JPH0346208A - トランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、高周波で使用するトランスの特性改良に関
するものである。

〔従来の技術〕

第３図は例えば電気学会、電気学会研究会資料、マグネ
ティックス研究会ＭＡＧ−８８−１３３Ｐ２６に示され
た、従来の高周波トランスを示す概略図である。図にお
いて、１は磁性体、２は複数の磁性体よりなる磁心、３
は１次側励磁導体、４は２次側励磁導体である。図中、
磁性体１，１次側および２次側の励磁導体３．４を相互
に絶縁するための絶縁層およびそれらを支持するための
例えば基板、モールド材等で構成する支持体は、説明を
分かり易くするために省略している。

次に動作；こついて説明する。このトランスは磁性体１
を経糸、１次側および２次側励磁導体３．４を緯糸とす
る平織構造となっている。このため、１次側励磁導体３
に電流を流すと、隣接する磁性体１の中には例えば矢印
Ａで示すように相互に逆向きの磁束が励磁される。

この結果、磁心２先端からの漏れ磁束はただちに隣接す
る磁性体１に流入することになり、結果的に準閉磁路が
構成される。このため磁気抵抗が小さく、１次側励磁導
体３で生じた磁束が効率よく２次側励磁導体４と結合し
変換効率の高いトランスを得ることができる。しかし従
来のトランスでは直線状の磁性体１を用いるので、１次
側および２次側励磁導体３，４がほぼ平行に配置され、
１次側および２次側励磁導体３．４間のキャパシタンス
が大きくなり、トランスの１次電圧と２次電圧が容量的
に結合する問題がある。これを避けるため従来のトラン
スでは、第３図に示されるように１次側励磁導体３と２
次側励磁導体４を数群に分割し、１次側励磁導体３群間
に２次側励磁導体の群を挿入するように構成していた。

しかしこの構成法は、１次側と２次側励磁導体３．４間
のキャパシタンスを減少するには効果があるが、１次側
励磁導体３と２次側励磁導体４との平均間隔が広がるた
め、磁束の結合度が小さくなり、トランスの効率が低下
する。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のトランスは以上のように構成されているので、キ
ャパシタンスを小さくするとともに結合度を高め、効率
の良いトランスを得ることが困難な問題があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、１次側および２次側励磁導体間のキャパシタ
ンスを結合度を劣化することなく小さくすることにより
、効率の良いトランスを得ようとするものである。

［課題を解決するための手段と作用］ 本発明は上記の課題を解決するために、磁性体、１次側
励磁導体、２次側励磁導体、上記磁性体と各励磁導体を
相互に絶縁するための絶縁層、およびそれらを支持する
支持体よりなるトランスにおいて、上記磁性体を屈曲し
た線状磁性体により網目状に構成することおよび上記１
次側励磁導体と２次側励磁導体とを直交して配置するこ
とにより上記磁性体と上記励磁導体とをほぼ直交させた
ことを特徴とするもので、１次側励磁導体と２次側励磁
導体間のキャパシタンスを小さくするとともに結合度を
高め、効率の良いトランスを得るものである。

［実施例］ 以下この発明の実施例を図について説明する。

第１図において、１１は複数の屈曲した線状磁性体、１
２は磁性体１１で構成された網目状の磁心、１３は１次
側励磁導体、１４は２次側励磁導体である。なお図中、
磁性体１１．１次側励磁導体１３．２次側励磁導体１４
を相互に絶縁するための絶縁層、およびこれらの構成品
を支持するための、例えば基板、モールド材等の支持体
は説明の便宜上省略している。また、磁性体１１および
励磁導体１３．１４は線、薄膜ストリップ、いずれでも
良い この実施例における磁性体１１の屈曲部は半円弧状とな
っており、かつ屈曲した磁性体１１は屈曲部が円状とな
るように、２本ずつが向かい合わされ対で使われている
。この対磁心は、複数対、アレー状に配置され、磁心１
２形状を網目状に構成している。この磁性体１１の半円
弧状で構成される仮想円状の略中心において、１次側お
よび２次側励磁導体１３．１４は直交するとともに円弧
状磁性体１１とも略直交する。しかもその交点は極めて
接近しており、各交点で励磁された磁束は、隣接交点の
励磁導体１３．１４と強く結合する。

また屈曲した磁性体１１は励磁される方向に細長く、し
かも第３図に示した従来のトランス同様に、隣接した磁
性体１１は相互に逆向きに励磁されており、準閉磁路が
構成されているので反磁界も小さく結合度がさらに強め
られている。

つぎに１次側励磁導体１３と２次側励磁導体１４との線
間容量であるが、１次側および２次側励磁導体がほぼ平
行する従来のトランスの場合に比べ、この実施例に係る
トランスでは、１次側および２次側励磁導体１３．１４
が直交するため、対向する面積が小さく、従ってキャパ
シタンスも小さい。

なお上記実施例では、磁性体１１の屈曲部を半円弧状と
したが、屈曲部形状はこれに限らず、くの字形でも良い
。また磁性体１１中の磁束の流れから明らかなように、
第２図に示すような円環状磁性体が連環した磁性体１１
よりなる網目状磁心１２でもよい。

以上のようにこの実施例によれば、１次側励磁導体１３
および２次側励磁導体１４と磁性体１１との各交点を極
めて接近させること、および隣接する磁性体１１を相互
に逆方向に励磁することにより結合度を高めるとともに
、１次側および２次側励磁導体１３．１４を直交させ、
線間容量による１次側電圧と２次側電圧との結合を小さ
くすることにより、効率のよいトランスを得ることがで
きる。

尚、上記実施例において網目状磁心を構成する磁性体は
単層あるいは積層薄膜により形成することができる。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、１次側励磁導体と２
次側励磁導体間のキャ°パシタンスを小さくするととも
に結合度を高め、効率の良いトランスを提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例によるトランスの概略図
、第２図はこの発明の他の実施例を示すすトランスの概
略図、第３図は従来のトランスを示す概略図である。 ・・磁性体、 ２・・・磁心、 ・・１次側励磁 導体、 ４・・・２次側励磁導体。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性体、１次側励磁導体、２次側励磁導体、上記
   磁性体と各励磁導体を相互に絶縁するための絶縁層、お
   よびそれらを支持する支持体よりなるトランスにおいて
   、上記磁性体を屈曲した線状磁性体により網目状に構成
   することおよび上記１次側励磁導体と２次側励磁導体と
   を直交して配置することにより上記磁性体と上記励磁導
   体とをほぼ直交させたことを特徴とするトランス。
2. （２）上記網目状磁性体を単層あるいは積層薄膜とした
   ことを特徴とする請求項１記載のトランス。