JPH0344967Y2 - - Google Patents
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- JPH0344967Y2 JPH0344967Y2 JP10870190U JP10870190U JPH0344967Y2 JP H0344967 Y2 JPH0344967 Y2 JP H0344967Y2 JP 10870190 U JP10870190 U JP 10870190U JP 10870190 U JP10870190 U JP 10870190U JP H0344967 Y2 JPH0344967 Y2 JP H0344967Y2
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Landscapes
- Fluidized-Bed Combustion And Resonant Combustion (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、流動床ボイラの起動装置に関するも
のである。
のである。
一般に流動床ボイラの起動装置としては、層内
バーナを使用する方式のものが行われ、これにつ
いては同一出願人によつて実願昭57−41647号
(実開昭58−148410号)として出願されたものが
ある。いまこの方式について簡単に説明すると、
第1図において、流動床ボイラの本体1は空気分
散板2を備えて、その下面に風箱3を形成する。
主フアン4からの燃焼用空気は、主管5を経て風
箱3に送り込まれる。空気分散板2の上方には流
動床6が設けられる。流動床6は硅砂、石灰石な
どの固体粒子層からなり、空気分散板2を通して
送り込まれる燃焼用空気によつて、固体粒子層全
体が恰も沸騰しているかのような流動状態を現出
して、この部分に上部から石炭などの固体燃料を
投入し(図示せず)、燃焼せしめる。
バーナを使用する方式のものが行われ、これにつ
いては同一出願人によつて実願昭57−41647号
(実開昭58−148410号)として出願されたものが
ある。いまこの方式について簡単に説明すると、
第1図において、流動床ボイラの本体1は空気分
散板2を備えて、その下面に風箱3を形成する。
主フアン4からの燃焼用空気は、主管5を経て風
箱3に送り込まれる。空気分散板2の上方には流
動床6が設けられる。流動床6は硅砂、石灰石な
どの固体粒子層からなり、空気分散板2を通して
送り込まれる燃焼用空気によつて、固体粒子層全
体が恰も沸騰しているかのような流動状態を現出
して、この部分に上部から石炭などの固体燃料を
投入し(図示せず)、燃焼せしめる。
7は層内バーナで、内部に燃焼室8を備え、流
動床6の側面に装着される。燃料管9から噴射さ
れる燃料を、フアン10からの空気によつて燃焼
室8内で燃焼し、生成した高温の燃焼ガスを、流
動床6内へ供給することにより、大量の熱量を流
動床に急速に与え、流動媒体の温度を固体燃料の
着火温度以上に昇温し、もつてボイラの早期起動
を可能とするものである。
動床6の側面に装着される。燃料管9から噴射さ
れる燃料を、フアン10からの空気によつて燃焼
室8内で燃焼し、生成した高温の燃焼ガスを、流
動床6内へ供給することにより、大量の熱量を流
動床に急速に与え、流動媒体の温度を固体燃料の
着火温度以上に昇温し、もつてボイラの早期起動
を可能とするものである。
従来、実公昭54−42147号公報には、この公報
の第1図に示すように、ブロワ16からの空気
を、流動床の側壁に設けられた助燃装置4,6
と、各風箱10,11,12とへ供給するため、
ブロワ16の給気管に、それぞれダンパを備えた
枝管を連結し流動床焼却炉が記載されている。
の第1図に示すように、ブロワ16からの空気
を、流動床の側壁に設けられた助燃装置4,6
と、各風箱10,11,12とへ供給するため、
ブロワ16の給気管に、それぞれダンパを備えた
枝管を連結し流動床焼却炉が記載されている。
また、特開昭57−33705号公報には、この公報
の第1図及び第2図に示すように、流動層を仕切
壁3Aにより複数個の流動層に仕切り、1つの流
動層に起動用のガスバーナ18aを設けた流動層
ボイラの起動装置が記載されている。
の第1図及び第2図に示すように、流動層を仕切
壁3Aにより複数個の流動層に仕切り、1つの流
動層に起動用のガスバーナ18aを設けた流動層
ボイラの起動装置が記載されている。
上記の実公昭54−42147号公報記載のものは、
「流動床を仕切管12群により複数個に縦割りに
区切り、個々の流動床を順次起動する」ことにつ
