JPH0352277A - 非線形素子の製造方法 - Google Patents
非線形素子の製造方法Info
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- JPH0352277A JPH0352277A JP1188112A JP18811289A JPH0352277A JP H0352277 A JPH0352277 A JP H0352277A JP 1188112 A JP1188112 A JP 1188112A JP 18811289 A JP18811289 A JP 18811289A JP H0352277 A JPH0352277 A JP H0352277A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示装置に
おいて液晶スイッチング素子に用いられる下層金属一絶
縁体一上層金属構造、あるいは下層金属一絶縁体一透明
導電体構造（以下この２つの構造をＭＩＭと記す）を有
する非線形素子の構造に関する。
おいて液晶スイッチング素子に用いられる下層金属一絶
縁体一上層金属構造、あるいは下層金属一絶縁体一透明
導電体構造（以下この２つの構造をＭＩＭと記す）を有
する非線形素子の構造に関する。
ＭＩＭ素子とは、例えばＴａ一陽極酸化膜（Ｔａｇ’ｓ
）一酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のよ５ ｆｔ下層金
属一絶縁体一透明導電体の３層構造であり、Ｔａ−Ｔａ
．０５−ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子を液晶表示装置に使用
する場合、第６図を用いて説明するよう々工程により製
造することができる。
）一酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のよ５ ｆｔ下層金
属一絶縁体一透明導電体の３層構造であり、Ｔａ−Ｔａ
．０５−ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子を液晶表示装置に使用
する場合、第６図を用いて説明するよう々工程により製
造することができる。
第６図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図であり、第６図
（ｂ）は、第６図（ａ）におげるＣ−Ｄ線での断面図で
ある。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法によ
り形或し、ノオトエッチングによりパターニングし，Ｔ
ａ２からなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形或する
。このＴａ２の平面パターン形状は、第６図（ａ）の実
線１１で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁
体６として’ｒａ，ｏ．を形或する。次に透明導電体４
として、ＩＴＯをスパッタリング法により形威し、フォ
トエッチングによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭ
ＩＭ素子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形戒する
。この透明導電体４の平面パターン形状は第６図（ａ）
の破線１２で示す。Ｔａ２と透明導電体４のクロス部が
ＭＩＭ素子となる。
（ｂ）は、第６図（ａ）におげるＣ−Ｄ線での断面図で
ある。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法によ
り形或し、ノオトエッチングによりパターニングし，Ｔ
ａ２からなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形或する
。このＴａ２の平面パターン形状は、第６図（ａ）の実
線１１で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁
体６として’ｒａ，ｏ．を形或する。次に透明導電体４
として、ＩＴＯをスパッタリング法により形威し、フォ
トエッチングによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭ
ＩＭ素子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形戒する
。この透明導電体４の平面パターン形状は第６図（ａ）
の破線１２で示す。Ｔａ２と透明導電体４のクロス部が
ＭＩＭ素子となる。
第７図は、従来方法により同一基板上に製作したＭＩＭ
素子１００［個〕の電流一電圧特性を示したグラフであ
り、電圧を示す横軸の極性は、下部電極Ｔａの極性に対
応する。Ｔａを負極にした場合の各素子間における電流
一電圧特性の矢印１５で示すバラツキ（最大値と最小値
に囲まれる範囲）が著しく大きくなる。これは、Ｔａ側
面のエッチング断面の再現性、安定性が通常の膜表面に
比較し、極めて悪いために、側面での電流一電圧特性の
バラツキが、素子全体の電流一電圧特性に影響している
ことが原因である。
素子１００［個〕の電流一電圧特性を示したグラフであ
り、電圧を示す横軸の極性は、下部電極Ｔａの極性に対
応する。Ｔａを負極にした場合の各素子間における電流
一電圧特性の矢印１５で示すバラツキ（最大値と最小値
に囲まれる範囲）が著しく大きくなる。これは、Ｔａ側
面のエッチング断面の再現性、安定性が通常の膜表面に
比較し、極めて悪いために、側面での電流一電圧特性の
バラツキが、素子全体の電流一電圧特性に影響している
ことが原因である。
本発明は、この様な課題を解決したもので、表示品質の
高い、ＭＩＭ素子を用いたアクティブマトリクス液晶表
示装置の製造方法を提供することを目的とする。
高い、ＭＩＭ素子を用いたアクティブマトリクス液晶表
示装置の製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明はＭＩＭ素子において、下層金属のバターニング
後に、陽極酸化法により絶縁体を形或後、次にこの絶縁
体側面に絶縁膜を形成することにより、絶縁体の電流一
電圧特性を支配的にして、下層金属の側面のエッチング
形状のバラツキによる、ＭＩＭ素子間の電流一電圧特性
のバラツキを減少させるものである。
後に、陽極酸化法により絶縁体を形或後、次にこの絶縁
体側面に絶縁膜を形成することにより、絶縁体の電流一
電圧特性を支配的にして、下層金属の側面のエッチング
形状のバラツキによる、ＭＩＭ素子間の電流一電圧特性
のバラツキを減少させるものである。
以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説明する。
（実施例１）
第２図は、本実施例により製作したＭＩＭ素子を示す平
面図であり、第１図（ａ）〜（ｅ）は第２図のＡ−Ｂ断
面を示す工程断面図である。以下第１図と第２図とを交
互に参照して説明する。
面図であり、第１図（ａ）〜（ｅ）は第２図のＡ−Ｂ断
面を示す工程断面図である。以下第１図と第２図とを交
互に参照して説明する。
まず第１図（ａ）に示すように、ガラス基板５上に下層
金属６としてＴａをスパッタリング法により厚さ２００
（ｎｍ）形或する。これを通常のフォトエッチングによ
りバターニングする。この下層金属６の平面パターン形
状は第２図の実線１６で示す。
金属６としてＴａをスパッタリング法により厚さ２００
（ｎｍ）形或する。これを通常のフォトエッチングによ
りバターニングする。この下層金属６の平面パターン形
状は第２図の実線１６で示す。
次に第１図（ｂ）に示すように、クエン酸０．１〔％〕
水溶液中で３０（Ｖ）の電圧で下層金属６であるＴａを
陽極酸化し、下層金属−６の表面に絶縁体７としてＴａ
，０，を厚さ５ ０ ［ ｎ ｍ ］形或する。
水溶液中で３０（Ｖ）の電圧で下層金属６であるＴａを
陽極酸化し、下層金属−６の表面に絶縁体７としてＴａ
，０，を厚さ５ ０ ［ ｎ ｍ ］形或する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、全面にレジスト８を塗
布しガラス基板５の裏面から全面露光するバック露光に
より、絶縁体７の上面にレジスト８を形或してから、プ
ラズマＣＶＤ法により全面に絶縁膜９としてＳｉＮｘを
厚さ２ ０ ０ （ ｎ ｍ ］形成する。
布しガラス基板５の裏面から全面露光するバック露光に
より、絶縁体７の上面にレジスト８を形或してから、プ
ラズマＣＶＤ法により全面に絶縁膜９としてＳｉＮｘを
厚さ２ ０ ０ （ ｎ ｍ ］形成する。
次に第１図（ｄ）に示すように、レジスト８を除去する
ことによりこのレジスト８上面の絶縁膜９を同時に除去
するリフトオフ法により、レジスト８上の絶縁膜９を剥
離する。
ことによりこのレジスト８上面の絶縁膜９を同時に除去
するリフトオフ法により、レジスト８上の絶縁膜９を剥
離する。
次に第１図（ｅ）に示すように、透明導電体１０として
例えばＩＴＯをスパッタリング法で厚さ２ ０ ０ ［
ｎ ｍ ）形成し、通常のフォトエッチングにより透
明導電体１０をパターニングする。この透明導電体１０
の平面パターン形状は第２図の破線１４で示す。
例えばＩＴＯをスパッタリング法で厚さ２ ０ ０ ［
ｎ ｍ ）形成し、通常のフォトエッチングにより透
明導電体１０をパターニングする。この透明導電体１０
の平面パターン形状は第２図の破線１４で示す。
尚、製作したＭＩＭ素子部の面積は１６〔μＭ〕とした
。
。
第３図は同一基板上に製作したＭＩＭ素子１００〔個〕
の電圧一電流特性を示したものである。従来法による第
７図と比較し、Ｔａ負極時の矢印１６で示すＭＩＭ素子
間の特性バラッキが減少している。
の電圧一電流特性を示したものである。従来法による第
７図と比較し、Ｔａ負極時の矢印１６で示すＭＩＭ素子
間の特性バラッキが減少している。
（実施例２）
本発明における第２の実施例を第４図（ａ）〜（ｅ）を
用いて説明する。
用いて説明する。
第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、実施例ｌと同様に
ガラス基板５上の下層金属６表面に絶縁体７を形成する
。次に第４図（Ｃ）に示すように絶縁膜９としてプラズ
マＣＶＤ法により全面にＳｉＮｘを厚さ２ ０ ０ （
ｎ ｍ ）形或する。次に第４図（ｄ）に示すように
、この絶縁膜９をリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）Ｉ／ｃよりエッチバグクする。一こノのＲＩＥにお
いては下層金Ｒ６の側面が陰となりイオンが到達せず側
面部に絶縁膜９がエッチングされずに残る。次に第４図
（ｅ）に示すように、透明導電体１０を形或することに
より実施例１と同様の結果が得られる。
ガラス基板５上の下層金属６表面に絶縁体７を形成する
。次に第４図（Ｃ）に示すように絶縁膜９としてプラズ
マＣＶＤ法により全面にＳｉＮｘを厚さ２ ０ ０ （
ｎ ｍ ）形或する。次に第４図（ｄ）に示すように
、この絶縁膜９をリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）Ｉ／ｃよりエッチバグクする。一こノのＲＩＥにお
いては下層金Ｒ６の側面が陰となりイオンが到達せず側
面部に絶縁膜９がエッチングされずに残る。次に第４図
（ｅ）に示すように、透明導電体１０を形或することに
より実施例１と同様の結果が得られる。
（実施例３）
本発明における第３の実施例を第５図（ａ）〜（ｅ）を
用いて説明する。
用いて説明する。
第５図（ａ）， （ｂ）に示すように、実施例ｌと同様
にガラス基板５上の下層金属６表面に絶縁体７を形成す
る。次に第５図（Ｃ）に示すように絶縁膜９としてプラ
ズマＣＶＤ法により全面にＳ ｉＮｘを厚さ３００Ｃｎ
ｍ）形或し、さらにその上にレジスト８を全面に厚さ５
０ ０ （ ｎ ｍ ）形成する。レジスト８は段差
を緩和する作用があり、レジスト８表面はほぼ平坦にな
る。
にガラス基板５上の下層金属６表面に絶縁体７を形成す
る。次に第５図（Ｃ）に示すように絶縁膜９としてプラ
ズマＣＶＤ法により全面にＳ ｉＮｘを厚さ３００Ｃｎ
ｍ）形或し、さらにその上にレジスト８を全面に厚さ５
０ ０ （ ｎ ｍ ）形成する。レジスト８は段差
を緩和する作用があり、レジスト８表面はほぼ平坦にな
る。
次に第５図（ｄ）に示すように、絶縁膜９とレジスト８
とが同一のエッチング速度となる条件でＲＩＥｔ，、絶
縁体７が出るところまでレジスト８と絶縁膜９とをエッ
チングする。その後第５図（ｅ）に示すように透明導電
体１０を形或することにより実施例１と同様の結果が得
られる。
とが同一のエッチング速度となる条件でＲＩＥｔ，、絶
縁体７が出るところまでレジスト８と絶縁膜９とをエッ
チングする。その後第５図（ｅ）に示すように透明導電
体１０を形或することにより実施例１と同様の結果が得
られる。
以上の説明の如く、ＭＩＭ素子形或プロセスにおいて陽
極酸化による絶縁体形或後に、絶縁体の側面に絶縁膜を
形戒することにより、下層金属上面の絶縁体のみが、素
子の電流一電圧特性に支配的となるため、電気特性の均
一化が達或でき、表示品質の高いＭＩＭ素子を用いたア
クティブマトリクス液晶表示装置が得られる。またその
効果は、金属一絶縁体一透明導電体構造以外の金属一絶
縁体一金属構造のＭＩＭ素子においても同様に得られる
