JPH0718356A - 電子機器用銅合金、その製造方法およびicリードフレーム - Google Patents

電子機器用銅合金、その製造方法およびicリードフレーム

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JPH0718356A
JPH0718356A JP16364093A JP16364093A JPH0718356A JP H0718356 A JPH0718356 A JP H0718356A JP 16364093 A JP16364093 A JP 16364093A JP 16364093 A JP16364093 A JP 16364093A JP H0718356 A JPH0718356 A JP H0718356A
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JP
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JP16364093A
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Yoshihiro Taketsu
嘉裕 武津
Kenji Kubozono
健治 久保薗
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 Ni1.0〜3.0重量%、Si0.06〜0.
5重量%、P0.05〜0.5重量%、Zn1.0〜3.0
重量%含有し、適宜Sn、Cr、Mg、Mn、Co、T
i、Zr、Ag、BおよびFeからなる群から選択され
た少なくとも1種以上を0.001〜0.3重量%含有
し、残部が銅であり、N2含有量が50ppm以下、H2
含有量が30ppm以下、O2含有量が20ppm以下
である電子機器用銅合金。この合金は、最終仕上圧延前
に、750〜950℃の温度範囲で1分間以上加熱し、
水または油中で急冷する工程と、その後350〜500
℃の温度範囲で10分間以上の加熱を施す工程を行うこ
とにより製造される。 【効果】 強度と電気伝導率の両方に優れた特性をも
ち、近来の電子機器用材に求められる性能を満足する優
れた電子機器用銅合金およびその製造方法が提供され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路(IC)のリ
ードフレーム材、コネクタ、スイッチ、リレー等に用い
られる電子機器用銅合金およびその製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】電子機器に使用される材料は、部品の小
型化や高信頼性の要求に伴い、高強度、高電導性に加
え、耐食性や耐熱性のより優れたものが望まれている。
従来の電子機器用の銅合金としては、CDA(Copper
Development Association)C19400合金や、
Cu−0.1%Sn、Cu−0.1%Feなどの高電導型の
合金、あるいはりん青銅のような高強度型の合金が主に
使われてきている。またリードフレーム用銅合金として
は、例えば特開平2−205642号公報、特開平2−
205645号公報等に提案され、リードフレーム用銅
合金の製造方法としては、例えば特公昭60−5878
3号公報等に提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記C
DAC19400合金等の従来の合金は、未だ電子機器
に使用される材料の小型化や高信頼性の要求に伴う高強
度、高電導性を併せもつことができないという問題点が
あった。またはんだ付け性やめっき密着性の信頼性向上
のために単に酸素含有量を制限する提案も出されている
が、これだけでは上記信頼性確保には不充分である。本
発明は、機械的強度と電気伝導率の両方に優れた特性を
もち、近来の電子機器用材に求められる性能を満足する
優れた電子機器用銅合金およびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。なお、以下本明細書においては、特記しない限り、
%は重量ベースである。
【0005】すなわち本発明は、(1) Ni1.0〜3.
