JPH0348253A - パタン形成方法 - Google Patents
パタン形成方法Info
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- JPH0348253A JPH0348253A JP1182481A JP18248189A JPH0348253A JP H0348253 A JPH0348253 A JP H0348253A JP 1182481 A JP1182481 A JP 1182481A JP 18248189 A JP18248189 A JP 18248189A JP H0348253 A JPH0348253 A JP H0348253A
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- JP
- Japan
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- pattern
- irradiated
- exposure
- ultraviolet
- ultraviolet rays
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高エネルギー線と紫外線を用いた微細パタン
形成方法に関する。
形成方法に関する。
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パタンルールの微
細化が求められている。しかし、現在汎用技術として用
いられている光露光では、光源の波長に由来する本質的
な解像度の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）
を光源とする、汎用の光露光では、おおよそ０． ５
，のパタンルールが限界とされており、これを用いての
集積度は、１６ＭビットＤＲＡＭ相当までとなる。しか
し、ＬＳＩの開発は既にこの段階にまできており、更な
る微細化技術の開発が急務となっている。
細化が求められている。しかし、現在汎用技術として用
いられている光露光では、光源の波長に由来する本質的
な解像度の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）
を光源とする、汎用の光露光では、おおよそ０． ５
，のパタンルールが限界とされており、これを用いての
集積度は、１６ＭビットＤＲＡＭ相当までとなる。しか
し、ＬＳＩの開発は既にこの段階にまできており、更な
る微細化技術の開発が急務となっている。
このような技術的背景により、電子線、イオン線等の高
エネルギー線を用いた直接描画技術によるパタン形成方
法は今後ますます重要となる。高エネルギー線の直接描
画では、０．１／／ＷＩの線幅のパタンも形成可能であ
り、紫外線露光によるパタン形成技術よりもはるかに微
細なパタンが形戊可能であるからである。電子線露光技
・術はＬＳＩ用マスクパタンの製造分野では既に実用化
されており、完戒度の高い微細加工技術である。また、
イオンビームによるパタン形成技術も、パタンの修正等
に利用し始められている。
エネルギー線を用いた直接描画技術によるパタン形成方
法は今後ますます重要となる。高エネルギー線の直接描
画では、０．１／／ＷＩの線幅のパタンも形成可能であ
り、紫外線露光によるパタン形成技術よりもはるかに微
細なパタンが形戊可能であるからである。電子線露光技
・術はＬＳＩ用マスクパタンの製造分野では既に実用化
されており、完戒度の高い微細加工技術である。また、
イオンビームによるパタン形成技術も、パタンの修正等
に利用し始められている。
しかし、これらの直接描画によるパタン形成では、微細
化に伴ってスループットを著しく低下する短所がある。
化に伴ってスループットを著しく低下する短所がある。
これは、直接描画がいわば一筆書きのようにして、描画
してゆくため、描画する距離に比例した描画時間が必要
となるためである。そのため、光露光に比較して微細化
は可能であるものの、スルーブットが著しく低下するた
め、量産技術には不向きとされている。
してゆくため、描画する距離に比例した描画時間が必要
となるためである。そのため、光露光に比較して微細化
は可能であるものの、スルーブットが著しく低下するた
