JPH0344685B2 - - Google Patents
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- JPH0344685B2 JPH0344685B2 JP59191431A JP19143184A JPH0344685B2 JP H0344685 B2 JPH0344685 B2 JP H0344685B2 JP 59191431 A JP59191431 A JP 59191431A JP 19143184 A JP19143184 A JP 19143184A JP H0344685 B2 JPH0344685 B2 JP H0344685B2
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- H03C3/24—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable resistive element, e.g. tube
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高い周波数安定性および小さい発振
振幅をもつて作動する対称かつ集積可能な発振器
回路に関する。また本発明は、可変容量ダイオー
ドを構成要素として必要としないFM変調可能な
発振器回路に関する。
振幅をもつて作動する対称かつ集積可能な発振器
回路に関する。また本発明は、可変容量ダイオー
ドを構成要素として必要としないFM変調可能な
発振器回路に関する。
これまで一般に知られているこの種の発振器回
路はたとえばハートレイ回路、コルピツツ回路、
クラツプ回路またはECO（電子結合発振）回路に
基づいている。
路はたとえばハートレイ回路、コルピツツ回路、
クラツプ回路またはECO（電子結合発振）回路に
基づいている。
本発明が解決しようとする問題点は、公知の回
路と異なる構成により回路技術的費用を最小にと
どめ得る集積可能な発振器回路を提供することで
ある。
路と異なる構成により回路技術的費用を最小にと
どめ得る集積可能な発振器回路を提供することで
ある。
上述の問題点は本発明によれば、同一導電形式
のトランジスタと抵抗とから構成されている集積
可能なバイポーラ発振器回路において、基準電位
用の端子に３つの定電流源のベース点が接続され
ており、第１の定電流源の出力端が第１のトラン
ジスタのエミツタと第２のトランジスタのベース
とに、また第２の定電流源の出力端が第３のトラ
ンジスタのエミツタと第４のトランジスタのベー
スとに接続されており、第２のトランジスタのエ
ミツタおよび第４のトランジスタのエミツタが第
３の定電流源の出力端に接続されており、第１の
トランジスタのコレクタおよび第３のトランジス
タのコレクタが直接に供給電位用の端子に接続さ
れており、他方第２のトランジスタのコレクタお
よび第４のトランジスタのコレクタは各１つの抵
抗を介して供給電位用の端子に接続されており、
第１のトランジスタのベースが１つの抵抗を介し
て第４のトランジスタのコレクタと、また第３の
トランジスタのベースがもう１つの抵抗を介して
第２のトランジスタのコレクタと接続されてお
り、第３のトランジスタのベースと第１のトラン
ジスタのベースとの間に１つの周波数決定用回路
たとえば１つの共振回路が接続され、供給される
発振器電圧が第１のトランジスタのエミツタと第
３のトランジスタのエミツタとの間で取出し可能
であり、第１の縦続トランジスタがそのエミツタ
で第１のトランジスタに属する負荷抵抗の第２の
トランジスタと反対側の端に接続されており、ま
た第２の縦続トランジスタがそのエミツタで第３
のトランジスタに属する負荷抵抗の第４のトラン
ジスタと反射側の端に接続されており、こうして
単一の接続が負荷抵抗と供給電位用の端子との間
に形成されており、また両縦続トランジスタのベ
ース端子が１つの共通の参照電位に、またそれら
のコレクタが各１つの抵抗を介して供給電位用の
端子に接続されており、それにより両縦続トラン
ジスタのコレクタの間に取り出すべき発振器信号
が生ずるようになつていることによつて解決され
る。
のトランジスタと抵抗とから構成されている集積
可能なバイポーラ発振器回路において、基準電位
用の端子に３つの定電流源のベース点が接続され
ており、第１の定電流源の出力端が第１のトラン
ジスタのエミツタと第２のトランジスタのベース
とに、また第２の定電流源の出力端が第３のトラ
ンジスタのエミツタと第４のトランジスタのベー
スとに接続されており、第２のトランジスタのエ
ミツタおよび第４のトランジスタのエミツタが第
３の定電流源の出力端に接続されており、第１の
トランジスタのコレクタおよび第３のトランジス
タのコレクタが直接に供給電位用の端子に接続さ
れており、他方第２のトランジスタのコレクタお
よび第４のトランジスタのコレクタは各１つの抵
抗を介して供給電位用の端子に接続されており、
第１のトランジスタのベースが１つの抵抗を介し
て第４のトランジスタのコレクタと、また第３の
トランジスタのベースがもう１つの抵抗を介して
第２のトランジスタのコレクタと接続されてお
り、第３のトランジスタのベースと第１のトラン
ジスタのベースとの間に１つの周波数決定用回路
たとえば１つの共振回路が接続され、供給される
発振器電圧が第１のトランジスタのエミツタと第
３のトランジスタのエミツタとの間で取出し可能
であり、第１の縦続トランジスタがそのエミツタ
で第１のトランジスタに属する負荷抵抗の第２の
トランジスタと反対側の端に接続されており、ま
