JPS60249209A - 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60249209A JPS60249209A JP10542284A JP10542284A JPS60249209A JP S60249209 A JPS60249209 A JP S60249209A JP 10542284 A JP10542284 A JP 10542284A JP 10542284 A JP10542284 A JP 10542284A JP S60249209 A JPS60249209 A JP S60249209A
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- JP
- Japan
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- tin oxide
- electronic circuit
- circuit pattern
- oxide film
- boron trifluoride
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- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化錫膜の電子回路パターンの形成方法に関す
る。
る。
従来技術
酸化錫薄膜は透明で導電性を有するため、絶縁性基板例
えばガラス板に形成させた酸化錫皮膜は電子回路として
使用されている。
えばガラス板に形成させた酸化錫皮膜は電子回路として
使用されている。
従来の酸化錫皮膜の電子回路パターンの形成方法として
は、（１）硝子板等の基板にマスクを置き、噴霧法によ
って酸化錫皮膜を被着させて電子回路ト は原画を通じて露光することによって電子回路１クター
ンを形成し、未絽光部を除き、エツチング鼻ｒで酸化錫
を除去する方法が知られている。
は、（１）硝子板等の基板にマスクを置き、噴霧法によ
って酸化錫皮膜を被着させて電子回路ト は原画を通じて露光することによって電子回路１クター
ンを形成し、未絽光部を除き、エツチング鼻ｒで酸化錫
を除去する方法が知られている。
しかし、前記（１）の方法では噴霧によるため、精密な
電子回路パターンが得難い欠点がある。
電子回路パターンが得難い欠点がある。
（２）の方法においては、精密な回路パターン、例えば
パターン間隔が１ｍμ以下の微細加工が可能である長所
を有する。しかし、酸化錫は化学的に極めて安定であシ
、酸、アルカリには勿論、王水にも殆んど溶解しない。
パターン間隔が１ｍμ以下の微細加工が可能である長所
を有する。しかし、酸化錫は化学的に極めて安定であシ
、酸、アルカリには勿論、王水にも殆んど溶解しない。
従って従来は酸化錫皮膜のエツチングは、亜鉛粉末と水
の泥漿を皮膜上に塗布し、軟線後塩酸等の鉱酸水溶液中
に浸漬することによシ、発生する水素で酸化錫を還元し
て金属錫となし、この金挑錫を酸で溶解させる湿式法逅
暑われている。しかし、この方法は操作が面倒であるば
かシでなく、優れた回路パターンを得ることも困難であ
る欠点がある。
の泥漿を皮膜上に塗布し、軟線後塩酸等の鉱酸水溶液中
に浸漬することによシ、発生する水素で酸化錫を還元し
て金属錫となし、この金挑錫を酸で溶解させる湿式法逅
暑われている。しかし、この方法は操作が面倒であるば
かシでなく、優れた回路パターンを得ることも困難であ
る欠点がある。
また、乾式法として、スパッタ・エツチング法も知られ
ているが、この方法によるとマスク材と酸化錫薄膜との
エツチング選択性が小さく、またイオン衝撃による硝子
基板への影１ｉｌ々どの問題点がある。
ているが、この方法によるとマスク材と酸化錫薄膜との
エツチング選択性が小さく、またイオン衝撃による硝子
基板への影１ｉｌ々どの問題点がある。
これらの方法における欠点をなくする方法として、４〜
６原子％の錫をドープした酸化インジュウム錫（ＩＴＯ
）は導電度が酸化錫よジ約１０倍大きく、容易に湿式エ
ツチングができるので、酸化錫に代えて使用する方法が
開発された。しかし、ＩＴＯの原料である金員インジュ
ウムは錫よりも高価であるはかりでなく、ＩＴＯの光透
過度は酸化錫の光透過度の７０〜７５％程度である四題
点があるＯ 発明の目的 本発明は前記従来法の問題点を解消せんとするものであ
シ、その目的は複雑な電気回路パターンをガスエツチン
グ法により加工し得られる方法を提供するにある。
６原子％の錫をドープした酸化インジュウム錫（ＩＴＯ
）は導電度が酸化錫よジ約１０倍大きく、容易に湿式エ
ツチングができるので、酸化錫に代えて使用する方法が
開発された。しかし、ＩＴＯの原料である金員インジュ
ウムは錫よりも高価であるはかりでなく、ＩＴＯの光透
過度は酸化錫の光透過度の７０〜７５％程度である四題
点があるＯ 発明の目的 本発明は前記従来法の問題点を解消せんとするものであ
シ、その目的は複雑な電気回路パターンをガスエツチン
グ法により加工し得られる方法を提供するにある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、三
弗化硼素ガスは酸化錫をエツチングする作用を有し、こ
れをエツチング剤として使用するときは、複雑な電本回
路パター・も容易にかつ高精度に得られることを究明し
得た。この知見に基いて本発明を完成した。
弗化硼素ガスは酸化錫をエツチングする作用を有し、こ
れをエツチング剤として使用するときは、複雑な電本回
路パター・も容易にかつ高精度に得られることを究明し
得た。この知見に基いて本発明を完成した。
本発明の要旨は、絶縁基材表面に酸化錫膜を形成させ、
その上に三弗化硼素ガスに耐える電子回路パターン形成
用マスクを置き、これに三弗化硼素ガスを通じてエツチ
ング処理を行うか、あるいは酸化錫膜上に感光樹脂膜を
塗布し、該膜上に電子回路パターンを形成し、三弗化硼
素ガスを通じてパターン以外の酸化錫をエツチングする
ことを特徴とする酸化錫膜の電子回路パターンの形成方
法にある。
その上に三弗化硼素ガスに耐える電子回路パターン形成
用マスクを置き、これに三弗化硼素ガスを通じてエツチ
ング処理を行うか、あるいは酸化錫膜上に感光樹脂膜を