め、量産技術には不向きとされている。
また、従来のレジストとしてはネガタイプが主体でポジ
型は用いられていなかった。
型は用いられていなかった。
本発明の目的は、高エネルギー線の直接描画技術の特長
である高解像性と、光露光技術の特長である高スルーブ
ットの、両者の特質を合せ持つ微細パタン形成方法を提
供することにある。
である高解像性と、光露光技術の特長である高スルーブ
ットの、両者の特質を合せ持つ微細パタン形成方法を提
供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパタン形成
方法に関する発明であって、基板に塗布したレジストに
、〈八）パタン状に高工不゛ルギー線を照射する工程、
及び（Ｂ）パタン状に紫外線を照射する工程を任意の順
序で行い、その後（Ｃ）現像する工程の各工程を包含す
るパタン形成方法において、該現像工程を、パタン状に
高エネルギー線を照射した部分はネガ型として現像後に
残膜し、高エネルギー線を照射していない部分でかつパ
タン状に紫外線を照射した部分はポジ型として現像で除
去されるように行うことを特徴とする。
方法に関する発明であって、基板に塗布したレジストに
、〈八）パタン状に高工不゛ルギー線を照射する工程、
及び（Ｂ）パタン状に紫外線を照射する工程を任意の順
序で行い、その後（Ｃ）現像する工程の各工程を包含す
るパタン形成方法において、該現像工程を、パタン状に
高エネルギー線を照射した部分はネガ型として現像後に
残膜し、高エネルギー線を照射していない部分でかつパ
タン状に紫外線を照射した部分はポジ型として現像で除
去されるように行うことを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は他のパタン形成方法に関
する発明であって、基板に塗布したレジストに、（Ａ）
パタン状に高エネルギー線を照射する工程、及び（Ｂ）
パタン状に紫外線を照射する工程を任意の順序で行い、
その後（Ｃ）現像する工程の各工程を包含するパタン形
成方法において、該現像工程を、パタン状に高エネルギ
ー線を照射した部分、及びパ・タン状に紫外線を照射し
た部分が共にポジ型として現像で除去されるように行う
ことを特徴とする。
する発明であって、基板に塗布したレジストに、（Ａ）
パタン状に高エネルギー線を照射する工程、及び（Ｂ）
パタン状に紫外線を照射する工程を任意の順序で行い、
その後（Ｃ）現像する工程の各工程を包含するパタン形
成方法において、該現像工程を、パタン状に高エネルギ
ー線を照射した部分、及びパ・タン状に紫外線を照射し
た部分が共にポジ型として現像で除去されるように行う
ことを特徴とする。
本発明は、フォトレジストが、単に紫外線にのみ感光す
るのではなく、電子線やイオン線等の高エネルギー線に
対しても感度を有することに着目し、高エネルギー線に
よるパタン形成と、紫外線露光によるパタン形成を同一
レジスト上にて組合せた、パタン形戊方法に関するもの
である。
るのではなく、電子線やイオン線等の高エネルギー線に
対しても感度を有することに着目し、高エネルギー線に
よるパタン形成と、紫外線露光によるパタン形成を同一
レジスト上にて組合せた、パタン形戊方法に関するもの
である。
電子線やイオン線等の直接描画において、パタンの微細
化に伴い急速にスループットが低下する一因として、微
細なパタンと共に混在する、比較的大きなパタン部分を
描画する時間が長くかかることが挙げられる。ここでい
うところの比較的大きなパタンとは、光露光技術でパタ
ン形成が充分に可能なものという意味である。通常、同
一レジスト層上のパタンすべてが、高エネルギー線の直
接描画でなければ形成が困難である微細パタンであると
は限らない。多くの場合、そのような微細パタンの面積
は、同一レジスト層での全パタン描画面積の一部にしか
過ぎず、大部分は光露光で充分対応が可能な大きさのパ
タンである。微細パタンを形成するためだけに電子線や
イオン線を用い、比較的大きなパタンを光露光でパタン
形成することができれば、トータルとしてスループット
は格段に向上する。
化に伴い急速にスループットが低下する一因として、微
細なパタンと共に混在する、比較的大きなパタン部分を
描画する時間が長くかかることが挙げられる。ここでい
