JPH0344911A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔の電解エッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産　土の１１　　　野 本発明は、電解コンデンサの電極に用いられるアルミニ
ウム箔を、少ない電気量で大きな静電容量を得る電解エ
ツチング方法に関する。

炎光曵挟惠 コンデンサの静電容量は、電極の表面積に比例して増加
するところから、アルミニウム箔を電極に用いるいわゆ
るアルミ電解コンデンサは、そのＤ電容量を増加させる
ために、電極となるアルミニウム箔の表面を電解エツチ
ング、あるいは化学エツチング等の方法で処理して穿孔
し、凹凸をつけて表面積を広くしている。

一般的なアル［解コンデンサは、電解エツチング等で凹
凸をつけたのち、化成処理し酸化皮膜を形成したアルミ
ニウム箔を陽極とし、電解エツチングして凹凸をつけた
ままのアルミニウム箔を陰極とし、この陽極と陰極をセ
パレータ紙を介して積層して電極間に電解質溶液を注入
して構成されている。

化成処理して形成した上記酸化皮膜は、電解コンデンサ
の誘電体となるもので、印加電圧を安定保持するための
ものである。

しかしながら、印加電圧が上昇するにつれて、酸化皮膜
を通して流れるいわゆる漏洩電流が増し、さらに上昇さ
せると酸化皮膜の絶縁破壊が生じ、コンデンサが壊れる
。壊れにくくするために、化成処理における化成電圧を
高くして酸化皮膜の厚さを厚くすることが行われている
が、厚くすると電解エツチングによって穿孔され、形成
された凹凸が酸化皮膜によって埋没し、表面積が減少し
てコンデンサの静電容量が減少する。

したがって、陽極になるアルミニウム箔は、化成処理後
の静電容量がさらに大きくなるように電解エツチングさ
れる。

一方、陰極に用いられるアルミニウム箔は、印加電圧に
よる影響をうけないので一般的には化成処理をする必要
なく、電解エツチング等をしたままのアルミニウム箔が
用いられる。

アルミ電解コンデンサとして、たとえば事務機器等のエ
レクトロニクス部品、家電製品等には、使用電圧の低い
ものが多く用いられている。これらは、化成印加電圧が
１５０Ｖ以下と低く、酸化皮膜も薄いため電解エツチン
グで穿孔した凹凸をあまり変えることなく使用できるの
でｏ電容量を高くできる特性を持つ。

アルミ電解コンデンサは、家ｒ８製品等の小型化、性能
の向上のために静電容量の大きいものが求められている
が、そのためには、陽極または陰極に適した状態にアル
ミニウム箔の表面を電解エツチング等で処理して穿孔し
、凹凸をつけて表面積を広くする必要がある。

このようなアルミニウム箔の電解エツチング方法として
、■塩酸を主成分とする水溶液を電解浴とし、交流また
は交直重畳波形を用いて一段電解エッチング処理する方
法（特公昭４５−３６７０■、特公昭＜９−４６９８）
、■前段に直流、後段に交流を用いて二段電解エツチン
グ処理する方法（特公昭５４−４０３７９）、■特定な
デユーティ−比の交直重畳波形を用いて一段電解エッチ
ング処理する方法（特開昭６ｌ−５９７１７）が提案さ
れている。

見悪凶鼠星 発明者らは公知の方法を鋭意研究したところ、交流を用
いて一段電解エッチング処理する方法（前述の■）は、
該処理を継続すると穿孔されたエッチビットが連結し合
い、箔表面のアルミニウムが一部脱落し易くなる。交直
重畳波形を用いて一段ｍ解エツチング処理する方法（前
述の■、■）は、穿孔されるエッチビットの開始点の数
を十分には発生させることができず、該処理を継続する
と穿孔がエッチビットの開始点に集中し易くなる。

また前段に直流、後段に交流を用いて二段見解エツチン
グ処理する方法（前述の■）は、後段において穿孔が深
く進行しにくくなることを認識し、これらの方法では、
少ない電気量で十分に大きなｅ電容量を有するアルミニ
ウム箔を得れないことが判った。

すなわち本発明は、電解コンデンサの電極に用いられる
アルミニウム箔を、少ない電気量で大きな静電容量を得
る電解エツチング方法を提供することを目的とするもの
である。

一象艷隻夾旦土没 発明者らは、種々の検討過程で、見解エツチング処理を
前段と後段に分け、前段において穿孔されるエッチビッ
トの開始点の数を十分に発生させ、後段において穿孔を
該エッチビットの開始点に集中させて深く進行させるこ
とができるならば、最終的に少ない電気量で大きな静電
容量を有するアルミニウム箔を得れるという考えを持ち
、この考えを基にして、上記した課題を解決するために
さらに検討した結果、特定組成の塩酸を主成分とする混
酸水溶液からなる電解浴中で、特定組成のアルミニウム
箔に交流を印加した場合は、爾後の処理で穿孔されるた
めのエッチビットの開始点の数を十分に発生させること
ができ、さらにこの箔を上記の組成とは異なる特定組成
の塩酸を主成分とする混酸水溶液からなる電解洛中で、
特定なデユーティ−比の交直重畳′ｆＰ、流を印加する
と少ない電気量で大きな静電容量を有するアルミニウム
箔を得れることを見出し本発明を完成したものである。

