JPH0345489B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0345489B2 JPH0345489B2 JP59105422A JP10542284A JPH0345489B2 JP H0345489 B2 JPH0345489 B2 JP H0345489B2 JP 59105422 A JP59105422 A JP 59105422A JP 10542284 A JP10542284 A JP 10542284A JP H0345489 B2 JPH0345489 B2 JP H0345489B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- boron trifluoride
- electronic circuit
- trifluoride gas
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化錫膜の電子回路パターンの形成方
法に関する。
法に関する。
従来技術
酸化錫薄膜は透明で導電性を有するため、絶縁
性基板例えばガラス板に形成させた酸化錫皮膜は
電子回路として使用されている。
性基板例えばガラス板に形成させた酸化錫皮膜は
電子回路として使用されている。
従来の酸化錫皮膜の電子回路パターンの形成方
法としては、(1)硝子板等の基板にマスクを置き、
噴霧法によつて酸化錫皮膜を被着させて電子回路
を形成させる方法、(2)硝子板等の基板上に酸化錫
皮膜を形成させ、その上を感光樹脂を塗布した
後、回路形成パターン用マスクで覆い露光する
か、あるいは原画を通じて露光することによつて
電子回路パターンを形成し、未露光部を除き、エ
ツチング剤で酸化錫を除去する方法が知られてい
る。
法としては、(1)硝子板等の基板にマスクを置き、
噴霧法によつて酸化錫皮膜を被着させて電子回路
を形成させる方法、(2)硝子板等の基板上に酸化錫
皮膜を形成させ、その上を感光樹脂を塗布した
後、回路形成パターン用マスクで覆い露光する
か、あるいは原画を通じて露光することによつて
電子回路パターンを形成し、未露光部を除き、エ
ツチング剤で酸化錫を除去する方法が知られてい
る。
しかし、前記(1)の方法では噴霧によるため、精
密な電子回路パターンが得難い欠点がある。
密な電子回路パターンが得難い欠点がある。
(2)の方法においては、精密な回路パターン、例
えばパターン間隔が1mμ以下の微細加工が可能で
ある長所を有する。しかし、酸化錫は化学的に極
めて安定であり、酸、アルカリには勿論、王水に
も殆んど溶解しない。従つて従来は酸化錫皮膜の
エツチングは、亜鉛粉末と水の泥漿を皮膜上に塗
布し、乾燥後塩酸等の鉱酸水溶液中に浸漬するこ
とにより、発生する水素で酸化錫を還元して金属
錫となし、この金属錫を酸で溶解させる湿式法が
行われている。しかし、この方法は操作が面倒で
あるばかりでなく、優れた回路パターンを得るこ
とも困難である欠点がある。
えばパターン間隔が1mμ以下の微細加工が可能で
ある長所を有する。しかし、酸化錫は化学的に極
めて安定であり、酸、アルカリには勿論、王水に
も殆んど溶解しない。従つて従来は酸化錫皮膜の
エツチングは、亜鉛粉末と水の泥漿を皮膜上に塗
布し、乾燥後塩酸等の鉱酸水溶液中に浸漬するこ
とにより、発生する水素で酸化錫を還元して金属
錫となし、この金属錫を酸で溶解させる湿式法が
行われている。しかし、この方法は操作が面倒で
あるばかりでなく、優れた回路パターンを得るこ
とも困難である欠点がある。
また、乾式法として、スパツタ・エツチング法
も知られているが、この方法によるとマスク材と
酸化錫薄膜とのエツチング選択性が小さく、また
イオン衝撃による硝子基板への影響などの問題点
がある。
も知られているが、この方法によるとマスク材と
酸化錫薄膜とのエツチング選択性が小さく、また
イオン衝撃による硝子基板への影響などの問題点
がある。
これらの方法における欠点をなくする方法とし
て、４〜６原子％の錫をドープした酸化インジユ
ウム錫（ITO）は導電度が酸化錫より約10倍大き
く、容易に湿式エツチングができるので、酸化錫
に代えて使用する方法が開発された。しかし、
ITOの原料である金属インジユウムは錫よりも高
価であるばかりでなく、ITOの光透過度は酸化錫
の光透過度の70〜75％程度である問題点がある。
て、４〜６原子％の錫をドープした酸化インジユ
ウム錫（ITO）は導電度が酸化錫より約10倍大き
く、容易に湿式エツチングができるので、酸化錫
に代えて使用する方法が開発された。しかし、
ITOの原料である金属インジユウムは錫よりも高
価であるばかりでなく、ITOの光透過度は酸化錫
の光透過度の70〜75％程度である問題点がある。
発明の目的
本発明は前記従来法の問題点を解消せんとする
ものでり、その目的は複雑な電気回路パターンを
ガスエツチング法により加工し得られる方法を提
供するにある。
ものでり、その目的は複雑な電気回路パターンを
ガスエツチング法により加工し得られる方法を提
供するにある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の
結果、三弗化硼素ガスは酸化錫をエツチングする
作用を有し、これをエツチング剤として使用する
ときは、複雑な電子回路パターンも容易にかつ高
精度に得られることを究明し得た。この知見に基
いて本発明を完成した。
結果、三弗化硼素ガスは酸化錫をエツチングする
作用を有し、これをエツチング剤として使用する
ときは、複雑な電子回路パターンも容易にかつ高
精度に得られることを究明し得た。この知見に基
いて本発明を完成した。
本発明の要旨は、絶縁基材表面に酸化錫膜を形
成させ、その上に三弗化硼素ガスに耐える電子回
路パターン形成用マスクを置き、これに三弗化硼
素ガスを通じてエツチング処理を行うか、あるい
は酸化錫膜上に感光樹脂膜を塗布し、該膜上に電
子回路パターンを形成し、三弗化硼素ガスを通じ