た第２の縦続トランジスタがそのエミツタで第３
のトランジスタに属する負荷抵抗の第４のトラン
ジスタと反射側の端に接続されており、こうして
単一の接続が負荷抵抗と供給電位用の端子との間
に形成されており、また両縦続トランジスタのベ
ース端子が１つの共通の参照電位に、またそれら
のコレクタが各１つの抵抗を介して供給電位用の
端子に接続されており、それにより両縦続トラン
ジスタのコレクタの間に取り出すべき発振器信号
が生ずるようになつていることによつて解決され
る。
本発明による発振器の第１図に示されている回
路では、本発明の上記の定義に従つて、第１のト
ランジスタＴ１がそのエミツタで第２のトランジ
スタＴ２のベースと第１の定電流源Ｉ１の出力端
とに接続されており、他方第３のトランジスタＴ
３はそのエミツタで第４のトランジスタＴ４のベ
ースと第２の定電流源Ｉ２の出力端とに接続され
ている。第２のトランジスタＴ２のエミツタおよ
び第４のトランジスタＴ４のエミツタは共通に第
３の定電流源Ｉ３の出力端に接続されている。互
いに等しくまた例えば電流源回路内の１つのトラ
ンジスタまたは１つの電流ミラーにより形成され
ている定電流源Ｉ１，Ｉ２およびＩ３は基準電位
用の端子４に接続されている。使用されているト
ランジスタＴ１〜Ｔ４は（定電流源内のトランジ
スタと同様に）第１図に示されている好ましい実
施例ではpnpトランジスタである。
路では、本発明の上記の定義に従つて、第１のト
ランジスタＴ１がそのエミツタで第２のトランジ
スタＴ２のベースと第１の定電流源Ｉ１の出力端
とに接続されており、他方第３のトランジスタＴ
３はそのエミツタで第４のトランジスタＴ４のベ
ースと第２の定電流源Ｉ２の出力端とに接続され
ている。第２のトランジスタＴ２のエミツタおよ
び第４のトランジスタＴ４のエミツタは共通に第
３の定電流源Ｉ３の出力端に接続されている。互
いに等しくまた例えば電流源回路内の１つのトラ
ンジスタまたは１つの電流ミラーにより形成され
ている定電流源Ｉ１，Ｉ２およびＩ３は基準電位
用の端子４に接続されている。使用されているト
ランジスタＴ１〜Ｔ４は（定電流源内のトランジ
スタと同様に）第１図に示されている好ましい実
施例ではpnpトランジスタである。
第１のトランジスタＴ１のコレクタおよび第３
のトランジスタＴ３のコレクタは直接に供給電位
UBatt用の端子３に接続されており、他方第２の
トランジスタＴ２のコレクタと端子３との間およ
び第４のトランジスタＴ４のコレクタと端子３と
の間には各１つの抵抗Ｒ１またはＲ２が挿入され
ている。両抵抗Ｒ１およびＲ２は互いに等しい。
さらに第１のトランジスタＴ１のベースは１つの
端子１に、また第３のトランジスタＴ３のベース
はもう１つの端子２に接続されている。端子１と
端子２との間に周波数決定用回路、すなわちこの
例ではコンデンサＣ１およびインダクタンスＬ１
の並列回路から成る１つの共振回路が接続されて
いる。第２のトランジスタＴ２のコレクタと第３
のトランジスタＴ３のベースとの間に１つの抵抗
Ｒ３が接続されており、また第４のトランジスタ
Ｔ４のコレクタと第１のトランジスタＴ１のベー
スとの間にもう１つの抵抗Ｒ４が接続されてい
る。対称性のために抵抗Ｒ３およびＲ４も互いに
等しいことが好ましい。発振器信号は第１のトラ
ンジスタＴ１のエミツタと第３のトランジスタＴ
３のエミツタとの間すなわち端子５と端子６との
間から取出すことができる。
のトランジスタＴ３のコレクタは直接に供給電位
UBatt用の端子３に接続されており、他方第２の
トランジスタＴ２のコレクタと端子３との間およ
び第４のトランジスタＴ４のコレクタと端子３と
の間には各１つの抵抗Ｒ１またはＲ２が挿入され
ている。両抵抗Ｒ１およびＲ２は互いに等しい。
さらに第１のトランジスタＴ１のベースは１つの
端子１に、また第３のトランジスタＴ３のベース
はもう１つの端子２に接続されている。端子１と
端子２との間に周波数決定用回路、すなわちこの
例ではコンデンサＣ１およびインダクタンスＬ１
の並列回路から成る１つの共振回路が接続されて
いる。第２のトランジスタＴ２のコレクタと第３
のトランジスタＴ３のベースとの間に１つの抵抗
Ｒ３が接続されており、また第４のトランジスタ
Ｔ４のコレクタと第１のトランジスタＴ１のベー
スとの間にもう１つの抵抗Ｒ４が接続されてい
る。対称性のために抵抗Ｒ３およびＲ４も互いに
等しいことが好ましい。発振器信号は第１のトラ
ンジスタＴ１のエミツタと第３のトランジスタＴ
３のエミツタとの間すなわち端子５と端子６との
間から取出すことができる。
こうして本発明による発振器の増幅器部分は、
エミツタで第２の定電流源Ｉ２に接続されている
両トランジスタＴ２およびＴ４（すなわち第２お
よび第４のトランジスタ）と両負荷抵抗Ｒ１およ
びＲ２とから成つている。第３の定電流源Ｉ３は
この増幅器段にエミツタ電流を供給する。エミツ
タフオロワーを形成する両トランジスタＴ１およ
びＴ３が増幅器を形成するトランジスタＴ２，Ｔ
４のベース端子を制御して、この段の入力インピ
ーダンスを高めるので、端子１および２に接続さ
れている共振回路Ｃ１，Ｌ１は、これらのトラン
ジスタＴ１およびＴ３存在しない場合にくらべて
少なくダンプ（damp）される。
エミツタで第２の定電流源Ｉ２に接続されている
両トランジスタＴ２およびＴ４（すなわち第２お
よび第４のトランジスタ）と両負荷抵抗Ｒ１およ
びＲ２とから成つている。第３の定電流源Ｉ３は
この増幅器段にエミツタ電流を供給する。エミツ
タフオロワーを形成する両トランジスタＴ１およ