。
極酸化による絶縁体形或後に、絶縁体の側面に絶縁膜を
形戒することにより、下層金属上面の絶縁体のみが、素
子の電流一電圧特性に支配的となるため、電気特性の均
一化が達或でき、表示品質の高いＭＩＭ素子を用いたア
クティブマトリクス液晶表示装置が得られる。またその
効果は、金属一絶縁体一透明導電体構造以外の金属一絶
縁体一金属構造のＭＩＭ素子においても同様に得られる
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例における
非線形素子の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は
本発明における非線形素子の製造方法を説明する平面図
、第３図は本発明による非線形素子の電流一電圧特性を
示すグラフ、第４図（ａｌ〜（ｅ）は本発明の第２の実
施例における非線形素子の製造方法を工程順に示す断面
図、第５図（ａ）〜（ｅｌは本発明の第３の実施例にお
ける非線形素子の製造方法を工程順に示す断面図、第６
図は従来のＴａ一Ｔａ２０５−ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子
を示し、第６図（ａ）は平面図、第６図（ｂ）は製造方
法を説明するための断面図、第７図は従来のＴａ Ｔ
ａ２０５−Ｉ Ｔｏ構造のＭＩＭ素子の電流一電圧特性
を示すグラフである。 ６・・・・・・下層金属、 ７・・・・・・絶縁体、 ９・・・・・・絶縁膜、 １０・・・・・・透明導電体。 第１図 第４図 第５図 第６図 （ｂ） ム
非線形素子の製造方法を工程順に示す断面図、第２図は
本発明における非線形素子の製造方法を説明する平面図
、第３図は本発明による非線形素子の電流一電圧特性を
示すグラフ、第４図（ａｌ〜（ｅ）は本発明の第２の実
施例における非線形素子の製造方法を工程順に示す断面
図、第５図（ａ）〜（ｅｌは本発明の第３の実施例にお
ける非線形素子の製造方法を工程順に示す断面図、第６
図は従来のＴａ一Ｔａ２０５−ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子
を示し、第６図（ａ）は平面図、第６図（ｂ）は製造方
法を説明するための断面図、第７図は従来のＴａ Ｔ
ａ２０５−Ｉ Ｔｏ構造のＭＩＭ素子の電流一電圧特性
を示すグラフである。 ６・・・・・・下層金属、 ７・・・・・・絶縁体、 ９・・・・・・絶縁膜、 １０・・・・・・透明導電体。 第１図 第４図 第５図 第６図 （ｂ） ム
Claims (1)
- 下層金属上に陽極酸化により絶縁体を設け、さらに該絶
縁体上に上層金属あるいは透明導電体を設けてなる非線
形素子の製造方法において、前記下層金属上に陽極酸化
法により前記絶縁体を形成し、次に前記絶縁体の側面に
絶縁膜を形成することを特徴とする非線形素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188112A JPH0352277A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188112A JPH0352277A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352277A true JPH0352277A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16217913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188112A Pending JPH0352277A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 非線形素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5568289A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1188112A patent/JPH0352277A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5568289A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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