塗布し、該膜上に電子回路パターンを形成し、三弗化硼
素ガスを通じてパターン以外の酸化錫をエツチングする
ことを特徴とする酸化錫膜の電子回路パターンの形成方
法にある。
本発明において使用する絶縁基材としては通常ガラスが
使用される。電子回路パターンを形成させるマスクの材
料としては三弗化硼素ガスに耐えるものとしてアクリル
樹脂、弗素樹脂が挙げられる。しかし、これに限定され
るものではない。
使用される。電子回路パターンを形成させるマスクの材
料としては三弗化硼素ガスに耐えるものとしてアクリル
樹脂、弗素樹脂が挙げられる。しかし、これに限定され
るものではない。
三弗化硼素ガスによるエツチング処理は常温下でよく、
ガス洩れの力い反応槽中で行うことが必要である。また
との処理は三弗化硼素ガス・プラズマとして行ってもよ
い。
ガス洩れの力い反応槽中で行うことが必要である。また
との処理は三弗化硼素ガス・プラズマとして行ってもよ
い。
三弗化硼素ガスとしては、三弗化硼素をそのままカスと
して使用することは勿論、三弗化硼素ガスを生成する三
弗化水素酸またはその塩を原料として使用することがで
きる。
して使用することは勿論、三弗化硼素ガスを生成する三
弗化水素酸またはその塩を原料として使用することがで
きる。
発明の効果
本発明の方法によると、酸化錫膜の電子回路形成のだめ
のエツチングに三弗化硼素ガスを使用するため、湿式法
によるエツチングに比べて精度よくエツチングすること
が可能で、電子回路パターンの間隔が１ｍＦ以下の微細
加工もでき、且つ湿式法における操作の煩雑さもなく容
易に電子回路パターンを形成し得られる優れた効果を奏
し得られる。
のエツチングに三弗化硼素ガスを使用するため、湿式法
によるエツチングに比べて精度よくエツチングすること
が可能で、電子回路パターンの間隔が１ｍＦ以下の微細
加工もでき、且つ湿式法における操作の煩雑さもなく容
易に電子回路パターンを形成し得られる優れた効果を奏
し得られる。
（５）
実施例
市販のＮＥＳム硝子（アンチモンをドープした酸化錫を
被覆した硝子）の酸化錫面上に、肉厚１ｍｓ＋の弗素樹
脂管を伸長方向に直角に切断した厚さ約３ｍの環状物（
マスク）を切断面が酸化錫面に接触するように載せたも
のをアクリル樹脂製の反応槽内に静置した。常温下で、
前記反応槽内を一９０ＫＰａに減圧し、三弗化硼素ガス
を反応槽内に導入して３５ ＫＰａに保持した。７時間
後に反応槽内の三弗化硼素ガスを窒素ガスで希釈しなが
ら苛性ソーダ水溶液で洗気した後廃気した。さらに反応
槽内を減圧し窒素を充満させて１５時間保った後、試料
を取出した。
被覆した硝子）の酸化錫面上に、肉厚１ｍｓ＋の弗素樹
脂管を伸長方向に直角に切断した厚さ約３ｍの環状物（
マスク）を切断面が酸化錫面に接触するように載せたも
のをアクリル樹脂製の反応槽内に静置した。常温下で、
前記反応槽内を一９０ＫＰａに減圧し、三弗化硼素ガス
を反応槽内に導入して３５ ＫＰａに保持した。７時間
後に反応槽内の三弗化硼素ガスを窒素ガスで希釈しなが
ら苛性ソーダ水溶液で洗気した後廃気した。さらに反応
槽内を減圧し窒素を充満させて１５時間保った後、試料
を取出した。
検鏡の結果、弗素樹脂に接触していガい部分の酸化錫は
エツチングされていた。
エツチングされていた。
Claims (1)
- 絶縁基材の表面に酸化錫膜を形成させ、その上に、三弗
化硼素ガスに耐える電子回路パターン形成用マスクを置
き、三弗化硼素ガスを通じてエツチング処理を行うか、
あるいは酸化錫膜上に感光樹脂族を塗布し、該股上に電
子回路パターンを形成し、三弗化硼素ガスを通じてパタ
ーン以外の酸化錫をエツチング処理することを特徴とす
る酸化錫膜の電子回路パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10542284A JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10542284A JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249209A true JPS60249209A (ja) | 1985-12-09 |
| JPH0345489B2 JPH0345489B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=14407157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10542284A Granted JPS60249209A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 酸化錫膜の電子回路パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249209A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670636A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Toshiba Corp | Gas plasma etching of transparent conductive film |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10542284A patent/JPS60249209A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670636A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-12 | Toshiba Corp | Gas plasma etching of transparent conductive film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345489B2 (ja) | 1991-07-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |