JPH0344561B2 - - Google Patents
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- JPH0344561B2 JPH0344561B2 JP60075249A JP7524985A JPH0344561B2 JP H0344561 B2 JPH0344561 B2 JP H0344561B2 JP 60075249 A JP60075249 A JP 60075249A JP 7524985 A JP7524985 A JP 7524985A JP H0344561 B2 JPH0344561 B2 JP H0344561B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkyl
- weight
- ethylenically unsaturated
- monomers
- free radical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/006—Removal of residual monomers by chemical reaction, e.g. scavenging
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/001—Removal of residual monomers by physical means
- C08F6/003—Removal of residual monomers by physical means from polymer solutions, suspensions, dispersions or emulsions without recovery of the polymer therefrom
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は重合体エマルジヨン中の残留単量体を
最小にする方法に関する。
最小にする方法に関する。
乳化重合方式は、ゴム状スチレン−ブタジエン
重合体およびアクリロニトリルを含む重合体を含
めて多くの型の重合体の製造に対してよく知られ
ている。商業的に使用されている方法において
は、ラテツクス中の残留単量体の量を最小にする
ことが望ましい。これは環境の観点から、悪臭を
発するか、または一層重大な健康問題を提出する
かもしれない炭化水素単量体にさらされるのを最
小にすることが望ましい。経済的観点からすれ
ば、１から0.5パーセントの遊離単量体の節約は
プラントにとつて重要な意味をもつコストの節約
である。ラテツクス中の残留単量体を減らす現行
の方法は、時間がかかりかつ生産減退となる傾向
がある。更にまた、これらの方法はエネルギーが
多量に使われるので製品に対し更にコスト負担が
加わる傾向がある。
重合体およびアクリロニトリルを含む重合体を含
めて多くの型の重合体の製造に対してよく知られ
ている。商業的に使用されている方法において
は、ラテツクス中の残留単量体の量を最小にする
ことが望ましい。これは環境の観点から、悪臭を
発するか、または一層重大な健康問題を提出する
かもしれない炭化水素単量体にさらされるのを最
小にすることが望ましい。経済的観点からすれ
ば、１から0.5パーセントの遊離単量体の節約は
プラントにとつて重要な意味をもつコストの節約
である。ラテツクス中の残留単量体を減らす現行
の方法は、時間がかかりかつ生産減退となる傾向
がある。更にまた、これらの方法はエネルギーが
多量に使われるので製品に対し更にコスト負担が
加わる傾向がある。
ラテツクス中の残留単量体含量を減らす、より
早いかつエネルギー消費の少ない方法を見出すこ
とが望ましい。最も好ましくは、残留単量体を物
理的に取り除くことに努めるよりもむしろその大
部分を重合させる傾向のある方法を見出すことが
望ましい。
早いかつエネルギー消費の少ない方法を見出すこ
とが望ましい。最も好ましくは、残留単量体を物
理的に取り除くことに努めるよりもむしろその大
部分を重合させる傾向のある方法を見出すことが
望ましい。
エス．エム．イングルント（S.M.Englund），
ケミカル エンジニヤリング プログレス
（Chemical Engineering Progress），1981年８
月、55頁による論文「ラテツクスからの単量体除
去（Monomer Removal from Latex）」は産業
が直面している問題の若干についての良い議論を
提出する。ラテツクス中の残留炭化水素単量体の
除去は、この単量体を除くためにラテツクスを新
しい流体の流れ、通常は水蒸気流と接触させうる
速度により制限される。このようにして、十分な
単量体除去を確実にするためにラテツクスを比較
的多量の水蒸気と接触させることがある。これは
異なる多くの型の問題、例えば泡立ち、ラテツク
スの不安定化またはラテツクスの質低下につなが
るかもしれない。
ケミカル エンジニヤリング プログレス
（Chemical Engineering Progress），1981年８
月、55頁による論文「ラテツクスからの単量体除
去（Monomer Removal from Latex）」は産業
が直面している問題の若干についての良い議論を
提出する。ラテツクス中の残留炭化水素単量体の
除去は、この単量体を除くためにラテツクスを新
しい流体の流れ、通常は水蒸気流と接触させうる
速度により制限される。このようにして、十分な
単量体除去を確実にするためにラテツクスを比較
的多量の水蒸気と接触させることがある。これは
異なる多くの型の問題、例えば泡立ち、ラテツク
スの不安定化またはラテツクスの質低下につなが
るかもしれない。
ビー．エフ．グツドリツチ カンパニー（B.F.
