JPH0345935A - 導波路型光スイッチ - Google Patents
導波路型光スイッチInfo
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- JPH0345935A JPH0345935A JP18025789A JP18025789A JPH0345935A JP H0345935 A JPH0345935 A JP H0345935A JP 18025789 A JP18025789 A JP 18025789A JP 18025789 A JP18025789 A JP 18025789A JP H0345935 A JPH0345935 A JP H0345935A
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- JP
- Japan
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- waveguides
- waveguide
- optical switch
- type optical
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバ伝送回線や端末装置等の切り換え
に用いられる導波路型光スイッチに関する。
に用いられる導波路型光スイッチに関する。
従来、この種の導波路型光スイッチは第３図および第４
図に示すように、誘電体結晶であるリチウム・ナイオベ
イト基板ｌ上にイオン拡散等により、隣接する一対の導
波路２．３を形成し、この導波路２．３上に各々独立に
載置された電極４．５に各部より電圧を印加し、光の光
路を切り換える構造となっていた。
図に示すように、誘電体結晶であるリチウム・ナイオベ
イト基板ｌ上にイオン拡散等により、隣接する一対の導
波路２．３を形成し、この導波路２．３上に各々独立に
載置された電極４．５に各部より電圧を印加し、光の光
路を切り換える構造となっていた。
ところで、従来の導波路型光スイッチでは、誘電体結晶
であるリチウム・ナイオベイト基板１の表面にチタン等
の金属を拡散し、導波路２．３を形成している。一方、
光スィッチとして製品化する際には、導波路２．３と光
ファイバ（図示せず）との接続および導波路２．３の筐
体への収納等、熱膨張率の各々異なる異種材料間の接続
が避けられない問題として存在している。
であるリチウム・ナイオベイト基板１の表面にチタン等
の金属を拡散し、導波路２．３を形成している。一方、
光スィッチとして製品化する際には、導波路２．３と光
ファイバ（図示せず）との接続および導波路２．３の筐
体への収納等、熱膨張率の各々異なる異種材料間の接続
が避けられない問題として存在している。
こうした互いに熱膨張率の異なる異種材料を使用した接
合では、相互を固定した温度と異なる雰囲気温度に晒さ
れると、接合部には温度差に比例した応力が加わる。そ
の結果、導波路２．３が形成されている誘電体結晶であ
るリチウム・ナイオベイト基板１の表面にも応力が加わ
り、第４図に破線１ａで示すごとく変形し、導波路２．
３内部の実効的な屈折率が変化する。この変化はすなわ
ち導波路２．３内の伝搬定数の変化となり、光スィッチ
の動作上、消光比劣化や、スイッチング電圧変化として
特性を劣化させる原因となる。
合では、相互を固定した温度と異なる雰囲気温度に晒さ
れると、接合部には温度差に比例した応力が加わる。そ
の結果、導波路２．３が形成されている誘電体結晶であ
るリチウム・ナイオベイト基板１の表面にも応力が加わ
り、第４図に破線１ａで示すごとく変形し、導波路２．
３内部の実効的な屈折率が変化する。この変化はすなわ
ち導波路２．３内の伝搬定数の変化となり、光スィッチ
の動作上、消光比劣化や、スイッチング電圧変化として
特性を劣化させる原因となる。
本発明の目的は上述した問題点に鑑みてなされたもので
、安定したスイッチング特性を保つことのできる導波路
型光スイッチを提供することにある。
、安定したスイッチング特性を保つことのできる導波路
型光スイッチを提供することにある。
上述した目的を達成するために本発明は、誘電体結晶上
にイオン拡散によって隣接する一対の導波路を形成し、
この隣接する導波路上あるいは近傍に各々独立の電極を
設（すた導波路型光スイッチにおいて、誘電体結晶に、
隣接する一対の導波路に沿って所定の深さを有する溝を
設けた構成としたものである。
にイオン拡散によって隣接する一対の導波路を形成し、
この隣接する導波路上あるいは近傍に各々独立の電極を
設（すた導波路型光スイッチにおいて、誘電体結晶に、
隣接する一対の導波路に沿って所定の深さを有する溝を
設けた構成としたものである。
このように本発明にあっては、光結合部分の導波路に沿
って所定の深さを有する溝を設けることにより、外部か
らの機械的歪みがこの溝によって吸収され、導波路に直
接及ぶことを極力回避できる。これによって、安定した
スイッチング特性を保つことができる。
って所定の深さを有する溝を設けることにより、外部か
らの機械的歪みがこの溝によって吸収され、導波路に直
接及ぶことを極力回避できる。これによって、安定した
スイッチング特性を保つことができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係わる光スィッチの一実施例を示す斜
視図である。誘電体結晶であるリチウム・ナイオベイト
の基板１０の上には、チタンを熱拡散して形成された一
対の方向性結合器型の導波路１１．１２と、この導波路
１１．１２を近接して形成された結合部分の導波路１１
．１２上に各々独立して設けられた一対の電極１３．１
４が配置されている。
視図である。誘電体結晶であるリチウム・ナイオベイト
の基板１０の上には、チタンを熱拡散して形成された一
対の方向性結合器型の導波路１１．１２と、この導波路
１１．１２を近接して形成された結合部分の導波路１１
．１２上に各々独立して設けられた一対の電極１３．１
４が配置されている。
本実施例においては、以上のような構成にあって、リチ
ウム・ナイオベイト基板１０にはこの結合部分に沿って
両側に導波路１１Ｓ １２の厚みの２倍以上の深さで化
学エツチングにより溝１５を彫り込んである。なお０、
この溝１５は、グイシングツ−等により機械的に彫り込
むことも可能である。
ウム・ナイオベイト基板１０にはこの結合部分に沿って
両側に導波路１１Ｓ １２の厚みの２倍以上の深さで化
学エツチングにより溝１５を彫り込んである。なお０、
この溝１５は、グイシングツ−等により機械的に彫り込
むことも可能である。
今、このように導波路１１．１２の近傍に沿って溝１５
を彫り込んだ本発明の先スイッチ本体の第１図における
■−■轢断面図を第２図に示す。
を彫り込んだ本発明の先スイッチ本体の第１図における
■−■轢断面図を第２図に示す。
導波路型光スイッチ本体を筐体（図示せず）に実装した
状態で、この筐体との熱膨張係数差のために温度変化が
生じると、第２図中の破線１０ａのごとき変形が起こる
。ところで、従来の導波路型光スイッチの場合、上記の
ごとき変形が生じると、第４図において歪みが直接導波
路部分に及び、導波路の伝搬定数を変化させ、スイッチ
ング特性劣化を生じていた。しかしながら、本発明では
第２図に示すごとく導波路１１．１．２の近傍にこの導
波路１１．１２に沿ってその厚みの２倍以上の深さをも
つ溝１５を彫り込んであるため、上記のごとき変形が生
じても、この変形は溝１５によって吸収され、機械的歪
みが直接導波路１１．１２に及ぶことはない。これによ
って、安定したスイッチング特性が確保される。
状態で、この筐体との熱膨張係数差のために温度変化が
生じると、第２図中の破線１０ａのごとき変形が起こる
。ところで、従来の導波路型光スイッチの場合、上記の
ごとき変形が生じると、第４図において歪みが直接導波
路部分に及び、導波路の伝搬定数を変化させ、スイッチ
ング特性劣化を生じていた。しかしながら、本発明では
第２図に示すごとく導波路１１．１．２の近傍にこの導
波路１１．１２に沿ってその厚みの２倍以上の深さをも
つ溝１５を彫り込んであるため、上記のごとき変形が生
じても、この変形は溝１５によって吸収され、機械的歪
みが直接導波路１１．１２に及ぶことはない。これによ
って、安定したスイッチング特性が確保される。
なお、以上の説明では、方向性゛結合器型の光スィッチ
について述べたが、導波路内の実効的な屈折率を外部か
ら印加する電界強度で制御する方式のデバイス、例えば
マツハ・ツエンダ−型の光変調器等についても本発明の
効果が発揮されることは言うまでもない。
について述べたが、導波路内の実効的な屈折率を外部か
ら印加する電界強度で制御する方式のデバイス、例えば
マツハ・ツエンダ−型の光変調器等についても本発明の
効果が発揮されることは言うまでもない。
以上説明したように本発明の導波路型光スイッチによれ
ば、誘電体結晶に、隣接する一対の導波路に沿って所定
の深さを有する溝を設けた構成とすることにより、外部
からの機械的歪みをこの溝によって吸収することができ
るようになり、これによって直接導波路に機械的歪みが
及ぶことを極力回避できるので、安定したスイッチング
特性を保つことができるという優れた効果を有する。
ば、誘電体結晶に、隣接する一対の導波路に沿って所定
の深さを有する溝を設けた構成とすることにより、外部
からの機械的歪みをこの溝によって吸収することができ
るようになり、これによって直接導波路に機械的歪みが
及ぶことを極力回避できるので、安定したスイッチング
特性を保つことができるという優れた効果を有する。
第１図は本発明に係わる導波路型光スイッチの一実施例
を示す斜視図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３
図は従来の導波路型光スイッチの斜視図、第４図は第３
図の■−■線断直図である。 １０・・・・・・リチウム・ナイオベイト基板、１１．
１２・・・・・・導波路、１３．１４・・・・・・電極
、１５・・・・・・溝。 ６２団 ろ４図
を示す斜視図、第２図は第１図の■−■線断面図、第３
図は従来の導波路型光スイッチの斜視図、第４図は第３
図の■−■線断直図である。 １０・・・・・・リチウム・ナイオベイト基板、１１．
１２・・・・・・導波路、１３．１４・・・・・・電極
、１５・・・・・・溝。 ６２団 ろ４図
Claims (1)
- 誘電体結晶上にイオン拡散によって隣接する一対の導波
路を形成し、この隣接する導波路上あるいは近傍に各々
独立の電極を設けた導波路型光スイッチにおいて、前記
誘電体結晶に、隣接する一対の導波路に沿って所定の深
さを有する溝を設けたことを特徴とする導波路型光スイ
ッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18025789A JPH0345935A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 導波路型光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18025789A JPH0345935A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 導波路型光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345935A true JPH0345935A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16080097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18025789A Pending JPH0345935A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 導波路型光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345935A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376569A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
| US20130287332A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Hsin-Shun Huang | Low power electro-optic modulator |
| US20130301990A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Optical waveguide directional coupler |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18025789A patent/JPH0345935A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376569A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
| US20130287332A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Hsin-Shun Huang | Low power electro-optic modulator |
| US20130301990A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Optical waveguide directional coupler |
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