JPH0345558A - 広範囲の周波数に亘って安定なｎｐｏセラミックス - Google Patents
広範囲の周波数に亘って安定なｎｐｏセラミックスInfo
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- JPH0345558A JPH0345558A JP2165525A JP16552590A JPH0345558A JP H0345558 A JPH0345558 A JP H0345558A JP 2165525 A JP2165525 A JP 2165525A JP 16552590 A JP16552590 A JP 16552590A JP H0345558 A JPH0345558 A JP H0345558A
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- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、広い範囲の周波数に関して安定しており、
従ってＮＰＯおよびマイクロ波アプリケーションに適当
であるビスマス含有温度安定性誘電性セラミックスに関
する。
従ってＮＰＯおよびマイクロ波アプリケーションに適当
であるビスマス含有温度安定性誘電性セラミックスに関
する。
（従来の技術）
ある誘電性材料は、低周波からマイクロ波周波数範囲ま
で非常に安定した誘電性特性を示す。周波数安定性組成
のこのクラスのベースは、高い誘電率、低い誘電圧接お
よびキャパシタンスの小さい温度係数を有する材料が示
される、米国特許出願第３１８，６９８号に示された温
度補償ＮＰＯ材料である。
で非常に安定した誘電性特性を示す。周波数安定性組成
のこのクラスのベースは、高い誘電率、低い誘電圧接お
よびキャパシタンスの小さい温度係数を有する材料が示
される、米国特許出願第３１８，６９８号に示された温
度補償ＮＰＯ材料である。
ＮＰＯ材料の大多数が、材料のキャパシタンスに基づく
１つの周波数において評価されるけれども、前記ファク
タの各々に関して周波数を変えることの効果は公知であ
る。従来のセラミックスにおいて、誘電正接は、周波数
の増大に伴って増大することが知られ、一方、誘電率は
周波数の減少に伴って減少することが知られる。
１つの周波数において評価されるけれども、前記ファク
タの各々に関して周波数を変えることの効果は公知であ
る。従来のセラミックスにおいて、誘電正接は、周波数
の増大に伴って増大することが知られ、一方、誘電率は
周波数の減少に伴って減少することが知られる。
広い周波数範囲に亘って安定した状態を維持する温度安
定性誘電性セラミックスは、高速コンピュータの集積回
路構成における低いインピーダンスを維持する低ＫＮＰ
Ｏラミックコンデンサ、コンデンサまたは共振器のため
のマイクロ波誘電体、およびマイクロ波回路の基板材料
である。米国特許出願第３１８．［ｉ９８号において示
された温度補償材料と異なり、これらの材料は、誘電性
Ｑファクタ、誘電正接の逆数、および共振周波数の温度
係数τ、に関しても評価される。共鳴振動数の温度係数
は、式 τ、−一［τ、／（２＋α）コ よって定義される。ここでτ８は誘電率の温度係数であ
り、αは線熱膨張係数である。物理的定数τ、は、式 ％式％ によって測定可能なパラメータ、ＴＣＣ（キャパシタン
スの温度係数）に関係する。小さいＴＣＣが高いＱファ
クタまたは周波数安定性を必ずしも意味するとは限らな
いけれども、小さいＴＣＣのために高いＱファクタおよ
び周波数安定性が必要とされる。
定性誘電性セラミックスは、高速コンピュータの集積回
路構成における低いインピーダンスを維持する低ＫＮＰ
Ｏラミックコンデンサ、コンデンサまたは共振器のため
のマイクロ波誘電体、およびマイクロ波回路の基板材料
である。米国特許出願第３１８．［ｉ９８号において示
された温度補償材料と異なり、これらの材料は、誘電性
Ｑファクタ、誘電正接の逆数、および共振周波数の温度
係数τ、に関しても評価される。共鳴振動数の温度係数
は、式 τ、−一［τ、／（２＋α）コ よって定義される。ここでτ８は誘電率の温度係数であ
り、αは線熱膨張係数である。物理的定数τ、は、式 ％式％ によって測定可能なパラメータ、ＴＣＣ（キャパシタン
スの温度係数）に関係する。小さいＴＣＣが高いＱファ
クタまたは周波数安定性を必ずしも意味するとは限らな
いけれども、小さいＴＣＣのために高いＱファクタおよ
び周波数安定性が必要とされる。
おそらく、マイクロ波周波数において高い誘電率および
高いＱファクタを有する周波数に安定したＮＰＯ材料の
このクラスの最も一般の使用は、誘電性共振器（マイク
ロ波回路における振動のフィルタおよびスタビライザと
して働く装置）のそれである。１９１３０年代において
、チタニアは、誘電性共振器として最もしばしば使われ
た（マイクロ波周波数で１００の誘電率および１０００
０のＱファクタを示す）。しかしながら、共振周波数の
温度係数、〜＋４００ｐＨ／ ”Ｃは、実用的用途にと
ってあまりにも高かった。それ以来、高い誘電率を有す
るチタニアベースの多数の温度安定性セラミックスが比
較的成功しつつ探究された。その中には、米国特許第４
，７５３，９０６号および第４．６８５，０４１号に見
られるように、Ｂａ ０−Ｔｉ ０２ 、 Ｚｒ ０
２−Ｓｎ ０２−Ｔｉ ０２およびＭｇ Ｏ−Ｔｉ ０
２系がある。より最近に、これらおよび多数の他の材料
は・、自動車電話および衛生放送のためのレシーバのよ
うな使用に適応させられた。
高いＱファクタを有する周波数に安定したＮＰＯ材料の
このクラスの最も一般の使用は、誘電性共振器（マイク
ロ波回路における振動のフィルタおよびスタビライザと