Goodrich Company）は、水性重合体乳化系か
ら残留アクリロニトリルを除去する幾つかの方法
を開発した。米国特許第4251412号明細書（1981
年２月17日発行）は、ACNと反応する化学量論
的量のアミンを添加することによりラテツクス中
の残留アクリロニトリルを減らす方法を発表して
いる。米国特許第4272425号明細書（1981年６月
９日発行）は、単量体の90パーセント転化後に、
遊離ACNより過剰に更に追加の触媒とコモノマ
ーを加えることにより、ラテツクス中のアクリロ
ニトリル含量を減らす方法を発表している。米国
特許第4278582目明細書（1981年７月14日発行）
は、ラテツクスヘアンモニア、水酸化アンモニウ
ム、チオール、H2Sあるいはアルカリまたはアル
カリ土類金金属炭酸塩、リン酸塩およびケイ酸塩
を添加することにより、ラテツクスの残留アクリ
ロニトリル含量を減らす方法を発表している。
Goodrich Company）は、水性重合体乳化系か
ら残留アクリロニトリルを除去する幾つかの方法
を開発した。米国特許第4251412号明細書（1981
年２月17日発行）は、ACNと反応する化学量論
的量のアミンを添加することによりラテツクス中
の残留アクリロニトリルを減らす方法を発表して
いる。米国特許第4272425号明細書（1981年６月
９日発行）は、単量体の90パーセント転化後に、
遊離ACNより過剰に更に追加の触媒とコモノマ
ーを加えることにより、ラテツクス中のアクリロ
ニトリル含量を減らす方法を発表している。米国
特許第4278582目明細書（1981年７月14日発行）
は、ラテツクスヘアンモニア、水酸化アンモニウ
ム、チオール、H2Sあるいはアルカリまたはアル
カリ土類金金属炭酸塩、リン酸塩およびケイ酸塩
を添加することにより、ラテツクスの残留アクリ
ロニトリル含量を減らす方法を発表している。
本発明は、ラテツクスへ更に単量体を追加する
ことを企図していないという点で上記技術と相違
する。
ことを企図していないという点で上記技術と相違
する。
残量単量体を減少させる残された方法は、流体
注入、通常は水蒸気または不活性ガスの注入およ
び（または）ラテツクスを減圧で装置に通過させ
ることを企図している。
注入、通常は水蒸気または不活性ガスの注入およ
び（または）ラテツクスを減圧で装置に通過させ
ることを企図している。
本発明は、その少なくとも80重量パーセントが
重合し終つている１種以上の単量体のエマルジヨ
ンを処理する方法を提供するもので、本法は、前
記エマルジヨンを周囲の環境における水の蒸気圧
がエマルジヨンを重要な意味をもつ程に質低下あ
るいは不安定化させることなくエマルジヨン中の
水の蒸気圧より低くなる温度および圧力条件にさ
らし、そして残留単量体含量がエマルジヨンに基
づき0.05重量パーセント以下になるまで、処理時
間１時間当り重合体100重量部当り少なくとも約
0.01重量部の遊離基発生剤をエマルジヨンの中に
導入することからなる。
重合し終つている１種以上の単量体のエマルジヨ
ンを処理する方法を提供するもので、本法は、前
記エマルジヨンを周囲の環境における水の蒸気圧
がエマルジヨンを重要な意味をもつ程に質低下あ
るいは不安定化させることなくエマルジヨン中の
水の蒸気圧より低くなる温度および圧力条件にさ
らし、そして残留単量体含量がエマルジヨンに基
づき0.05重量パーセント以下になるまで、処理時
間１時間当り重合体100重量部当り少なくとも約
0.01重量部の遊離基発生剤をエマルジヨンの中に
導入することからなる。
本明細書の中で用いた遊離基発生剤という用語
は、遊離基発生剤そのもの、および（または）遊
離基を発生する２種以上の薬品の組み合わせ、例
えば過酸化物と還元剤を包含するものとする。も
し２種以上の薬品を遊離基発生剤に用いるなら、
明記された薬剤の量は全薬剤の総添加量を指す。
は、遊離基発生剤そのもの、および（または）遊
離基を発生する２種以上の薬品の組み合わせ、例
えば過酸化物と還元剤を包含するものとする。も
し２種以上の薬品を遊離基発生剤に用いるなら、
明記された薬剤の量は全薬剤の総添加量を指す。
本発明は下記の単量体について使用できる：
C8〜12ビニル芳香族単量体（これは非置換で
もよいし、あるいはC1〜4アルキルまたはヒド
