JPH07219207A - フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07219207A JPH07219207A JP300095A JP300095A JPH07219207A JP H07219207 A JPH07219207 A JP H07219207A JP 300095 A JP300095 A JP 300095A JP 300095 A JP300095 A JP 300095A JP H07219207 A JPH07219207 A JP H07219207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- pattern
- shielding mask
- adjusting film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 近接効果を改善してキャパシタの容量を向上
させうるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 【構成】 透明な基板上に、前記基板の透光領域を限定
する四角形状の遮光性マスクパターン１１が形成されて
いる。遮光性マスクパターン１１の間にＸ軸方向に延び
る透光領域とＹ軸方向に延びる透光領域とが交叉する交
叉領域およびこの交叉領域に隣接する透光領域には透過
率調節膜パターン１０が形成されている。この透過率調
節膜パターン１０により近接効果が抑制され、マスクパ
ターンがより正確に半導体装置の基板に形成されるの
で、キャパシタの面積を広げることができる。また、半
導体装置の信頼性が向上する。
させうるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 【構成】 透明な基板上に、前記基板の透光領域を限定
する四角形状の遮光性マスクパターン１１が形成されて
いる。遮光性マスクパターン１１の間にＸ軸方向に延び
る透光領域とＹ軸方向に延びる透光領域とが交叉する交
叉領域およびこの交叉領域に隣接する透光領域には透過
率調節膜パターン１０が形成されている。この透過率調
節膜パターン１０により近接効果が抑制され、マスクパ
ターンがより正確に半導体装置の基板に形成されるの
で、キャパシタの面積を広げることができる。また、半
導体装置の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクおよびそ
の製造方法に係り、特に半導体フォトリソグラフィのマ
スクパターンの近接効果を改善してキャパシタの容量を
向上させうるフォトマスクおよびその製造方法に関す
る。
の製造方法に係り、特に半導体フォトリソグラフィのマ
スクパターンの近接効果を改善してキャパシタの容量を
向上させうるフォトマスクおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ装置の基本セルはトランジ
スタとキャパシタとに大別される。通常、前記トランジ
スタはモス（ＭＯＳ）構造を使用しており、前記キャパ
シタはさまざまな物質を順次に形成した積層構造を採用
している。また、半導体メモリ装置は１つのトランジス
タを含む高集積化されたセルを使用している。
スタとキャパシタとに大別される。通常、前記トランジ
スタはモス（ＭＯＳ）構造を使用しており、前記キャパ
シタはさまざまな物質を順次に形成した積層構造を採用
している。また、半導体メモリ装置は１つのトランジス
タを含む高集積化されたセルを使用している。
【０００３】図１は、１つのトランジスタを有する半導
体メモリ装置セルの一例を概略的に示した図面である。
図１に示すように、モストランジスタ構造ではキャパシ
タＣはソースとドレインに連結されている。半導体メモ
リ装置のうちで、特にＤＲＡＭはキャパシタンスが大き
いほどリフレッシュ性能などのさまざまな特性が向上す
るために、キャパシタンスを大きくしなければならな
い。
体メモリ装置セルの一例を概略的に示した図面である。
図１に示すように、モストランジスタ構造ではキャパシ
タＣはソースとドレインに連結されている。半導体メモ
リ装置のうちで、特にＤＲＡＭはキャパシタンスが大き
いほどリフレッシュ性能などのさまざまな特性が向上す
るために、キャパシタンスを大きくしなければならな
い。
【０００４】半導体装置に主に利用される平板キャパシ
タのキャパシタンスは、下記（１）式で表される。 Ｃ＝ε×（Ａ／ｄ） ・・・（１） 但し、Ｃはキャパシタンス、εは誘電定数、Ａは平板キ
ャパシタの表面積、ｄは平板キャパシタのギャップであ
る。