して働く装置）のそれである。１９１３０年代において
、チタニアは、誘電性共振器として最もしばしば使われ
た（マイクロ波周波数で１００の誘電率および１０００
０のＱファクタを示す）。しかしながら、共振周波数の
温度係数、〜＋４００ｐＨ／ ”Ｃは、実用的用途にと
ってあまりにも高かった。それ以来、高い誘電率を有す
るチタニアベースの多数の温度安定性セラミックスが比
較的成功しつつ探究された。その中には、米国特許第４
，７５３，９０６号および第４．６８５，０４１号に見
られるように、Ｂａ ０−Ｔｉ ０２ 、 Ｚｒ ０
２−Ｓｎ ０２−Ｔｉ ０２およびＭｇ Ｏ−Ｔｉ ０
２系がある。より最近に、これらおよび多数の他の材料
は・、自動車電話および衛生放送のためのレシーバのよ
うな使用に適応させられた。
誘電性共振器は、衛生放送または地上のＳＨＦ放送のた
めのレシーバにしばしば使われる。誘電性共振器が、０
．５−６ ＧＨｚなどの放送に共通な高周波バンドで使
われるとき、以下のようないくつかの欠点が起こる。
めのレシーバにしばしば使われる。誘電性共振器が、０
．５−６ ＧＨｚなどの放送に共通な高周波バンドで使
われるとき、以下のようないくつかの欠点が起こる。
（１）それらの特定の誘電率が小さいので、共振器を十
分に小型化することが不可能であった。
分に小型化することが不可能であった。
（２）Ｑファクタが小さくなる（誘電損が大きくなる）
。そして （３）温度の変化に付随する共振周波数の変化の非直線
性が温度特性を補償するのを難しくする。
。そして （３）温度の変化に付随する共振周波数の変化の非直線
性が温度特性を補償するのを難しくする。
逆に、そのような誘電性材料の望ましい特性は、大きさ
の縮小、高い周波数における小さい誘電損および温度に
対する共振周波数の変化に関する要求を満足させるのに
十分な程大きい誘電率である。
の縮小、高い周波数における小さい誘電損および温度に
対する共振周波数の変化に関する要求を満足させるのに
十分な程大きい誘電率である。
すなわち、誘電率の温度依存は、小さくなければならな
い。概して共振器のために的を絞られた誘電性特性の所
望される誘電性特性は、高い比誘電率（３０−４０）
、高いＱファクタ（１０ＧＨｚにおいて３０００） 、
および共振周波数の低い温度係数（０十１ｏｐｐｌ ／
”Ｃ） Ｌ、かしながら誘電性共振器を製造する際使わ
れる材料の誘電性特性を改良することによってレシーバ
の性能を改良する必要性、すなわち、２５〜４０の誘電
率、１０４以上の無負荷時Ｑファクタ、および１ＯＧＨ
ｚバンドおよびほぼ室温において±１０ｐＩ）ｌ ／’
Ｃ以内の共振周波数の温度係数を開示した、欧州特許第
０．０９５．３３８号に示されるように、さらに明確な
そして厳しい基準が必要とされる。高周波および周波数
に対して安定した多数の誘電性組成が探究され、従来技
術として開示されてきた。例えば米国特許第４，３３９
，５４３号は、０．９−１．１モルのＴｌ ｏ２．０．
１−０．４モルの５ｎＯｚ 、 ０．０１！ｒ０．０８
モルのＮｉ ０．０．６−０．９モルのＺｒ Ｏｚ 、
０．０１−０．１モルのＬ ａ Ｚ Ｏ３＋ および
各モルのＴｌＯ２に対して０．００３５モルのＦｅから
成る、高い誘電率、非常に低い高周波損失および非常に
高い温度安定性を持つ誘電性材料を開示している。
い。概して共振器のために的を絞られた誘電性特性の所
望される誘電性特性は、高い比誘電率（３０−４０）
、高いＱファクタ（１０ＧＨｚにおいて３０００） 、
および共振周波数の低い温度係数（０十１ｏｐｐｌ ／
”Ｃ） Ｌ、かしながら誘電性共振器を製造する際使わ
れる材料の誘電性特性を改良することによってレシーバ
の性能を改良する必要性、すなわち、２５〜４０の誘電
率、１０４以上の無負荷時Ｑファクタ、および１ＯＧＨ
ｚバンドおよびほぼ室温において±１０ｐＩ）ｌ ／’
Ｃ以内の共振周波数の温度係数を開示した、欧州特許第
０．０９５．３３８号に示されるように、さらに明確な
そして厳しい基準が必要とされる。高周波および周波数
に対して安定した多数の誘電性組成が探究され、従来技
術として開示されてきた。例えば米国特許第４，３３９
，５４３号は、０．９−１．１モルのＴｌ ｏ２．０．
１−０．４モルの５ｎＯｚ 、 ０．０１！ｒ０．０８
モルのＮｉ ０．０．６−０．９モルのＺｒ Ｏｚ 、
０．０１−０．１モルのＬ ａ Ｚ Ｏ３＋ および
各モルのＴｌＯ２に対して０．００３５モルのＦｅから
成る、高い誘電率、非常に低い高周波損失および非常に
高い温度安定性を持つ誘電性材料を開示している。
本発明における組成と異り、ビスマスは、この組成の成
分ではない。
分ではない。
米国特許第４，３３８，４０３号は、３４．５−８２．
Ｏｖｔ、％のＴｉ０２．９．０−６３．Ｏｖｔ、％のＰ
ｒ６０＋ｔ＋ および２．５−２３．５ｖｔ、％のＢａ
Ｏから成る８８ｖｔ、％の主成分１２ｖｔ、％までのＳ
ｎ Ｏ２とから実質的に構成される誘電性セラミックス
を開示している。主成分に含まれる９５ｖｔ、％までの
Ｐｒ６０＋＋はＮｄ２Ｏ３で代替されてもよい。本発明
における組成と異なり、ビスマスは、この組成の成分で
はない。
Ｏｖｔ、％のＴｉ０２．９．０−６３．Ｏｖｔ、％のＰ
ｒ６０＋ｔ＋ および２．５−２３．５ｖｔ、％のＢａ
Ｏから成る８８ｖｔ、％の主成分１２ｖｔ、％までのＳ
ｎ Ｏ２とから実質的に構成される誘電性セラミックス
を開示している。主成分に含まれる９５ｖｔ、％までの
Ｐｒ６０＋＋はＮｄ２Ｏ３で代替されてもよい。本発明
における組成と異なり、ビスマスは、この組成の成分で
はない。
欧州特許第０．０９５，３３８号は、Ｂａ （Ｚｎ
ｌ／３ Ｔａ ２／３ ） ０３およびＢａ （Ｍｇ
ｌ／３ Ｔａ ２／３ ） ０３と少量のＭｎのみか