びＴ３が増幅器を形成するトランジスタＴ２，Ｔ
４のベース端子を制御して、この段の入力インピ
ーダンスを高めるので、端子１および２に接続さ
れている共振回路Ｃ１，Ｌ１は、これらのトラン
ジスタＴ１およびＴ３存在しない場合にくらべて
少なくダンプ（damp）される。
抵抗Ｒ３およびＲ４を介して、トランジスタＴ
１およびＴ３のベース端子により形成されている
増幅器入力端への対称同相の帰還が行なわれる。
端子１および２に共振回路Ｃ１，Ｌ１が接続され
ると、上記の回路は、増幅器の位相回転を無視し
得るかぎり、ほぼ共振回路の中心周波数で発振す
る。共振回路のＱが十分に大きければ、ループゲ
インｋ≧１が得られる。その後に発振が持続され
る。最大発振振幅は差動増幅器の入力特性におけ
る制限を介して定まる。端子５および６から、ほ
とんど反作用なしに高調波成分の少ない発振器信
号を取出すことができる。
１およびＴ３のベース端子により形成されている
増幅器入力端への対称同相の帰還が行なわれる。
端子１および２に共振回路Ｃ１，Ｌ１が接続され
ると、上記の回路は、増幅器の位相回転を無視し
得るかぎり、ほぼ共振回路の中心周波数で発振す
る。共振回路のＱが十分に大きければ、ループゲ
インｋ≧１が得られる。その後に発振が持続され
る。最大発振振幅は差動増幅器の入力特性におけ
る制限を介して定まる。端子５および６から、ほ
とんど反作用なしに高調波成分の少ない発振器信
号を取出すことができる。
しかし、発振器信号は負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２と供
給電位UBatt用の供給端子３との間の縦続トラン
ジスタによつても取出すことができる。この可能
性は後で第１ａ図により一層詳細に説明する。
給電位UBatt用の供給端子３との間の縦続トラン
ジスタによつても取出すことができる。この可能
性は後で第１ａ図により一層詳細に説明する。
第１図により説明した対称な発振器構成を、共
振回路と接続されている端子１または２を選択的
に接地点（すなわち端子４における基準電位）と
容量結合することによつて、非対称構成に変形す
ることもできる。これは、共振回路Ｃ１，Ｌ１の
一方の端もしくは他方の端と接地点との間を１つ
の追加したコンデンサ（図示せず）を介して接続
することにより行なわれる。共振回路Ｃ１，Ｌ１
を１つの水晶共振子により置換することもでき
る。
振回路と接続されている端子１または２を選択的
に接地点（すなわち端子４における基準電位）と
容量結合することによつて、非対称構成に変形す
ることもできる。これは、共振回路Ｃ１，Ｌ１の
一方の端もしくは他方の端と接地点との間を１つ
の追加したコンデンサ（図示せず）を介して接続
することにより行なわれる。共振回路Ｃ１，Ｌ１
を１つの水晶共振子により置換することもでき
る。
本発明にとつて重要なことを列挙すると次のと
おりである。
おりである。
ａ） 共振回路が増幅器の高抵抗の入力端１，２
に接続されており、また信号帰還が同じく高抵
抗の帰還抵抗Ｒ３およびＲ４を介して実現され
ること。両帰還抵抗Ｒ３およびＲ４の値を、共
振回路の高いＱが不必要に強くダンプされない
ように、他方負荷抵抗Ｒ１およびＲ２がそのつ
どの動作周波数にマツチした低い値に設定され
るように、選定することは目的になかつてい
る。
に接続されており、また信号帰還が同じく高抵
抗の帰還抵抗Ｒ３およびＲ４を介して実現され
ること。両帰還抵抗Ｒ３およびＲ４の値を、共
振回路の高いＱが不必要に強くダンプされない
ように、他方負荷抵抗Ｒ１およびＲ２がそのつ
どの動作周波数にマツチした低い値に設定され
るように、選定することは目的になかつてい
る。
ｂ） 発振振幅が共振回路において比較的低い電
圧値、すなわち約200mVppに制限されること。
これは負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２における発振振幅を
高抵抗の帰還抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して分圧する
ことにより行なわれる。
圧値、すなわち約200mVppに制限されること。
これは負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２における発振振幅を
高抵抗の帰還抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して分圧する
ことにより行なわれる。
ｃ） 高い周波数安定性および無ひずみ性（高調
波抑制）が共振回路の高い動作時のＱにより得
られること。
波抑制）が共振回路の高い動作時のＱにより得
られること。
ｄ） 発振器から供給される発振の周波数の温度
依存性が、定電流源から与えられる電流の相応
の温度依存性により集積回路の通常の使用温度
範囲内で補償されていること。
依存性が、定電流源から与えられる電流の相応
の温度依存性により集積回路の通常の使用温度
範囲内で補償されていること。
第１図に示した発振器回路を、前記のように、
第１ａ図に示すように部分的に補足することもで
きる。
第１ａ図に示すように部分的に補足することもで
きる。
そのためには、第２のトランジスタＴ２および
帰還抵抗Ｒ３と反対側の負荷抵抗Ｒ１の端が供給
電位UBatt用の端子３に直接には接続されない。
同じことが第４のトランジスタＴ４および帰還抵
抗Ｒ４と反対側の負荷抵抗Ｒ２の端についてもあ
てはまる。そのかわりに、第１ａ図に示されてい
るように、Ｒ１の上記の端はトランジスタＴ１〜