すなわち第一の発明は、Ｓｉｎ、０００５〜００１５ｗ
ｔ％、Ｆｅｄ、０００５〜０．０＋５ｗｉ％、ＣｕＯ６
０００１〜０．　　ＯＩ　５ｗｔ％を含有し、残部Ａｌ
および不純物からなる箔に、二段電解エツチング処理を
施して電解コンデンサ用のアルミニウム箔を得るに際し
、 前段における電解エツチング処理条件が、塩酸４〜ｌ０
ｗｔ％、アルミニウムイオン０．Ｉ〜２ｗｔ％、および
リン酸イオン０．３〜１．　５ｗｔ％またはリン酸イオ
ン０．３〜１．５ｗｔ％および硝酸イオン０．３〜５ｗ
ｔ％を含有する温度４５〜７０℃の混酸水溶液からなる
電解浴中で、周波数が４０〜７０　ＨＺの交流波形で電
解エツチングし、 後段における電解エツチング処理条件が、塩酸ｌＯ〜２
０ｗｔ％、アルミニウムイオン０．１〜４　ｗ　ｔ％お
よび硫酸イオン０．１〜５ｗｔ％を含有する温度４５〜
７０℃の混酸水溶液からなる見解浴中で、周波数が４０
〜７０　Ｉ−１ｚの交流波形で電解エツチングすること を特徴とする電解コンデンサ用陽極アルミニウム箔の電
解エツチング方法であり、第２の発明は、Ｓｆ０．００
５〜０．０８０ｗｔ％、Ｆｅｄ。

００５〜０．　０８０ｗｔ％，Ｃｕ０．０００１〜０．
０５０ｗｔ％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる
箔に、二段電解エツチング処理を施して電解コンデンサ
用のアルミニウム箔を得るに際し、 前段における電解エツチング処理条件が、塩酸２〜７ｗ
ｔ％、アルミニウムイオン０．１〜２゜５ｗｔ％、およ
びリン酸イオン０．３〜１．．５ｗｔ％またはリン酸イ
オン０．３〜１．５ｗｔ％および硝酸イオン０．３〜５
ｗｔ％を含有する温度４５〜６５℃の混酸水溶液からな
る電解浴中で、周波数が４０〜７０　）−（Ｚの交流波
形で電解エツチングし、 後段における７１１工ツチング処理条件が、塩酸８〜１
８ｗｔ％、アルミニウムイオン０．１〜４５　ｗ　ｔ％
および硫酸イオン０．１〜５ｗｔ％を含有する温度４５
〜６０℃の混酸水溶液からなる電解洛中で、周波数が４
０〜７０Ｈｚでデユーティ比が０．６０〜０．８０の交
直重畳波形で電解エツチングすること、 を特徴とする電解コンデンサ用陰極アルミニウム箔の電
解エツチング方法である。

逍」１ 第−の発明の電解コンデンサ用陽極アルミニウム箔の電
解エツチング方法をさらに説明する。

８１　％　Ｆ　ｅ−Ｃｕは、これらの特定量を共にアル
ミニウム中に含有せしめることにより、以下に説明する
電解エツチング処理、および化成処理と相まって、箔の
静電容量を増大させるためのものであって、Ｓｔが０．
０００５ｗｔ％以下、Ｆｅが０，０００５ｗｔ％以下、
Ｃｕが０．０００１ｗｔ％以下であればその後の電解エ
ツチング処理によっても微細なエッチビットの密度が小
さく、好ましい静電容量を得ることができない。またＳ
ｉが０．０．５ｗｔ％以上、Ｆｅが０．０１５ｗｔ％以
上、Ｃｕがり、０１５ｗｔ％以上となると、その後の電
解エツチング処理によってエッチビットが多くなりすぎ
、表面の部分的脱落を生じ、好ましい静電容量を得るこ
とができない。これはアルミニウム中に５ｉＳＦｅ、Ｃ
ｕを共に含有せしめると、微細な、Ａｌ−Ｆｅ系化合物
、Ａｌ−Ｃｕ系化合物、Ａｌ−Ｆｅ−８ｉ系化合物、Ａ
ｌ−Ｃｕ−Ｆｅ系化合物、Ａｌ−Ｆｅ−８ｔ−Ｃｕ系化
合物等がアルミニウムマトリックス中に分散した組織と
なり、電位的に責な該化合物とアルミニウムマトリック
ス間の電位差によって、その後の電解エツチング処理で
マトリックスが腐食を受け、箔の表面積が増加するもの
と思われる。したがって、このような化合物がマトリッ
クス中に好ましい状態で分散した組織とするためには、
Ｓｔ、Ｆ　ｅ　Ｎ　Ｃａの含有量は、Ｓｉ０．０Ｏ０５
〜００１５ｗｔ％、Ｆｅｄ、０００５〜０．０１５ｗｔ
％、Ｃｕ０．０００１〜０．　　０．５ｗｔ％でなくて
はならない。

Ｓ　ｓ　％　Ｆ　ｅｓ　Ｃｕをこの範囲に含有したアル
ミニウム箔は、次に電解エツチング処理して微細な凹部
を形成する。

電解エツチング処理を前段と後段に分けるのは、前段で
エッチビットの開始点の数を多く発生させ、後段で該エ
ッチビットをさらに深く進行させ、好ましい形状に穿孔
された箔を得るためのものである。

この前段における電解浴は、塩酸を主成分とし、この他
アルミニウムイオン、リン酸イオン、あるいはさらに硝
酸イオンを含有する混酸水溶液であり、箔に高密度のエ
ッチビットの開始点を発生させるものである。塩酸の含
有量が４ｗｔ％以下では高密度にエッチビットを穿孔す
る効果が少なく、また１　０ｗｔ％以上では箔の溶解が
激しく、好ましい高密度エッチビットを穿孔することが
できない。アルミニウムイオンは、電解エツチング処理
中に箔からの溶出でその含有量が増加するので、電解開
始時は高濃度に：Ａ整しておくと、電解浴を取り替えず
に長時間処理することができる。

アルミニウムイオンは塩化アルミニウム、りん酸アルミ
ニウムまたは硝酸アルミニウム等の化合物を添加して含
有させることができる。アルミニウムイオンの含有量が
Ｑ、１ｗｔ％以下では、電解エツチングの経過による電
解浴の状態の変化が大きく、ロット間の差が大きく安定
した静電容量を有する箔を得ることが出来ない。またそ
の量が２ｗｔ％以上ではカソード電解時にエッチビット
内に水酸化アルミニウムの析出量が多くなりエツチング
の進行を妨げるため、他の未エツチング部に新たなビッ
トが発生してビットの数を増加させすぎて、やがては箔
表面の部分的脱落を生じ、静電容量を増加しえない。リ
ン酸イオンは、交流を用いて電解エツチングしたときの
エッチビットの形状を崩すことなく安定して穿孔するた
めのもので、その含有量が０，３ｗｔ％以下では効果が
少なく、Ｉ、５ｗｔ％以上となると短時間でエッチビッ
トが穿孔され、しかもビット同士が連結し、箔の表面積
が小さくなり静電容量を減少させる。リン酸イオンは、
リン酸、リン酸アルミニウム等の化合物を添加して含有
させることができる。

このような組成の電解浴に対して、さらに硝酸イオンを
添加すると電解エツチング初期のエッチビットの径は添
加量に比例して徐々におおきくなり、特に５０Ｖ以上の
化成電圧の場合に静電容量を増加させる効果がある。硝
酸イオンの含有量が０、　３ｗｔ％以下では効果が少な
く、５ｗｔ％以上となるとビットの形状を不安定にして
箔の表面積を小さくし静電容量を減少させる。

電解浴の温度は、４５〜７０℃が最適で箔の表面積を大
きくし静電容量を増加させる。

印加する交流は、箔表面にエッチビットの開始点を多数
穿孔するためのもので、その周波数が４０　Ｈｚ以下で
あれば、その数が少なく箔の表面積を大きくできずｆｆ
？電容全容量加出来ない。またその周波数が７００２以
上となると、エッチビットの開始点の数が多く発生しす
ぎ、後段における電解エツチング処理においてエッチビ
ットが連結してしまい、箔の表面積を小さくし静電容量
を減少させる。

上述の好ましい条件で電解エツチング処理された箔は、
後段でさらに電解エツチング処理され、前段で形成され
た４エツチビツトを選択的に穿孔し、化成処理後の箔の
静電容量が最大となるように箔の表面積を大きくする。

この後段における電解浴は、塩酸を主成分とし、この他
アルミニウムイオン、硫酸イオンを含有する水溶液であ
る。塩酸の含有量が１０ｗｔ％以下では前段で穿孔した
エッチビットを選択的に穿孔する効果が少なく、また２
０ｗｔ％以上では箔の溶解が激しく、箔の表面積を大き
くできない。