ら成るかまたはそれらを主に含む灰チタン石−タイブの
構造化合物酸化物の混合物の焼結体を含む低ロスマイク
ロ波誘電性材料を開示している。Ｍｎの付加は、必要と
される焼結温度を下げるために、焼結性に好影響を与え
るばかりでなく、ＳＨＦバンドにおいて、得られた焼結
体の無負荷時Ｑファクタを都合好く高める。
ｌ／３ Ｔａ ２／３ ） ０３およびＢａ （Ｍｇ
ｌ／３ Ｔａ ２／３ ） ０３と少量のＭｎのみか
ら成るかまたはそれらを主に含む灰チタン石−タイブの
構造化合物酸化物の混合物の焼結体を含む低ロスマイク
ロ波誘電性材料を開示している。Ｍｎの付加は、必要と
される焼結温度を下げるために、焼結性に好影響を与え
るばかりでなく、ＳＨＦバンドにおいて、得られた焼結
体の無負荷時Ｑファクタを都合好く高める。
本発明における組成と異り、ビスマスは、この組成の成
分ではない。
分ではない。
米国特許第４，８６５．０４１号は、Ｔｉ０２−Ｚｒ
０２−Ｓｎ ０２系の主成分と、７ｗｔ、％以下のＺ
ｎ Ｏ５１０ｖｔ、％以下のＮｉＯおよび７ｗｔ、％以
下の金属酸化物を付加物として含む高周波のために誘電
性セラミック組成を開示している。本発明における組成
と異り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
０２−Ｓｎ ０２系の主成分と、７ｗｔ、％以下のＺ
ｎ Ｏ５１０ｖｔ、％以下のＮｉＯおよび７ｗｔ、％以
下の金属酸化物を付加物として含む高周波のために誘電
性セラミック組成を開示している。本発明における組成
と異り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
米国特許第４．８７０．４０９号は、小さい誘電損、大
きい誘電率およびある範囲の中の小さい値にコントロー
ルされ得る共振周波数の温度係数を有するランタン−マ
グネシウムチタネートを含む誘電性セラミック材料を開
示している。この誘電性材料は、マイクロ波共振器とし
て有用である。本発明における組成と異り、ビスマスは
、この組成の成分ではない。
きい誘電率およびある範囲の中の小さい値にコントロー
ルされ得る共振周波数の温度係数を有するランタン−マ
グネシウムチタネートを含む誘電性セラミック材料を開
示している。この誘電性材料は、マイクロ波共振器とし
て有用である。本発明における組成と異り、ビスマスは
、この組成の成分ではない。
米国特許第４．７１７．６９４号は、
Ｂａ （ＺｒＫＺｎ、Ｎｌ。
Ｔａ ｍ Ｎｂ ｖ ） Ｏ＋／２（７−ｘ−３ｖ−３
ｍ＋から本質的になり、ここでｘ、ｙ、ｚ、ｕ、および
Ｖは各成分のモル画分である高周波用誘電性セラミック
組成を開示している。本発明における組成と異り、ビス
マスは、この組成の成分ではない。
ｍ＋から本質的になり、ここでｘ、ｙ、ｚ、ｕ、および
Ｖは各成分のモル画分である高周波用誘電性セラミック
組成を開示している。本発明における組成と異り、ビス
マスは、この組成の成分ではない。
米国特許第４．７４５．０９３号は、
Ｓｌ （Ｎ１１／３ Ｎｂ２／３） ０３０ｒ（１−
ｘ） ＳＩ （Ｎ１１／３ Ｎｂ２／３ ） ０３１
ＢｉＴ！０３の化学式で表わされる化学組成を有する、
小さい誘電損、大きい誘電率、およびある範囲内にコン
トロールされ得る共振周波数の温度係数を示す誘電性セ
ラミック材料を開示している。この化学式中、Ｘは０．
３までの正の数である。前記の特性は、この材料を、マ
イクロ波誘電性セラミックスでの使用において有用にす
る。本発明における組成と異り、ビスマスは、この組成
の成分ではない。
ｘ） ＳＩ （Ｎ１１／３ Ｎｂ２／３ ） ０３１
ＢｉＴ！０３の化学式で表わされる化学組成を有する、
小さい誘電損、大きい誘電率、およびある範囲内にコン
トロールされ得る共振周波数の温度係数を示す誘電性セ
ラミック材料を開示している。この化学式中、Ｘは０．
３までの正の数である。前記の特性は、この材料を、マ
イクロ波誘電性セラミックスでの使用において有用にす
る。本発明における組成と異り、ビスマスは、この組成
の成分ではない。
米国特許第４．７４９，６８９号は、化学式％式％
（ここでａ、ｂ、ｃは合計が１００となる％モル画分で
ある。すなわちａ＋ｌ）＋Ｃ−１００）で表わされる三
元系組成から成る誘電性セラミック組成を開示している
。この組成は高い誘電率、大きいＱおよび小さいＴｉを
示し、それによって特にマイクロ波用途（これに限定さ
れない）に有用である。本発明における組成と異り、ビ
スマスは、この組成の成分ではない。
ある。すなわちａ＋ｌ）＋Ｃ−１００）で表わされる三
元系組成から成る誘電性セラミック組成を開示している
。この組成は高い誘電率、大きいＱおよび小さいＴｉを
示し、それによって特にマイクロ波用途（これに限定さ
れない）に有用である。本発明における組成と異り、ビ
スマスは、この組成の成分ではない。
米国特許第４，７５３，９０６号は、
−［（１００−ｎ）ＢｘＯＩ（ＩＩ）ＭＯ］ −ｂＴｉ
ｏｌ−ＣＲ１０３００ の化学式を有する、マイクロ波用の誘電性セラミック組
成を開示している。ここでａ、ｂ、ｃは、合計が１００
となるモル％を表わし、ＭはＳｒ、ＣａおよびＭｇから
成る群より選択される少くとも１つのエレメントであり
、ＲはＮｂ、ＳＩｍおよびＬａから成る群より選択され
る少くとも１つのエレメントである。本発明における組
成と異り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
ｏｌ−ＣＲ１０３００ の化学式を有する、マイクロ波用の誘電性セラミック組
成を開示している。ここでａ、ｂ、ｃは、合計が１００
となるモル％を表わし、ＭはＳｒ、ＣａおよびＭｇから
成る群より選択される少くとも１つのエレメントであり
、ＲはＮｂ、ＳＩｍおよびＬａから成る群より選択され