Ｔ４と同一形式の１つの縦続トランジスタｔのエ
ミツタに接続されている。同じことが、エミツタ
で他方の負荷抵抗Ｒ２の上記の端に接続されてい
る縦続トランジスタt′についてもあてはまる。両
トランジスタｔおよびt′のベース端子は１つの共
通の参照電位URefを与えられており、他方それら
のコレクタは各１つの抵抗ｒまたはr′を介して供
給端子３に接続されている。両縦続トランジスタ
ｔまたはt′のコレクタはさらに各１つの出力端子
９または１０に接続されている。両出力端子９お
よび１０から発振器信号を同様に取出すことがで
きる。
帰還抵抗Ｒ３と反対側の負荷抵抗Ｒ１の端が供給
電位UBatt用の端子３に直接には接続されない。
同じことが第４のトランジスタＴ４および帰還抵
抗Ｒ４と反対側の負荷抵抗Ｒ２の端についてもあ
てはまる。そのかわりに、第１ａ図に示されてい
るように、Ｒ１の上記の端はトランジスタＴ１〜
Ｔ４と同一形式の１つの縦続トランジスタｔのエ
ミツタに接続されている。同じことが、エミツタ
で他方の負荷抵抗Ｒ２の上記の端に接続されてい
る縦続トランジスタt′についてもあてはまる。両
トランジスタｔおよびt′のベース端子は１つの共
通の参照電位URefを与えられており、他方それら
のコレクタは各１つの抵抗ｒまたはr′を介して供
給端子３に接続されている。両縦続トランジスタ
ｔまたはt′のコレクタはさらに各１つの出力端子
９または１０に接続されている。両出力端子９お
よび１０から発振器信号を同様に取出すことがで
きる。
前記のように、本発明による発振器回路は、可
変容量ダイオードを用いずに変調可能なFM発振
器として拡張可能である。そのために必要な補足
を第１図（または第１ａ図）による回路に加えた
回路が第２図に示されている。次に、この回路お
よびその作動の仕方を説明する。
変容量ダイオードを用いずに変調可能なFM発振
器として拡張可能である。そのために必要な補足
を第１図（または第１ａ図）による回路に加えた
回路が第２図に示されている。次に、この回路お
よびその作動の仕方を説明する。
先ず確認すべきこととして、第１図の回路と異
なり、第２のトランジスタＴ２のエミツタと第４
のトランジスタＴ４のエミツタとの間の接続点と
第３の定電流源Ｉ３の出力端との間の接続が直接
には行なわれておらず、第５のトランジスタＴ５
のエミツタ−コレクタ区間を介して行なわれてお
り、第５のトランジスタＴ５のエミツタが第３の
定電流源Ｉ３の出力端に接続されており、さらに
第５の抵抗Ｒ５を介して第６のトランジスタＴ６
のエミツタと第４の定電流源Ｉ４の出力端とに接
続されている。この回路でも定電流源のベース点
は基準電位（接地）用の端子４に接続されてい
る。
なり、第２のトランジスタＴ２のエミツタと第４
のトランジスタＴ４のエミツタとの間の接続点と
第３の定電流源Ｉ３の出力端との間の接続が直接
には行なわれておらず、第５のトランジスタＴ５
のエミツタ−コレクタ区間を介して行なわれてお
り、第５のトランジスタＴ５のエミツタが第３の
定電流源Ｉ３の出力端に接続されており、さらに
第５の抵抗Ｒ５を介して第６のトランジスタＴ６
のエミツタと第４の定電流源Ｉ４の出力端とに接
続されている。この回路でも定電流源のベース点
は基準電位（接地）用の端子４に接続されてい
る。
第７の接続端子７はNF（低周波）入力端であ
り、第７のトランジスタＴ７のベース電極により
形成されており、そのコレクタは供給電位UBatt
用の端子３に接続されており、またそのエミツタ
は第５の定電流源Ｉ５の出力端と第５のトランジ
スタＴ５のベースとに接続されている。参照電位
Urefを与えられるもう１つの端子８は第８のトラ
ンジスタＴ８のベースに接続されており、そのコ
レクタは同じく直接に供給電位用の端子３に接続
されており、またそのエミツタは第６のトランジ
スタＴ６のベースと第６の定電流源Ｉ６の出力端
とに接続されている。
り、第７のトランジスタＴ７のベース電極により
形成されており、そのコレクタは供給電位UBatt
用の端子３に接続されており、またそのエミツタ
は第５の定電流源Ｉ５の出力端と第５のトランジ
スタＴ５のベースとに接続されている。参照電位
Urefを与えられるもう１つの端子８は第８のトラ
ンジスタＴ８のベースに接続されており、そのコ
レクタは同じく直接に供給電位用の端子３に接続
されており、またそのエミツタは第６のトランジ
スタＴ６のベースと第６の定電流源Ｉ６の出力端
とに接続されている。
第６図のトランジスタＴ６のコレクタは２つの
別のトランジスタＴ９およびＴ１０のエミツタに
直接に接続されており、第９のトランジスタＴ９
のベースは第１のトランジスタＴ１のエミツタ
に、また第10のトランジスタＴ１０のベースは第
３のトランジスタＴ３のエミツタに接続されてい
る。さらに、第９のトランジスタＴ９のコレクタ
と供給電位UBatt用の端子３との間は１つの負荷
抵抗Ｒ６を介して接続されており、また第10のト
ランジスタＴ１０のコレクタと供給電位用の端子
３との間はもう１つの負荷抵抗Ｒ７を介して接続
されている。両トランジスタＴ９およびＴ１０は
コレクタ同士を図示の例では１つのコンデンサＣ
２から成る少くとも１つの容量結合により接続さ
れている。第９のトランジスタＴ９のコレクタと
第３のトランジスタＴ３のベースとの間は１つの
抵抗Ｒ８を介して接続されており、また第10のト
ランジスタＴ１０のコレクタと第１のトランジス
タＴ１のベースとの間はもう１つの抵抗Ｒ９を介
して接続されている。。さらに、第２のトランジ
スタＴ２のコレクタと第４のトランジスタＴ４の