いては、何ら記載を示唆もされていない。
「流動床を仕切管12群により複数個に縦割りに
区切り、個々の流動床を順次起動する」ことにつ
いては、何ら記載を示唆もされていない。
また、上記の特開昭57−33705号公報に記載さ
れた仕切壁3Aは、この公報に第2図に示される
ように、縦方向の水管4を複数本スペースドピツ
チで位置させ、これをウエブ5で溶接接続したメ
ンブレンパネルの流動層の上端に相当する位置
に、流動媒体の溢流用開口6を設けたものであ
る。
れた仕切壁3Aは、この公報に第2図に示される
ように、縦方向の水管4を複数本スペースドピツ
チで位置させ、これをウエブ5で溶接接続したメ
ンブレンパネルの流動層の上端に相当する位置
に、流動媒体の溢流用開口6を設けたものであ
る。
このため、起動する場合は、起動セル2Aのみ
に流動媒体を入れ、蒸発管セル2B、過熱器管セ
ル2Cは空にしておく。そして、起動セル2Aが
起動し、起動用燃料から主燃料のみに切り換えた
時点で、媒体ホツパ19a(第3B図参照)より
流動媒体を供給する。
に流動媒体を入れ、蒸発管セル2B、過熱器管セ
ル2Cは空にしておく。そして、起動セル2Aが
起動し、起動用燃料から主燃料のみに切り換えた
時点で、媒体ホツパ19a(第3B図参照)より
流動媒体を供給する。
このように、特開昭57−33705号公報記載の装
置における操作はきわめて繁雑である。
置における操作はきわめて繁雑である。
これに対して、本考案では、「水平方向の多数
の伝熱管を管と管との間にすきまが生じるように
縦方向に重ねて接続してなる仕切管12群により
縦割りに複数個に区切つている」ので、起動セル
以外のセルを空にすることなく、運転することが
でき、操作が簡単であるという利点を有する。
の伝熱管を管と管との間にすきまが生じるように
縦方向に重ねて接続してなる仕切管12群により
縦割りに複数個に区切つている」ので、起動セル
以外のセルを空にすることなく、運転することが
でき、操作が簡単であるという利点を有する。
また、本願の第1図に示す従来の装置におい
て、ボイラを起動する場合、層内バーナ7からの
燃焼ガスの吹込みは、流動床の側方からの吹込み
であるため、流動床6内の流動媒体を流動させる
動力とはなり得ず、したがつてボイラの起動時に
は、主フアン4とフアン10とを平行して運転す
る必要があり、主フアン4のほかにフアン10と
いう余分の設備を必要とする不具合点がある。
て、ボイラを起動する場合、層内バーナ7からの
燃焼ガスの吹込みは、流動床の側方からの吹込み
であるため、流動床6内の流動媒体を流動させる
動力とはなり得ず、したがつてボイラの起動時に
は、主フアン4とフアン10とを平行して運転す
る必要があり、主フアン4のほかにフアン10と
いう余分の設備を必要とする不具合点がある。
一般に流動床ボイラでは、その稼動方式などに
起因して、ターンダウンの幅が小さいという欠点
があり、そのためターンダウンの幅を広げるため
の方策として、流動床全体を複数個の縦割りの流
動床に区切り、主フアンからの燃焼用空気を、上
記区切られた流動床用のそれぞれ独立して設けら
れた風箱を通じて供給するようにし、上記区切ら
れた流動床のうちいくつかの燃焼を停止すること
によつて、ターンダウンの幅を拡大するという方
策がとられる。
起因して、ターンダウンの幅が小さいという欠点
があり、そのためターンダウンの幅を広げるため
の方策として、流動床全体を複数個の縦割りの流
動床に区切り、主フアンからの燃焼用空気を、上
記区切られた流動床用のそれぞれ独立して設けら
れた風箱を通じて供給するようにし、上記区切ら
れた流動床のうちいくつかの燃焼を停止すること
によつて、ターンダウンの幅を拡大するという方
策がとられる。
本考案者は、流動床ボイラのかかるターンダウ
ンのための方策としての構造に着目し、上記起動
装置における余分の設備の累加に関する不具合を
解決する手段の開発に成功した。すなわち本考案
は、流動床ボイラのターンダウンのために、従来
行われた構成を利用することによつて、簡単な構
成と容易な操作のもとに、流動床ボイラの起動を
行い得る装置を実現し、流動床ボイラの性能向上
と価格の低廉化を図ることを目的とするものであ
る。
ンのための方策としての構造に着目し、上記起動
装置における余分の設備の累加に関する不具合を
解決する手段の開発に成功した。すなわち本考案
は、流動床ボイラのターンダウンのために、従来
行われた構成を利用することによつて、簡単な構
成と容易な操作のもとに、流動床ボイラの起動を
行い得る装置を実現し、流動床ボイラの性能向上
と価格の低廉化を図ることを目的とするものであ
る。