る少くとも１つのエレメントである。本発明における組
成と異り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
米国特許第４，７７５．８４９号は、
Ｂａ −Ｓ ｒ ｙ Ｃａ ｘ
（Ｚｎ ｌ／３ Ｎｂ ２／３ ） １−＋ ＴＩ ＋
０３の化学式（ここでｘ＋ｙ＋ｚ ＝ １ ）で表わ
される誘電性磁器組成を開示している。この材料は０．
５−６ＧＨｚバンドで都合良く使用するための誘電性共
振器を作るのに適しており、大きい無負荷時Ｑ値、適切
な比誘電率、安定性のあるτｆおよび共振周波数の温度
特性の優れた直線性を有する。本発明における組成と異
り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
０３の化学式（ここでｘ＋ｙ＋ｚ ＝ １ ）で表わ
される誘電性磁器組成を開示している。この材料は０．
５−６ＧＨｚバンドで都合良く使用するための誘電性共
振器を作るのに適しており、大きい無負荷時Ｑ値、適切
な比誘電率、安定性のあるτｆおよび共振周波数の温度
特性の優れた直線性を有する。本発明における組成と異
り、ビスマスは、この組成の成分ではない。
米国特許第４．７９２．５３７号は一般式％式％
（ここで）（＋ｙ＋ｚ ＝１００ ）で表わされる基本
組成から実質的に成る高周波用誘電性セラミック組成を
詳述している。ここで０．１−１０ｗｔ、％のＬｌ ｚ
Ｏを加えてもよい。本発明における組成と異り、ビス
マスは、この組成の成分ではない。
組成から実質的に成る高周波用誘電性セラミック組成を
詳述している。ここで０．１−１０ｗｔ、％のＬｌ ｚ
Ｏを加えてもよい。本発明における組成と異り、ビス
マスは、この組成の成分ではない。
欧州特許第０．２１１．３７１号は、
ｐｂ 、ｚ、、、ｏ□−８
（ここで０．４２≦Ｘ≦０．６９）の誘電性材料と混合
された付加物としてＴｂ４０７．ＣｅＯ２，ＴｅＯ２，
Ｇｄ２Ｏ３およびＤｙｚ０３の１つ以上を０．１−５．
３モル％含む、主としてマイクロ波範囲での誘電性共振
器として使用される誘電性磁器を開示している。本発明
における組成と異り、ビスマスは、この組成の成分では
ない。
された付加物としてＴｂ４０７．ＣｅＯ２，ＴｅＯ２，
Ｇｄ２Ｏ３およびＤｙｚ０３の１つ以上を０．１−５．
３モル％含む、主としてマイクロ波範囲での誘電性共振
器として使用される誘電性磁器を開示している。本発明
における組成と異り、ビスマスは、この組成の成分では
ない。
欧州特許第０．２７３．３０５号は、高いＱ、小さい誘
電率および十分に小さい共振周波数の温度係数τ、を有
するＢａ０−Ｔｉ ０２ ＷＯ３三元系から実質的に
成る誘電性セラミックを開示している。
電率および十分に小さい共振周波数の温度係数τ、を有
するＢａ０−Ｔｉ ０２ ＷＯ３三元系から実質的に
成る誘電性セラミックを開示している。
これはマイクロ波領域において特に有用である。
本発明における組成と異り、ビスマスは、この組成の成
分ではない。
分ではない。
欧州特許第０．２９５．１３３号は、３５より大きい誘
電率、４ＧＨｚにおいて９０００より大きいＱファクタ
、および約１３５０℃未満の減少された焼成温度を有す
る、約３５−５５モル％のＺｒ Ｏ２、３０−５０モル
％のＴｌ ｏ２．５−約２２．５モル％の５ｎ０２．約
０．５−１０モル％のＺｎ ０２および０．３−約２．
５モル％のＣｕＯから実質的に成る誘電性セラミックを
詳述している。本発明における組成と異り、ビスマスは
、この組成の成分ではない。
電率、４ＧＨｚにおいて９０００より大きいＱファクタ
、および約１３５０℃未満の減少された焼成温度を有す
る、約３５−５５モル％のＺｒ Ｏ２、３０−５０モル
％のＴｌ ｏ２．５−約２２．５モル％の５ｎ０２．約
０．５−１０モル％のＺｎ ０２および０．３−約２．
５モル％のＣｕＯから実質的に成る誘電性セラミックを
詳述している。本発明における組成と異り、ビスマスは
、この組成の成分ではない。
（発明の目的）
従って、周波数に対して安定したセラミックコンデンサ
の（しかし・・・制限しなかった）開発において使用す
るための、しかしそれに限定されない、新規な温度安定
性組成を提供することが本発明の目的である。
の（しかし・・・制限しなかった）開発において使用す
るための、しかしそれに限定されない、新規な温度安定
性組成を提供することが本発明の目的である。
低周波数からマイクロ波周波数範囲までに亘って安定し
た誘電率を有するＮＰＯセラミック材料を供給すること
が本発明のもう１つの目的である。
た誘電率を有するＮＰＯセラミック材料を供給すること
が本発明のもう１つの目的である。
誘電性共振器を製造するのに適当なＮＰＯセラミックス
を供給することが本発明のさらにもう１つの目的である
。
を供給することが本発明のさらにもう１つの目的である
。
（発明の構成ン
本発明の実施例は式Ｂｉ ｚ ０３ ｘＴｌ ０２によ
って表わされた組成である。ここでＸは７までの数、Ｔ
Ｉ’＋イオンは同じ電荷を有し、従って電荷バランスを
維持する混合イオンによって代替されてもよい。ＴＩ’
＋イオンのための適当な代替は以下のイオンによって行
い得る。
って表わされた組成である。ここでＸは７までの数、Ｔ
Ｉ’＋イオンは同じ電荷を有し、従って電荷バランスを
維持する混合イオンによって代替されてもよい。ＴＩ’
＋イオンのための適当な代替は以下のイオンによって行
い得る。
Ａ ｌ／３ ”Ｂ ２／３ ’“
Ｒ２／３ ”Ｃｌ／３ ”
Ａ １７□”ＣＩ／□６１
Ｒ１／□”Ｂ ｌ／□５１
Ｍ１７４ ”Ｂ ３．−４ ”、およびＭ２１５ ”
Ｃ３１５’“ ここで、Ｍ＋はＬｉｄ、Ｎａ＋、に＋、Ｃｕ＋およびＡ
ｇ＋から成る群より選択され、Ａ２＋はＭｇ２＋ Ｚ