タのキャパシタンスは、下記（１）式で表される。 Ｃ＝ε×（Ａ／ｄ） ・・・（１） 但し、Ｃはキャパシタンス、εは誘電定数、Ａは平板キ
ャパシタの表面積、ｄは平板キャパシタのギャップであ
る。
【０００５】上記（１）式から判るように、キャパシタ
ンスＣを大きくするためには、誘電定数εの大きい物質
を使用したり平板キャパシタの表面積Ａを大きくしたり
すべきである。または、平板キャパシタのギャップｄを
小さくすべきである。ところが、誘電定数値の大きい物
質の使用には限界があり、平板キャパシタのギャップを
無限に小さくした場合にはパンチスルー（punch-throug
h)現象が発生して半導体装置の特性を悪化させるという
問題がある、このため、いろいろな方法でキャパシタの
表面積を広げるための努力が行われている。
ンスＣを大きくするためには、誘電定数εの大きい物質
を使用したり平板キャパシタの表面積Ａを大きくしたり
すべきである。または、平板キャパシタのギャップｄを
小さくすべきである。ところが、誘電定数値の大きい物
質の使用には限界があり、平板キャパシタのギャップを
無限に小さくした場合にはパンチスルー（punch-throug
h)現象が発生して半導体装置の特性を悪化させるという
問題がある、このため、いろいろな方法でキャパシタの
表面積を広げるための努力が行われている。
【０００６】一方、半導体基板上に前記半導体メモリ装
置のソース、ドレインおよびキャパシタを形成するため
にはそれぞれに適合したパターンの転写が必要である。
このため、半導体装置製造工程ではフォトマスクを利用
したフォトリソグラフィ技術の使用は必要不可欠であ
る。前述したフォトリソグラフィ工程は、基板上に塗布
されたフォトレジストにフォトマスクを使用してフォト
レジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジス
トパターンを利用して前記フォトレジストの下部に形成
されている下支膜を加工したのち前記フォトレジストを
除去する工程との二つに大別される。
置のソース、ドレインおよびキャパシタを形成するため
にはそれぞれに適合したパターンの転写が必要である。
このため、半導体装置製造工程ではフォトマスクを利用
したフォトリソグラフィ技術の使用は必要不可欠であ
る。前述したフォトリソグラフィ工程は、基板上に塗布
されたフォトレジストにフォトマスクを使用してフォト
レジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジス
トパターンを利用して前記フォトレジストの下部に形成
されている下支膜を加工したのち前記フォトレジストを
除去する工程との二つに大別される。
【０００７】ここで、前記フォトマスクを使用してフォ
トレジストパターンを形成する過程を図２Ａおよび図２
Ｂを使用して説明する。図２Ａは半導体基板にキャパシ
タを形成するために、転写に使用されるフォトマスクを
示した平面図である。図２Ａに示すように、フォトマス
クには四角形の遮光性マスクパターン１が規則的に形成
されている。遮光性マスクパターン１のコーナーの間の
領域は、遮光性マスクパターン１の間に縦方向および横
方向に延びる透光領域が交叉する交叉領域であり、参照
符号２で表示されている。実際の半導体装置の製造工程
では、キャパシタを形成するために遮光性マスクパター
ン１を有するフォトマスクを半導体基板に転写する工程
が行われる。
トレジストパターンを形成する過程を図２Ａおよび図２
Ｂを使用して説明する。図２Ａは半導体基板にキャパシ
タを形成するために、転写に使用されるフォトマスクを
示した平面図である。図２Ａに示すように、フォトマス
クには四角形の遮光性マスクパターン１が規則的に形成
されている。遮光性マスクパターン１のコーナーの間の
領域は、遮光性マスクパターン１の間に縦方向および横
方向に延びる透光領域が交叉する交叉領域であり、参照
符号２で表示されている。実際の半導体装置の製造工程
では、キャパシタを形成するために遮光性マスクパター
ン１を有するフォトマスクを半導体基板に転写する工程
が行われる。
【０００８】図２Ｂは、図２Ａに示したフォトマスクを
使用して露光現像工程を経て基板に遮光性マスクパター
ンが転写された時に形成されるフォトレジストパターン
を示した平面図である。図２Ｂに示すように、図２Ａに
示した遮光性マスクパターン１を転写すると長方形の遮
光性マスクパターン１のコーナーの間には近接効果が現
れる。この近接効果は前記フォトマスクに入射する紫外
線などの光の回折現象に起因するもので、紫外線がフォ
トマスクの遮光性マスクパターン１の間を通過すると光
の回折現象によりフォトレジストパターンの形が丸くな
る。また、近接効果により長円形のフォトレジストパタ
ーン３のコーナー間の距離４も広く現れる。フォトレジ
ストパターン３を蝕刻マスクとしてキャパシタ用の膜を
蝕刻すると、半導体基板に形成されるキャパシタ用の膜
パターンも同様に丸くなる。これにより、（１）式のＡ
に相当するキャパシタとして用いられる面積が狭くなる
ためキャパシタンスが減るという問題がある。
使用して露光現像工程を経て基板に遮光性マスクパター
ンが転写された時に形成されるフォトレジストパターン
を示した平面図である。図２Ｂに示すように、図２Ａに
示した遮光性マスクパターン１を転写すると長方形の遮
光性マスクパターン１のコーナーの間には近接効果が現
れる。この近接効果は前記フォトマスクに入射する紫外
線などの光の回折現象に起因するもので、紫外線がフォ
トマスクの遮光性マスクパターン１の間を通過すると光
の回折現象によりフォトレジストパターンの形が丸くな
る。また、近接効果により長円形のフォトレジストパタ
ーン３のコーナー間の距離４も広く現れる。フォトレジ
ストパターン３を蝕刻マスクとしてキャパシタ用の膜を
蝕刻すると、半導体基板に形成されるキャパシタ用の膜
パターンも同様に丸くなる。これにより、（１）式のＡ
に相当するキャパシタとして用いられる面積が狭くなる
ためキャパシタンスが減るという問題がある。
【０００９】この近接効果を更に詳細に説明するため
に、図３に示したフォトマスクを使用して露光現象をシ
ミュレーションした時のシミュレータ（SOLID:simulati
on ofoptical lithography in three dimensions)の結
果を図４および図５に示す。前記シミュレーションは、
波長λ； 0.248μm 、開口数NA；0.45、ステッパ；ＤＵ
Ｖ（Deep Ultraviolet）で行った。
に、図３に示したフォトマスクを使用して露光現象をシ
ミュレーションした時のシミュレータ（SOLID:simulati
on ofoptical lithography in three dimensions)の結
果を図４および図５に示す。前記シミュレーションは、
波長λ； 0.248μm 、開口数NA；0.45、ステッパ；ＤＵ
Ｖ（Deep Ultraviolet）で行った。
【００１０】図３は、従来のフォトマスクの一部分に対
する配置図である。図３において、基板上に四角形の遮
光性マスクパターン７が形成されており、その他の領域
は光が透過されうる透光領域である。遮光性マスクパタ
ーン７の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方向）３１＝
0.42μm 、縦方向（Ｙ軸方向）３３＝1.18μm である。
また、マスクパターンの間の距離は、横方向（Ｘ軸方
向）３２＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）３４＝0.22μ
m である。
する配置図である。図３において、基板上に四角形の遮
光性マスクパターン７が形成されており、その他の領域
は光が透過されうる透光領域である。遮光性マスクパタ
ーン７の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方向）３１＝
0.42μm 、縦方向（Ｙ軸方向）３３＝1.18μm である。
また、マスクパターンの間の距離は、横方向（Ｘ軸方
向）３２＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）３４＝0.22μ
m である。
【００１１】図３に示したフォトマスクを転写した時の
シミュレーションによる空間映像を図４に示す。図４に
示すように、特に参照符号５ａを中心とした等高線は他
の領域に比べて非常に稠密である。この等高線が稠密な
領域は転写時に光が密集される領域であり、図３に示し
た遮光性マスクパターン７の間の透光領域に対応する。
これにより、近接効果が極大化されて現れる。
シミュレーションによる空間映像を図４に示す。図４に
示すように、特に参照符号５ａを中心とした等高線は他
の領域に比べて非常に稠密である。この等高線が稠密な
領域は転写時に光が密集される領域であり、図３に示し
た遮光性マスクパターン７の間の透光領域に対応する。
これにより、近接効果が極大化されて現れる。
【００１２】図５は、図４のａ−ａ′線断面における光
強度を示した図面である。図５に示すように、図４のａ
−ａ′線断面における光の強度は均一でなく、参照符号
５で示した部分の光強度が非常に高いことが判る。参照
符号５で示した部分は図４の５ａで示した領域に対応す
る。参照符号５で示した部分は参照符号６で示した部分
のように低くなるべきだが、近接効果により高く現れて
いる。このため図２Ａの参照符号２で示した部分のよう
な遮光性マスクパターンのコーナーに影響して半導体基
板上のフォトレジストパターンが長円形に形成される。
この長円形のフォトレジストパターンを使用してキャパ
シタ用の膜を蝕刻すると、キャパシタに使用される面積
が狭くなりキャパシタンスが減るという問題がある。
強度を示した図面である。図５に示すように、図４のａ
−ａ′線断面における光の強度は均一でなく、参照符号
５で示した部分の光強度が非常に高いことが判る。参照
符号５で示した部分は図４の５ａで示した領域に対応す
る。参照符号５で示した部分は参照符号６で示した部分
のように低くなるべきだが、近接効果により高く現れて
いる。このため図２Ａの参照符号２で示した部分のよう
な遮光性マスクパターンのコーナーに影響して半導体基
板上のフォトレジストパターンが長円形に形成される。
この長円形のフォトレジストパターンを使用してキャパ
シタ用の膜を蝕刻すると、キャパシタに使用される面積
が狭くなりキャパシタンスが減るという問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、近接
効果によりフォトレジストパターンが丸くなる現象を軽
減したフォトマスクを提供することにある。本発明の他
の目的は、前記フォトマスクを製造するに適する製造方
法を提供することにある。
効果によりフォトレジストパターンが丸くなる現象を軽
減したフォトマスクを提供することにある。本発明の他
の目的は、前記フォトマスクを製造するに適する製造方
法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、透明な基板と、前記基板上に形成され前記
基板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンとを備
え、前記透光領域の一部に前記遮光性マスクパターンの
転写時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形
成されていることを特徴とするフォトマスクを提供す
る。
に本発明は、透明な基板と、前記基板上に形成され前記
基板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンとを備
え、前記透光領域の一部に前記遮光性マスクパターンの
転写時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形
成されていることを特徴とするフォトマスクを提供す
る。
【００１５】前記透過率調節膜パターンは、ＳＯＧ（sp
in-on-glass)、フォトレジスト、酸化シリコン、アルミ
ニウム（Al）、窒化シリコン、ポリシリコン、チタン
（Ti）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタング
ステン（Ｗ）からなる一群から選択されたいずれか１つ
で構成される。また、本発明は、透明な基板と、前記基
板上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を限定す
る遮光性マスクパターンとを備え、前記透光領域の交叉
領域に前記遮光性マスクパターンの転写時に近接効果を
抑制する透過率調節膜パターンが形成されていることを
特徴とするフォトマスクを提供する。
in-on-glass)、フォトレジスト、酸化シリコン、アルミ
ニウム（Al）、窒化シリコン、ポリシリコン、チタン
（Ti）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタング
ステン（Ｗ）からなる一群から選択されたいずれか１つ
で構成される。また、本発明は、透明な基板と、前記基
板上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を限定す
る遮光性マスクパターンとを備え、前記透光領域の交叉
領域に前記遮光性マスクパターンの転写時に近接効果を
抑制する透過率調節膜パターンが形成されていることを
特徴とするフォトマスクを提供する。
【００１６】前記透過率調節膜パターンは、前記交叉領
域の一部のみに形成することもできる。また、本発明
は、透明な基板と、前記基板上に四角形状に形成され前
記基板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンとを
備え、前記透光領域の交叉領域および前記交叉領域と隣
接する前記透光領域に前記遮光性マスクパターンの転写
時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形成さ
れていることを特徴とするフォトマスクを提供する。
域の一部のみに形成することもできる。また、本発明
は、透明な基板と、前記基板上に四角形状に形成され前
記基板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンとを
備え、前記透光領域の交叉領域および前記交叉領域と隣
接する前記透光領域に前記遮光性マスクパターンの転写
時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形成さ
れていることを特徴とするフォトマスクを提供する。
【００１７】また、本発明は、透明な基板と、前記基板
上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を限定する
遮光性マスクパターンとを備え、前記透光領域の交叉領
域および前記交叉領域と隣接する前記透光領域に前記四
角形状の長辺に平行に形成された第１透過率調節膜パタ
ーンと前記四角形状の長辺に垂直に形成された第２透過
率調節膜パターンとが重なって形成されており、前記第
１透過率調節膜パターンおよび前記第２透過率調節膜パ
ターンは前記遮光性マスクパターンの転写時に近接効果
を抑制することを特徴とするフォトマスクを提供する。
上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を限定する
遮光性マスクパターンとを備え、前記透光領域の交叉領
域および前記交叉領域と隣接する前記透光領域に前記四
角形状の長辺に平行に形成された第１透過率調節膜パタ
ーンと前記四角形状の長辺に垂直に形成された第２透過
率調節膜パターンとが重なって形成されており、前記第
１透過率調節膜パターンおよび前記第２透過率調節膜パ
ターンは前記遮光性マスクパターンの転写時に近接効果
を抑制することを特徴とするフォトマスクを提供する。
【００１８】また、前記他の目的を達成するために本発
明は、透明な基板上に前記基板の透光領域を限定する遮
光性マスクパターンを形成する段階と、前記遮光性マス
クパターンおよび前記基板上に透過率調節膜を形成する
段階と、前記透過率調節膜をパターニングして前記遮光
性マスクパターンの間に透過率調節膜パターンを形成す
る段階とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方
法を提供する。
明は、透明な基板上に前記基板の透光領域を限定する遮
光性マスクパターンを形成する段階と、前記遮光性マス
クパターンおよび前記基板上に透過率調節膜を形成する
段階と、前記透過率調節膜をパターニングして前記遮光
性マスクパターンの間に透過率調節膜パターンを形成す
る段階とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方
法を提供する。
【００１９】また、本発明は、透明な基板上に前記基板
の透光領域を限定する遮光性マスクパターンを形成する
段階と、前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上に
蝕刻阻止膜を形成する段階と、前記蝕刻阻止膜上に透過
率調節膜を形成する段階と、前記蝕刻阻止膜と前記透過
率調節膜とをパターニングして、前記遮光性マスクパタ
ーンの間の前記基板上に蝕刻阻止膜パターンと前記蝕刻
阻止膜パターン上に透過率調節膜パターンとを形成する
段階とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法
を提供する。
の透光領域を限定する遮光性マスクパターンを形成する
段階と、前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上に
蝕刻阻止膜を形成する段階と、前記蝕刻阻止膜上に透過
率調節膜を形成する段階と、前記蝕刻阻止膜と前記透過
率調節膜とをパターニングして、前記遮光性マスクパタ
ーンの間の前記基板上に蝕刻阻止膜パターンと前記蝕刻
阻止膜パターン上に透過率調節膜パターンとを形成する
段階とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法
を提供する。
【００２０】前記蝕刻阻止膜はＳＯＧ、酸化シリコンお
よび窒化シリコンからなる一群から選択されたいずれか
１つで形成することができ、前記透過率調節膜パターン
は、アルミニウム（Al）、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）からなる一群から選択されたいずれか１つで
形成することができる。
よび窒化シリコンからなる一群から選択されたいずれか
１つで形成することができ、前記透過率調節膜パターン