上記の目的を達成するために、本考案の流動床
ボイラの起動装置は、第2図および第4図に示す
ように、流動床ボイラの流動床を、水平方向の多
数の伝熱管を管と管との間にすきまが生じるよう
に縦方向に重ねて接続してなる仕切管12群によ
り縦割りに複数個に区切り、 その区切られた流動床A、B、C、Dのそれぞ
れに独立した風箱3A、3B、3C、3Dを設
け、 主フアン4からの燃焼用空気を所定量各風箱へ
送り込むための制御ダンパ1A、1B、1C、1
Dをそれぞれ介設した枝管によつて各風箱と主フ
アン4とを連結し、 上記区切られた流動床のうちいくつかの流動床
の側面上部に小さな燃焼室8A、8Dを持つ層内
バーナ7A、7Dを装着し、 主フアン4からの燃焼用空気を層内バーナに所
定量送り込むための制御ダンパ2A、2Dを介設
した枝管5A、5Dによつて層内バーナ7A、7
Dと主フアン4とを連結したことを特徴としてい
る。
ボイラの起動装置は、第2図および第4図に示す
ように、流動床ボイラの流動床を、水平方向の多
数の伝熱管を管と管との間にすきまが生じるよう
に縦方向に重ねて接続してなる仕切管12群によ
り縦割りに複数個に区切り、 その区切られた流動床A、B、C、Dのそれぞ
れに独立した風箱3A、3B、3C、3Dを設
け、 主フアン4からの燃焼用空気を所定量各風箱へ
送り込むための制御ダンパ1A、1B、1C、1
Dをそれぞれ介設した枝管によつて各風箱と主フ
アン4とを連結し、 上記区切られた流動床のうちいくつかの流動床
の側面上部に小さな燃焼室8A、8Dを持つ層内
バーナ7A、7Dを装着し、 主フアン4からの燃焼用空気を層内バーナに所
定量送り込むための制御ダンパ2A、2Dを介設
した枝管5A、5Dによつて層内バーナ7A、7
Dと主フアン4とを連結したことを特徴としてい
る。
第2図に示すように、制御ダンパ1B、1Cを
閉とし、流動床B、Cへの空気供給を停止すると
ともに、制御ダンパ1A、1Dを開として、流動
床A、Dの流動媒体を流動させる。そして、層内
バーナ用の制御ダンパ2A、2Dを開とし、主フ
アン4から層内バーナ7A、7D用の燃焼空気を
送る。
閉とし、流動床B、Cへの空気供給を停止すると
ともに、制御ダンパ1A、1Dを開として、流動
床A、Dの流動媒体を流動させる。そして、層内
バーナ用の制御ダンパ2A、2Dを開とし、主フ
アン4から層内バーナ7A、7D用の燃焼空気を
送る。
流動床の側面上部に設けられた層内バーナ7
A、7D内で燃料を燃焼し、流動床A、Dの流動
媒体を昇温させる。流動床A、Dの流動媒体が所
要温度まで昇温すると、層内バーナ7A、7Dの
燃焼を停止し、制御ダンパ2A、2Dを閉として
層内バーナ7A、7Dへの燃焼空気の供給を停止
する。
A、7D内で燃料を燃焼し、流動床A、Dの流動
媒体を昇温させる。流動床A、Dの流動媒体が所
要温度まで昇温すると、層内バーナ7A、7Dの
燃焼を停止し、制御ダンパ2A、2Dを閉として
層内バーナ7A、7Dへの燃焼空気の供給を停止
する。
流動床B、Cの制御ダンパ1B、1Cを開と
し、流動床B、C内の流動媒体を流動させ、流動
床A、B、C、Dの全ベツドを流動させる。昇温
した流動床A、Dの流動媒体と昇温していない流
動床B、Cの流動媒体とが、仕切管12群のすき
まを通つて相互に混合され、流動床B、Cの温度
が上昇する。
し、流動床B、C内の流動媒体を流動させ、流動
床A、B、C、Dの全ベツドを流動させる。昇温
した流動床A、Dの流動媒体と昇温していない流
動床B、Cの流動媒体とが、仕切管12群のすき
まを通つて相互に混合され、流動床B、Cの温度
が上昇する。
これらの操作を繰り返して、流動床A、B、
C、Dのすべてが起動可能な所定温度に達するま
で継続運転する。
C、Dのすべてが起動可能な所定温度に達するま
で継続運転する。
つぎに本考案の実施例を図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第2図において、A、B、C、Dは、いずれも
流動床ボイラ11の流動床を仕切管12によつて
4個に縦割りに区切られてなる流動床であり、3
A、3B、3C、3Dは流動床A、B、C、Dの
それぞれに対応する独立した風箱で、制御ダンパ
1A、1B、1C、1Dを介設した枝管によつて
主フアン4の主管5に連結される。主フアン4か
ら送られる燃焼用空気は、主管5から制御ダンパ
1A、1B、1C、1Dを経て風箱3A、3B、
3C、3Dに入り、空気分散板2を経てそれぞれ
の流動床A.B.C.Dに導入される。
流動床ボイラ11の流動床を仕切管12によつて
4個に縦割りに区切られてなる流動床であり、3
A、3B、3C、3Dは流動床A、B、C、Dの