コレクタとの間は第10の抵抗Ｒ１０を介して接続
されている。
別のトランジスタＴ９およびＴ１０のエミツタに
直接に接続されており、第９のトランジスタＴ９
のベースは第１のトランジスタＴ１のエミツタ
に、また第10のトランジスタＴ１０のベースは第
３のトランジスタＴ３のエミツタに接続されてい
る。さらに、第９のトランジスタＴ９のコレクタ
と供給電位UBatt用の端子３との間は１つの負荷
抵抗Ｒ６を介して接続されており、また第10のト
ランジスタＴ１０のコレクタと供給電位用の端子
３との間はもう１つの負荷抵抗Ｒ７を介して接続
されている。両トランジスタＴ９およびＴ１０は
コレクタ同士を図示の例では１つのコンデンサＣ
２から成る少くとも１つの容量結合により接続さ
れている。第９のトランジスタＴ９のコレクタと
第３のトランジスタＴ３のベースとの間は１つの
抵抗Ｒ８を介して接続されており、また第10のト
ランジスタＴ１０のコレクタと第１のトランジス
タＴ１のベースとの間はもう１つの抵抗Ｒ９を介
して接続されている。。さらに、第２のトランジ
スタＴ２のコレクタと第４のトランジスタＴ４の
コレクタとの間は第10の抵抗Ｒ１０を介して接続
されている。
第２図に示されている回路図から直ちにわかる
ように、本来の発振器はトランジスタＴ１，Ｔ
２，Ｔ９，Ｔ１０，Ｔ４およびＴ３と抵抗Ｒ１〜
Ｒ４およびＲ６〜Ｒ９と、端子１，２の間の共振
回路のインダクタンスＬ１およびコンデンサＣ１
とトランジスタＴ９およびＴ１０のコレクタ同士
を容量結合するキヤパシタンスＣ２とから成つて
いる。
ように、本来の発振器はトランジスタＴ１，Ｔ
２，Ｔ９，Ｔ１０，Ｔ４およびＴ３と抵抗Ｒ１〜
Ｒ４およびＲ６〜Ｒ９と、端子１，２の間の共振
回路のインダクタンスＬ１およびコンデンサＣ１
とトランジスタＴ９およびＴ１０のコレクタ同士
を容量結合するキヤパシタンスＣ２とから成つて
いる。
いま端子７（＝NF入力端）が参照点（端子
８）よりも実質的に正の電位にあり、かつ前記ト
ランジスタが、図示されている場合のように、す
べてnpn型であれば、定電流源Ｉ３，Ｉ４からＴ
５およびＴ６に与えられる電流はすべてＴ５のコ
レクタを介してエミツタ結合差動増幅器段を形成
するトランジスタＴ２，Ｔ４のエミツタに流れ
る。こうしてこの段は最大の増幅率で作動する。
端子１および２には本来の周波数決定用素子Ｃ
１，Ｘ１が接続されている。エミツタフオロワー
として作動する両トランジスタＴ１，Ｔ３のエミ
ツタを介してＴ２およびＴ９またはＴ４およびＴ
１０のベース端子が駆動され、その際に上記の関
係のもとに両トランジスタＴ２およびＴ４のみが
アクテイブである。増幅された信号は抵抗Ｒ１０
およびＲ１またはＲ１０およびＲ２にかかる。抵
抗Ｒ３およびＲ４を介してこの信号は同相で増幅
器の入力端１および２に、従つてまた共振回路Ｃ
１，Ｌ１に帰還される。増幅器がとるに足るほど
の個有の位相回転を有していなければ、発振器は
共振回路Ｌ１，Ｃ１の中心周波数で発振し、その
際に発振振幅は差動増幅器の入力特性の制限と共
振回路のＱとにより定まる。
８）よりも実質的に正の電位にあり、かつ前記ト
ランジスタが、図示されている場合のように、す
べてnpn型であれば、定電流源Ｉ３，Ｉ４からＴ
５およびＴ６に与えられる電流はすべてＴ５のコ
レクタを介してエミツタ結合差動増幅器段を形成
するトランジスタＴ２，Ｔ４のエミツタに流れ
る。こうしてこの段は最大の増幅率で作動する。
端子１および２には本来の周波数決定用素子Ｃ
１，Ｘ１が接続されている。エミツタフオロワー
として作動する両トランジスタＴ１，Ｔ３のエミ
ツタを介してＴ２およびＴ９またはＴ４およびＴ
１０のベース端子が駆動され、その際に上記の関
係のもとに両トランジスタＴ２およびＴ４のみが
アクテイブである。増幅された信号は抵抗Ｒ１０
およびＲ１またはＲ１０およびＲ２にかかる。抵
抗Ｒ３およびＲ４を介してこの信号は同相で増幅
器の入力端１および２に、従つてまた共振回路Ｃ
１，Ｌ１に帰還される。増幅器がとるに足るほど
の個有の位相回転を有していなければ、発振器は
共振回路Ｌ１，Ｃ１の中心周波数で発振し、その
際に発振振幅は差動増幅器の入力特性の制限と共
振回路のＱとにより定まる。
端子５および６、すなわちトランジスタＴ１お
よびＴ３のエミツタから、発振器から供給される
信号が反作用なしに、また高い無ひずみ性で取り
出すことができる。なぜならば、信号は直接に共
振回路Ｌ１，Ｃ１から導き出されているからであ
る。
よびＴ３のエミツタから、発振器から供給される
信号が反作用なしに、また高い無ひずみ性で取り
出すことができる。なぜならば、信号は直接に共
振回路Ｌ１，Ｃ１から導き出されているからであ
る。
いま、他方において、NF入力端子７の電位が
参照入力端８の電位よりも実質的に負であれば、
定電流源Ｉ３，Ｉ４からの電流はすべてトランジ
スタＴ１０のコレクタを介して第２のエミツタ結
合差動増幅器段を形成するトランジスタＴ９，Ｔ
１０に流れる。この差動増幅段Ｔ９，Ｔ１０の複
合負荷インピーダンスは抵抗Ｒ６，Ｒ７およびコ
ンデンサＣ２から成つている。この負荷インピー
グンスはそれを構成する別素子の相応の設定によ
り、トランジスタＴ２およびＴ４により形成され
る差動増幅器段の負荷インピーダンスと同一の大
きさを有するように選定されている。しかし、位
相角はコンデンサＣ２の存在のために一定、たと
えば−45゜、に設定されている。発振器の発振条
件は、発振器回路の閉ループ内で伝達位相が零に
等しい値を有しかつ正規化振幅値が１以上の値を
有することである。全位相が0゜に等しくなるため