ｎ２＋ Ｎｌ ２４ Ｃｏ２＋ Ｃｕ２＋および
Ｃｄ２＋から成る群より選択され、Ｒ３＋はＣｒ ”、
Ｍｎ”、 Ｆｅ ”、 Ａｌ１ ”、 Ｇａ
”、 Ｚｎ ”、 ＴＪ！ ”Ｓｂ ”、Ａｓ
”、Ｙ”、Ｌｕ ”、Ｙｂ ”、Ｔｍ ”Ｅｒ ”、
Ｈｏ ”、 Ｄｙ ”、 Ｔｂ ”、 Ｇｄ
”、 Ｅｕ３＋およびＳｍ３＋から成る群より選択さ
れ、Ｂ５＋はＮｂ ”、 Ｔａ ５＋およびＶ５＋か
ら成る群よりＢ５＋はＮｂ５＋，Ｔａ５＋およびＶ５＋
から成る群より選択される。
Ｃ３１５’“ ここで、Ｍ＋はＬｉｄ、Ｎａ＋、に＋、Ｃｕ＋およびＡ
ｇ＋から成る群より選択され、Ａ２＋はＭｇ２＋ Ｚ
ｎ２＋ Ｎｌ ２４ Ｃｏ２＋ Ｃｕ２＋および
Ｃｄ２＋から成る群より選択され、Ｒ３＋はＣｒ ”、
Ｍｎ”、 Ｆｅ ”、 Ａｌ１ ”、 Ｇａ
”、 Ｚｎ ”、 ＴＪ！ ”Ｓｂ ”、Ａｓ
”、Ｙ”、Ｌｕ ”、Ｙｂ ”、Ｔｍ ”Ｅｒ ”、
Ｈｏ ”、 Ｄｙ ”、 Ｔｂ ”、 Ｇｄ
”、 Ｅｕ３＋およびＳｍ３＋から成る群より選択さ
れ、Ｂ５＋はＮｂ ”、 Ｔａ ５＋およびＶ５＋か
ら成る群よりＢ５＋はＮｂ５＋，Ｔａ５＋およびＶ５＋
から成る群より選択される。
（実 施 例）
本発明を以下の実施例に基づいてさらに詳細に説明する
。
。
本発明の好ましい実施例は、前述の式（４≦Ｘ≦５）に
よって表わされたイオン置換された組成である。多数の
組成が導入される。例えば、Ｘ−４の時、 Ｂｌ ６．Ａ４ Ｂ８ ０３３． Ｂｌ ｓ
Ｒ６Ｃ４０３３，Ｂ１２ Ａ２ Ｃ２０１１・
Ｂ１２ ＲＺ Ｂ２ ０１＋・ Ｂｉ ２ ＭＢ３
０．、およびＢ ｉ ＋ｏＭＢ Ｃ１２０５５の組成が
作られ、ｘ−４，５の時、Ｂｌ ４ Ａ３ Ｂ６０２４
． Ｂ１４Ｒ６Ｃ３０２４・ ＢＩ Ｂ Ａ５ Ｃ９
０４８・ Ｂｉ ８ Ｒ９８４１０４ｇ・ Ｂ ｌ １
６Ｍ５ Ｂ ２７０９６・およびＢ１２．Ｍ１８ｃ２７
０＋２０の組成が作られる。
よって表わされたイオン置換された組成である。多数の
組成が導入される。例えば、Ｘ−４の時、 Ｂｌ ６．Ａ４ Ｂ８ ０３３． Ｂｌ ｓ
Ｒ６Ｃ４０３３，Ｂ１２ Ａ２ Ｃ２０１１・
Ｂ１２ ＲＺ Ｂ２ ０１＋・ Ｂｉ ２ ＭＢ３
０．、およびＢ ｉ ＋ｏＭＢ Ｃ１２０５５の組成が
作られ、ｘ−４，５の時、Ｂｌ ４ Ａ３ Ｂ６０２４
． Ｂ１４Ｒ６Ｃ３０２４・ ＢＩ Ｂ Ａ５ Ｃ９
０４８・ Ｂｉ ８ Ｒ９８４１０４ｇ・ Ｂ ｌ １
６Ｍ５ Ｂ ２７０９６・およびＢ１２．Ｍ１８ｃ２７
０＋２０の組成が作られる。
実施例１
周波数に対して安定した誘電体を、固体反応を利用して
調製した。すなわち、出発酸化物およびカーボネート粉
末の均質混合物を１６時間（振動）ミリングし、乾燥し
、次に焼成することによって調製した。５バツチを、化
学式 ％式％） （ここでｘ ＝ ｉ、２．３＋４および４．５に従って
各重量を計算された試薬グレードＢ１２Ｏ３，ＭｇＯお
よびＮｂ２Ｏ５の原料によって合成した。この材料を、
粉砕媒体としての３／８インチジルコニアボールと伴に
ポリプロピレンボトルでミリングした。
調製した。すなわち、出発酸化物およびカーボネート粉
末の均質混合物を１６時間（振動）ミリングし、乾燥し
、次に焼成することによって調製した。５バツチを、化
学式 ％式％） （ここでｘ ＝ ｉ、２．３＋４および４．５に従って
各重量を計算された試薬グレードＢ１２Ｏ３，ＭｇＯお
よびＮｂ２Ｏ５の原料によって合成した。この材料を、
粉砕媒体としての３／８インチジルコニアボールと伴に
ポリプロピレンボトルでミリングした。
容量の約９８％が満たされるまでイソプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）をボトルに注ぎ、そして各ボトルの内容物
を１６時間ミリングした。次に、得られたスラリーをＰ
ＹＲＥＸボールへ移しく汚染を回避するために、アルミ
ニウムフォイルで緩くカバーされた）、そして過剰ＩＰ
Ａを蒸発させるために、８０℃のオーブンに入れた。次
に、焼成を、次のスケジュールに従って空気中において
実行した。
ル（ＩＰＡ）をボトルに注ぎ、そして各ボトルの内容物
を１６時間ミリングした。次に、得られたスラリーをＰ
ＹＲＥＸボールへ移しく汚染を回避するために、アルミ
ニウムフォイルで緩くカバーされた）、そして過剰ＩＰ
Ａを蒸発させるために、８０℃のオーブンに入れた。次
に、焼成を、次のスケジュールに従って空気中において
実行した。
（１） ５．６時間かけて室温−５８０・℃に加熱す
る。
る。
（２１５８０℃で２時間持続する。
（３１５８０℃−７５０℃、炉のパワー全開。
（４） ７５０℃で４時間持続する。
（５１７，３時間かけて７５０℃−室温まで冷却する。
焼成の後、粉末を、カルボワックスバインダー溶液と混
合し、１６時間振動ミリングし、８０℃のオーブンで乾
燥し、そして手で粒状にした。次にこの粉末を、凝集サ
イズを減少するために、２０メツシユのふるいを通して
ふるいにかけ、そして、ベレットにプレスした（まずＩ
Ｑｋｓｔで機械的に、次に２７ｋｓｉでオイソスタチッ
クに）。次にこれらのベレットを９００℃−１２５０℃
の間の温度においてジルコニアセッタープレート上で２
時間焼成した。各バッチの適切な焼結温度は焼成後の密
度に応じて選択した。
合し、１６時間振動ミリングし、８０℃のオーブンで乾
燥し、そして手で粒状にした。次にこの粉末を、凝集サ
イズを減少するために、２０メツシユのふるいを通して
ふるいにかけ、そして、ベレットにプレスした（まずＩ
Ｑｋｓｔで機械的に、次に２７ｋｓｉでオイソスタチッ
クに）。次にこれらのベレットを９００℃−１２５０℃
の間の温度においてジルコニアセッタープレート上で２
時間焼成した。各バッチの適切な焼結温度は焼成後の密
度に応じて選択した。