0%、Si0.06〜0.5%、P0.05〜0.5%、Z
n1.0〜3.0%含有し、残部が銅および不可避の不純
物からなり、N2含有量が、50ppm以下、H2含有量
が30ppm以下およびO2含有量が20ppm以下で
あることを特徴とする、電子機器用銅合金を提供するも
のである。
【0006】また本発明は、(2) Ni1.0〜3.0
%、Si0.06〜0.5%、P0.05〜0.5%、Zn
1.0〜3.0%含有し、さらに副成分としてSn、C
r、Mg、Mn、Co、Ti、Zr、Ag、BおよびF
eからなる群から選択された少なくとも1種または2種
以上を総量で0.001〜0.3%含有し、残部が銅およ
び不可避の不純物からなり、N2含有量が、50ppm
以下、H2含有量が30ppm以下およびO2含有量が2
0ppm以下であることを特徴とする、電子機器用銅合
金を提供するものである。
【0007】さらに本発明は、(3) 結晶粒度が20μ
m以下であることを特徴とする、前記(1)または(2)に記
載の電子機器用銅合金を提供するものである。
【0008】さらにまた本発明は、(4) 時効処理によ
る析出物が存在し、その析出物の大きさが2μm以下で
あることを特徴とする、前記(1)ないし(3)のいずれか1
項に記載の電子機器用銅合金を提供するものである。
【0009】また本発明は、(4) 前記(1)または(2)に
記載の成分を添加し溶解した電子機器用銅合金の鋳塊の
最終仕上圧延前に、750〜950℃の温度範囲で1分
間以上加熱し、水または油中で急冷する工程と、その後
350〜500℃の温度範囲で10分間以上の加熱を施
す工程を行うことを特徴とする、電子機器用銅合金条の
製造方法を提供するものである。
【0010】さらに本発明は、(6) 前記(1)または(2)
に記載の成分を添加し溶解した電子機器用銅合金の鋳塊
の最終仕上圧延前に、750〜950℃の温度範囲で1
分間以上加熱し、この後4℃/分以下で徐冷することを
特徴とする、電子機器用銅合金条の製造方法を提供する
ものである。
【0011】さらにまた本発明は、(7) 前記(1)または
(2)に記載の成分を添加し溶解した電子機器用銅合金の
鋳塊の最終仕上圧延前に、750〜950℃の温度範囲
で1分間以上加熱した後、500℃までは4℃/分以上
で冷却し、500〜350℃の間で少なくとも1時間以
上保持または徐冷することを特徴とする、電子機器用銅
合金条の製造方法を提供するものである。
【0012】また本発明は、(8) 前記(1)ないし(4)の
いずれか1項に記載の電子機器用銅合金を用いたICリ
ードフレームを提供するものである。
【0013】
【作用】次に本発明の電子機器用銅合金を構成する合金
成分の添加理由と、その組成範囲の限定理由について説
明する。Ni、PおよびSiは、これらの元素がNi5
2やNi2Si等の金属間化合物を効率よく生成し、強度の
向上と導電率の低下の少ない範囲とし、Niの下限1.
0%は、これ未満では金属間化合物が少なく、強度の向
上が少ないためであり、3%を超えると強度水準の向上
が、配合量に比して効果が少なくなり、また加工性が劣
化するとともに、電気伝導率の低下とはんだめっきの耐
熱性が劣化する傾向にあるためである。NiとP、およ
びNiとSiの金属間化合物を効率的に生成させるため
には、重量比でNi:Pが約5:1、Ni:Siが約
4:1にあるときに、強度、電気伝導率の水準が最も優
れており、これは金属間化合物として、Ni52やNi2
Siにほぼ相当している。従ってP、Siの量は、この
重量比より範囲を定めた。Znはめっきの剥離に対する
耐熱性を向上する効果があり、下限1%未満ではその効
果が小さく、上限3%は、これを超えると、はんだ付け
性の劣化および電気伝導率の低下が大きくなるためこの
範囲を定めた。
【0014】副成分として添加したSn、Co、Mgは
母材への固溶により強度向上を狙ったものであり少なく
とも1種または2種以上0.001%以上添加すると引
張強さが向上するが、0.3%を超えると導電性が低下
する。
【0015】また副成分として添加したCr、Ti、Z
r、Feは少なくとも1種または2種以上0.001%
以上添加すると耐熱性が向上するが、0.3%を超える
と、未固溶として結晶粒界に分散しやすくなり、めっき
密着性等の信頼性が低下する。
【0016】さらに副成分としてAgを0.001%以
上添加すると、めっきの耐熱信頼性が向上するが、0.
3%を超えると添加量に見合う効果も得られず、コスト
が上昇するだけとなる。
【0017】あるいは副成分としてMn、Bのうち少な
くとも1種を0.001%以上添加すると、脱酸剤とし
てO2の含有量を少なくでき、はんだ付け性、めっき密
着性を向上できるが、0.3%を超えると導電率が低下
する。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。 実施例1.(表1)に示す各組成成分を添加し溶解、鋳
造後、冷間圧延と熱処理をくり返し、最終的に厚さ0.