アルミニウムイオンは、電解エツチング処理中に箔から
の溶出でその含有量が増加するので、電解開始時はでき
る限り高濃度に調整しておくと、電解浴を取り替えずに
長時間処理することができる。アルミニウムイオンの含
有量が０，１ｗｔ％以下では、電解エツチングの経過に
よる電解浴の状態の変化が大きく、４ｗｔ％以上ではカ
ソード電解時にエッチビット内に水酸化アルミニウムの
析出量が多くなりエツチングの進行を妨げるため、他の
未エツチング部に新たなビットが発生してビットの数を
増加させすぎて、やがては箔表面の部分的脱落を生じ、
静電容量を増加しえない。アルミニウムイオンは塩化ア
ルミニウム等の化合物を添加して含有させることができ
る。硫酸イオンは、電解エツチング時に箔表面に強固な
酸化皮膜を形成し、塩酸による箔の溶解を抑制するが、
電解エツチングにおいて印加される特定波形によるエッ
チビットの穿孔を妨げず、箔の表面積を拡大するための
もので、その含有量が０．１ｗｔ％以下では効果が少な
く、５ｗｔ％以上となると電解エツチングによる穿孔の
効果を妨げる。硫酸イオンは、硫酸、硫酸アルミニウム
等の化合物で含有させることができる。

電解浴の温度は、４５〜７０℃が最適で箔の表面積を大
きくし静電容量を増加させる。

印加する電流は交直重畳波形で、前段で成形したエッチ
ビットを選択的に深く穿孔し箔の表面積を大きくし静電
容量を増加させるためのもので、周波数が４０　Ｈｚ以
下でデユーティ−比ＣＩ周期における陽極を示す時間の
割合〕が０．８５以上の波形の？′３流では酸化皮膜が
厚く形成されてエッチビットの穿孔をさまたげ箔の表面
積を大きくできない。また周波数が７０　ＦＩ　ｚ以上
でデユーティ−比が０．６５以下では新しい微細なエッ
チビットが穿孔され、エッチビットが連結して箔の表面
積を大きくできない。したがって、印加する電流は周波
数４０〜７０Ｉ−Ｉｚ１デユーティ−比０，６５〜０．
８５である。このような波形は、商用交流あるいは台形
波、矩形波等に直流を重畳することによって得ることが
できる。

このようにして電解エツチングして得た箔は静電容量の
大きな電解コンデンサ用の陽極アルミニウム箔とするこ
とができる。

次に第二の発明の電解コンデンサ用陰極アルミニウム箔
の電解エツチング方法をさらに説明するＳｉ、Ｆｅ、Ｃ
ｕは、これらの特定量を共にアルミニウム中に含有せし
めることにより、以下に説明する電解エツチング処理、
および化成処理と相まって、箔の静電容量を増大させる
ためのものであって、Ｓｔが０，００５ｗｔ％以下、Ｆ
ｅが０．００５ｗｔ％以下、Ｃｕが０，０００１ｗｔ％
以下であればその後の電解エツチング処理によっても微
細なエッチビットの密度が小さく、好ましい静電容量を
得ることができない。またＳｆが０．０８０ｗｔ％以上
、Ｆｅが０，０８０ｗｔ％以上、Ｃｕが０，０５０ｗｔ
％以上となると、その後の電解エツチング処理によって
エッチビットが多くなりすぎ、表面の部分的脱落を生じ
、好ましい静電容量を得ることができない。これはアル
ミニウム中にＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕを共に含有せしめると、
微細な、Ａｌ−Ｆｅ系化合物、Ａｌ−Ｃｕ系化合物、Ａ
ｌ−Ｆｅ−８ｔ系化合物、Ａｌ−Ｃｕ−Ｆｅ系化合物、
Ａｌ−Ｆｅ−８ｔ−Ｃｕ系化合物等がアルミニウムマト
リックス中に分散した組織となり、電位的に責な該化合
物とアルミニウムマトリックス間の布位差によって、そ
の後の見解エツチング処理でマトリックスが腐食を受け
、箔の表面積が増加するものと思われる。したがって、
このような化合物がマトリックス中に好ましい状態で分
散した組織とするためには、Ｓ　Ｉ　ＳＦｅ　ｓ　Ｃｕ
の含有量は、Ｓｆｏ、００５〜０．０８０　ｗ　ｔ％、
Ｆｅｄ、００５〜０．０８０ｗｔ％。

Ｃｕｂ、０００１〜０．０８０ｗｔ％でなくてはならな
い。

Ｓｔ、Ｆｅ、Ｃｕをこの範囲に含有したアルミニウム箔
は、次に電解エツチング処理して微細な凹部を形成する
。

電解エツチング処理を前段と後段に分けるのは、前段で
エッチビットの開始点の数を多く発生させ、後段で該エ
ッチビットをさらに深く進行させ、陰極として好ましい
形状に穿孔された箔を得るためのものである。