焼成されたベレットを、サンプルの双方の表面に金を蒸
着させることによって電極化した。室温誘電率（ε、）
および試料のＱファクタ（感度限界１０４）を、ヒユー
レットバラカード４Ｌ９２Ａ ＬＦインピーダンスア
ナライザーを用いて１，３．１Ｂ、１０．３１．６，１
００，３１６および１００ＯＫＨ２の周波数で、そして
ヒユーレットパラカード４１９１Ａ ＲＦインピーダ
ンスアナライザーを用いて３，５．Ｉｏ、２０および４
０ＭＨｚの周波数で、弱いＡＣ場にて測定した。
着させることによって電極化した。室温誘電率（ε、）
および試料のＱファクタ（感度限界１０４）を、ヒユー
レットバラカード４Ｌ９２Ａ ＬＦインピーダンスア
ナライザーを用いて１，３．１Ｂ、１０．３１．６，１
００，３１６および１００ＯＫＨ２の周波数で、そして
ヒユーレットパラカード４１９１Ａ ＲＦインピーダ
ンスアナライザーを用いて３，５．Ｉｏ、２０および４
０ＭＨｚの周波数で、弱いＡＣ場にて測定した。
比誘電率（ε、）を試料の寸法が温度範囲の至る所で室
温におけるそれと同じであると仮定し、そして温度の変
化に伴う変化に適応させるのに調整が必要ないと仮定す
ることによって計算した。自動誘電性測定ステーション
（ヒユーレットパラカード４１９２アナライザーによる
）を、ＩＫＨｚと３．８ ＭＨｚの間の種々の周波数に
おいて、−５５℃から１４５℃の間の温度における誘電
率およびＱフアクタの温度依存を測定するために使った
。
温におけるそれと同じであると仮定し、そして温度の変
化に伴う変化に適応させるのに調整が必要ないと仮定す
ることによって計算した。自動誘電性測定ステーション
（ヒユーレットパラカード４１９２アナライザーによる
）を、ＩＫＨｚと３．８ ＭＨｚの間の種々の周波数に
おいて、−５５℃から１４５℃の間の温度における誘電
率およびＱフアクタの温度依存を測定するために使った
。
熱膨張係数を、周囲温度から５００℃までの温度範囲に
おいて膨張針によって測定し、そして、２５℃と１２５
℃間でとったデータをτ、を見積るのに使った。
おいて膨張針によって測定し、そして、２５℃と１２５
℃間でとったデータをτ、を見積るのに使った。
第１図は、
Ｂ １２０３ Ｘ （Ｍｇ １７３ Ｎｂ ２７３
） ０２の誘電性化合物において、Ｘが４．５，４．３
．２および１の場合の周波数に対する室温Ｑファクタの
挙動を示している。４≦Ｘ≦５の場合、Ｑファクタは３
．８ＫＨ２とＩＭＨ７の間の周波数で１０４以上（装置
の感度限界）であることに留意されたい。
） ０２の誘電性化合物において、Ｘが４．５，４．３
．２および１の場合の周波数に対する室温Ｑファクタの
挙動を示している。４≦Ｘ≦５の場合、Ｑファクタは３
．８ＫＨ２とＩＭＨ７の間の周波数で１０４以上（装置
の感度限界）であることに留意されたい。
１０Ｍ ＨＺを越えた周波数において、規則的な増加は
、ｘ−４，５および４の場合について４０ＭＨｚでそれ
ぞれ４００および３４０と測定される単調なＱファクタ
の減少となる。
、ｘ−４，５および４の場合について４０ＭＨｚでそれ
ぞれ４００および３４０と測定される単調なＱファクタ
の減少となる。
第２図は、同じクラスの材料について、室温誘電率（ε
２）を周波数の関数として示している。
２）を周波数の関数として示している。
誘電率が、Ｘの全ての値に対してＩＫＨｚから４０Ｍ
Ｈｚの周波数範囲に亘って全く安定していることに留意
されたい。さらに、Ｘが４．５および４，０であるとき
、模範的結果が示され、ε、の変動が周波数範囲全体に
亘ってそれぞれ０．２６％未満および０．４１％未満で
あることに留意されたい。Ｘが３以下の場合、ε、の変
動が２％以内である良好な結果が得られた。
Ｈｚの周波数範囲に亘って全く安定していることに留意
されたい。さらに、Ｘが４．５および４，０であるとき
、模範的結果が示され、ε、の変動が周波数範囲全体に
亘ってそれぞれ０．２６％未満および０．４１％未満で
あることに留意されたい。Ｘが３以下の場合、ε、の変
動が２％以内である良好な結果が得られた。
第３ａ図〜第３ｅ図は、様々な周波数での温度に関する
ε、の挙動を示している。温度変化に対するε、の全体
的安定性は種々の周波数で変化することに留意されたい
。さらに、４≦Ｘ≦５である第３ａ図および第３ｂ図に
おいて、ε、の減少および安定が得られることに留意さ
れたい。
ε、の挙動を示している。温度変化に対するε、の全体
的安定性は種々の周波数で変化することに留意されたい
。さらに、４≦Ｘ≦５である第３ａ図および第３ｂ図に
おいて、ε、の減少および安定が得られることに留意さ
れたい。
実施例２
実施例１において採用された方法論を、誘電性化合物Ｂ
ｉ ａ Ｍｇ ３ Ｎｂ ｓ ０２４ （Ｘ−４，５）
およびＢ１ ｓ Ｍｇ ａ Ｎｂ Ｂ ０３３ （Ｘ−
４）を合成するのに使用した。周波数の関数としての室
温誘電率ε１、およびこれらの化合物のＩＭＨｚにおけ
るＴＣＣおよびＱの値を表１に示す。ここで、市販のＮ
ＰＯ：］ンデンサ（ｃ−０，０１μＦ ）のデータも比
較のため示しである。
ｉ ａ Ｍｇ ３ Ｎｂ ｓ ０２４ （Ｘ−４，５）
およびＢ１ ｓ Ｍｇ ａ Ｎｂ Ｂ ０３３ （Ｘ−
４）を合成するのに使用した。周波数の関数としての室
温誘電率ε１、およびこれらの化合物のＩＭＨｚにおけ
るＴＣＣおよびＱの値を表１に示す。ここで、市販のＮ
ＰＯ：］ンデンサ（ｃ−０，０１μＦ ）のデータも比
較のため示しである。
表
ＢｉａＭｇ３Ｎｂｓ ０２４ ３９．９ ４０．０
３９．９ ４０．０ ２５ −２５ １０’ＢＩｓ
ＭｇａＮｂｓ ０３３４１．７ ４１．７ ４１．７
４１．７ ８ −１９ １０’市販のＮＰＯ８０
，２８０，２８０，２８０，８−２７−１４４３５広範
囲の周波数に亘って試験した場合、Ｂ＋４Ｍｇ ３ Ｎ