それぞれに対応する独立した風箱で、制御ダンパ
1A、1B、1C、1Dを介設した枝管によつて
主フアン4の主管5に連結される。主フアン4か
ら送られる燃焼用空気は、主管5から制御ダンパ
1A、1B、1C、1Dを経て風箱3A、3B、
3C、3Dに入り、空気分散板2を経てそれぞれ
の流動床A.B.C.Dに導入される。
7Aおよび7Dはいずれも層内バーナで、4個
の流動床のうち選ばれた2個の流動床AおよびD
のみの側面上部に装着される(第4図参照)。層
内バーナ7A、7Dはそれぞれ小さな燃焼室8
A、8Dを備え、制御ダンパ2A、2Dを介設し
た枝管5A、5Dによつて主管5に連結せしめら
れる。
の流動床のうち選ばれた2個の流動床AおよびD
のみの側面上部に装着される(第4図参照)。層
内バーナ7A、7Dはそれぞれ小さな燃焼室8
A、8Dを備え、制御ダンパ2A、2Dを介設し
た枝管5A、5Dによつて主管5に連結せしめら
れる。
上記の構成よりなる起動装置の作用につき、以
下に順を追つてその操作を説明する。
下に順を追つてその操作を説明する。
() 主フアン4を運転する。
() 制御ダンパ1B、1Cを全閉し、流動床
B、Cへの空気供給を停止する。(第2図はこ
の状態を示す。) () 制御ダンパ1A、1Dを所定開度とし、
流動床A、Dの流動媒体を流動させる。
B、Cへの空気供給を停止する。(第2図はこ
の状態を示す。) () 制御ダンパ1A、1Dを所定開度とし、
流動床A、Dの流動媒体を流動させる。
() 流動床BおよびCへの空気供給が停止さ
れているので、その分だけ主フアン4には供給
空気容量の余裕があり、層内バーナ用の制御ダ
ンパ2A、2Dを所定開度とし、主フアン4か
ら層内バーナ7A、7D用の燃焼空気を送る。
れているので、その分だけ主フアン4には供給
空気容量の余裕があり、層内バーナ用の制御ダ
ンパ2A、2Dを所定開度とし、主フアン4か
ら層内バーナ7A、7D用の燃焼空気を送る。
() 層内バーナ7A、7D内で液体燃料もし
くはガス燃料を燃焼し、流動床AおよびDのそ
れぞれの流動媒体を昇温せしめる。
くはガス燃料を燃焼し、流動床AおよびDのそ
れぞれの流動媒体を昇温せしめる。
() 流動床A、Dの流動媒体が所要温度まで
昇温すると、層内バーナ7A、7Dの燃焼を停
止し、制御ダンパ2A、2Dを全閉して層内バ
ーナ7A、7Dへの燃焼空気の供給を停止す
る。
昇温すると、層内バーナ7A、7Dの燃焼を停
止し、制御ダンパ2A、2Dを全閉して層内バ
ーナ7A、7Dへの燃焼空気の供給を停止す
る。
() 流動床B、Cに制御ダンパ1B、1Cを
所定開度だけ開き、それによつて流動床B、C
内の流動媒体を流動させ、その結果として流動
床A、B、C、Dの全ベツドを流動させる。昇
温した流動床A、Dの流動媒体と昇温していな
い流動床B、Cの流動媒体とが、仕切管12群
のすきまを介して相互に混合され、流動床B、
Cの温度が上昇する。
所定開度だけ開き、それによつて流動床B、C
内の流動媒体を流動させ、その結果として流動
床A、B、C、Dの全ベツドを流動させる。昇
温した流動床A、Dの流動媒体と昇温していな
い流動床B、Cの流動媒体とが、仕切管12群
のすきまを介して相互に混合され、流動床B、
Cの温度が上昇する。
() 再び上記()の操作に戻り、制御ダン
パ1B、1Cを全閉する。
パ1B、1Cを全閉する。
上記()から()までの操作を繰り返し
て、流動床A、B、C、Dのすべてが起動可能の
所定温度に達するまで継続運転することにより、
層内バーナ用のフアンを別に設ける必要もなく、
急速に起動を行わせることができる。
て、流動床A、B、C、Dのすべてが起動可能の
所定温度に達するまで継続運転することにより、
層内バーナ用のフアンを別に設ける必要もなく、
急速に起動を行わせることができる。
つぎに、本考案装置における層内バーナの装着
位置による影響ならびに作用上の効果について、
以下に説明する。
位置による影響ならびに作用上の効果について、
以下に説明する。
第3図は層内バーナ7Dを流動床Dの下部側面
に設けた比較例を示し、第4図は層内バーナ7D
を流動床Dの上部側面に設けた本考案の実施例を
示す。たとえば第3図において、主フアン4の静
風圧は、流動床Dの流動媒体を流動させるに必要
な風圧(これをベツド差圧と称する)、空気分散
板2から空気を流動床に向かつて吹出すに必要な
風圧、制御ダンパ1Dで制御上必要な風圧、空気
ダクトで空気を送るとき必要な風圧の合計以上あ
ればよい。このため層内バーナ7Dの流動床Dの
下部側面に設けるとき、層内バーナ7Dで加えて
よい風圧損失は、空気分散板2から空気を吹出す