には、発振周波数は、並列共振回路が位相応答に
おいて45゜の大きさだけ共振周波数の下側に位置
するように整定しなければならない。上記の関係
に基づいて、端子７に与える直流電圧または交流
電圧により発振器周波数の変更、従つてまたFM
変調が可能である。
参照入力端８の電位よりも実質的に負であれば、
定電流源Ｉ３，Ｉ４からの電流はすべてトランジ
スタＴ１０のコレクタを介して第２のエミツタ結
合差動増幅器段を形成するトランジスタＴ９，Ｔ
１０に流れる。この差動増幅段Ｔ９，Ｔ１０の複
合負荷インピーダンスは抵抗Ｒ６，Ｒ７およびコ
ンデンサＣ２から成つている。この負荷インピー
グンスはそれを構成する別素子の相応の設定によ
り、トランジスタＴ２およびＴ４により形成され
る差動増幅器段の負荷インピーダンスと同一の大
きさを有するように選定されている。しかし、位
相角はコンデンサＣ２の存在のために一定、たと
えば−45゜、に設定されている。発振器の発振条
件は、発振器回路の閉ループ内で伝達位相が零に
等しい値を有しかつ正規化振幅値が１以上の値を
有することである。全位相が0゜に等しくなるため
には、発振周波数は、並列共振回路が位相応答に
おいて45゜の大きさだけ共振周波数の下側に位置
するように整定しなければならない。上記の関係
に基づいて、端子７に与える直流電圧または交流
電圧により発振器周波数の変更、従つてまたFM
変調が可能である。
第１図または第２図に示されている回路中の抵
抗の値はたとえば下記のように設定することがで
きる。
抗の値はたとえば下記のように設定することがで
きる。
R1＝2kΩ；R2＝2kΩ；R3＝10kΩ；R4＝
10kΩ； R5＝4kΩ；R6＝2kΩ；R7＝2kΩ；R8＝
10kΩ； R9＝10kΩ；R10＝4kΩ；ｒ＝r′＝2kΩ； コンデンサC2はたとえば5.5MHzに対してC2＝
（ω・R10）-1＝7pFのキヤパシタンス値に設定す
るのがよい。
10kΩ； R5＝4kΩ；R6＝2kΩ；R7＝2kΩ；R8＝
10kΩ； R9＝10kΩ；R10＝4kΩ；ｒ＝r′＝2kΩ； コンデンサC2はたとえば5.5MHzに対してC2＝
（ω・R10）-1＝7pFのキヤパシタンス値に設定す
るのがよい。
npnトランジスタのかわりにpnpトランジスタ
を用いることもできよう。しかし、公知の理由か
ら、npnトランジスタを用いる上記の実施例のほ
うが良好である。
を用いることもできよう。しかし、公知の理由か
ら、npnトランジスタを用いる上記の実施例のほ
うが良好である。
第２図に示されている本発明による発振器回路
で重要なことを次に列挙する。
で重要なことを次に列挙する。
１ 発振器が２つの増幅器段Ｔ２，Ｔ４およびＴ
９，Ｔ１０を有する（それに対して第１図に示
されている本発明の基本形態は１つの増幅器段
すなわちＴ２，Ｔ４しか有していない）。それ
により第２図の発振器回路では周波数変更がこ
れらの２つの段における電流制御により可能で
ある。
９，Ｔ１０を有する（それに対して第１図に示
されている本発明の基本形態は１つの増幅器段
すなわちＴ２，Ｔ４しか有していない）。それ
により第２図の発振器回路では周波数変更がこ
れらの２つの段における電流制御により可能で
ある。
２ NF信号供給がHF信号経路内に位置してい
ないので、HF経路とNF経路との間の影響が
生じない。
ないので、HF経路とNF経路との間の影響が
生じない。
３ FM変調されたHF信号がほとんど反作用な
しに端子５，６または（９，１０）から、高調
波成分の少ない信号として取出すことができ
る。
しに端子５，６または（９，１０）から、高調
波成分の少ない信号として取出すことができ
る。
４ 変調に伴う変調ひずみ率が非常に小さい。
第１図による回路および第２図による回路が
（たかだか共振回路Ｌ１，Ｃ１を例外として）困
難なしにモノリシツク集積可能であることは容易
に理解されよう。回路中に用いられているトラン
ジスタ電界効果トランジスタ、特にたとえばｎチ
ヤネル形式の自己阻止性MOS電界効果トランジ
スタにより置換することもできる。
（たかだか共振回路Ｌ１，Ｃ１を例外として）困
難なしにモノリシツク集積可能であることは容易
に理解されよう。回路中に用いられているトラン
ジスタ電界効果トランジスタ、特にたとえばｎチ
ヤネル形式の自己阻止性MOS電界効果トランジ
スタにより置換することもできる。
第１図は本発明の一実施例の接続図、第１ａ図
は第１図の発振器回路に補足される回路の接続
図、第２図は本発明の異なる実施例の接続図であ
る。 １，２……共振回路接続端子、３……供給電位
用端子、４……基準電位用端子、５，６……出力
端子、７……低周波信号端子、８……参照電圧用
端子、９，１０……出力端子、Ｃ１，Ｌ１……共
振回路、Ｉ１〜Ｉ６……定電流源、Ｔ１〜Ｔ４…
…トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２……負荷抵抗、Ｒ
３，Ｒ４……抵抗、ｔ，t′……縦続トランジス
タ。
は第１図の発振器回路に補足される回路の接続
図、第２図は本発明の異なる実施例の接続図であ
る。 １，２……共振回路接続端子、３……供給電位
用端子、４……基準電位用端子、５，６……出力
端子、７……低周波信号端子、８……参照電圧用
端子、９，１０……出力端子、Ｃ１，Ｌ１……共
振回路、Ｉ１〜Ｉ６……定電流源、Ｔ１〜Ｔ４…
…トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２……負荷抵抗、Ｒ
３，Ｒ４……抵抗、ｔ，t′……縦続トランジス
