JPH0346593Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0346593Y2 JPH0346593Y2 JP1982154590U JP15459082U JPH0346593Y2 JP H0346593 Y2 JPH0346593 Y2 JP H0346593Y2 JP 1982154590 U JP1982154590 U JP 1982154590U JP 15459082 U JP15459082 U JP 15459082U JP H0346593 Y2 JPH0346593 Y2 JP H0346593Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- thick film
- primary side
- trimming
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はクランプ回路に関し、特にイグニツシ
ヨン・コイルの１次側電流の遮断をスイツチン
グ・トランジスタで行う回路におけるイグニツシ
ヨン・コイル１次側のクランプ電圧を所定の値に
制御するクランプ回路に関するものである。
ヨン・コイルの１次側電流の遮断をスイツチン
グ・トランジスタで行う回路におけるイグニツシ
ヨン・コイル１次側のクランプ電圧を所定の値に
制御するクランプ回路に関するものである。
従来、スイツチング・トランジスタの遮断時に
イグニツシヨン・コイルの１次側に発生した高電
圧をダイオードで吸収し、所定の電圧値にクラン
プさせてスイツチング・トランジスタを破壊から
保護する回路として第１図に示すものがあつた。
第１図において、L1はイグニツシヨン・コイル
であり、これに流れる電流を制御するためのトラ
ンジスタQ1がコイルL1と電源１−接地３間に直
列接続され、さらに抵抗R1，R2がコイルL1と直
列接続されてダイオードＤが設けられている。し
かも、この種の回路は、近年、量産性及び高信頼
性等の強い要求により混成厚膜集積回路が一般的
であり、かつ、内燃機関の点火性能の面からは、
イグニツシヨン・コイル１次側L1のクランプ電
圧のばらつきは厳しく抑えられる傾向にある。従
つて、現在、上記厳しい要求に答えるため、イグ
ニツシヨン・コイル１次電流を遮断するスイツチ
ング・トランジスタQ1及び該トランジスタを駆
動する駆動回路等は混成厚膜集積回路で製造さ
れ、かつ、所定の１次側クランプ電圧を精度良く
得る手段として、混成厚膜集積回路上の厚膜抵抗
R1又はR2をトリミングして１次側クランプ電圧
を所定値にする機能トリミングの方法が採用され
ている。さて、第１図の回路の場合、１次側クラ
ンプ電圧は次式で表わされる。
イグニツシヨン・コイルの１次側に発生した高電
圧をダイオードで吸収し、所定の電圧値にクラン
プさせてスイツチング・トランジスタを破壊から
保護する回路として第１図に示すものがあつた。
第１図において、L1はイグニツシヨン・コイル
であり、これに流れる電流を制御するためのトラ
ンジスタQ1がコイルL1と電源１−接地３間に直
列接続され、さらに抵抗R1，R2がコイルL1と直
列接続されてダイオードＤが設けられている。し
かも、この種の回路は、近年、量産性及び高信頼
性等の強い要求により混成厚膜集積回路が一般的
であり、かつ、内燃機関の点火性能の面からは、
イグニツシヨン・コイル１次側L1のクランプ電
圧のばらつきは厳しく抑えられる傾向にある。従
つて、現在、上記厳しい要求に答えるため、イグ
ニツシヨン・コイル１次電流を遮断するスイツチ
ング・トランジスタQ1及び該トランジスタを駆
動する駆動回路等は混成厚膜集積回路で製造さ
れ、かつ、所定の１次側クランプ電圧を精度良く
得る手段として、混成厚膜集積回路上の厚膜抵抗
R1又はR2をトリミングして１次側クランプ電圧
を所定値にする機能トリミングの方法が採用され
ている。さて、第１図の回路の場合、１次側クラ
ンプ電圧は次式で表わされる。
VOUT≒（１＋R1／R2）（VD＋VBE） (1)
ここで、
VOUT：イグニツシヨン・コイル１次側クラン
プ電圧 R1，R2：厚膜抵抗の抵抗値 VD：ダイオードＤの定電圧素子の定電圧 VBE：スイツチング・トランジスタQ1のベー
ス・エミツタ間電圧 厚膜抵抗R2によつて機能トリミングする場合、
厚膜抵抗R2の抵抗値は小から大へと変化するた
め、式(1)から、機能トリミングによつて１次側ク
ランプ電圧は大から小へと変化する。従つて、１
次側クランプ電圧の初期値（機能トリミングを行
う前）は、所定の要求値に対し大きく設定する必
要がある。しあるに、機能トリミング前は、R2
はノー・トリミングのため、ばらつき巾が非常に
大きく、このばらつき巾を考慮して、所定の値が
得られる様に初期値を設定するため、１次側クラ
ンプ電圧の初期値は機能トリミング後に得られる
所定の値に対し非常に大きな値とならざるを得な
い。このため、機能トリミング時、１次側クラン
プ電圧がスイツチングトランジスタQ1の降服電
圧を越えてしまい。トランジスタQ1を破壊させ
るという好ましくない問題があつた。又、１次側
クランプ電圧のばらつきを抑えるため、厚膜抵抗
R2を混成厚膜集積回路の基板段階でトリミング
して抵抗値のばらつき巾を抑えることも考えられ
るが、一度トリミングした抵抗体を使用して、機
能トリミングすることは、トリミング精度、抵抗
体の信頼度等で問題があつた。
プ電圧 R1，R2：厚膜抵抗の抵抗値 VD：ダイオードＤの定電圧素子の定電圧 VBE：スイツチング・トランジスタQ1のベー
ス・エミツタ間電圧 厚膜抵抗R2によつて機能トリミングする場合、
厚膜抵抗R2の抵抗値は小から大へと変化するた
め、式(1)から、機能トリミングによつて１次側ク
ランプ電圧は大から小へと変化する。従つて、１
次側クランプ電圧の初期値（機能トリミングを行
う前）は、所定の要求値に対し大きく設定する必
要がある。しあるに、機能トリミング前は、R2
はノー・トリミングのため、ばらつき巾が非常に
大きく、このばらつき巾を考慮して、所定の値が
得られる様に初期値を設定するため、１次側クラ
ンプ電圧の初期値は機能トリミング後に得られる
所定の値に対し非常に大きな値とならざるを得な
い。このため、機能トリミング時、１次側クラン
プ電圧がスイツチングトランジスタQ1の降服電
圧を越えてしまい。トランジスタQ1を破壊させ
るという好ましくない問題があつた。又、１次側
クランプ電圧のばらつきを抑えるため、厚膜抵抗
R2を混成厚膜集積回路の基板段階でトリミング
して抵抗値のばらつき巾を抑えることも考えられ
るが、一度トリミングした抵抗体を使用して、機
能トリミングすることは、トリミング精度、抵抗
体の信頼度等で問題があつた。
本考案の目的は、機能トリミング前において
は、イグニツシヨン・コイル１次側のクランプ電
圧の初期値のばらつきの少ない混成厚膜集積回路
に好適なクランプ回路を提供するものである。
は、イグニツシヨン・コイル１次側のクランプ電
圧の初期値のばらつきの少ない混成厚膜集積回路
に好適なクランプ回路を提供するものである。
本考案によれば、クランプ用の抵抗を２分割
し、１方の抵抗で初期トリミングを行つて初期精
度をあげ、機能トリミング前の１次側クランプ電
圧のばらつき幅を低減し、かつ、他方の抵抗で機
能トリミングを行うものである。
し、１方の抵抗で初期トリミングを行つて初期精
度をあげ、機能トリミング前の１次側クランプ電
圧のばらつき幅を低減し、かつ、他方の抵抗で機
能トリミングを行うものである。
以下、図面を参照にして本考案を詳細に説明す
る。
る。
第２図に示す実施例の一実施例において、１は
電源端子の一端、３は電源端子の他端（接地）、
２は入力端子、L1はイグニツシヨン・コイルの
１次側コイル、Q1はスイツチングトランジスタ、
Ｄはダイオード等の定電圧素子、R1，R2および
R3は厚膜抵抗である。第２図の場合、１次側ク
ランプ電圧は次式で表わされる。
電源端子の一端、３は電源端子の他端（接地）、
２は入力端子、L1はイグニツシヨン・コイルの
１次側コイル、Q1はスイツチングトランジスタ、
Ｄはダイオード等の定電圧素子、R1，R2および
R3は厚膜抵抗である。第２図の場合、１次側ク
ランプ電圧は次式で表わされる。
VOUT≒（１＋R1／R2＋R3）・（VD＋VBE） (2)
ここで、厚膜抵抗R2は機能トリミング用抵抗、
厚膜抵抗R3は厚膜抵抗R2＋R3の初期値設定用抵
抗とすると、通常、混成厚膜集積回路基板は、基
板状態で抵抗値を測定しかつトリミングして厚膜
抵抗値が指定のばらつき範囲に入る様にするた
め、厚膜抵抗R3をトリミングする際に、厚膜抵
抗R2，R3の和及び厚膜抵抗R1の値が指定の値の
範囲内に入る様にトリミングすれば、式(2)におけ
る抵抗比R1／R2＋R3は機能トリミング用抵抗R2の初 期ばらつきにかかわらず一定となり、１次側クラ
ンプ電圧の初期ばらつきを大幅に抑える事が可能
である。よつて、１次クランプ電圧の初期値は、
機能トリミングによつて得られる所定の値に対し
わずかに大きくしておけばよく、１次側クランプ
電圧の初期値がスイツチングトランジスタQ1の
破壊耐量を越えてトランジスタQ1を破壊から防
止することが可能である。そして、抵抗体R2を
機能トリミングして所望で正確なクランプ電圧を
得る。
厚膜抵抗R3は厚膜抵抗R2＋R3の初期値設定用抵
抗とすると、通常、混成厚膜集積回路基板は、基
板状態で抵抗値を測定しかつトリミングして厚膜
抵抗値が指定のばらつき範囲に入る様にするた
め、厚膜抵抗R3をトリミングする際に、厚膜抵
抗R2，R3の和及び厚膜抵抗R1の値が指定の値の
範囲内に入る様にトリミングすれば、式(2)におけ
る抵抗比R1／R2＋R3は機能トリミング用抵抗R2の初 期ばらつきにかかわらず一定となり、１次側クラ
ンプ電圧の初期ばらつきを大幅に抑える事が可能
である。よつて、１次クランプ電圧の初期値は、
機能トリミングによつて得られる所定の値に対し
わずかに大きくしておけばよく、１次側クランプ
電圧の初期値がスイツチングトランジスタQ1の
破壊耐量を越えてトランジスタQ1を破壊から防
止することが可能である。そして、抵抗体R2を
機能トリミングして所望で正確なクランプ電圧を
得る。
第３図は本考案の他の実施例であり、トランジ
スタQ2を設けることにより、厚膜抵抗R1、ダイ
オードＤを流れる電流を少なくして、低消費電力
化し、厚膜抵抗R1、ダイオードＤを低消費電力
のものを使用することが可能となる。
スタQ2を設けることにより、厚膜抵抗R1、ダイ
オードＤを流れる電流を少なくして、低消費電力
化し、厚膜抵抗R1、ダイオードＤを低消費電力
のものを使用することが可能となる。
第４図は、本考案のもう一つの他の実施例であ
り、トランジスタQ2のベースと電源端子の他端
に抵抗R4を設け、抵抗R4の値を適当に選定する
と、１次側クランプ電圧はトランジスタQ1，Q2
のhFEに対し依存性のないクランプ回路を得るこ
とが出来る。
り、トランジスタQ2のベースと電源端子の他端
に抵抗R4を設け、抵抗R4の値を適当に選定する
と、１次側クランプ電圧はトランジスタQ1，Q2
のhFEに対し依存性のないクランプ回路を得るこ
とが出来る。
又、本考案では定電圧素子としてダイオードを
用いたが、ツエナー・ダイオードとトランジスタ
のベース・エミツタ間電圧を適当に組み合わせれ
ば、任意の温度特性のクランプ回路を得ることも
可能である。
用いたが、ツエナー・ダイオードとトランジスタ
のベース・エミツタ間電圧を適当に組み合わせれ
ば、任意の温度特性のクランプ回路を得ることも
可能である。
第１図は従来技術を示す回路図、第２図は本考
案に係るクランプ回路の一実施例を示す回路図、
第３図、第４図は本考案の他の実施例を示す回路
図である。 １……電源端子の一端、２……入力、３……電
源端子の他端、４……他の電源端子の一端、L1
……イグニツシヨン・コイルの１次側コイル、
Q1，Q2……トランジスタ、R1，R2，R3，R4……
抵抗、Ｄ……定電圧素子。
案に係るクランプ回路の一実施例を示す回路図、
第３図、第４図は本考案の他の実施例を示す回路
図である。 １……電源端子の一端、２……入力、３……電
源端子の他端、４……他の電源端子の一端、L1
……イグニツシヨン・コイルの１次側コイル、
Q1，Q2……トランジスタ、R1，R2，R3，R4……
抵抗、Ｄ……定電圧素子。
Claims (1)
- インダクタンス負荷と、該インダクタンス負荷
に直列接続されたスイツチング・トランジスタ
と、該スイツチング・トランジスタを所定の電圧
値にクランプするための直列接続された第１およ
び第２の抵抗体とを有するクランプ回路におい
て、前記第２の抵抗体を少くとも２つに分割し、
一方を初期値設定用に、他方を機能トリミング用
にそれぞれ用いる事を特徴とするクランプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15459082U JPS5959036U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15459082U JPS5959036U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | クランプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959036U JPS5959036U (ja) | 1984-04-17 |
| JPH0346593Y2 true JPH0346593Y2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=30341675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15459082U Granted JPS5959036U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | クランプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959036U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954860A (ja) * | 1972-09-27 | 1974-05-28 | ||
| JPS5717571Y2 (ja) * | 1976-04-01 | 1982-04-13 |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP15459082U patent/JPS5959036U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5959036U (ja) | 1984-04-17 |
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