ロキシアルキル基あるいは塩素または臭素原子
により置換されてもよい）； C1〜8共役ジオレフイン； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸； C3〜9エチレン性不飽和アルデヒド； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のアミド誘
導体（これは非置換でもよいし、あるいは窒素
原子のところでC1〜4アルキル、アルカノール、
またはアルキノール残基により更に置換されて
もよい）； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8アル
キルまたはアルカノールエステル（このアルキ
ルまたはアルカノール残基は分枝鎖でも直鎖で
もよい）および C2〜8エチレン性不飽和ニトリル。
もよいし、あるいはC1〜4アルキルまたはヒド
ロキシアルキル基あるいは塩素または臭素原子
により置換されてもよい）； C1〜8共役ジオレフイン； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸； C3〜9エチレン性不飽和アルデヒド； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のアミド誘
導体（これは非置換でもよいし、あるいは窒素
原子のところでC1〜4アルキル、アルカノール、
またはアルキノール残基により更に置換されて
もよい）； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8アル
キルまたはアルカノールエステル（このアルキ
ルまたはアルカノール残基は分枝鎖でも直鎖で
もよい）および C2〜8エチレン性不飽和ニトリル。
本発明方法は、広範囲のホモポリマーまたは共
重合体に対して適当である。本法は、ポリスチレ
ン、ブタジエンスチレン重合体、更に少なくとも
１種の官能性単量体を含むブタジエンスチレン重
合体、およびアクリロニトリル含有重合体の乳化
系の処理に使用できる。
重合体に対して適当である。本法は、ポリスチレ
ン、ブタジエンスチレン重合体、更に少なくとも
１種の官能性単量体を含むブタジエンスチレン重
合体、およびアクリロニトリル含有重合体の乳化
系の処理に使用できる。
本法は、１種以上の単量体が生じた重合体中に
可溶な状況で特に有用である。これらの場合に
は、重合体に可溶な単量体の残留含量が乳化系に
基づき0.05重量パーセント以下になるまで処理を
続ける。
可溶な状況で特に有用である。これらの場合に
は、重合体に可溶な単量体の残留含量が乳化系に
基づき0.05重量パーセント以下になるまで処理を
続ける。
なるべくは、本法を下記単量体：
C8〜12ビニル芳香族単量体、C2〜8エチレン
性不飽和ニトリルまたはその混合物から選ばれ
る１種以上の単量体30〜100重量パーセント； C4〜8共役ジオレフイン０〜60重量パーセン
ト； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸、C3〜9エチ
レン性不飽和アルデヒド、前記C3〜9エチレン
性不飽和カルボン酸のアミド誘導体、および
C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8アル
キルまたはアルカノール誘導体からなる群から
選ばれる１種以上の単量体０〜10重量パーセン
ト からなる単量体混合物を重合させることにより生
ずる重合体の乳化系に対して用いるのがよい。
性不飽和ニトリルまたはその混合物から選ばれ
る１種以上の単量体30〜100重量パーセント； C4〜8共役ジオレフイン０〜60重量パーセン
ト； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸、C3〜9エチ
レン性不飽和アルデヒド、前記C3〜9エチレン
性不飽和カルボン酸のアミド誘導体、および
C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8アル
キルまたはアルカノール誘導体からなる群から
選ばれる１種以上の単量体０〜10重量パーセン
ト からなる単量体混合物を重合させることにより生
ずる重合体の乳化系に対して用いるのがよい。