タ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一導電形のトランジスタと抵抗とから構成
されている集積可能なバイポーラ発振器回路にお
いて、基準電位用の端子４に３つの定電流源Ｉ
１，Ｉ２，Ｉ３のベース点が接続されており、第
１の定電流源Ｉ１の出力端が第１のトランジスタ
Ｔ１のエミツタと第２のトランジスタＴ２のベー
スとに、また第２の定電流源Ｉ２の出力端が第３
のトランジスタＴ３のエミツタと第４のトランジ
スタＴ４のベースとに接続されており、第２のト
ランジスタＴ２のエミツタおよび第４のトランジ
スタＴ４のエミツタが第３の定電流源Ｉ３の出力
端に接続されており、第１のトランジスタＴ１の
コレクタおよび第３のトランジスタＴ３のコレク
タが直接に供給電位（UBatt）用の端子３に接続
されており、他方第２のトランジスタＴ２のコレ
クタおよび第４のトランジスタＴ４のコレクタは
各１つの抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して供給電位
（UBatt）用の端子３に接続されており、第１のト
ランジスタＴ１のベースが１つの抵抗Ｒ４を介し
て第４のトランジスタＴ４のコレクタと、また第
３のトランジスタＴ３のベースがもう１つの抵抗
Ｒ３を介して第２のトランジスタＴ２のコレクタ
と接続されており、第３のトランジスタＴ３のベ
ースと第１のトランジスタＴ１のベースとの間に
１つの周波数決定用回路たとえば１つの共振回路
が接続され、供給される共振器電圧が第１のトラ
ンジスタＴ１のエミツタと第３のトランジスタＴ
３のエミツタとの間で取出し可能であり、第１の
縦続トランジスタｔがそのエミツタで第１のトラ
ンジスタＴ１に属する負荷抵抗Ｒ１の第２のトラ
ンジスタＴ２と反射側の端に接続されており、ま
た第２の縦続トランジスタt′がそのエミツタで第
３のトランジスタＴ３に属する負荷抵抗Ｒ２の第
４のトランジスタＴ４と反対側の端に接続されて
おり、こうして単一の接続が負荷抵抗（Ｒ１また
はＲ２）と供給電位用の端子３との間に形成され
ており、また両縦続トランジスタｔ，t′のベース
端子が１つの共通の参照電位（URef）に、またそ
れらのコレクタが各１つの抵抗ｒ，r′を介して供
給電位用の端子３に接続されており、それにより
両縦続トランジスタｔ，t′のコレクタの間に取出
すべき共振器信号が生ずることを特徴とする発振
器回路。 ２ 第２のトランジスタＴ２のエミツタと第４の
トランジスタＴ４のエミツタとの間の接続点から
第３の定電流源Ｉ３の出力端への接続が第５のト
ランジスタＴ５を介して行われており、そのエミ
ツタが第３の定電流源Ｉ３の出力端に接続されて
おり、またそのコレクタは第２のトランジスタＴ
２のエミツタおよび第４のトランジスタＴ４のエ
ミツタに接続されており、さらに第５のトランジ
スタＴ５のエミツタは第５の抵抗Ｒ５を介して一
方では第６のトランジスタＴ６のエミツタに、ま
た他方ではベース点で基準電位用の端子４に接続
されている第４の定電流源Ｉ４の出力端に接続さ
れており、NF（低周波）信号を与えられる入力
端７が第７のトランジスタＴ７のベースにより、
また参照電圧（Uref）を与えられる端子８が第８
のトランジスタＴ８のベースにより形成されてお
り、第７のトランジスタＴ７のエミツタはベース
点で基準電位用の端子４に接続されている第５の
定電流源Ｉ５の出力端に、また第８のトランジス
タＴ８のエミツタはベース点で基準電位用の端子
４に接続されている第６の定電流源Ｉ６の出力端
に接続されており、さらに第７のトランジスタＴ
７のエミツタは第５のトランジスタＴ５のベース
に、また第８のトランジスタＴ８のエミツタは第
６のトランジスタＴ６のベースに接続されてお
り、さらに第７のトランジスタＴ７のコレクタお
よび第８のトランジスタＴ８のコレクタは直接に
供給電位用の端子３に接続されており、他方第６
のトランジスタＴ６のコレクタは直接に第９のト
ランジスタＴ９のエミツタと第10のトランジスタ
Ｔ１０のエミツタとに接続されており、さらに第
９のトランジスタＴ９のコレクタおよび第10のト
ランジスタＴ１０のコレクタは各１つの負荷抵抗
（Ｒ６またはＲ７）を介して供給電位用の端子３
に接続されており、さらに第９のトランジスタＴ
９のコレクタはもう１つの抵抗Ｒ８を介して第３
のトランジスタＴ３のベースに、また第10のトラ
ンジスタＴ１０のコレクタはもう１つの抵抗Ｒ９
を介して第１のトランジスタＴ１のベースに接続
されており、第９のトランジスタＴ９のコレクタ
と第10のトランジスタＴ１０のコレクタとの間が
少なくとも１つのコンデンサＣ２により容量結合
されており、また第２のトランジスタＴ２のコレ
クタと第４のトランジスタＴ４のコレクタとの間
がもう１つの抵抗Ｒ１０により抵抗結合されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
発振器回路。 ３ トランジスタとして自己阻止性の電界効果ト
ランジスタが用いられることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載の発振器回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3333402.1 | 1983-09-15 | ||