うところの比較的大きなパタンとは、光露光技術でパタ
ン形成が充分に可能なものという意味である。通常、同
一レジスト層上のパタンすべてが、高エネルギー線の直
接描画でなければ形成が困難である微細パタンであると
は限らない。多くの場合、そのような微細パタンの面積
は、同一レジスト層での全パタン描画面積の一部にしか
過ぎず、大部分は光露光で充分対応が可能な大きさのパ
タンである。微細パタンを形成するためだけに電子線や
イオン線を用い、比較的大きなパタンを光露光でパタン
形成することができれば、トータルとしてスループット
は格段に向上する。
本発明者らはこのことに着目し、鋭意検討を重ね、本発
明を完戊するに到った。
明を完戊するに到った。
ここでは、レジスト材料として、ジアゾナフトキノン化
合物を感光剤とする汎用のポジ型フォトレジストを例に
して説明する。感光剤であるジアゾナフトキノン化合物
は電子線、イオン線等の照射で分解する。もし、このと
き強い現像液で現像を行うと、ジアゾナフトキノン化合
物の溶解阻害効果が分解により消失しているので、露光
部分が除去され、ポジ型のパタンが形成できる。ジアゾ
ナフトキノン化合物は、電子線やイオン線等で分解され
たとき、ベース樹脂等と反応して架橋する場合もある。
合物を感光剤とする汎用のポジ型フォトレジストを例に
して説明する。感光剤であるジアゾナフトキノン化合物
は電子線、イオン線等の照射で分解する。もし、このと
き強い現像液で現像を行うと、ジアゾナフトキノン化合
物の溶解阻害効果が分解により消失しているので、露光
部分が除去され、ポジ型のパタンが形成できる。ジアゾ
ナフトキノン化合物は、電子線やイオン線等で分解され
たとき、ベース樹脂等と反応して架橋する場合もある。
このときは、更に基板全面に紫外線を一様に照射したの
ち現像することにより、ネガ型のパタン形成が可能とな
る。
ち現像することにより、ネガ型のパタン形成が可能とな
る。
前者の場合は、高エネルギー線で描画したのら、紫外線
をパタン状に照射して現像することにより、ポジ型一ポ
ジ型のハイブリッドパタン形成が可能となる。第１図に
その工程例を示す。
をパタン状に照射して現像することにより、ポジ型一ポ
ジ型のハイブリッドパタン形成が可能となる。第１図に
その工程例を示す。
すなわち第１図は本発明によるポジ型−ポジ型ハイブリ
ッドパタン形成方法の１例を示す工程図であって、符号
１は基板、２はレジスト、３は高エネルギー線描画部分
、４は紫外線露光部分、５は現像後の抜きパタンを意味
する。基板ｌ上のレジスト２に高エネルギー線にて描画
する（１−１）。そののち、紫外線をパタン状に照射す
る（１−２）。紫外線露光においては、露光後の熱処理
により、解像性が向上する場合がある。本方法において
も、必要に応じ、熱処理を行ってよい。高エネルギー線
描画部分３と紫外線露光部分４は現像により除去され、
５のポジパタンが得られる（１−３）。この場合、高エ
ネルギー線描画と紫外ａ露光の順は逆でも、基本的には
同様の結果が得られる。大きな面積の部分４と細い線幅
の部分３からなるような５のパタンを電子線のみで描画
する場合は、４゛の部分の描画に全描画時間の大半を使
うので、スルーブットが低くなる。しかし、第１図に示
すように高エネルギー線描画と紫外ａＳ光とを組合せた
ハイブリッド露光では、トータルとしてスループットが
向上しうる。
ッドパタン形成方法の１例を示す工程図であって、符号
１は基板、２はレジスト、３は高エネルギー線描画部分
、４は紫外線露光部分、５は現像後の抜きパタンを意味
する。基板ｌ上のレジスト２に高エネルギー線にて描画
する（１−１）。そののち、紫外線をパタン状に照射す
る（１−２）。紫外線露光においては、露光後の熱処理
により、解像性が向上する場合がある。本方法において
も、必要に応じ、熱処理を行ってよい。高エネルギー線
描画部分３と紫外線露光部分４は現像により除去され、
５のポジパタンが得られる（１−３）。この場合、高エ
ネルギー線描画と紫外ａ露光の順は逆でも、基本的には
同様の結果が得られる。大きな面積の部分４と細い線幅
の部分３からなるような５のパタンを電子線のみで描画
する場合は、４゛の部分の描画に全描画時間の大半を使
うので、スルーブットが低くなる。しかし、第１図に示
すように高エネルギー線描画と紫外ａＳ光とを組合せた
ハイブリッド露光では、トータルとしてスループットが
向上しうる。
後者の場合は、高エネルギー線で描画したのち、紫外線
をパタン状に照射して現像することにより、ネガ型一ポ
ジ型のハイブリッドパタン形成が可能となる。ここで、
高エネルギー線描画と紫外ａ露光の順を入れ換えても、
同様のハイブリッドパタン形戊が可能であるが、高エネ
ルギー線に対する感度が低下する恐れがあり、望ましく
ない。第２図に工程例を示す。すなわち第２図は本発明
によるネガ型一ポジ型ハイブリッドパタン形成方法の１
例を示す工程図であ．って、符号６は基板、７はレジス
ト、８は高エネルギー線描画部分、９は紫外線露光部分
、ｌＯは紫外線未露光部分、１１は現像後の残しパタン
を意味する。基板６上のレジスト７に高エネルギー線に
て描画する（２−１）。そののち、紫外線をパタン状に
照射する（２−２）。高エネルギー線描画部分８と紫外
線未露光部分１０は現像後に残り、１ｌのパタンか得ら
れる（２３）。このような場合も、１ｌのパタン全面積
を電子線のみで描画すると１０の部分の描画に全描画時
間の大半を使うので、スループットが低くなる。しかし
、第２図のような電子線描画と紫外線露光とを組合せた
ハイブリッド露光では、トータルとしてスルーブットが
向上しうる。
をパタン状に照射して現像することにより、ネガ型一ポ
ジ型のハイブリッドパタン形成が可能となる。ここで、
高エネルギー線描画と紫外ａ露光の順を入れ換えても、
同様のハイブリッドパタン形戊が可能であるが、高エネ
ルギー線に対する感度が低下する恐れがあり、望ましく
ない。第２図に工程例を示す。すなわち第２図は本発明
によるネガ型一ポジ型ハイブリッドパタン形成方法の１
例を示す工程図であ．って、符号６は基板、７はレジス
ト、８は高エネルギー線描画部分、９は紫外線露光部分
、ｌＯは紫外線未露光部分、１１は現像後の残しパタン
を意味する。基板６上のレジスト７に高エネルギー線に
て描画する（２−１）。そののち、紫外線をパタン状に
照射する（２−２）。高エネルギー線描画部分８と紫外
線未露光部分１０は現像後に残り、１ｌのパタンか得ら
れる（２３）。このような場合も、１ｌのパタン全面積
を電子線のみで描画すると１０の部分の描画に全描画時
間の大半を使うので、スループットが低くなる。しかし
、第２図のような電子線描画と紫外線露光とを組合せた
ハイブリッド露光では、トータルとしてスルーブットが
向上しうる。
また、このようなハイブリッド露光の特長の１つに、電
子線描画における近接効果の低減があげられる。その例
を第３図に示す。すなわち第３図は本発明による近接効
果の影響低減を示す工程図であって、符号１２は基板、
ｌ３は微細パタン、ｌ４は大パタン、ｌ５は紫外′ａ露
光部分を意味する。例えば、第３図の場合のように、大
パタンに近接する微細パタンをネガ型として残す場合、
電子線で大パタン１３と微細パタンｌ４を描画すると、
基板からの後方散乱を主とする近接効果で、１３と１４
の間隙がカブリにより抜けにくく、また、ｌ４のパタン
は太くなる傾向がある。しかし、１４を電子線でネガ型
として描画し、１５の部分を紫外線露光することにより
パタン形戊すると、そのような近接効果によるカブリが
なくなる。また例えば第４図は本発明による微小スルー
ホールの形成を示す工程図であって、符号１６は基板、
ｌ７はレジスト、ｌ８は目的のスルーホール、■９は高
エネルギー線描画部分、２０は紫外線露光部分を意味す
る。第４図のような紫外線露光では形成が困難な微小ス
ルーホールｌ８の場合でも、ハイブリッドパタン形成法
により形成できる。
子線描画における近接効果の低減があげられる。その例
を第３図に示す。すなわち第３図は本発明による近接効
果の影響低減を示す工程図であって、符号１２は基板、
ｌ３は微細パタン、ｌ４は大パタン、ｌ５は紫外′ａ露
光部分を意味する。例えば、第３図の場合のように、大
パタンに近接する微細パタンをネガ型として残す場合、
電子線で大パタン１３と微細パタンｌ４を描画すると、
基板からの後方散乱を主とする近接効果で、１３と１４
の間隙がカブリにより抜けにくく、また、ｌ４のパタン
は太くなる傾向がある。しかし、１４を電子線でネガ型
として描画し、１５の部分を紫外線露光することにより
パタン形戊すると、そのような近接効果によるカブリが
なくなる。また例えば第４図は本発明による微小スルー
ホールの形成を示す工程図であって、符号１６は基板、
ｌ７はレジスト、ｌ８は目的のスルーホール、■９は高
エネルギー線描画部分、２０は紫外線露光部分を意味す
る。第４図のような紫外線露光では形成が困難な微小ス
ルーホールｌ８の場合でも、ハイブリッドパタン形成法
により形成できる。
ポジ型−ポジ型ハイブリッドを用いる場合は、ｌ８の部
分のみ、高エネルギー線で露光すればよく、また、ネガ
型−ポジ型ハイブリッドを用いた場合は、ｌ９を高エネ
ルギー線で露光し、２０を紫外線で露光すればよい。こ
こで、２０の半径は１９の内径よりも大きく、ｌ９の外
径よりも小さいことが重要である。ネガ型一ポジ型ハイ
ブリッドの場合、電子線照射部分はホール周辺のみでよ
いので、近接効果の影響は小さく、ホール部分のカブリ
を少なくすることができる。
分のみ、高エネルギー線で露光すればよく、また、ネガ
型−ポジ型ハイブリッドを用いた場合は、ｌ９を高エネ
ルギー線で露光し、２０を紫外線で露光すればよい。こ
こで、２０の半径は１９の内径よりも大きく、ｌ９の外
径よりも小さいことが重要である。ネガ型一ポジ型ハイ
ブリッドの場合、電子線照射部分はホール周辺のみでよ
いので、近接効果の影響は小さく、ホール部分のカブリ
を少なくすることができる。
このような、ハイブリッドパタン形成方法において、高
エネルギー線露光後、紫外線露光後、などにおいて、化
学的処理や熱処理等によって、感度を増感したり、ある
いは、解像性を向上させたりすることは、なんら差支え
ない。また、本発明を汎用のポジ型フォトレジストを例
にして説明してきたが、紫外線と高エネルギー線の両者
でパタン形成を行うことができるレジスト材料であれば
、基本的にはなんら差支えない。
エネルギー線露光後、紫外線露光後、などにおいて、化
学的処理や熱処理等によって、感度を増感したり、ある
いは、解像性を向上させたりすることは、なんら差支え
ない。また、本発明を汎用のポジ型フォトレジストを例
にして説明してきたが、紫外線と高エネルギー線の両者
でパタン形成を行うことができるレジスト材料であれば
、基本的にはなんら差支えない。
以下の実施例にて本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれら実施例に限るものではない。
明はこれら実施例に限るものではない。
実施例ｌ
分子量約８，０００のノボラック樹脂７０重量部、ジア
ゾナフトキノンを５０％導入したノボラック樹脂（分子
量約１ ０ ０ ０）を感光剤として３０重量部、塗布
溶媒として酢ｆｆ２−エトキシエチルを４００重量部、
からなるレジスト溶液を、疎水処理した基板に１戸厚に
塗布し、１００℃のホットプレート上で１分間ブリベー
クした。加速電圧２０ｋＶ，露光量７０μＣ／ｃｍ２で
、孤立ラインを描画した。そののち、ＵＶアライナーで
コンタクト露光によりパタン状に紫外線を照射した。テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶
液にて現像したところ、第５図に示すようなネガ型−ポ
ジ型パイプリッドパタンを形成することができた。パタ
ン状に電子線を照射した部分はネガ型として現像後に残
膜し、電子線が照射されていない部分でかつパタン状に
紫外線を照射した部分はポジ型として現像で除去されて
いる。
ゾナフトキノンを５０％導入したノボラック樹脂（分子
量約１ ０ ０ ０）を感光剤として３０重量部、塗布
溶媒として酢ｆｆ２−エトキシエチルを４００重量部、
からなるレジスト溶液を、疎水処理した基板に１戸厚に
塗布し、１００℃のホットプレート上で１分間ブリベー
クした。加速電圧２０ｋＶ，露光量７０μＣ／ｃｍ２で
、孤立ラインを描画した。そののち、ＵＶアライナーで
コンタクト露光によりパタン状に紫外線を照射した。テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶
液にて現像したところ、第５図に示すようなネガ型−ポ
ジ型パイプリッドパタンを形成することができた。パタ
ン状に電子線を照射した部分はネガ型として現像後に残
膜し、電子線が照射されていない部分でかつパタン状に
紫外線を照射した部分はポジ型として現像で除去されて