てパターン以外の酸化錫をエツチングすることを
特徴とする酸化錫膜の電子回路パターンの形成方
法にある。
成させ、その上に三弗化硼素ガスに耐える電子回
路パターン形成用マスクを置き、これに三弗化硼
素ガスを通じてエツチング処理を行うか、あるい
は酸化錫膜上に感光樹脂膜を塗布し、該膜上に電
子回路パターンを形成し、三弗化硼素ガスを通じ
てパターン以外の酸化錫をエツチングすることを
特徴とする酸化錫膜の電子回路パターンの形成方
法にある。
本発明において使用する絶縁基材としては通常
ガラスが使用される。電子回路パターンを形成さ
せるマスクの材料としては三弗化硼素ガスに耐え
るものとしてアリル樹脂、弗素樹脂が挙げられ
る。しかし、これに限定されるものではない。
ガラスが使用される。電子回路パターンを形成さ
せるマスクの材料としては三弗化硼素ガスに耐え
るものとしてアリル樹脂、弗素樹脂が挙げられ
る。しかし、これに限定されるものではない。
三弗化硼素ガスによるエツチング処理は常温下
でよく、ガス洩れのない反応槽中で行うことが必
要である。またこの処理は三弗化硼素ガス・プラ
ズマとして行つてもよい。
でよく、ガス洩れのない反応槽中で行うことが必
要である。またこの処理は三弗化硼素ガス・プラ
ズマとして行つてもよい。
三弗化硼素ガスとしては、三弗化硼素をそのま
まガスとして使用することは勿論、三弗化硼素ガ
スを生成する三弗化水素酸またはその塩を原料と
して使用することができる。
まガスとして使用することは勿論、三弗化硼素ガ
スを生成する三弗化水素酸またはその塩を原料と
して使用することができる。
発明の効果
本発明の方法によると、酸化錫膜の電子回路形
成のためのエツチングに三弗化硼素ガスを使用す
るため、湿式法によるエツチングに比べて精度よ
くエツチングすることが可能で、電子回路パター
ンの間隔が1mμ以下の微細加工もでき、且つ湿式
方における操作の煩雑さもなく容易に電子回路パ
ターンを形成し得られる優れた効果を奏し得られ
る。
成のためのエツチングに三弗化硼素ガスを使用す
るため、湿式法によるエツチングに比べて精度よ
くエツチングすることが可能で、電子回路パター
ンの間隔が1mμ以下の微細加工もでき、且つ湿式
方における操作の煩雑さもなく容易に電子回路パ
ターンを形成し得られる優れた効果を奏し得られ
る。
実施例
市販のNESA硝子（アンチモンをドープした酸
化錫を被覆した硝子）の酸化錫面上に、肉厚１mm
の弗素樹脂管を伸長方向に直角に切断した厚さ約
３mmの環状物（マスク）を切断面が酸化錫面に接
触するように載せたものをアクリル樹脂製の反応
槽内に静置した。常温下で、前記反応槽内を−
90KPaに減圧し、三弗化硼素ガスを反応槽内に
導入して35KPaに保持した。７時間後に反応槽
内の三弗化硼素ガスを窒素ガスで希釈しながら苛
性ソーダ水溶液で洗気した後廃気した。さらに反
応槽内を減圧し窒素を充満させて15時間保つた
後、試料を取出した。
化錫を被覆した硝子）の酸化錫面上に、肉厚１mm
の弗素樹脂管を伸長方向に直角に切断した厚さ約
３mmの環状物（マスク）を切断面が酸化錫面に接
触するように載せたものをアクリル樹脂製の反応
槽内に静置した。常温下で、前記反応槽内を−
90KPaに減圧し、三弗化硼素ガスを反応槽内に
導入して35KPaに保持した。７時間後に反応槽
内の三弗化硼素ガスを窒素ガスで希釈しながら苛
性ソーダ水溶液で洗気した後廃気した。さらに反
応槽内を減圧し窒素を充満させて15時間保つた
後、試料を取出した。
検鏡の結果、弗素樹脂に接触していない部分の
酸化錫はエツチングされていた。
酸化錫はエツチングされていた。
Claims (1)
- １ 絶縁基材の表面に酸化錫膜を形成させ、その
上に、三弗化硼素ガスに耐える電子回路パターン
形成用マスクを置き、三弗化硼素ガスを通じてエ
ツチング処理を行うか、あるいは酸化錫膜上に感
光樹脂膜を塗布し、該膜上に電子回路パターンを
形成し、三弗化硼素ガスを通じてパターン以外の
酸化錫をエツチング処理することを特徴とする酸
化錫膜の電子回路パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10542284A JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10542284A JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249209A JPS60249209A (ja) | 1985-12-09 |
| JPH0345489B2 true JPH0345489B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=14407157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10542284A Granted JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249209A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670636A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Toshiba Corp | Gas plasma etching of transparent conductive film |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10542284A patent/JPS60249209A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60249209A (ja) | 1985-12-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |