JPS597774Y2 - 温度補償式サ−ジ吸収回路 - Google Patents

温度補償式サ−ジ吸収回路

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JPS597774Y2
JPS597774Y2 JP8491176U JP8491176U JPS597774Y2 JP S597774 Y2 JPS597774 Y2 JP S597774Y2 JP 8491176 U JP8491176 U JP 8491176U JP 8491176 U JP8491176 U JP 8491176U JP S597774 Y2 JPS597774 Y2 JP S597774Y2
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JP
Japan
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voltage
surge
absorption circuit
surge absorption
current
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JP8491176U
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JPS532614U (ja
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和彦 大野
豊照 黒田
順二 原田
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Stanley Electric Co Ltd
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Stanley Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は電子電装品、高圧発生装置、高圧サージ保護
装置等に用いるサージ吸収回路に関するものである。
上記サージ吸収回路としては第４図に示した構戊、特に
破線で囲った構或のものがある。
これは１次側コイルＴＩＰに１次電流を流し、スイッチ
ングトランジスタＱ２の遮断で２次側コイルＴＩＳに高
電圧を発生するようにした回路であり、前記スイッチン
グトランジスタＱ２がスイッチングを行なう際に発生す
るサージ電圧を抵抗Ｒ１及びＲ２で分圧し、Ａ点をゼナ
ーダイオードＺＤのゼナー電圧ｖ２まで下げる。
すると、ゼナーダイオードＺＤがオンしてトランジスタ
Ｑ１にベース電流が流れてオンし、該トランジスタのオ
ンにより、トランジスタＱ２のベースに電流が流れてト
ランジスタＱ２がオンし、サージ電圧は抵抗Ｒ１，Ｒ２
で吸収され、スイッチングトランジスタＱ２が保護され
る。
そして、Ｂ点のサージ制限電圧■Ｓは で与えられる。
（ＶＢＥ ： ｝ランジスタＱ２のベース・エミツタ間
電圧）。
しかしながら、このようなサージ吸収回路は、温度変化
によってベース・エミツタ間電圧ＶＢＥが変化するとサ
ージ制限電圧ｖ５も変化する。
このため、スイッチングトランジスタＱ２のサージ耐圧
を越えてしまうことがあり、スイッチングトランジスタ
Ｑ２が破壊されることになる。
またサージ耐圧より低くなった場合には、２次側コイル
ＴＩＳに発生する電圧が低くなって高電圧発生装置とし
ての性能が劣下すると云う欠点がある。
この考案は上記事情に鑑みなされたもので、その目的は
温度変化によるサージ電圧の変化を押えスイッチング素
子の破壊や装置の特性の劣下が起こらないようにしたサ
ージ吸収回路を提供しようとするものである。
以下、この考案を添付図面に示したいくつかの実施例に
つき詳説する。
尚同一部分には同一符号を付してある。
第１図は前記従来のサージ吸収回路の抵抗＆の代わりに
感熱抵抗体Ｐを用いた回路を示すもので電流は１次側コ
イルＴＩＰのＢ点から抵抗Ｒ１を介してＡ点へ、Ａ点か
ら一方は感熱抵抗体Ｐを介してアースへ、他方はゼナー
ダイオードＺＤを介してトランジスタＱ１のベースへ流
れる。
この回路は、下記の２式に示すように、温度変化による
トランジスタＱ２のベース・エミツタ電圧ＶＢＥに伴な
うサージ制限電圧Ｖ５の変化と、これを相殺するような
特性を持つ感熱抵抗体Ｐを用いて、サージ制限電圧の安
定をはかる回路である。
（ＲＰ ：感熱抵抗体の抵抗値） 即ち、温度変化によってＶＢＥが変化しても感熱抵抗体
Ｐの抵抗値ＲＰも変化するためサージ制限電圧■５がほ
ぼ一定に保たれるので、温度変化によるスイッチングト
ランジスタＱ２の破壊や回路を組み込んだ装置の特性の
劣下が防止される。
また、感熱抵抗体Ｐの特性によっては第１ａ図或は第１
ｂ図に示すように、感熱抵抗体Ｐと直列或は並列に抵抗
Ｒ′２或はＲ″２を接続して補償することもできる。
さらに、第２図に示すように抵抗Ｒ１の代わりに感熱抵
抗体Ｐを用いても下記３式のように温度補償をしたサー
ジ制限電圧■５が与えられ、第３図に示すようにサージ
電圧を分圧する両方の抵抗Ｒ１及びＲ２を感熱抵抗体Ｐ
１及びＰ２にしても下記４式のように温度補償をしたサ
ージ制限電圧■５が得られる。
さらにまた、温度補償には感熱抵抗体Ｐに限らず、ゼナ
ーダイオードＺＤのゼナー電圧Ｖｚ或はスイッチングト
ランジスタＱ２のベース・エミツタ電圧ｖＢＥと逆の温
度特性をもつ半導体その他の素子を使用することができ
る。
以上述べたように、この考案のサージ吸収回路は、温度
変化によるサージ制限電圧の変化がないため、スイッチ
ング素子の破壊や高圧発生装置の特性の劣下が起こらな
いという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る一実施例のサージ吸収回路、第１
ａ図及び第１ｂ図は要部のみを示す２例の回路図、第２
図及び第３図は更に他の実施例に係るサージ吸収回路、
第４図は従来例を示す回路図である。 ＴＩＰ・・・１次側巻線、ＴＩＳ・・・２次側巻線、Ｑ
１及びＱ２・・・スイッチングトランジスタ、ＺＤ・・
・ゼナーダイオード、Ｒ１及びＲ２・・・分圧抵抗、Ｐ
，Ｐ１及びＰ２・・・感熱抵抗体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １次側巻線に１次電流を流し、スイッチング素子の作動
    で２次側巻線に高電圧を発生させた際に生じるサージ電
    圧を分圧抵抗にて分圧し、この分圧電圧によって導通ず
    るゼナーダイオードからの電流を得て動作するトランジ
    スタの動作電流を前記スイッチング素子のベース電流と
    して供給するようにしたサージ吸収回路において、 前記分圧抵抗のどちらか一方もしくは両方を、前記１次
    側巻線と前記スイッチング素子との接続点に与えられる
    サージ制限電圧の温度変化による電圧変化分を相殺しつ
    る特性を有する温度補償素子としたことを特徴とするサ
    ージ吸収回路。
JP8491176U 1976-06-28 1976-06-28 温度補償式サ−ジ吸収回路 Expired JPS597774Y2 (ja)

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JPS532614U JPS532614U (ja) 1978-01-11
JPS597774Y2 true JPS597774Y2 (ja) 1984-03-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS597756B2 (ja) * 1980-05-13 1984-02-20 新日本製鐵株式会社 コ−クス炉ガスの湿式脱硫方法
JPS5793817U (ja) * 1980-11-28 1982-06-09

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JPS532614U (ja) 1978-01-11

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