に必要な風圧相当になる。これは、層内バーナ7
Dの燃焼室に加わる風圧はベツド差圧となり、層
内バーナ7D用の制御ダンパ2Dで制御上必要な
風圧は、制御ダンパ1Dで制御上必要な風圧と変
らず、空気ダクトで空気を送るときに必要な風圧
はわずかであり、そのため層内バーナ7Dへ送る
ときも、空気分散板2へ送るときも殆ど差がない
ため、主フアン4で余裕のあるのは、空気分散板
2で必要となる風圧しかないことになる。ところ
が、ベツド差圧がこの中で一番大きく、空気分散
板2で必要な風圧は、一般的には僅かである。し
たがつて層内バーナ7Dで加えられる風圧も僅か
なものにしなければならない。
に設けた比較例を示し、第4図は層内バーナ7D
を流動床Dの上部側面に設けた本考案の実施例を
示す。たとえば第3図において、主フアン4の静
風圧は、流動床Dの流動媒体を流動させるに必要
な風圧(これをベツド差圧と称する)、空気分散
板2から空気を流動床に向かつて吹出すに必要な
風圧、制御ダンパ1Dで制御上必要な風圧、空気
ダクトで空気を送るとき必要な風圧の合計以上あ
ればよい。このため層内バーナ7Dの流動床Dの
下部側面に設けるとき、層内バーナ7Dで加えて
よい風圧損失は、空気分散板2から空気を吹出す
に必要な風圧相当になる。これは、層内バーナ7
Dの燃焼室に加わる風圧はベツド差圧となり、層
内バーナ7D用の制御ダンパ2Dで制御上必要な
風圧は、制御ダンパ1Dで制御上必要な風圧と変
らず、空気ダクトで空気を送るときに必要な風圧
はわずかであり、そのため層内バーナ7Dへ送る
ときも、空気分散板2へ送るときも殆ど差がない
ため、主フアン4で余裕のあるのは、空気分散板
2で必要となる風圧しかないことになる。ところ
が、ベツド差圧がこの中で一番大きく、空気分散
板2で必要な風圧は、一般的には僅かである。し
たがつて層内バーナ7Dで加えられる風圧も僅か
なものにしなければならない。
ところが、流動床D内の流動媒体を流動させる
に必要な風圧、すなわちベツド差圧は、理論上は
一定であるが、実際には、その値を中心として振
動している。層内バーナ7Dの風圧損失が少ない
と、このベツド差圧の振動により、層内バーナ7
Dを通過する空気量の変動が大きくなる。このた
め、空気量を所定値に保つための制御系が必要と
なる。
に必要な風圧、すなわちベツド差圧は、理論上は
一定であるが、実際には、その値を中心として振
動している。層内バーナ7Dの風圧損失が少ない
と、このベツド差圧の振動により、層内バーナ7
Dを通過する空気量の変動が大きくなる。このた
め、空気量を所定値に保つための制御系が必要と
なる。
たとえば第3図に示すように、層内バーナ7D
の枝管5Dの差圧振動を抑制するための手段とし
てオリフイス13を設け、このオリフイスの流量
を、発信する流量発信器14を設置し、予め決め
られた流量設定値発信器15と現在の流量に関す
るオリフイス13からの信号とを比較する比較器
16を経て、その設定値となるように信号を出す
制御器17からの信号を、操作器18が受けて制
御ダンパ2Dを操作するように関連設置する必要
がある。しかし、このような制御系を追加するこ
とは装置が高価となり、かつ、複雑なものとなる
という欠点がある。
の枝管5Dの差圧振動を抑制するための手段とし
てオリフイス13を設け、このオリフイスの流量
を、発信する流量発信器14を設置し、予め決め
られた流量設定値発信器15と現在の流量に関す
るオリフイス13からの信号とを比較する比較器
16を経て、その設定値となるように信号を出す
制御器17からの信号を、操作器18が受けて制
御ダンパ2Dを操作するように関連設置する必要
がある。しかし、このような制御系を追加するこ
とは装置が高価となり、かつ、複雑なものとなる
という欠点がある。
層内バーナ7Dを、第4図に示すように、流動
床Dの側面上部に装着すると、層内バーナ7Dの
燃焼室に加わる風圧は僅かとなり、その分だけ、
層内バーナ7Dに加えられる風圧損失を増加する
ことができる。層内バーナ7Dに加えた風圧損失
を大きくすると、流動床D内の風圧の振動による
層内バーナ7Dを通過する空気量変化は僅かとな
り、たとえば第3図に示すように、層内バーナ7
Dの空気量を特別に制御するという必要もなく、
制御ダンパ2Dを単に所定開度に固定するだけで
よい。
床Dの側面上部に装着すると、層内バーナ7Dの
燃焼室に加わる風圧は僅かとなり、その分だけ、
層内バーナ7Dに加えられる風圧損失を増加する
ことができる。層内バーナ7Dに加えた風圧損失
を大きくすると、流動床D内の風圧の振動による
層内バーナ7Dを通過する空気量変化は僅かとな
り、たとえば第3図に示すように、層内バーナ7
