JPH034612B2 - - Google Patents
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- JPH034612B2 JPH034612B2 JP22015186A JP22015186A JPH034612B2 JP H034612 B2 JPH034612 B2 JP H034612B2 JP 22015186 A JP22015186 A JP 22015186A JP 22015186 A JP22015186 A JP 22015186A JP H034612 B2 JPH034612 B2 JP H034612B2
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- Conductive Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器用銅合金とその製造法に関
し、特に強度が高く、導電率及び耐食性が優れ、
かつ加工性やメツキ性が良好で、半田との界面強
度の経時劣化が起らない銅合金を提供するもので
ある。 〔従来の技術〕 電子機器、例えば半導体のリードフレームには
下記の特性が要求されている。 (1) 強度が高く、耐食性が良いこと。 (2) 放熱性、即ち熱伝導性が高いこと。 (3) 電気伝導性が高いこと。 (4) フレーム成形時の曲げ加工性が良いこと。 (5) メツキ密着性及び樹脂とのモールド性が良い
こと。 (6) 半田との接合部に経時劣化が無いこと。 従来半導体のリードフレームには主として42合
金（Fe−42wt％Ni合金）（以下wt％を％と略記）
が用いられてきた。この合金は引張強さ63Kg／
mm2、耐熱性670℃（30分の加熱により、初期強度
の70％になる温度）の優れた特性を示すが、導電
率は３％IACS程度と劣るものである。 近年半導体素子は集積度の増大及び小型化と同
時に高信頼性が求められるようになり、半導体素
子の形態も従来のDIP型ICからチツプキヤリアー
型PGA型へと変化しつつある。このため半導体
のリードフレームも薄肉・小型化され、同時に42
合金を上回る特性が要求されるようになつた。即
ち薄肉化による構成部品の強度低下を防ぐための
強度向上、集積度の増大による放熱性向上のため
に熱伝導性と同一特性である導電率の向上、優れ
た耐熱性、更に半導体のフレーム上の固定や半導
体からリードフレームの足の部分の配線へのボン
デイング前処理としてリードフレーム表面へのメ
ツキ性及び封止樹脂とのモールド性の向上、更に
は信頼性の問題としてフレーム基板と接合におけ
るハンダ接合強度の経時劣化が無いことが望まれ
ている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記42合金は導電率が３％IACSと低く、放熱
性が劣る欠点があり、これに代えて銅合金を用い
れば導電率を50〜80％IACSと飛躍的に向上させ
ることができるも、42合金と同等の他の特性を満
足することは難しい。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、42合金と
同等以上の強度と、はるかに優れた導電率を示す
電子機器用銅合金とその製造法を開発したもので
ある。 即ち本発明合金は、Ni0.1〜4.8％、Si0.05〜0.8
％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６と
なるようにNiとSiを含み、Zn0・05〜0.6％、
Ca0.0005〜0.3％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、
希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種
以上を単独で0.02〜0.5％、合計で0.02〜1.0％を
含み、残部Cuと不可避的不純物からなることを
特徴とるすものである。 また本発明製造法は、Ni0.1〜4.8％、Si0.05〜
0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６
となるようにNiとSiを含み、Zn0.05〜0.6％、
Ca0.0005〜0.3％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、
希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種
以上を単独で0.02〜0.5％、合計で0.02〜1.0％を
含み、残部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳
塊を熱間加工し、その後80％以上の冷間加工を施
してから350〜850℃で５秒〜12時間の再結晶を伴
なわない熱処理と、加工率30％以下の冷間加工を
１回以上繰返し、最終仕上げ加工を30％以下とす
ることを特徴とするものである。 〔作用〕 本発明合金は、上記組成から成り、Ni0.1〜4.8
％、Si0.05〜0.8％の範囲内で、NiとSiの比
（Ni／Si）が２〜６となるようにNiとSiを含有せ
しめたものは、それぞれ下限未満では本発明製造
法を持つてしても十分な強度が得られず、上限を
越えると半田付け性を悪化させると共に加工性、
特に熱間加工性を悪くし、製造性を害する。また
NiとSiの比（Ni／Si）が上記範囲内において十
分な強度と導電率を示し、かつメツキ性、鋳造
性、加工性も良好であり、これを外れると上記特
性が大きく低下する。 Znは半田付けやメツキの接合部の経時劣化を
抑制し、信頼性を向上させ、更に脱酸作用により
鋳造性を高め、コストの低減に寄与するも、上記
範囲の下限未満ではその効果が見られず、上限を
越えると導電率を低下すると共に加工性を阻害す
る。Caは脱酸脱硫の作用を持ち、鋳塊の健全性
の向上や熱間加工性を良好にし、更に熱間加工時
のNi、Siの析出現象を抑制し、優れた特性を付
与するも、上記範囲の下限未満ではその効果がな
く、上限を越えると鋳造性や加工性を損ね、導電
率を大きく低下する。更にMg、Ｂ、Cr、Mn、
Co、希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は
２種以上は、強度を向上し、延性の改善に寄与
し、成型加工性、特に曲げ加工時の成型性（表面
性状や寸法精度）を良くし、更には脱酸、脱硫の
効果を示すも、上記範囲（単独で0.02〜0.5％、
合計で0.02〜1.0％）の下限未満でも、上限を越
えても効果がなく、導電率を低下させたり、熱間
加工性を悪化させる。尚Ba、Ｖ、Zr、Ｙ、Fe、
Au、Ga、In、Ge、Sb、Bi、Ag、Tl、ランタノ
イド系、アクチノイド系においても、わずかでは
あるが同様の効果が見られる。 また不可避的不純物のうちO2含有量を40ppm
以下と制限したのは、O2は本発明合金の成分で
あるNiやSiの均一な析出に有害で、含有量が
40ppmを越えると粗大析出粒を作りやすく、その
ため強度の向上を阻害するばかりか、メツキ性や
半田付け性を劣化させ、更には成型加工性を劣化
させて電子機器に要求される精密な加工部品にお
いて実用上有害となるためである。更に析出粒の
大きさを10μｍ以下としたのは、析出粒の大きさ
は、強度、メツキ性、半田付け性等を大きく左右
し、粒径が10μｍを越えると上記特性の劣化が著
しいためである。 尚不可避的不純物のうちＰはNiとNixＰ化合物
を形成して、マトリツクス中のSiを過剰にし、導
電率や半田付け性を大きく劣化させるため、Ｐ含
有量を0.05％以下、望ましくは0.03％以下にする
とよい。 本発明合金は上記組織からなり、上記製造法に
より電子機器用として最適の特性を付与すること
ができる。即ち熱間加工後80％以上の冷間加工を
施してから350〜850℃で５秒〜12時間の再結晶を
伴なわない熱処理と、加工率30％以下の冷間加工
を１回以上繰返し、かつ最終仕上げ加工率を30％
以下とするものである。しかして熱処理条件がこ
の範囲から外れる再結晶状態又は部分再結晶状態
からでは、過析出による析出粒の粗大化により十
分な強度が得られず、組織の不均一性から特性の
不安定をまねく。更にこの熱処理と組合せる冷間
加工の加工率を30％以下としたのは、加工率が30
％を越えると熱処理による析出効果と、加工によ
る転位の導入により加工硬化の効果が増幅され、
高い強度を得ることは可能であるが、反面延性を
低下し、製造性や曲げ成型性を大きく劣化させ、
電子機器に要求される精密な加工部品において、
実用上有害となるためである。また最終の仕上げ
加工率を30％以下としたのは、これを越える加工
率では強度と延性の兼ね合による製造性や曲げ成
型性を劣化させる。 尚本発明において、熱間加工は800〜880℃から
開始し、終了後はNi、Si等の析出分を固溶状態
にしておく観定から迅速に冷却することが望まし
いが、冷却速度として徐冷以外であれば特性に何
等影響を及ぼさない。また最終仕上げ加工後、
200〜550℃の調質焼鈍やテンシヨンレベラー、テ
ンシヨンアニーリング等を組合せることにより、
より高い特性とすることができる。 〔実施例〕 第１表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて
半連続鋳造し、850℃で熱間圧延した後、面削し
て厚さ10mmの板とした。これを96％の加工率で厚
さ0.4mmまで冷間圧延してから、450℃で１時間加
熱処理し、更に25％の加工率で厚さ0.3mmまで冷
間圧延した後、400℃で１時間熱処理し、しかる
後加工率16.7％の最終仕上げ冷間圧延を行なつ
て、厚さ0.25mmの板にし、更に250℃で30分間の
調質焼鈍を施した。 これ等の板について強度、伸び、曲げ成型形、
半田付け性、耐食性及びメツキ性を調べた。その
結果を従来の42合金と比較して第２表に示す。 強度はJIS Ｚ 2241に基づいて測定し、導電率
はJIS Ｈ 0505に基づいて測定した。曲げ成型性
はJIS Ｚ 2248のＶブロツク法により試験を行な
い、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半
径Ｒを試験片の厚さｔで割つた値Ｒ／ｔで示し
た。半田付け性は幅25mm、長さ25mmのサンププル
を切出し、直径９mm部に60／40共晶半田により直
径２mmの無酸素銅線を接合し、150℃で500時間の
加速試験を行なつた後、引張試験により接合強度
を求めた。耐食性はJIS Ｃ 8306（応力腐食割れ）
に準じ、3vol％のNH3蒸気中で定荷重（引張強
さの50％）法により、割れ発生までの時間を求め
た。メツキ性はホウフツ化物浴にて厚さ7.5μｍの
Sn−５％Pb合金メツキを施し、105℃で2000時間
保持してから180°に折り曲げ、その折り曲げ部の
メツキ層の剥離を検鏡により調べた。 尚第２表中比較例No.18、19は第１表中の本発明
例No.７同一合金であるが、比較例No.18は本発明例
No.７の製造工程において熱処理を完全に軟化する
温度（900℃）で２時間行なつたものであり、比
較例No.19は本発明例No.７の製造工程において、熱
処理以前の冷間加工率を93％とし、最終仕上げ加
工率を50％としたものである。
し、特に強度が高く、導電率及び耐食性が優れ、
かつ加工性やメツキ性が良好で、半田との界面強
度の経時劣化が起らない銅合金を提供するもので
ある。 〔従来の技術〕 電子機器、例えば半導体のリードフレームには
下記の特性が要求されている。 (1) 強度が高く、耐食性が良いこと。 (2) 放熱性、即ち熱伝導性が高いこと。 (3) 電気伝導性が高いこと。 (4) フレーム成形時の曲げ加工性が良いこと。 (5) メツキ密着性及び樹脂とのモールド性が良い
こと。 (6) 半田との接合部に経時劣化が無いこと。 従来半導体のリードフレームには主として42合
金（Fe−42wt％Ni合金）（以下wt％を％と略記）
が用いられてきた。この合金は引張強さ63Kg／
mm2、耐熱性670℃（30分の加熱により、初期強度
の70％になる温度）の優れた特性を示すが、導電
率は３％IACS程度と劣るものである。 近年半導体素子は集積度の増大及び小型化と同
時に高信頼性が求められるようになり、半導体素
子の形態も従来のDIP型ICからチツプキヤリアー
型PGA型へと変化しつつある。このため半導体
のリードフレームも薄肉・小型化され、同時に42
合金を上回る特性が要求されるようになつた。即
ち薄肉化による構成部品の強度低下を防ぐための
強度向上、集積度の増大による放熱性向上のため
に熱伝導性と同一特性である導電率の向上、優れ
た耐熱性、更に半導体のフレーム上の固定や半導
体からリードフレームの足の部分の配線へのボン
デイング前処理としてリードフレーム表面へのメ
ツキ性及び封止樹脂とのモールド性の向上、更に
は信頼性の問題としてフレーム基板と接合におけ
るハンダ接合強度の経時劣化が無いことが望まれ
ている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記42合金は導電率が３％IACSと低く、放熱
性が劣る欠点があり、これに代えて銅合金を用い
れば導電率を50〜80％IACSと飛躍的に向上させ
ることができるも、42合金と同等の他の特性を満
足することは難しい。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、42合金と
同等以上の強度と、はるかに優れた導電率を示す
電子機器用銅合金とその製造法を開発したもので
ある。 即ち本発明合金は、Ni0.1〜4.8％、Si0.05〜0.8
％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６と
なるようにNiとSiを含み、Zn0・05〜0.6％、
Ca0.0005〜0.3％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、
希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種
以上を単独で0.02〜0.5％、合計で0.02〜1.0％を
含み、残部Cuと不可避的不純物からなることを
特徴とるすものである。 また本発明製造法は、Ni0.1〜4.8％、Si0.05〜
0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６
となるようにNiとSiを含み、Zn0.05〜0.6％、
Ca0.0005〜0.3％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、
希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種
以上を単独で0.02〜0.5％、合計で0.02〜1.0％を
含み、残部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳
塊を熱間加工し、その後80％以上の冷間加工を施
してから350〜850℃で５秒〜12時間の再結晶を伴
なわない熱処理と、加工率30％以下の冷間加工を
１回以上繰返し、最終仕上げ加工を30％以下とす
ることを特徴とするものである。 〔作用〕 本発明合金は、上記組成から成り、Ni0.1〜4.8
％、Si0.05〜0.8％の範囲内で、NiとSiの比
（Ni／Si）が２〜６となるようにNiとSiを含有せ
しめたものは、それぞれ下限未満では本発明製造
法を持つてしても十分な強度が得られず、上限を
越えると半田付け性を悪化させると共に加工性、
特に熱間加工性を悪くし、製造性を害する。また
NiとSiの比（Ni／Si）が上記範囲内において十
分な強度と導電率を示し、かつメツキ性、鋳造
性、加工性も良好であり、これを外れると上記特
性が大きく低下する。 Znは半田付けやメツキの接合部の経時劣化を
抑制し、信頼性を向上させ、更に脱酸作用により
鋳造性を高め、コストの低減に寄与するも、上記
範囲の下限未満ではその効果が見られず、上限を
越えると導電率を低下すると共に加工性を阻害す