ｂ ６０２４およびＢ ｌ ６ Ｍｇ ａ Ｎ ｂ Ｂ
０３３ＮＰＯボデイの相方が、市販のＮＰＯボディに
匹敵する。市販のＮＰＯ材料に比べて本発明の材料の優
れたＱファクタ、そして種々の周波数でのＴＣＣおよび
ε、の安定性に留意されたい。
３９．９ ４０．０ ２５ −２５ １０’ＢＩｓ
ＭｇａＮｂｓ ０３３４１．７ ４１．７ ４１．７
４１．７ ８ −１９ １０’市販のＮＰＯ８０
，２８０，２８０，２８０，８−２７−１４４３５広範
囲の周波数に亘って試験した場合、Ｂ＋４Ｍｇ ３ Ｎ
ｂ ６０２４およびＢ ｌ ６ Ｍｇ ａ Ｎ ｂ Ｂ
０３３ＮＰＯボデイの相方が、市販のＮＰＯボディに
匹敵する。市販のＮＰＯ材料に比べて本発明の材料の優
れたＱファクタ、そして種々の周波数でのＴＣＣおよび
ε、の安定性に留意されたい。
第１図は、本発明に係る種々の組成についての周波数に
対する室温Ｑファクタの挙動を示すグラフ、 第２図は、本発明に係る種々の組成についての周波数に
対する室温誘電率の安定性を示すグラフ、第３ａ図〜第
３ｅ図は、本発明に係る種々の個々の組成についての室
温誘電率と温度の関係を示すグラフである。 ＼ Ｏ Ｓ優−← 枳疹・（← ；設ら０・缶 Ｓ紗帝 も Ｏ Ｎ工 Ｎ−２ 工ｊＱ ｘｏｏ芝 ・や 小）江 φ蒐←
対する室温Ｑファクタの挙動を示すグラフ、 第２図は、本発明に係る種々の組成についての周波数に
対する室温誘電率の安定性を示すグラフ、第３ａ図〜第
３ｅ図は、本発明に係る種々の個々の組成についての室
温誘電率と温度の関係を示すグラフである。 ＼ Ｏ Ｓ優−← 枳疹・（← ；設ら０・缶 Ｓ紗帝 も Ｏ Ｎ工 Ｎ−２ 工ｊＱ ｘｏｏ芝 ・や 小）江 φ蒐←
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）広範囲の周波数に亘って安定なビスマス含有温度安
定性誘電性セラミックスであって、 化学式Ｂｉ＿２Ｏ＿３＿ｘＴｉＯ＿２によって表わされ
、ここでｘは７までの数であり、Ｔｉ＾４＾＋イオンの
少なくとも一部が （１）Ａ＿１＿／＿３＾２＾＋Ｂ＿２＿／＿３＾５＾＋
，（２）Ｒ＿２＿／＿３＾３＾＋Ｃ＿１＿／＿３＾６＾
＋，（３）Ａ＿１＿／＿２＾２＾＋Ｃ＿１＿／＿２＾６
＾＋，（４）Ｒ＿１＿／＿２＾３＾＋Ｂ＿１＿／＿２＾
５＾＋，（５）Ｍ＿１＿／＿４＾１＾＋Ｂ＿３＿／＿４
＾５＾＋，および（６）Ｍ＿２＿／＿５＾１＾＋Ｃ＿３
＿／＿５＾６＾＋，から成る群より選択されるイオンの
混合体で置き替えることができ、 上記中、Ｍ＾＋はＬｉ＾＋，Ｎａ＾＋，Ｋ＾＋，Ｃｕ＾
＋およびＡｇ＾＋から成る群より選択され、Ａ＾２＾＋
はＭｇ＾２＾＋，Ｚｎ＾２＾＋，Ｎｉ＾２＾＋，Ｃｏ＾
２＾＋，Ｃｕ＾２＾＋およびＣｄ＾２＾＋から成る群よ
り選択され、Ｒ＾３＾＋はＣｒ＾３＾＋，Ｍｎ＾３＾＋
，Ｆｅ＾３＾＋，Ａｌ＾３＾＋，Ｇａ＾３＾＋，Ｚｎ＾
３＾＋，Ｔｌ＾３＾＋，Ｓｂ＾３＾＋，Ａｓ＾３＾＋，
Ｙ＾３＾＋，Ｌｕ＾３＾＋，Ｙｂ＾３＾＋，Ｔｍ＾３＾
＋，Ｅｒ＾３＾＋，Ｈｏ＾３＾＋，Ｄｙ＾３＾＋，Ｔｂ
＾３＾＋，Ｇｄ＾３＾＋，Ｅｕ＾３＾＋およびＳｍ＾３
＾＋から成る群より選択され、Ｂ＾５＾＋はＮｂ＾５＾
＋，Ｔａ＾５＾＋およびＶ＾５＾＋から成る群より選択
され、そしてＣ＾６＾＋はＷ＾６＾＋およびＭｏ＾６＾
＋から成る群より選択されることを特徴とする誘電性セ
ラミックス。 ２）前記ｘが４≦ｘ≦５であることを特徴とする請求項
１記載の誘電性セラミックス。 ３）化学式Ｂｉ＿６Ａ＿４Ｂ＿８Ｏ＿３＿３，Ｂｉ＿６
Ｒ＿８Ｃ＿４Ｏ＿３＿３，Ｂｉ＿２Ａ＿２Ｃ＿２Ｏ＿１
＿１，Ｂｉ＿２Ｒ＿２Ｂ＿２Ｏ＿１＿１，Ｂｉ＿２ＭＢ
＿３Ｏ＿１＿１，Ｂｉ＿１＿０Ｍ＿８Ｃ＿１＿２Ｏ＿５
＿５，Ｂｉ＿４Ａ＿３Ｂ＿６Ｏ＿２＿４，Ｂｉ＿４Ｒ＿
６Ｃ＿３Ｏ＿２＿４，Ｂｉ＿８Ａ＿９Ｃ＿９Ｏ＿４＿８
，Ｂｉ＿８Ｒ＿９Ｂ＿９Ｏ＿４＿８，Ｂｉ＿１＿６Ｍ＿
９Ｂ＿２＿７Ｏ＿９＿６，およびＢｉ＿２＿０Ｍ＿１＿
８Ｃ＿２＿７Ｏ＿１＿２＿０に相当する組成を有するこ
とを特徴とする請求項２記載の誘電性セラミックス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/375,701 US5004713A (en) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | Frequency stable NPO ceramics |
| US375701 | 1989-07-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345558A true JPH0345558A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=23481950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2165525A Pending JPH0345558A (ja) | 1989-07-05 | 1990-06-22 | 広範囲の周波数に亘って安定なｎｐｏセラミックス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5004713A (ja) |
| EP (1) | EP0411757A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0345558A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007868A (en) * | 1991-08-28 | 1999-12-28 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing ferroelectric bismuth-titanate layers on a substrate from solution |