この前段における電解浴は、塩酸を主成分とし、この他
アルミニウムイオン、リン酸イオン、あるいはさらに硝
酸イオンを含有する混酸水溶液であり、箔に高密度のエ
ッチビットの開始点を発生させるものである。塩酸の含
有量が２ｗｔ％以下では高密度にエッチビットを穿孔す
る効果が少なく、また７ｗｔ％以上では箔の溶解が激し
く、好ましい高密度エッチビットを穿孔することができ
ない。アルミニウムイオンは、電解エツチング処理中に
箔からの溶出でその含有量が増加するので、電解開始時
は高濃度に調整しておくと、電解浴を取り替えずに長時
間処理することができる。アルミニウムイオンの含有量
がＱ、１ｗｔ％以下では、電解エツチングの経過による
電解浴の状態の変化が大きく、ロット間の差が大きく安
定した静電容量を有する箔を得ることが出来ない。また
その量が２．５ｗｔ％以上ではカソード電解時にエッチ
ビット内に水酸化アルミニウムの析出量が多くなりエツ
チングの進行を妨げるため、他の未エツチング部に新た
なビットが発生してビットの数を増加させすぎて、やが
ては箔表面の部分的脱落を生じ、静電容量を増加しえな
い。アルミニウムイオンは塩化アルミニウム、りん酸ア
ルミニウムまたは硝酸アルミニウム等の化合物を添加し
て含有させることができる。リン酸イオンは、交流を用
いて電解エツチングしたときのエッチビットの形状を崩
すことなく安定して穿孔するためのもので、その含有量
が０，３ｗｔ％以下では効果が少なく、１．’５ｗｔ％
以上となると短時間でエッチビットが穿孔され、しかも
ビット同士が連結し、箔の表面積が小さくなり静電容量
を減少させる。

リン酸イオンは、リン酸、リン酸アルミニウム等の化合
物を添加して含有させることができる。

このような組成の電解浴に対して、さらに硝酸イオンを
添加すると電解エツチング初期のエッチビットの径は添
加量に比例して徐々におおきくなり、特定の含有量にお
いて静電容量を増加させる効果がある。硝酸イオンの含
有量が０．ａｗｔ％以下では効果が少なく、５ｗｔ％以
上となるとビットの形状を不安定にして箔の表面積を小
さくしＩ９電容量を減少させる。硝酸イオンは、硝酸ア
イミニラム等の化合物を添加して含有させることができ
る。

電解浴の温度は、４５〜６５℃が最適で箔の表面積を大
きくし静電容量を増加させる。

印加する交流は、箔表面にエッチビットの開始点を多数
穿孔するためのもので、その周波数が４０Ｈｚ以下であ
れば、その数が少なく箔の表面積を大きくできず静電容
量を増加出来ない。またその周波数が７０　Ｈｚ以上と
なると、エッチビットの開始点の数が多く発生しすぎ、
後段における電解エツチング処理においてエッチビット
が連結してしまい、箔の表面積を小さく　ｂｅｉ容量を
減少させる。

上述の好ましい条件で電解エツチング処理された箔は、
後段でさらに電解エツチング処理され、前段で形成され
たエッチビットを選択的に穿孔し、化成処理後の箔の静
電容量が最大となるように箔の表面積を大きくする。

この後段における電解浴は、塩酸を主成分とし、この他
アルミニウムイオン、ａ酸イオンを含有する水溶液であ
る。塩酸の含有量が８ｗｔ％以下では前段で穿孔したエ
ッチビットを選択的に穿孔する効果が少なく、また１　
８　ｗ　ｔ％以上では箔の溶解が激しく、箔の表面積を
大きくできない。アルミニウムイオンは、電解エツチン
グ処理中に箔からの溶出でその含有量が増加するので、
電解開始時はできる限り？：ＩＩ濃度に調整しておくと
、電解浴を取り替えずに長時間処理することができる。

アルミニウムイオンの含有量が０．１ｗｔ％以下では、
電解エツチングの経過による電解浴の状聾の変化が大き
く、４，５ｗｔ％以上ではカソード電解時にエッチビッ
ト内に水酸化アルミニウムの析出量が多くなりエツチン
グの進行を妨げるため、他の未エツチング部に新たなビ
ットが発生してビットの数を増加させすぎて、やがては
箔表面の部分的脱落を生じ、静電容量を増加しえない。

アルミニウムイオンは塩化アルミニウム等の化合物を添
加して含有させることができる。硫酸イオンは、電解エ
ツチング時に箔表面に強固な酸化皮膜を形成し、塩酸に
よる箔の溶解を抑制するが、電解エツチングにおいて印
加される特定波形によるエッチビットの穿孔を妨げず、
箔の表面積を拡大するためのもので、その含有量が０，
１ｗｔ％以下では効果が少なく、５ｗｔ％以上となると
電解エツチングによる穿孔の効果を妨げる。硫酸イオン
、硫酸アルミニウム等の化合物を添加することにより含
有させることができる。

電解浴の温度は、４０〜７０℃がａ適で箔の表面積を大
きくし静電容量を増加させる。

印加する電流は交直重畳波形で、前段で成形したエッチ
ビットを選択的に深く穿孔し箔の表面積を太きく　ｔ、
、ｅｉ容量を増加させるためのもので、周波数が４０Ｈ
ｚ以下でデユーティ−比（１周期における陽極を示す時
間の割合）が０，８０以上の波形の［流では酸化皮膜が
厚く形成されてエッチビットの穿孔をさまたげ箔の表面
積を大きくできない。また周波数が７０Ｈｚ以上でデユ
ーティ−比が０．６０以下では新しい微細なエッチビッ
トが穿孔され、エッチビットが連結して箔の表面積を大
きくできない。したがって、印加する電流は周波数４０
〜７０Ｈｚ、デユーティ−比０．　６０〜０．８０であ
る。このような波形は、商用交流あるいは台形波、矩形
波等に直流を重畳することによって得ることができる。

このようにして電解エツチングして得た箔は静電容量の
大きな電解コンデンサ用の陰極アルミニウム箔とするこ
とができる。

これらの箔をコンデンサーに組み立てる場合は、本発明
方法によって製造した箔を陰極および陽極として使用す
れば、ｆｆ？電容量の大きなコンデンサーとすることが
できる。またこのような組合せに限らず、用途、容量に
よって、一方の極を従来の低容量箔とすることは任意で
ある。

本発明に使用される箔は、珪素、鉄、または銅などの組
成を調整した三層電解地金または偏析精製地金をスラブ
に鋳造後圧延または連続鋳造圧延等の公知の方法で製造
できる。その厚さは通常０００５〜０．１ｍｍであるが
これに限定されるものではない。該箔は脱脂および清浄
化等のために、酸洗浄あるいはアルカリ洗浄を施こして
も良い。また前段の処理から後段の処理に移る際は水洗
することが好ましい。

失意型 第−の発明 （実施例Ｉ） 陽極用アルミニウム箔の製造 純度９９．９８ｗｔ％Ａｌ　（８ｆ０．００６ｗｔ％、
Ｆｅｄ、００４ｗｔ％，Ｃｕ０．００１ｗｔ％、残部Ａ
１および不純物）の厚さ９０ｍｍ硬質アルミニウム箔を
用いて、次の条件で電解エツチングを施した。

前段の電解エツチング条件 浴　組　成：　５ｗ１％塩酸＋１ｗｔ％リン酸＋３％塩
化アルミニウムの 混酸水溶液 浴　　　　　　温：　５５±Ｉ’Ｃ 電解波形：周波数６０　ＨＺの交流 電流密度：　２８０ｍＡ／ａｍ’ 電　気　量：６ク一ロン／ｃｍ”に固定し、この値にな
るまで処理 後段の電解エツチング条件 浴　　組　　成：１６ｗｔ％塩酸＋３ｗｔ％硫酸＋Ｉ５
％塩化アルミニウム の混酸水溶液 浴　　　　　　温二　５０±１”Ｃ 電解波形：周波数６０　Ｈｚの交流に直流を印加してデ
ユーティ−比０ ７４０とした交直重畳波形 電　流密度：陽極時電流密度が１７０ｍＡ／Ｃｍ” 電　気　全二種々の値に変化させた。

このようにして電解エツチングしたアルミニウム箔に、
常法（リン酸−リン酸第−アンモニウム水溶液中で化成
処理する。）で２０Ｖ化或処理を施したのち、静電容量
を測定した。結果を第１図に示す。横軸は、前段の６ク
ーロンと後段において消費した電気量の合計値を示す。

（実施例２） 陽極用アルミニウム箔の製造 純度９９．９８ｗｔ％Ａｌ　（Ｓｔｏ、００４ｗｔ％、
Ｆｅｄ、００４ｗｔ％，Ｃｕ０．００２ｗｔ％、残部Ａ
ｌおよび不純物）の厚さ９０ｍｍ硬質アルミニウム箔を
用いて、次の条件で電解エツチングを施した。

前段の電解エツチング条件 浴　　組　　成：５ｗｔ％塩酸＋〇、７ｗｔ％硝酸＋１
　ｗ　ｔ％リン酸＋３％ 塩化アルミニウムの混酸水溶 液 浴　　　　　　温；　５３±１℃ 電解波形二周波数５０　Ｈｚの交流 電流密度：　２８０ｍＡ／ｃｍ’ 電　気　量：６ク一ロン／ｃｍ”　に固定し、この値に
なるまで処理 後段の電解エツチング条件 浴　組　成：　１６ｗｔ％塩酸＋３ｗｔ％硫酸＋１５％
塩化アルミニウム の混酸水溶液 浴　　　　　　温：　５０±１℃ 電解波形：周波数６０　Ｈｚの交流に直流を印加してデ
ユーティ−比０ ７５０とした交直Ｔｉｉ畳波形 電　流密　度：陽極時用液密度が１６０ｍＡ／ｃｍ” このようにして電解エツチングしたアルミニウム箔に、
常法（リン酸−リン酸第−アンモニウム水溶液中で化成
処理する。）で８０Ｖ化成処理を施したのち、静電容量
を測定した。結果を第２図に示す。横軸は、前段の６ク
ーロンと後段において消費した電気量の合計値を示す。