Dの空気量を特別に制御するという必要もなく、
制御ダンパ2Dを単に所定開度に固定するだけで
よい。
なお、本考案装置の詳細な説明では、主フアン
が1個とされた例について説明したが、各流動床
A、B、C、Dのそれぞれに各1個ずつの独立し
たフアンを設ける場合には、層内バーナへ送る空
気は、いずれか停止している流動床に装着されて
いるフアンを稼動することによつて送ればよく、
上記図例のものと原理的に変るものでないことは
容易に理解されるであろう。
が1個とされた例について説明したが、各流動床
A、B、C、Dのそれぞれに各1個ずつの独立し
たフアンを設ける場合には、層内バーナへ送る空
気は、いずれか停止している流動床に装着されて
いるフアンを稼動することによつて送ればよく、
上記図例のものと原理的に変るものでないことは
容易に理解されるであろう。
以上の説明で明らかなように、本考案装置によ
れば、流動床ボイラが必要とする風量、静風圧の
主フアンを用いるのみで、特別な層内バーナ用の
フアンを追設することなく、また、層内バーナを
流動床の側面上部に装着しているので、特別な層
内バーナ用の空気量制御装置を必要とすることも
なく、流動床ボイラのターンダウンのために、従
来から行われている構成を利用することによつ
て、簡単な構成と容易な操作のもとに、流動床ボ
イラの急速にして確実な起動を行うことができ、
流動床ボイラの性能向上と価格の低廉化が図られ
るという効果がある。
れば、流動床ボイラが必要とする風量、静風圧の
主フアンを用いるのみで、特別な層内バーナ用の
フアンを追設することなく、また、層内バーナを
流動床の側面上部に装着しているので、特別な層
内バーナ用の空気量制御装置を必要とすることも
なく、流動床ボイラのターンダウンのために、従
来から行われている構成を利用することによつ
て、簡単な構成と容易な操作のもとに、流動床ボ
イラの急速にして確実な起動を行うことができ、
流動床ボイラの性能向上と価格の低廉化が図られ
るという効果がある。
また、前記の特開昭57−33705号公報記載の装
置におけるように、起動セル以外のセルを空にす
ることなく、起動運転を行うことができる。
置におけるように、起動セル以外のセルを空にす
ることなく、起動運転を行うことができる。
第1図は従来装置の断面図、第2図は本考案装
置の一実施例を示す断面図、第4図は第2図に示
す要部の拡大図、第3図は比較例を示す断面図で
ある。 A、B、C、D……流動床、1……本体、1
A、1B、1C、1D、2A、2D……制御ダン
パ、2……空気分散板、3、3A、3B、3C、
3D……風箱、4……主フアン、5……主管、5
A、5D……枝管、6……流動床、7、7A、7
D……層内バーナ、8、8A、8D……燃焼室、
9……燃料管、10……フアン、11……流動床
ボイラ、12……仕切管、13……オリフイス、
14……流量発信器、15……流量設定値発信
器、16……比較器、17……制御器、18……
操作器。
置の一実施例を示す断面図、第4図は第2図に示
す要部の拡大図、第3図は比較例を示す断面図で
ある。 A、B、C、D……流動床、1……本体、1
A、1B、1C、1D、2A、2D……制御ダン
パ、2……空気分散板、3、3A、3B、3C、
3D……風箱、4……主フアン、5……主管、5
A、5D……枝管、6……流動床、7、7A、7
D……層内バーナ、8、8A、8D……燃焼室、
9……燃料管、10……フアン、11……流動床
ボイラ、12……仕切管、13……オリフイス、
14……流量発信器、15……流量設定値発信
器、16……比較器、17……制御器、18……
操作器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 流動床ボイラの流動床を、水平方向の多数の伝
熱管を管と管との間にすきまが生じるように縦方
向に重ねて接続してなる仕切管12群により縦割
りに複数個に区切り、 その区切られた流動床A、B、C、Dのそれぞ
れに独立した風箱3A、3B、3C、3Dを設
け、 主フアン4からの燃焼用空気を所定量各風箱へ
送り込むための制御ダンパ1A、1B、1C、1
Dをそれぞれ介設した枝管によつて各風箱と主フ
アン4とを連結し、 上記区切られた流動床のうちのいくつかの流動
床の側面上部に小さな燃焼室8A、8Dを持つ層
内バーナ7A、7Dを装着し、 主フアン4からの燃焼用空気を層内バーナに所
定量送り込むための制御ダンパ2A、2Dを介設
した枝管5A、5Dによつて層内バーナ7A、7
Dと主フアン4とを連結したことを特徴とする流
動床ボイラの起動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870190U JPH0344967Y2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870190U JPH0344967Y2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364309U JPH0364309U (ja) | 1991-06-24 |
| JPH0344967Y2 true JPH0344967Y2 (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=31657326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10870190U Expired JPH0344967Y2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344967Y2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7115499B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP10870190U patent/JPH0344967Y2/ja not_active Expired
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7501343B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7501344B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7465666B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7235486B2 (en) | 2000-06-28 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7033922B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-04-25 | Applied Materials. Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7115494B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7094680B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
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| US7352048B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-04-01 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7494908B2 (en) | 2001-09-26 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integration of barrier layer and seed layer |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7473638B2 (en) | 2002-01-26 | 2009-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7094685B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7115499B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7429516B2 (en) | 2002-02-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Tungsten nitride atomic layer deposition processes |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364309U (ja) | 1991-06-24 |
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