4mmの板状に仕上げ、その後下記の加工を施し、特性確
認を行った。なお、表1による鋳塊加工方法は下記のA
工程によった。
【0019】(A工程)0.4mm板→焼入(800℃×
3分間、水中焼入)→時効処理(450℃×2時間)→
圧延0.25mm板。
【0020】また(表1)において、導電率は、試料の
電気抵抗を測定することにより、電気伝導率(%IAC
S)で表示した。また、めっき耐熱性とは、上記圧延後
の0.25mm板にはんだ付けした後、150℃の高温に
保持し、その後はんだ付け部について密着曲げを行い、
剥離等が生じるまでの時間を測定し、評価したものであ
る。また図1および図2において、引張強さと電気伝導
率の関係を示したもので、斜線部で示す範囲が目標とす
る特性で、電気伝導率38%以上で引張強さとのバラン
スを考えて熱処理範囲を決定した。
【0021】(表1)の結果より、(No.1)と(No.9)、(N
o.5)と(No.13)の各試料を比較すると、Niが1.0%未
満では引張強さが低下し、3.0%を超えて添加すると
導電率が低下することがわかる。
【0022】また(No.2)と(No.10)、(No.6)と(No.14)の
各試料を比較すると、Pが0.05%未満では引張強
さ、導電率が低下し、Pが0.5%を超えても引張強
さ、導電率が低下することがわかる。
【0023】さらに(No.3)と(No.11)、(No.7)と(No.15)
の各試料を比較すると、Siが0.06%未満では引張
強さ、導電率が低下し、Siが0.5%を超えると、導
電率が低下することがわかる。さらにまた(No.4)と(No1
2)、(No.8)と(No.16)を比較すると、Znが1.0%未満
ではめっき耐熱性が劣り、3.0%を超えると、導電率
が低下することがわかる。
【0024】また(No.18)においてN2を55ppm、(No.1
7)においてH2を35ppm、(No.19)においてO2を30pp
mと残存量が多い場合、めっき耐熱性が低下する。とく
に試料に銀めっき後350℃×10分間加熱するとめっ
きの部分にフクレが発生し、めっき耐熱性の低下が認め
られる。
【0025】さらに(No.20)および(No.21)に示すように
副成分として添加したSnおよびCoは、その合計量が
0.4%に達すると引張強さは向上するが、導電率、め
っき耐熱性が低下することがわかる。
【0026】また(No.22)および(No.23)に示すように副
成分として添加したSn、Mgは、その合計量が0.4
%に達すると引張強さは向上するが、導電率、めっき耐
熱性が低下することがわかる。
【0027】(No.24)および(No.29)に示すように副成分
として添加したCr、Tiは、その合計量が0.4%に
達すると引張強さは向上するが、導電率、めっき耐熱性
が低下する。
【0028】(No.25)および(No.28)に示すように副成分
として添加したCr、Zrは、その合計量が0.4%に
達すると引張強さは向上するが、導電率、めっき耐熱性
が低下する。(No.27)および(No.37)に示すように副成分
として添加したCr、Feは、その合計量が0.4%に
達すると、引張強さは向上するが、導電率、めっき耐熱
性が低下する。
【0029】(No.30)および(No.31)に示すように副成分
として添加したAgは、添加量が0.4%に達するとめ
っき耐熱性は向上するが、導電率は低下する。
【0030】(No.32)および(No.33)および(No.38)に示
すように副成分として添加したMn、Bは添加しない場
合と比較し、O2の含有量を少なくしているが、合計添
加量が0.4%に達すると、導電率が低下する。
【0031】図2は、表1に示した各実施例および各比
較例において、導電率と引張強さについてプロットした
ものである。図2から、本発明の実施例は、比較例に対
して導電率および引張強さともに優れていることがわか
る。
【0032】
【表1】
【0033】
【表2】
【0034】実施例2.上記実施例1は、800℃×3
分間水中焼入後450℃×2時間の時効処理を施した各
組成成分の場合であるが、本実施例2においては、図1
に示すように焼入温度および時効処理温度を変化させて
各組成成分について導電率および引張強さを測定した。
その結果、焼入温度で750〜950℃、時効処理温度
350〜500℃の範囲であれば、引張強さおよび導電
率について最適特性が得られることがわかる。なお前記
焼入時の加熱750〜950℃は、1分間以上、前記時
効処理は10分間以上行うのが好ましい。また前記焼入
における冷却媒体は、通常のものでよく、例えば水また
は油が挙げられる。
【0035】さらに、図1を参照すると、750〜95
0℃の焼入温度に対応する結晶粒径も20μm以下であ
ることがわかる。この時焼入温度750℃未満では再結
晶不十分であり、950℃を超えると結晶粒径が粗大化
し、曲げ加工において材料表面の肌荒れが出やすくな
る。また、時効温度が350℃未満では、金属間化合物
の析出が不十分で、引張強さ、導電率ともに低下し、5
00℃を超えると、軟化し、引張強さは低下する。
【0036】実施例3.(表2)は、(表1)における
実施例1の各組成における0.4mmまで加工した板材に
ついて、その後焼鈍、圧延し、0.25mmの板材とする
までの焼鈍条件を変化させた場合の引張強さおよび導電
率の測定結果を示したものである。
【0037】区分ア〜ウをそれぞれ比較すると判るのよ
うに、例えば800℃で2時間加熱後、最終圧延仕上前
に4℃/分以下で徐冷すれば、引張強さおよび導電率に
ついて適切な特性が得られることがわかる。また区分エ
〜クをそれぞれ比較すると判るように、例えば800℃
で2時間加熱後、500℃までは4℃/分以上で冷却
し、500〜350℃の間で1時間以上保持すれば、前
記と同様に引張強さおよび導電率について適切な特性が
得られることがわかる。
【0038】
【表3】
【0039】また以上述べてきた特性の電子機器用銅合
金はICリードフレームとして最適な特性を有すること
は言うまでもない。
【0040】
【発明の効果】以上実施例から明らかなように、本発明
により、強度と電気伝導率の両方に優れた特性をもち、
近来の電子機器用材に求められる性能を満足する優れた
電子機器用銅合金およびその製造方法が提供されるた
め、電子機器用部品の小型化等に非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による銅合金の時効温度およ
び焼入温度を変化させた場合の特性図である。
【図2】本発明方法のA工程により得られた銅合金とそ
の比較例により得られた銅合金の引張強さおよび導電率
を示す図である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Ni1.0〜3.0重量%、Si0.06
    〜0.5重量%、P0.05〜0.5重量%、Zn1.0〜
    3.0重量%含有し、残部が銅および不可避の不純物か
    らなり、N2含有量が、50ppm以下、H2含有量が3
    0ppm以下およびO2含有量が20ppm以下である
    ことを特徴とする、電子機器用銅合金。
  2. 【請求項2】 Ni1.0〜3.0重量%、Si0.06
    〜0.5重量%、P0.05〜0.5重量%、Zn1.0〜
    3.0重量%含有し、さらに副成分としてSn、Cr、
    Mg、Mn、Co、Ti、Zr、Ag、BおよびFeか
    らなる群から選択された少なくとも1種または2種以上
    を総量で0.001〜0.3重量%含有し、残部が銅およ
    び不可避の不純物からなり、N2含有量が、50ppm
    以下、H2含有量が30ppm以下およびO2含有量が2
    0ppm以下であることを特徴とする、電子機器用銅合
    金。
  3. 【請求項3】 結晶粒度が20μm以下であることを特
    徴とする請求項1または2に記載の電子機器用銅合金。
  4. 【請求項4】 時効処理による析出物が存在し、その析
    出物の大きさが2μm以下であることを特徴とする、請
    求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子機器用銅合
    金。
  5. 【請求項5】 請求項1または2に記載の成分を添加し
    溶解した電子機器用銅合金の鋳塊の最終仕上圧延前に、
    750〜950℃の温度範囲で1分間以上加熱し、水ま
    たは油中で急冷する工程と、その後350〜500℃の
    温度範囲で10分間以上の加熱を施す工程を行うことを
    特徴とする、電子機器用銅合金条の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1または2に記載の成分を添加し
    溶解した電子機器用銅合金の鋳塊の最終仕上圧延前に7
    50〜950℃の温度範囲で1分間以上加熱し、この後
    4℃/分以下で徐冷することを特徴とする、電子機器用
    銅合金条の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項1または2に記載の成分を添加し
    溶解した電子機器用銅合金の鋳塊の最終仕上圧延前に7
    50〜950℃の温度範囲で1分間以上加熱した後、5
    00℃までは4℃/分以上で冷却し、500〜350℃
    の間では少なくとも1時間以上保持または徐冷すること
    を特徴とする、電子機器用銅合金条の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし4のいずれか1項に記載
    の電子機器用銅合金を用いたICリードフレーム。
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