。半導体基板に蓄積された電
荷は２度目の印加によって０２のプラズマ状態を導体と
して電極から逃げ、吸着は起こらない。

［発明の効果］ 以上の如く本発明によれば、プラズマによる成膜時に起
こる電極と半導１体基板の吸着をなくすことができ半導
体基板上に安定した薄膜を形成することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の一実施例によるプラズマ
薄膜形成時のＲＦ出力、主反応ガス及び酸素の流量を示
すチャートである。 第３図は、プラズマ薄膜の形成装置の概略図である。 第４図は、従来のプラズマ薄膜形成時のＲＦ出力、主反
応ガス及び酸素の流量を示すチャートである。 １ ２ ３ ４ ５ ・ＲＦ発信器 ・上部電極 ・下部電極 ・真空容器 ・半導体基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）高周波（ＲＦ）を印加したプラズマＣＶＤにより
   薄膜を形成し、続いて主反応ガスを遮断し、膜を成長さ
   せないガスを流しながら、高周波（ＲＦ）出力を経時的
   に変化させていくことを特徴とするプラズマ薄膜の製造
   方法。
2. （２）請求項１記載の変化が１００％から徐々に小さく
   なっていくことを特徴とするプラズマ薄膜の製造方法。
3. （３）請求項１記載の変化が１００％から一旦零になっ
   た後、再度５０％以下の値をとりその後零になることを
   特徴とするプラズマ薄膜の製造方法。