特に適当なビニル芳香族単量体にはスチレン、
α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、クロ
ロスチレン、プロモスチレン、およびジビニルベ
ンゼンが含まれる。特に適当なニトリルはアクリ
ロニトリルである。なるべくこれら単量体が全単
量体組成物の30から100重量パーセントの量で最
初に存在することが好ましい。
α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、クロ
ロスチレン、プロモスチレン、およびジビニルベ
ンゼンが含まれる。特に適当なニトリルはアクリ
ロニトリルである。なるべくこれら単量体が全単
量体組成物の30から100重量パーセントの量で最
初に存在することが好ましい。
特に適当なジエンはイソプレンとブタジエンで
ある。これら単量体は全単量体混合物の約60重量
パーセントまでの量で存在しうる。
ある。これら単量体は全単量体混合物の約60重量
パーセントまでの量で存在しうる。
最初の単量体混合物は、任意に10重量パーセン
トまでの官能性単量体を含みうる。官能性単量体
には、エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性
不飽和アルデヒド、エチレン性不飽和アミド（こ
れは不飽和でも、あるいはC1〜4アルキルまたは
アルカノール残基により置換されてもよい）、お
よびC3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8ア
ルキルまたはアルカノールエステルが含まれる。
適当な官能性単量体には、アクリル酸、メタクリ
ル酸、フマル酸、イタコン酸、アクロレイン、メ
タクロレイン、シンナムアルデヒド、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリ
ルアミド、Ｎ−メチロール−メタクリルアミド、
メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エ
チルアクリレート、エチルメタクリレート、ヒド
ロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメ
タクリレート、エチルヘキシルアクリレート、お
よびエチルヘキシルメタクリレートが含まれる。
トまでの官能性単量体を含みうる。官能性単量体
には、エチレン性不飽和カルボン酸、エチレン性
不飽和アルデヒド、エチレン性不飽和アミド（こ
れは不飽和でも、あるいはC1〜4アルキルまたは
アルカノール残基により置換されてもよい）、お
よびC3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のC1〜8ア
ルキルまたはアルカノールエステルが含まれる。
適当な官能性単量体には、アクリル酸、メタクリ
ル酸、フマル酸、イタコン酸、アクロレイン、メ
タクロレイン、シンナムアルデヒド、アクリルア
ミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリ
ルアミド、Ｎ−メチロール−メタクリルアミド、
メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エ
チルアクリレート、エチルメタクリレート、ヒド
ロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメ
タクリレート、エチルヘキシルアクリレート、お
よびエチルヘキシルメタクリレートが含まれる。
本発明方法は、上記官能性単量体の１種以上と
共にスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチル
スチレン、ブタジエンまたはイソプレンの単量体
組成物に対し特に有用である。
共にスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチル
スチレン、ブタジエンまたはイソプレンの単量体
組成物に対し特に有用である。
本発明方法は、ラテツクスを重要な意味をもつ
程に質低下あるいは不安定化させないような温度
および圧力条件の下で行なう。100℃で水の蒸気
圧は水銀柱760mmである。本発明方法における適