る。Caは脱酸脱硫の作用を持ち、鋳塊の健全性
の向上や熱間加工性を良好にし、更に熱間加工時
のNi、Siの析出現象を抑制し、優れた特性を付
与するも、上記範囲の下限未満ではその効果がな
く、上限を越えると鋳造性や加工性を損ね、導電
率を大きく低下する。更にMg、Ｂ、Cr、Mn、
Co、希土類元素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は
２種以上は、強度を向上し、延性の改善に寄与
し、成型加工性、特に曲げ加工時の成型性（表面
性状や寸法精度）を良くし、更には脱酸、脱硫の
効果を示すも、上記範囲（単独で0.02〜0.5％、
合計で0.02〜1.0％）の下限未満でも、上限を越
えても効果がなく、導電率を低下させたり、熱間
加工性を悪化させる。尚Ba、Ｖ、Zr、Ｙ、Fe、
Au、Ga、In、Ge、Sb、Bi、Ag、Tl、ランタノ
イド系、アクチノイド系においても、わずかでは
あるが同様の効果が見られる。 また不可避的不純物のうちO2含有量を40ppm
以下と制限したのは、O2は本発明合金の成分で
あるNiやSiの均一な析出に有害で、含有量が
40ppmを越えると粗大析出粒を作りやすく、その
ため強度の向上を阻害するばかりか、メツキ性や
半田付け性を劣化させ、更には成型加工性を劣化
させて電子機器に要求される精密な加工部品にお
いて実用上有害となるためである。更に析出粒の
大きさを10μｍ以下としたのは、析出粒の大きさ
は、強度、メツキ性、半田付け性等を大きく左右
し、粒径が10μｍを越えると上記特性の劣化が著
しいためである。 尚不可避的不純物のうちＰはNiとNixＰ化合物
を形成して、マトリツクス中のSiを過剰にし、導
電率や半田付け性を大きく劣化させるため、Ｐ含
有量を0.05％以下、望ましくは0.03％以下にする
とよい。 本発明合金は上記組織からなり、上記製造法に
より電子機器用として最適の特性を付与すること
ができる。即ち熱間加工後80％以上の冷間加工を
施してから350〜850℃で５秒〜12時間の再結晶を
伴なわない熱処理と、加工率30％以下の冷間加工
を１回以上繰返し、かつ最終仕上げ加工率を30％
以下とするものである。しかして熱処理条件がこ
の範囲から外れる再結晶状態又は部分再結晶状態
からでは、過析出による析出粒の粗大化により十
分な強度が得られず、組織の不均一性から特性の
不安定をまねく。更にこの熱処理と組合せる冷間
加工の加工率を30％以下としたのは、加工率が30
％を越えると熱処理による析出効果と、加工によ
る転位の導入により加工硬化の効果が増幅され、
高い強度を得ることは可能であるが、反面延性を
低下し、製造性や曲げ成型性を大きく劣化させ、
電子機器に要求される精密な加工部品において、
実用上有害となるためである。また最終の仕上げ
加工率を30％以下としたのは、これを越える加工
率では強度と延性の兼ね合による製造性や曲げ成
型性を劣化させる。 尚本発明において、熱間加工は800〜880℃から
開始し、終了後はNi、Si等の析出分を固溶状態
にしておく観定から迅速に冷却することが望まし
いが、冷却速度として徐冷以外であれば特性に何
等影響を及ぼさない。また最終仕上げ加工後、
200〜550℃の調質焼鈍やテンシヨンレベラー、テ
ンシヨンアニーリング等を組合せることにより、
より高い特性とすることができる。 〔実施例〕 第１表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて
半連続鋳造し、850℃で熱間圧延した後、面削し
て厚さ10mmの板とした。これを96％の加工率で厚
さ0.4mmまで冷間圧延してから、450℃で１時間加
熱処理し、更に25％の加工率で厚さ0.3mmまで冷
間圧延した後、400℃で１時間熱処理し、しかる
後加工率16.7％の最終仕上げ冷間圧延を行なつ
て、厚さ0.25mmの板にし、更に250℃で30分間の
調質焼鈍を施した。 これ等の板について強度、伸び、曲げ成型形、
半田付け性、耐食性及びメツキ性を調べた。その
結果を従来の42合金と比較して第２表に示す。 強度はJIS Ｚ 2241に基づいて測定し、導電率
はJIS Ｈ 0505に基づいて測定した。曲げ成型性
はJIS Ｚ 2248のＶブロツク法により試験を行な
い、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半
径Ｒを試験片の厚さｔで割つた値Ｒ／ｔで示し
た。半田付け性は幅25mm、長さ25mmのサンププル
を切出し、直径９mm部に60／40共晶半田により直
径２mmの無酸素銅線を接合し、150℃で500時間の
加速試験を行なつた後、引張試験により接合強度
を求めた。耐食性はJIS Ｃ 8306（応力腐食割れ）
に準じ、3vol％のNH3蒸気中で定荷重（引張強
さの50％）法により、割れ発生までの時間を求め
た。メツキ性はホウフツ化物浴にて厚さ7.5μｍの
Sn−５％Pb合金メツキを施し、105℃で2000時間
保持してから180°に折り曲げ、その折り曲げ部の
メツキ層の剥離を検鏡により調べた。 尚第２表中比較例No.18、19は第１表中の本発明
例No.７同一合金であるが、比較例No.18は本発明例
No.７の製造工程において熱処理を完全に軟化する
温度（900℃）で２時間行なつたものであり、比
較例No.19は本発明例No.７の製造工程において、熱