| DE19833333402 DE3333402A1 (de) | 1983-09-15 | 1983-09-15 | Integrierbare oszillatorschaltung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085605A JPS6085605A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0344685B2 true JPH0344685B2 (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=6209198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191431A Granted JPS6085605A (ja) | 1983-09-15 | 1984-09-12 | 発振器回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4565978A (ja) |
| EP (1) | EP0141933B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6085605A (ja) |
| AT (1) | ATE47774T1 (ja) |
| DE (2) | DE3333402A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2181914B (en) * | 1985-10-22 | 1989-09-20 | Plessey Co Plc | Frequency doubling oscillator and heterodyne circuit incorporating same |
| JPH01160103A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振回路 |
| DE3938760A1 (de) * | 1989-11-23 | 1991-05-29 | Telefunken Electronic Gmbh | Abstimmbarer resonanzverstaerker oder oszillator |
| EP0509124B1 (de) * | 1991-04-19 | 1996-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Oszillatorschaltung |
| US5479137A (en) * | 1993-12-14 | 1995-12-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Controlled oscillator, as for synchyronous video detector |
| DE4418432A1 (de) * | 1994-05-26 | 1995-11-30 | Siemens Ag | Frequenzveränderbare Oszillatoranordnung |
| EP1276226B1 (fr) * | 2001-06-26 | 2008-07-30 | Nxp B.V. | Circuit destiné à générer une conductance négative substantiellement constante en fonction de la fréquence |
| US7701303B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-04-20 | Infineon Technologies Ag | Oscillator with Darlington nodes |
| ITMI20090125A1 (it) * | 2009-02-03 | 2010-08-04 | Milano Politecnico | Oscillatore elettronico con ridotto rumore di fase |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2059888B2 (de) * | 1970-12-05 | 1973-04-19 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol |
| US3963996A (en) * | 1974-09-05 | 1976-06-15 | Zenith Radio Corporation | Oscillation system for integrated circuit |
| CH582911B5 (ja) * | 1974-10-16 | 1976-12-15 | Ebauches Sa | |
| JPS53111264A (en) * | 1977-03-10 | 1978-09-28 | Sony Corp | Oscillator |
| US4243953A (en) * | 1979-02-16 | 1981-01-06 | Rca Corporation | Voltage controlled oscillator presenting high impedance to parallel resonant tank circuit |
| JPS56147502A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
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