当な温度と圧力は、92から760mmHgにおいて50か
ら100℃までにわたる。
程に質低下あるいは不安定化させないような温度
および圧力条件の下で行なう。100℃で水の蒸気
圧は水銀柱760mmである。本発明方法における適
当な温度と圧力は、92から760mmHgにおいて50か
ら100℃までにわたる。
適当な温度／圧力条件は約92mmHgで約50℃か
ら、約355mmHgで約80℃までである。最も好まし
い温度／圧力条件は約92mmHgで約50℃から約283
mmHgで約70℃までである。過程中の熱の変遷が
ラテツクスの有意な不安定化または質低下を起こ
さないことが重要である。当業者は、ラテツクス
の少試料を、アる与えられた時間にわたり特定の
温度および圧力条件にさらしたとき、それが重要
な意味をもつ程質低下または不安定化するかどう
かを見るために容易に前記試料を試験できる。
ら、約355mmHgで約80℃までである。最も好まし
い温度／圧力条件は約92mmHgで約50℃から約283
mmHgで約70℃までである。過程中の熱の変遷が
ラテツクスの有意な不安定化または質低下を起こ
さないことが重要である。当業者は、ラテツクス
の少試料を、アる与えられた時間にわたり特定の
温度および圧力条件にさらしたとき、それが重要
な意味をもつ程質低下または不安定化するかどう
かを見るために容易に前記試料を試験できる。
本発明方法によれば、ラテツクス中の重合体
100重量部当り少なくとも約0.01重量部の遊離基
発生剤をラテツクスに添加する。遊離基発生剤
は、処理温度で分解して遊離基を発生する化合物
または化合物の組み合わせ、例えば過酸化水素あ
るいは約12炭素原子までを含む有機アゾまたはジ
アゾ化合物からなる。使用条件下で調節された仕
方で分解する過酸化物またはアゾまたはジアゾ物
質を選ぶように注意すべきである。
100重量部当り少なくとも約0.01重量部の遊離基
発生剤をラテツクスに添加する。遊離基発生剤
は、処理温度で分解して遊離基を発生する化合物
または化合物の組み合わせ、例えば過酸化水素あ
るいは約12炭素原子までを含む有機アゾまたはジ
アゾ化合物からなる。使用条件下で調節された仕
方で分解する過酸化物またはアゾまたはジアゾ物
質を選ぶように注意すべきである。
適当な遊離基発生剤は酸化剤、例えば過酸化水
素、あるいは約12炭素原子までを含む有機過酸化
物またはヒドロペルオキシドおよびこれらと混合
された還元剤からなるレドツクス系からなること
ができる。適当な還元剤には還元糖およびそれら
の酸誘導体、還元性硫黄化合物、例えばアルカリ
メタ重亜硫酸塩、あるいは遷移金属化合物が含ま
れる。
素、あるいは約12炭素原子までを含む有機過酸化
物またはヒドロペルオキシドおよびこれらと混合
された還元剤からなるレドツクス系からなること
ができる。適当な還元剤には還元糖およびそれら
の酸誘導体、還元性硫黄化合物、例えばアルカリ
メタ重亜硫酸塩、あるいは遷移金属化合物が含ま
れる。
適当な過酸化物およびヒドロペルオキシドには
過酸化水素、過酸化ベンゾイルおよびｔ−ブチル
ヒドロペルオキシドが含まれる。
過酸化水素、過酸化ベンゾイルおよびｔ−ブチル
ヒドロペルオキシドが含まれる。
適当な還元剤には鉄あるいはコバルト錯体、あ
るいは還元糖、またはそれらの誘導体、例えばマ
ンニトールまたはグルコネートが含まれる。還元
剤はアルカリまたはアルカリ土類硫酸塩または重
亜硫酸塩といつた硫黄含有化合物でもよい。特に
適当な還元剤はメタ重亜硫酸ナトリウムである。
るいは還元糖、またはそれらの誘導体、例えばマ
ンニトールまたはグルコネートが含まれる。還元
剤はアルカリまたはアルカリ土類硫酸塩または重
亜硫酸塩といつた硫黄含有化合物でもよい。特に
適当な還元剤はメタ重亜硫酸ナトリウムである。
スチレン−ブタジエン型ラテツクスと共に使用
するのに特に有用な遊離基発生剤系はｔ−ブチル
ヒドロペルオキシドおよびメタ重亜硫酸ナトリウ
ムである。なるべくは過酸化物とメタ重亜硫酸塩
のほぼ等部数からなる全遊離基発生剤がラテツク
ス中の重合体100部当り約0.08重量部の量で存在
するのがよい。
するのに特に有用な遊離基発生剤系はｔ−ブチル
ヒドロペルオキシドおよびメタ重亜硫酸ナトリウ
ムである。なるべくは過酸化物とメタ重亜硫酸塩