| US5350639A (en) * | 1991-09-10 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic for use in microwave device, a microwave dielectric ceramic resonator dielectric ceramics |
| JP2798105B2 (ja) * | 1992-02-14 | 1998-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス |
| US5273943A (en) * | 1992-02-28 | 1993-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions and microwave devices using the same |
| EP0659706B1 (en) * | 1993-12-27 | 1998-04-08 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
| RU2167842C1 (ru) * | 2000-07-25 | 2001-05-27 | Ненашева Елизавета Аркадьевна | Керамический материал на основе цинкзамещенного ниобата висмута |
| JP3846464B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体セラミック組成物およびこれを用いたセラミック電子部品 |
| CN110066170B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-10-26 | 电子科技大学 | 一种高q值低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938196A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-09 | ||
| SU460271A1 (ru) * | 1972-08-28 | 1975-02-15 | Предприятие П/Я М-5457 | Стеклокерамический материал |
| US3847829A (en) * | 1973-08-10 | 1974-11-12 | Du Pont | Crystalline bismuth-containing oxides |
| US3995300A (en) * | 1974-08-14 | 1976-11-30 | Tdk Electronics Company, Limited | Reduction-reoxidation type semiconducting ceramic capacitor |
| GB1521137A (en) * | 1974-11-07 | 1978-08-16 | Tdk Electronics Co Ltd | Ceramic dielectric composition |
| JPS5418392A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-10 | Kanamori Kagaku Kougiyou Kk | Assembled frame for packing |
| JPS5645866A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-25 | Tdk Electronics Co Ltd | Temperatureecompensating ceramic composition |
| JPS5920908A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPS60233801A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | マルコン電子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
| US4638401A (en) * | 1984-10-29 | 1987-01-20 | At&T Technologies, Inc. | Ceramic compositions and devices |
-
1989
- 1989-07-05 US US07/375,701 patent/US5004713A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-18 EP EP19900306616 patent/EP0411757A3/en not_active Withdrawn
- 1990-06-22 JP JP2165525A patent/JPH0345558A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0411757A2 (en) | 1991-02-06 |
| EP0411757A3 (en) | 1991-04-10 |
| US5004713A (en) | 1991-04-02 |
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