（比較例Ｉ） 交流を用いた一段電解処理 実施例１の前段と同じ組成の箔を用いて、電流密度３５
０Ａ／ｃｍ’、周波数６０Ｈｚ（１）交流、その他は実
施例１と同じ条件で、消費電気量を変えて一段電解処理
し、その後実施例１と同じ条件で２０Ｖ、８０Ｖ化成処
理を施したのち、静電容量を測定した。結果をそれぞれ
第１図および第２図に示す。

（比較例２） 交直重畳波形を用いた一段電解処理 実施例２と同じ組成の箔を用いて、実施例２の後段の電
解エツチング処理条件で、消費電気量を変えて一段電解
処理し、その後実施例Ｉと同じ条件で２０Ｖ、８０Ｖ化
成処理を施したのち、静電容量を測定した。結果をそれ
ぞれ第１図および第２図に示す。

第１図および第２図の結果から、本発明方法で処理した
箔の静電容量が２０Ｖ化成で８０μＦ／ｃｍ”以上、Ｓ
ＯＶ化成で１５μＦ／ｃｍ”以上であるのに対して、比
較例Ｉの方法で処理した箔の静電容量が２０Ｖ化或で２
０　μＦ／ｃｍ”　　　８０■化戊で２μＦ　／　’ｃ
　ｍ　’　、比較例２の方法で処理した箔の静電容量が
２０Ｖ化成で４５μＦ／ｃｍ’　　　８０Ｖ化成で８μ
Ｆ／ｃｍ”であって従来法によって得られる程度の値で
あり、本発明方法は十分に高い静電容量の箔の得れるこ
とが判る。

また同じ静電容量値に至るまでの消ａｍ気量を比べると
、実施例の方が比較例よりも少なくてすみ、本発明方法
は効率良くエッチビットを穿孔することができ、箔の表
面積を拡大できることが判る。

第二の発明 （実施例３） 陰極用アルミニウム箔の製造 純度９９．９ｗｔ％Ａｌ　（Ｓｉｎ、０５ｗｔ％Ｆｅｄ
、０５ｗｔ％、Ｃｕ０．００１ｗｔ％、残部Ａｌおよび
不純物）の厚さ６ｏｍｍ硬質アルミニウム箔を用いて、
次の条件で電解エツチングを施した。

前段の電解エツチング条件 浴　組　成：　４ｗｔ％塩酸＋〇、９ｗｔ％硝酸＋Ｉｗ
ｔ％リン酸＋３％ 塩化アルミニウムの混酸水溶 浴　　　　　　温：　６０±１’Ｃ 用解波形：周波数６０　Ｈｚの交流 電流密度：　２３０ｍＡ／ｃｍ’ 弓　気　ｆｌ！ｔ：３．５クー０　：／／　ｃ　ｍ”　
に固定、この値になるまで処理 後段の電解エツチング条件 浴　　組　　成＋１０ｗｔ％塩酸＋２　ｗ　ｔ　％　ｍ
酸＋■５％塩化アルミニウム の混酸水溶液 浴　　　　　　温：　５０±１’Ｃ 電解波形：周波数６０　ＨＺの交流に直流を印加してデ
ユーティ−比０ ７０５とした交直重畳波形 電流布　度：陽極時電流密度がＬ６０ｍＡ／ｃｍ” 電　気　全二種々の値に変化させた。

このようにして電解エツチングしたアルミニウム箔を無
化成にて静電容量を測定した。結果を第３図に示す。横
軸は、前段の３．５クーロンと後段において消費した電
気量の合計値を示す。

（実施例４） 陰極用アルミニウム箔の製造 純度９９．９ｗｔ％Ａｌ　（Ｓｉｎ、０４ｗｔ％、Ｆｅ
ｄ、０３ｗｔ％，Ｃｕ０．００２ｗｔ％、残部Ａｌおよ
び不純物）の厚さ６０ｍｍ硬質アルミニウム箔を用いて
、次の条件で電解エツチングを施した。

前段の電解エツチング条件 浴　　組　　成：４．　５ｗｔ％塩酸＋１ｗｔ％リン酸
＋３％塩化アルミニウ ムの混酸水溶液 浴　　　　　　温：　５５±１’Ｃ 電解波形二周波数５０Ｈｚの交流 電流密度：２３０ｍＡ／ｃｍ” 電　気　量：３．５ク一ロン／Ｃｍ！に固定、この値に
なるまで処理 後段の電解エツチング条件 浴　　組　　成：　　１　０ｗｔ％塩酸＋３ｗｔ％硫酸
＋２０％塩化アルミニウム の混酸水溶液 浴　　　　　　温：　５０±Ｉ’Ｃ 電解波形二周波数５０Ｈｚの交流に直流を印加してデユ
ーティ−比０ ６９０とした交直重畳波形 電　流密度：陽極時電流密度が１７０ｍＡ／ｃｍ” 電　気　量：１ｇ１々の値に変化させた。

このようにして電解エツチングしたアルミニウム箔を無
化成にてＤ茄容量を測定した。結果を第４図に示す。横
軸は、前段の３．５クーロンと後段において消費した電
気量の合計値を示す。