のほぼ等部数からなる全遊離基発生剤がラテツク
ス中の重合体100部当り約0.08重量部の量で存在
するのがよい。
遊離基発生系は、ラテツクス中の重合体固形分
100重量部当り少なくとも約0.01重量部の量でラ
テツクスへ加えられる。遊離基発生剤の上側の量
に対する唯一の制約は経済性である。遊離基発生
剤の有用な上限はラテツクス中の重合体100重量
部当り約0.20重量部である。遊離基発生剤はラテ
ツクス中の重合体100重量部当り約0.01から約
0.15重量部までの量で使用できる。遊離基発生剤
に対する適当な重量範囲は重合体固形分100重量
部当り約0.04から約0.08重量部までである。
100重量部当り少なくとも約0.01重量部の量でラ
テツクスへ加えられる。遊離基発生剤の上側の量
に対する唯一の制約は経済性である。遊離基発生
剤の有用な上限はラテツクス中の重合体100重量
部当り約0.20重量部である。遊離基発生剤はラテ
ツクス中の重合体100重量部当り約0.01から約
0.15重量部までの量で使用できる。遊離基発生剤
に対する適当な重量範囲は重合体固形分100重量
部当り約0.04から約0.08重量部までである。
本発明方法は単量体系の最初の重合に関係する
意図はない。本法は一般にラテツクスの揮発物除
去の後に続いてスチームストリツパーで適用でき
る。
意図はない。本法は一般にラテツクスの揮発物除
去の後に続いてスチームストリツパーで適用でき
る。
本発明方法はまた単量体の約80パーセントが重
合体に変換した後の反応器で、揮発物除去に先立
ちラテツクスに適用することもできる。
合体に変換した後の反応器で、揮発物除去に先立
ちラテツクスに適用することもできる。
例
下記の例は本発明を説明しようとするものであ
つて、発明を制限するものではない。工場で生産
され脱揮発物を行なつたスチレン−ブタジエンラ
テツクスの四つの４試料を本発明の種々な面に
従つて、あるいは先行技術に従つて処理した。試
料を定温浴に浸した12のフラスコに入れた。フ
ラスコを真空につなぎ試料上の蒸気圧を調節し
た。この方法で、試料を無沸騰、沸騰、還流およ
び水蒸気注入にわたる条件に付することが可能と
なつた。
つて、発明を制限するものではない。工場で生産
され脱揮発物を行なつたスチレン−ブタジエンラ
テツクスの四つの４試料を本発明の種々な面に
従つて、あるいは先行技術に従つて処理した。試
料を定温浴に浸した12のフラスコに入れた。フ
ラスコを真空につなぎ試料上の蒸気圧を調節し
た。この方法で、試料を無沸騰、沸騰、還流およ
び水蒸気注入にわたる条件に付することが可能と
なつた。
ｔ−ブチルヒドロペルオキシドおよびメタ重亜
硫酸ナトリウムからなる遊離基発生剤を系に加え
た。一つの実験では、遊離基発生剤を単量体100
部につき約0.05部の量で「ワンシヨツト」で加え
た。この「ワンシヨツト」添加を還流下および水
蒸気注入下で試験した。遊離基発生剤を沸騰、還
流および水蒸気注入下に約0.5部／時の量で添加
した。ラテツクスの試料を定期的に残留スチレン
に対して試験した。次に時間数で表わした時間
（直線目盛）に対し残留スチレン百分率（対数目
盛）のグラフをプロツトした。このデータのプロ
ツトを第１図に示した。このグラフ上に理論的水
蒸気の使用法もプロツトした。
硫酸ナトリウムからなる遊離基発生剤を系に加え
た。一つの実験では、遊離基発生剤を単量体100
部につき約0.05部の量で「ワンシヨツト」で加え
た。この「ワンシヨツト」添加を還流下および水
蒸気注入下で試験した。遊離基発生剤を沸騰、還
流および水蒸気注入下に約0.5部／時の量で添加
した。ラテツクスの試料を定期的に残留スチレン
に対して試験した。次に時間数で表わした時間
（直線目盛）に対し残留スチレン百分率（対数目
盛）のグラフをプロツトした。このデータのプロ
ツトを第１図に示した。このグラフ上に理論的水
蒸気の使用法もプロツトした。
これらのグラフは本発明方法が遊離基発生剤欠
如下における通常の水蒸気ストリツピングの約２
倍効果的であることを示している。この改良によ
つてエネルギー消費が減少し、そしてラテツクス
のストリツピングに対して要求される時間が著し
く減少する。収量増加も得られる。
如下における通常の水蒸気ストリツピングの約２
倍効果的であることを示している。この改良によ