処理以前の冷間加工率を93％とし、最終仕上げ加
工率を50％としたものである。
【表】
【表】
このように本発明によれば、強度、導電性、曲
げ成型性、半田付け性、メツキ性及び耐食性に優
れており、電子機器用リードフレーム、コネクタ
ー、スイツチ等に使用し、その薄肉化、小型化を
可能にする等工業上顕著な効果を奏するものであ
る。
げ成型性、半田付け性、メツキ性及び耐食性に優
れており、電子機器用リードフレーム、コネクタ
ー、スイツチ等に使用し、その薄肉化、小型化を
可能にする等工業上顕著な効果を奏するものであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ni0.1〜4.8wt％、Si0.05〜0.8wt％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、Zn0.05〜0.6wt％、Ca0.0005〜
0.3wt％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、希土類元
素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種以上を単
独で0.02〜0.5wt％、合計で0.02〜1.0wt％を含み、
残部Cuと不可避的不純物からなる電子機器用銅
合金。 ２ 不可避的不純物中O2含有量を40ppm以下に
制限し、析出物の粒径を10μｍ以下とする特許請
求の範囲第１項記載の電子機器用銅合金。 ３ Ni0.1〜4.8wt％、Si0.05〜0.8wt％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、Zn0.05〜0.6wt％、Ca0.0005〜
0.3wt％、更にMg、Ｂ、Cr、Mn、Co、希土類元
素、Al、Sn、Tiの何れか１種又は２種以上を単
独で0.02〜0.5wt％、合計で0.02〜1.0wt％を含み、
残部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳塊を熱
間加工し、その後80％以上の冷間加工を施してか
ら350〜850℃で５秒〜12時間の再結晶を伴なわな
い熱処理と、加工率30％以下の冷間加工を１回以
上繰返し、最終仕上げ加工率を30％以下とするこ
とを特徴とする電子機器用銅合金の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22015186A JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22015186A JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376839A JPS6376839A (ja) | 1988-04-07 |
| JPH034612B2 true JPH034612B2 (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=16746692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22015186A Granted JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376839A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2514234B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1996-07-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 強度と導電性に優れる端子・コネクタ―用銅合金 |
| JPH0266130A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-06 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 打抜金型摩耗の少ない端子・コネクタ用Ｃｕ合金 |
| WO2006093140A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 銅合金 |
| JP2006265731A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金 |
| JP4655834B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-03-23 | 日立電線株式会社 | 電気部品用銅合金材とその製造方法 |
| JP5002768B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-08-15 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP22015186A patent/JPS6376839A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376839A (ja) | 1988-04-07 |
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