JPH0345930A - ２端子型非線形素子 - Google Patents
２端子型非線形素子Info
- Publication number
- JPH0345930A JPH0345930A JP1181223A JP18122389A JPH0345930A JP H0345930 A JPH0345930 A JP H0345930A JP 1181223 A JP1181223 A JP 1181223A JP 18122389 A JP18122389 A JP 18122389A JP H0345930 A JPH0345930 A JP H0345930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- semi
- nonlinear element
- transparent conductor
- terminal nonlinear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示装置に
おいて液晶スイッチング素子に用いられる下層金属−絶
縁体−上層金属構造、あるいは下層金属−絶縁体−透明
導電体構造を有する２端子型非線形素子の構造に関する
。
おいて液晶スイッチング素子に用いられる下層金属−絶
縁体−上層金属構造、あるいは下層金属−絶縁体−透明
導電体構造を有する２端子型非線形素子の構造に関する
。
例えば、Ｔａ−陽極酸化膜（Ｔａ２０ｇ ）−酸化イン
ジウムスズ（ＩＴＯ）のような下層金属−絶縁体−透明
導電体の３層構造を持つ２端子型非線形素子（ｐ下、Ｍ
ＩＭ素子と略す）を液晶表示装置に使用する場合、第４
図を用いて説明するような工程によりこのＭＩＭ素子構
造を製造することができる。
ジウムスズ（ＩＴＯ）のような下層金属−絶縁体−透明
導電体の３層構造を持つ２端子型非線形素子（ｐ下、Ｍ
ＩＭ素子と略す）を液晶表示装置に使用する場合、第４
図を用いて説明するような工程によりこのＭＩＭ素子構
造を製造することができる。
第４図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図であり、第４図
（ｂ）は、第４図！ａ）におけるＣ−Ｄ線断面図である
。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法により形
威し、フォトエツチングによりパターニングし、Ｔａ２
から紅るＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する。こ
のＴａ２の平面パターン形状は、第４図（ａ）の実線１
０で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体３
としてＴａ２０５を形成する。次に透明導電体４として
、ＩＴＯをスパッタリング法により形成し、フォトエツ
チングによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素
子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。
（ｂ）は、第４図！ａ）におけるＣ−Ｄ線断面図である
。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法により形
威し、フォトエツチングによりパターニングし、Ｔａ２
から紅るＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する。こ
のＴａ２の平面パターン形状は、第４図（ａ）の実線１
０で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体３
としてＴａ２０５を形成する。次に透明導電体４として
、ＩＴＯをスパッタリング法により形成し、フォトエツ
チングによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素
子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。
この透明導電体４の平面パターン形状は第４図（ａｌの
破線１１で示す。Ｔａ２と透明導電体４のクロス部がＭ
ＩＭ素子となる。
破線１１で示す。Ｔａ２と透明導電体４のクロス部がＭ
ＩＭ素子となる。
第５図は、同一基板上に製作したＭＩＭ素子１００〔個
〕の電流−電圧特性を示したグラフであり、電圧を示す
横軸の極性は、下部電極Ｔａの極性に対応する。Ｔａを
負極にした場合の各素子間における電流−電圧特性の矢
印１４で示すノくラツキ（最大値と最小値に囲まれる範
囲）が著しく大きくｋる。これは、絶縁体であるＴ ａ
ｔ Ｏａ と上部電極であるＩＴＯとの界面接合の不
均一が原因である。
〕の電流−電圧特性を示したグラフであり、電圧を示す
横軸の極性は、下部電極Ｔａの極性に対応する。Ｔａを
負極にした場合の各素子間における電流−電圧特性の矢
印１４で示すノくラツキ（最大値と最小値に囲まれる範
囲）が著しく大きくｋる。これは、絶縁体であるＴ ａ
ｔ Ｏａ と上部電極であるＩＴＯとの界面接合の不
均一が原因である。
本発明は、この様な課題を解決したもので、表示品質の
高い２端子型非線形素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置を提供することを目的とする。
高い２端子型非線形素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は２端子型非線形素子において、下層金属上に陽
極酸化により形成する絶縁体と、この絶縁体上に形成す
る半絶縁体膜と、この半絶縁体膜、上に形成する透明導
電体とを有することを特徴とし、２端子型非線形素子間
の電流−電圧特性のノくラツキを減少させるものである
。
極酸化により形成する絶縁体と、この絶縁体上に形成す
る半絶縁体膜と、この半絶縁体膜、上に形成する透明導
電体とを有することを特徴とし、２端子型非線形素子間
の電流−電圧特性のノくラツキを減少させるものである
。
以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説明する。
第２図は、本実施例により製作した２端子型非線形素子
の構造を示す平面図であり、第１図（ａ）〜（ｄ）は第
２図のＡ−Ｂ断面を示し、本発明の２端子型非線形素子
の構造を得るための製造方法の工程断面図である。以下
第１図と第２図とを交互に参照して説明する。
の構造を示す平面図であり、第１図（ａ）〜（ｄ）は第
２図のＡ−Ｂ断面を示し、本発明の２端子型非線形素子
の構造を得るための製造方法の工程断面図である。以下
第１図と第２図とを交互に参照して説明する。
本発明の構造は、第１図（ｄ）に示すように、下層金属
６と、この下層金属６を陽極酸化することにより形成さ
れた絶縁体７と、この絶縁体７上の全面に形成された半
絶縁体８と、この半絶縁体８上に形成された透明導電体
９からなる。
６と、この下層金属６を陽極酸化することにより形成さ
れた絶縁体７と、この絶縁体７上の全面に形成された半
絶縁体８と、この半絶縁体８上に形成された透明導電体
９からなる。
この絶縁体７上に設ける半絶縁体８としてはプラズマＣ
ＶＤ法によるＳｉＮｘ、 ＳｉＯｘ、 ＳｉＯｘＮｙ、
スパッタリング法によるＴａＯｘ、 Ｓｉ／ＳｉＮｘか
らなる超格子膜、ポリイミドのＬＢ膜を用いることがで
き、半絶縁体の膜厚は５ （ｎ ｍ ） 〜５０ （ｎ
ｍ ）であれば十分な結果が得られた。
ＶＤ法によるＳｉＮｘ、 ＳｉＯｘ、 ＳｉＯｘＮｙ、
スパッタリング法によるＴａＯｘ、 Ｓｉ／ＳｉＮｘか
らなる超格子膜、ポリイミドのＬＢ膜を用いることがで
き、半絶縁体の膜厚は５ （ｎ ｍ ） 〜５０ （ｎ
ｍ ）であれば十分な結果が得られた。
以下に、本発明の１実施例の製造方法を示す。
まず第１図（ａ）に示すようにガラス基板５上に下層金
属６としてＴａをスパッタリング法により厚さ２００
（ｎ ｍ ］形成し、通常のフォトエツチングによりバ
ターニングする。次に、クエン酸０．１〔％〕水溶液中
で３０（Ｖ）の電圧で下層金属６であるＴａを陽極酸化
し、第１図（ｂ）に示すように絶縁体７としてＴ ａ
２０ ｓ を厚さ５０ Ｃｎｍ）形成する。この下層
金属６と絶縁体７との平面パターン形状は第２図の実線
１２で示す。
属６としてＴａをスパッタリング法により厚さ２００
（ｎ ｍ ］形成し、通常のフォトエツチングによりバ
ターニングする。次に、クエン酸０．１〔％〕水溶液中
で３０（Ｖ）の電圧で下層金属６であるＴａを陽極酸化
し、第１図（ｂ）に示すように絶縁体７としてＴ ａ
２０ ｓ を厚さ５０ Ｃｎｍ）形成する。この下層
金属６と絶縁体７との平面パターン形状は第２図の実線
１２で示す。
次に、第１図（Ｃ）に示す様にプラズマＣＶＤ法により
半絶縁体８としてＳｉＮｘを厚さ２０Ｃｎｍ）を全面に
形成する。次に透明導電体９として例えばＩＴＯをスパ
ッタリング法で厚さ２００（ｎｍ）形成し、第１図（ｄ
）に示すように通常のフォトエツチングにより透明導電
体９をバターニングする。
半絶縁体８としてＳｉＮｘを厚さ２０Ｃｎｍ）を全面に
形成する。次に透明導電体９として例えばＩＴＯをスパ
ッタリング法で厚さ２００（ｎｍ）形成し、第１図（ｄ
）に示すように通常のフォトエツチングにより透明導電
体９をバターニングする。
この透明導電体９の平面パターン形状は第２図の破線１
３で示す。
３で示す。
尚、製作した２端子型非線形素子部の面積は１６（μｍ
〕とした。また、半絶縁体８を通常のフォトエツチング
によりバターニングしても同様の結果が得られる。
〕とした。また、半絶縁体８を通常のフォトエツチング
によりバターニングしても同様の結果が得られる。
第３図は同一基板上に製作した本発明の２端子型非線形
素子１００〔個〕の電圧−電流特性を示したものである
。従来構造による第５図と比較し、Ｔａ負極時の矢印１
５で示す２端子型非線形素子間の特性バラツキが減少し
ている。これは絶縁体と上部電極との間に半絶縁体Ｓｉ
Ｎｘを設げたことによって、絶縁体であるＴａ、０．
と上部電極であるＩＴＯとの界面接合の不均一を解消
したためである。
素子１００〔個〕の電圧−電流特性を示したものである
。従来構造による第５図と比較し、Ｔａ負極時の矢印１
５で示す２端子型非線形素子間の特性バラツキが減少し
ている。これは絶縁体と上部電極との間に半絶縁体Ｓｉ
Ｎｘを設げたことによって、絶縁体であるＴａ、０．
と上部電極であるＩＴＯとの界面接合の不均一を解消
したためである。
〔発明の効果〕
以上の説明の如く、２端子型非線形素子の構造において
、陽極酸化による絶縁体形成後にさらに半絶縁体を形成
することにより、素子の電気特性の均一化が達成でき、
表示品質の高い２端子型非線形素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置が得られる。またその効果は、
下層金属−絶縁体一半絶縁体一透明導電体構造以外の下
層金属−１絶縁体−半絶縁体−上層金属構造の２端子型
非線形素子においても同様に得られる。
、陽極酸化による絶縁体形成後にさらに半絶縁体を形成
することにより、素子の電気特性の均一化が達成でき、
表示品質の高い２端子型非線形素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置が得られる。またその効果は、
下層金属−絶縁体一半絶縁体一透明導電体構造以外の下
層金属−１絶縁体−半絶縁体−上層金属構造の２端子型
非線形素子においても同様に得られる。
第１図及び第２図はいずれも本発明における２端子型非
線形素子構造の製造方法を説明する図面で、第１図（ａ
ｌ〜（ｄｌは第２図のＡ−Ｂ断面を示す本発明の２端子
型非線形素子構造を得るための製造方法を工程順に示す
断面図、第２図は本発明により製作した２端子型非線形
素子の構造を示す平面図、第３図は本発明による２端子
型非線形素子の電流−電圧特性を示すグラフ、第４図（
ａ）、（ｂ）は従来例のＴ ａ −Ｔ ａ ２０ ｓ
−Ｉ Ｔ Ｏ構造の２端子型非線形素子の製造方法を
説明する図面で、第４図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面
図、第４図（ｂ）は第４図（ａｌのＣ−Ｄ断面を示す断
面図、第５図は従来例のＴ ａ−Ｔ ａ２０．−Ｉ Ｔ
Ｏ構造のＭＩＭ素子の電流−電圧特性を示すグラフであ
る。 ５・・・・・・ガラス、基板、 ６・・・・・・下層
金属、７・・・・・・絶縁体、 ８・・・・・・半
絶縁体、９・・・・・・透明導電体。 第１図 第２図 第３図 ２０ １５ −１（Ｊ ５ ５ 電圧（Ｖ） Ｕ １つ Ｕ 第４図 （ｂ）
線形素子構造の製造方法を説明する図面で、第１図（ａ
ｌ〜（ｄｌは第２図のＡ−Ｂ断面を示す本発明の２端子
型非線形素子構造を得るための製造方法を工程順に示す
断面図、第２図は本発明により製作した２端子型非線形
素子の構造を示す平面図、第３図は本発明による２端子
型非線形素子の電流−電圧特性を示すグラフ、第４図（
ａ）、（ｂ）は従来例のＴ ａ −Ｔ ａ ２０ ｓ
−Ｉ Ｔ Ｏ構造の２端子型非線形素子の製造方法を
説明する図面で、第４図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面
図、第４図（ｂ）は第４図（ａｌのＣ−Ｄ断面を示す断
面図、第５図は従来例のＴ ａ−Ｔ ａ２０．−Ｉ Ｔ
Ｏ構造のＭＩＭ素子の電流−電圧特性を示すグラフであ
る。 ５・・・・・・ガラス、基板、 ６・・・・・・下層
金属、７・・・・・・絶縁体、 ８・・・・・・半
絶縁体、９・・・・・・透明導電体。 第１図 第２図 第３図 ２０ １５ −１（Ｊ ５ ５ 電圧（Ｖ） Ｕ １つ Ｕ 第４図 （ｂ）
Claims (1)
- 下層金属上に陽極酸化により形成する絶縁体と、該絶縁
体上に形成する半絶縁体膜と、該半絶縁体膜上に形成す
る透明導電体とを有することを特徴とする２端子型非線
形素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181223A JPH0345930A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ２端子型非線形素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1181223A JPH0345930A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ２端子型非線形素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345930A true JPH0345930A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16096967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1181223A Pending JPH0345930A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | ２端子型非線形素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345930A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010036618A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Sandisk 3D Llc | Miim diodes |
| WO2010036616A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Sandisk 3D Llc | Miim diodes having stacked structure |
| US7897453B2 (en) | 2008-12-16 | 2011-03-01 | Sandisk 3D Llc | Dual insulating layer diode with asymmetric interface state and method of fabrication |
| US7935594B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-05-03 | Sandisk 3D Llc | Damascene process for carbon memory element with MIIM diode |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1181223A patent/JPH0345930A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010036618A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Sandisk 3D Llc | Miim diodes |
| WO2010036616A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Sandisk 3D Llc | Miim diodes having stacked structure |
| US7935594B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-05-03 | Sandisk 3D Llc | Damascene process for carbon memory element with MIIM diode |
| US7969011B2 (en) | 2008-09-29 | 2011-06-28 | Sandisk 3D Llc | MIIM diodes having stacked structure |
| US7897453B2 (en) | 2008-12-16 | 2011-03-01 | Sandisk 3D Llc | Dual insulating layer diode with asymmetric interface state and method of fabrication |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61185724A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0345930A (ja) | ２端子型非線形素子 | |
| US5539549A (en) | Active matrix substrate having island electrodes for making ohmic contacts with MIM electrodes and pixel electrodes | |
| JPH01120068A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH02251823A (ja) | 液晶表示装置における非線形素子 | |
| JP3306986B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPH0352277A (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JP2812720B2 (ja) | 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JP2527032B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH0349274A (ja) | ２端子型非線形素子 | |
| JP2664814B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JPH08320495A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| RU2019863C1 (ru) | Система управляющих и отображающих электродов для жидкокристаллического экрана и способ ее изготовления | |
| JP2794198B2 (ja) | 非線形抵抗素子及びこれを用いた液晶素子 | |
| JPH01300226A (ja) | マトリックスアレイ基板とその製造方法 | |
| JPS6173373A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH03148638A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0493928A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06235941A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP2859304B2 (ja) | 非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JPH03174123A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| JPH07209674A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH06308538A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH01283524A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0346633A (ja) | 非線形素子の製造方法 |