いる。
すなわち第５図は、本発明によるネガ型−ポジ型パイプ
リッドバクンの１例の走査電子顕微鏡写真である。第５
図において、左下から右上に向う明るい線が電子線によ
り形成されたネガ型パタンであり、その他は紫外線によ
り形成されたポジ型パタンである。
リッドバクンの１例の走査電子顕微鏡写真である。第５
図において、左下から右上に向う明るい線が電子線によ
り形成されたネガ型パタンであり、その他は紫外線によ
り形成されたポジ型パタンである。
実施例２
シップレー社のマイクロポジットＭ Ｐ ２４００を、
疎水処理した基板に０．４Ｑ厚に塗布し、１００℃のホ
ットプレート上で１分間プリベークした。２ ６ ０
ＫｅＶのＢｅ”＋の集東イ才ンピームを用いて、露光量
５Ｘ１０′３イオン／ｃｍ２で孤立ラインを露光し、そ
ののち、ＵＶアライナーでコンタクト露光によりパタン
状に紫外線を照射した。ＴＭＡＨ水溶液にて現像したと
ころ、実施例ｌと同様なネガ型−ポジ型ハイブリッドパ
タンを形成することができた。
疎水処理した基板に０．４Ｑ厚に塗布し、１００℃のホ
ットプレート上で１分間プリベークした。２ ６ ０
ＫｅＶのＢｅ”＋の集東イ才ンピームを用いて、露光量
５Ｘ１０′３イオン／ｃｍ２で孤立ラインを露光し、そ
ののち、ＵＶアライナーでコンタクト露光によりパタン
状に紫外線を照射した。ＴＭＡＨ水溶液にて現像したと
ころ、実施例ｌと同様なネガ型−ポジ型ハイブリッドパ
タンを形成することができた。
実施例３
才一リンハント社のＷＸ２４２レジストを、疎水処理し
た基板に１／／ＩＩ１厚に塗布し、１００℃のホットプ
レート上で１分間ブリベークした。
た基板に１／／ＩＩ１厚に塗布し、１００℃のホットプ
レート上で１分間ブリベークした。
加速電圧２ ０ ｋＶ， 露光量４ ０ ｔｔ Ｃ／ｃ
ｍ２で、孤立ラインを描画した。そののち、Ｕｖアライ
ナーでコンタクト露光によりパタン状に紫外線を照射し
た。ＴＭＡＨ水溶液にて現像したところ、電子線描画部
分も紫外線露光部分も共に除去された、ポジ型一ポジ型
のハイブリッドパタンを形成することができた。また、
電子線描画と紫外線露光の順を入れ換えても、全く同様
なパタン形成が可能であった。
ｍ２で、孤立ラインを描画した。そののち、Ｕｖアライ
ナーでコンタクト露光によりパタン状に紫外線を照射し
た。ＴＭＡＨ水溶液にて現像したところ、電子線描画部
分も紫外線露光部分も共に除去された、ポジ型一ポジ型
のハイブリッドパタンを形成することができた。また、
電子線描画と紫外線露光の順を入れ換えても、全く同様
なパタン形成が可能であった。
実施例４
フジハント社のＰＨ６３００を、疎水処理した基板にｌ
／Ｒｎ厚に塗布し、１００℃のホットプレート上で１分
間プリベークした。加速電圧２０ｋＶ， 露光量１ ５
０ ｔ−ｘ Ｃ／ｃｍ’で、孤立ラインを描画した。
／Ｒｎ厚に塗布し、１００℃のホットプレート上で１分
間プリベークした。加速電圧２０ｋＶ， 露光量１ ５
０ ｔ−ｘ Ｃ／ｃｍ’で、孤立ラインを描画した。
そののち、ｇ線ステッパーでパタン状に紫外線を照射し
た。露光後、１２０℃のホットプレート上でｌ分間ポス
トベークを行った。
た。露光後、１２０℃のホットプレート上でｌ分間ポス
トベークを行った。
ＴＭＡＨ水溶液にて現像したところ、パタン状に電子線
を照射した部分はネガ型として現像後に残膜し、電子線
が照射されていない部分でかつパタン状に紫外線を照射
した部分はポジ型として現像で除去された、ネガ型−ポ
ジ型パイプリッドパタンを形成することができた。
を照射した部分はネガ型として現像後に残膜し、電子線
が照射されていない部分でかつパタン状に紫外線を照射
した部分はポジ型として現像で除去された、ネガ型−ポ
ジ型パイプリッドパタンを形成することができた。
以上説明したように、ハイブリッド露光により、高集積
化と高スループット化が可能となる。
化と高スループット化が可能となる。
本発明は半導体製造等における微細加工技術として極め
て有用である。
て有用である。
第１図は本発明によるポジ型一ポジ型ハイブリッドパタ
ン形成方法の１例を示す工程図、第２図は本発明による
ネガ型−ポジ型ハイブリッドパタン形成方法の１例を示
す工程図、第３図は本発明による近接効果の影響低減を
示す工程図、第４図は本発明による微小スルーホールの
形戊を示す工程図、第５図は本発明によるネガ型−ポジ
型ハイプリッドパタンのｌ例の走査電子顕微鏡写真であ
る。 １，６、１２及びｌ６：基板、２、７及び１７：レジス
ト、３、８及び１９：高エネルギー線描画部分、４、９
、ｌ５及び２０：紫外線露光部分、５：現像後の抜きパ
タン、１０：紫外線未露光部分、ｌ１：現像後の残しパ
タン、ｌ３：微細パタン、１４：大パタン、１８：目的
のスルーホール
ン形成方法の１例を示す工程図、第２図は本発明による
ネガ型−ポジ型ハイブリッドパタン形成方法の１例を示
す工程図、第３図は本発明による近接効果の影響低減を
示す工程図、第４図は本発明による微小スルーホールの
形戊を示す工程図、第５図は本発明によるネガ型−ポジ
型ハイプリッドパタンのｌ例の走査電子顕微鏡写真であ
る。 １，６、１２及びｌ６：基板、２、７及び１７：レジス
ト、３、８及び１９：高エネルギー線描画部分、４、９
、ｌ５及び２０：紫外線露光部分、５：現像後の抜きパ
タン、１０：紫外線未露光部分、ｌ１：現像後の残しパ
タン、ｌ３：微細パタン、１４：大パタン、１８：目的
のスルーホール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に塗布したレジストに、（Ａ）パタン状に高エ
ネルギー線を照射する工程、及び（Ｂ）パタン状に紫外
線を照射する工程を任意の順序で行い、その後（Ｃ）現
像する工程の各工程を包含するパタン形成方法において
、該現像工程を、パタン状に高エネルギー線を照射した
部分はネガ型として現像後に残膜し、高エネルギー線を
照射していない部分でかつパタン状に紫外線を照射した
部分はポジ型として現像で除去されるように行うことを
特徴とするパタン形成方法。 ２、基板に塗布したレジストに、（Ａ）パタン状に高エ
ネルギー線を照射する工程、及び（Ｂ）パタン状に紫外
線を照射する工程を任意の順序で行い、その後（Ｃ）現
像する工程の各工程を包含するパタン形成方法において
、該現像工程を、パタン状に高エネルギー線を照射した
部分、及びパタン状に紫外線を照射した部分が共にポジ
型として現像で除去されるように行うことを特徴とする
パタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182481A JPH0348253A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182481A JPH0348253A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | パタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348253A true JPH0348253A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16119030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182481A Pending JPH0348253A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348253A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772327A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JPS59141230A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1182481A patent/JPH0348253A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772327A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
| JPS59141230A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
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