つてエネルギー消費が減少し、そしてラテツクス
のストリツピングに対して要求される時間が著し
く減少する。収量増加も得られる。
第１図はラテツクス中の残留スチレン量を時間
に対してプロツトしたグラフである。
に対してプロツトしたグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １種以上の単量体のエマルジヨンを処理する
方法において、 (イ) 前記１種以上の単量体の少なくとも80重量パ
ーセントが重合し終つており、前記１種以上の
単量体が下記の群： C8〜12ビニル芳香族単量体（これは非置換でも
よいし、あるいはC1〜4アルキルまたはヒドロ
キシアルキル基または塩素原子または臭素原子
により置換されてもよい）； C4〜8共役ジオレフイン； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸； C3〜9エチレン性不飽和アルデヒド； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸のアミド誘
導体（これは非置換でもよいし、あるいは窒素
原子のところでC1〜4アルキル、アルカノール、
またはアルキロール残基により更に置換されて
もよい）； C3〜9エチレン性不飽和カルボン酸の C1〜8アルキルまたはアルカノールエステル
（このアルキルまたはアルカノール残基は分枝
鎖または直鎖いずれでもよい）；および C2〜8エチレン性不飽和ニトリル から選択されるものであり、 (ロ) 前記エマルジヨンを、周囲の環境における水
の蒸気圧がエマルジヨンを重要な意味をもつ程
に質低下あるいは不安定化させることなく、エ
マルジヨン中の水の蒸気圧より低くなる温度お
よび圧力条件にさらし、 (ハ) 追加の単量体を添加することなしに、残留単
量体含量がエマルジヨンに基づき0.05重量パー
セント以下となるまで、処理時間１時間当にエ
マルジヨン中の重合体100重量部当り少なくと
も約0.01重量部の遊離基発生剤をエマルジヨン
中に導入することを特徴とする前記方法。 ２ 温度が50から約100℃であり、圧力が約92mm
Hgから760mmHgまでである特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３ 熱および圧力条件を還流冷却器内に保つ特許
請求の範囲第１又は２項記載の方法。 ４ 熱および圧力条件を水蒸気ストリツピング装
置内に保つ特許請求の範囲第１又は２項記載の方
法。 ５ 遊離基発生剤を処理１時間当り重合体100重
量部当り約0.01から約0.2重量部の量で加える、
特許請求の範囲第１項から４項のいずれか一項に
記載の方法。 ６ 遊離基発生剤が過酸化水素または12炭素原子
までを含むアゾあるいはジアゾ化合物である特許
請求の範囲第１項から５項のいずれか一項に記載
の方法。 ７ 遊離基発生剤が、酸化剤が約12炭素原子まで
を含む有機過酸化物および有機ヒドロペルオキシ
ドから選ばれ、還元剤が還元糖、還元糖の酸誘導
体、還元性硫黄化合物、遷移金属化合物からなる
群から選ばれるレドツクス系である特許請求の範
囲第１項から５項のいずれか一項に記載の方法。 ８ 酸化剤が約12炭素原子までを含む有機過酸化
物および有機ヒドロペルオキシドから選ばれ、還
元剤が還元性硫黄化合物から選ばれる、特許請求
の範囲第７項記載の方法。 ９ 酸化剤がC1〜4アルキルペルオキシドまたは
C1〜4アルキルヒドロペルオキシドであり、還元
剤がメタ重亜硫酸ナトリウムである特許請求の範
囲第８項記載の方法。
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| US06/598,927 US4529753A (en) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | Chemical/steam stripping |
| US598927 | 1984-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229902A JPS60229902A (ja) | 1985-11-15 |
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