（比較例３） 交流を用いた一段電解処理 実施例３と同じ組成の箔を用いて、電流密度２９０ｍＡ
／ｃｍ”その他は実施例３の前段と同じ条件で、ｉ′Ｎ
！ｌＪＲ電気量を変えて一段電解処理し、無化成にて静
電容量を測定した。結果をそれぞれ第３に示す。

（比較例４） 交流を用いた一段電解処理 実施例４と同じ組成の箔を用いて、電流密度３００ｍＡ
／ｃｍ！、浴温６０℃その他は実施例４の前段と同じ条
件で、消！Ｉｔ電気量を変えて一段電解処理し、無化成
にて！９電容量を測定した。結果をそれぞれ第４に示す
。

第３図および第４図の結果から、本発明方法で処理した
箔の無化成り霜容量が４５０μＦ／ｃｍ２以上であるの
に対して、比較例３の方法で処理した箔の無化成静電容
量が２２０μＦ／ａｍ”であって従来法によって得られ
る程度の値であり、本発明方法は十分に高い静電容量の
箔の得れることが判る。

また同じＤ電容量値に至るまでの消費電気量を比べると
、実施例の方が比較例よりも少なくてすみ、本発明方法
は効率良くエッチピットを穿孔することができ、箔の表
面積を拡大できることが判る。

璽彊 上述したように、本発明方法は、静電容量の大きい箔が
得れるため、電解コンデンサーの小型化に大きく寄与す
る。また電解エツチングに消費される電気量が少なく、
コスト的にも有利に電解コンデンサー箔が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によって得られた箔に２０Ｖ化成処理
した陽極アルミニウム箔、および比較例によって得られ
た箔に２０Ｖ化成処理した陽極アルミニウム箔の静電容
量を示す特性図、第２図は、本発明によって得られた箔
に８０Ｖ化或処理した陽極アルミニウム箔、および比較
例によって得られた箔に８０Ｖ化成処理した陽極アルミ
ニウム箔の静電容量を示す特性図、第３図および第４図
は、本発明によって得られた箔の無化成陰極アルミニウ
ム箔、および比較例によって得られた箔の無化成陰極ア
ルミニウム箔の静電容量を示す特性図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｓｉ０．０００５〜０．０１５ｗｔ％、Ｆｅ０．
   ０００５〜０．０１５ｗｔ％，Ｃｕ０．０００１〜０．
   ０１５ｗｔ％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる
   箔に、二段電解エッチング処理を施して電解コンデンサ
   用のアルミニウム箔を得るに際し、 前段における電解エッチング処理条件が、塩酸４〜１０
   ｗｔ％、アルミニウムイオン０．１〜２ｗｔ％、および
   リン酸イオン０．３〜１．５ｗｔ％またはリン酸イオン
   ０．３〜１．５ｗｔ％および硝酸イオン０．３〜５ｗｔ
   ％を含有する温度４５〜７０℃の混酸水溶液からなる電
   解浴中で、周波数が４０〜７０Ｈｚの交流波形で電解エ
   ッチングし、 後段における電解エッチング処理条件が、塩酸１０〜２
   ０ｗｔ％、アルミニウムイオン０．１〜４ｗｔ％および
   硫酸イオン０．１〜５ｗｔ％を含有する温度４５〜７０
   ℃の混酸水溶液からなる電解浴中で、周波数が４０〜７
   ０Ｈｚでデューティ比が０．６５〜０．８５の交直重畳
   波形で電解エッチングすること、 を特徴とする電解コンデンサ用陽極アルミニウム箔の電
   解エッチング方法。
2. （２）Ｓｉ０．００５〜０．０８０ｗｔ％、Ｆｅ０．０
   ０５〜０．０８０ｗｔ％，Ｃｕ０．０００１〜０．０５
   ０ｗｔ％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる箔に
   、二段電解エッチング処理を施して電解コンデンサ用の
   アルミニウム箔を得るに際し、 前段における電解エッチング処理条件が、塩酸２〜７ｗ
   ｔ％、アルミニウムイオン０．１〜２．５ｗｔ％、およ
   びリン酸イオン０．３〜１．５ｗｔ％またはリン酸イオ
   ン０．３〜１．５ｗｔ％および硝酸イオン０．３〜５ｗ
   ｔ％を含有する温度４５〜６５℃の混酸水溶液からなる
   電解浴中で、周波数が４０〜７０Ｈｚの交流波形で電解
   エッチングし、 後段における電解エッチング処理条件が、塩酸８〜１８
   ｗｔ％、アルミニウムイオン０．１〜４．５ｗｔ％およ
   び硫酸イオン０．１〜５ｗｔ％を含有する温度４５〜６
   ０℃の混酸水溶液からなる電解浴中で、周波数が４０〜
   ７０Ｈｚでデューティ比が０．６０〜０．８０の交直重
   畳波形で電解エッチングすること、 を特徴とする電解コンデンサ用陰極アルミニウム箔の電
   解エッチング方法。