は、アルミニウム（Al）、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）からなる一群から選択されたいずれか１つで
形成することができる。
【００２１】さらに、本発明は、透明な基板上に前記基
板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンを形成す
る段階と、前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上
にフォトレジストを塗布する段階と、前記フォトレジス
トをパターニングして前記透光領域を露出させる段階
と、前記基板全面にわたって透過率調節膜を形成する段
階と、前記遮光性マスクパターンの間にリフトオフ方法
を使用して透過率調節膜パターンを形成する段階とを含
むことを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供す
る。
板の透光領域を限定する遮光性マスクパターンを形成す
る段階と、前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上
にフォトレジストを塗布する段階と、前記フォトレジス
トをパターニングして前記透光領域を露出させる段階
と、前記基板全面にわたって透過率調節膜を形成する段
階と、前記遮光性マスクパターンの間にリフトオフ方法
を使用して透過率調節膜パターンを形成する段階とを含
むことを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供す
る。
【００２２】
【作用】本発明によると、遮光性マスクパターンにより
限定された透光領域の交叉領域およびその隣接部に透過
率調節膜パターンを形成して近接効果を抑制するため
に、マスクパターンが正確に半導体装置の基板に形成さ
れキャパシタの面積を広げるだけでなく、半導体装置の
信頼性を向上させる。
限定された透光領域の交叉領域およびその隣接部に透過
率調節膜パターンを形成して近接効果を抑制するため
に、マスクパターンが正確に半導体装置の基板に形成さ
れキャパシタの面積を広げるだけでなく、半導体装置の
信頼性を向上させる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて更に詳細に説明
する。本発明によるフォトマスクを使用してシミュレー
ションをした場合のシミュレータ(SOLID：simulation o
f optical lithography in three dimensions)の結果を
次の実施例を通じて説明する。
する。本発明によるフォトマスクを使用してシミュレー
ションをした場合のシミュレータ(SOLID：simulation o
f optical lithography in three dimensions)の結果を
次の実施例を通じて説明する。
【００２４】前記シミュレーションは、波長λ； 0.248
μm 、開口数NA；0.45、ステッパ；ＤＵＶ（Deep Ultra
violet）、透過率調節膜の透過率；５０％で行った。 （第１実施例）本発明の第１実施例を図６〜図８に示
す。図６は、本発明の第１実施例によるフォトマスクの
一部分を示す配置図である。
μm 、開口数NA；0.45、ステッパ；ＤＵＶ（Deep Ultra
violet）、透過率調節膜の透過率；５０％で行った。 （第１実施例）本発明の第１実施例を図６〜図８に示
す。図６は、本発明の第１実施例によるフォトマスクの
一部分を示す配置図である。
【００２５】図６に示すように、透光領域を限定する遮
光性マスクパターン１１が四角形に形成されており、前
記透光領域の交叉領域およびこの交叉領域に隣接した透
光領域に透過率調節膜パターン１０が形成されている。
透過率調節膜パターン１０は各遮光性マスクパターン１
１のコーナーを満たしながらＹ軸方向へ一定した大きさ
で形成されており、前記遮光性マスクパターン１１の基
板への転写時に光の強度を調節して近接効果を抑制す
る。透過率調節膜パターン１０の大きさ、形、配置はさ
まざまな形態に調節することができ、これにより透過率
も０〜１００％の間で自由に調節できる。
光性マスクパターン１１が四角形に形成されており、前
記透光領域の交叉領域およびこの交叉領域に隣接した透
光領域に透過率調節膜パターン１０が形成されている。
透過率調節膜パターン１０は各遮光性マスクパターン１
１のコーナーを満たしながらＹ軸方向へ一定した大きさ
で形成されており、前記遮光性マスクパターン１１の基
板への転写時に光の強度を調節して近接効果を抑制す
る。透過率調節膜パターン１０の大きさ、形、配置はさ
まざまな形態に調節することができ、これにより透過率
も０〜１００％の間で自由に調節できる。
【００２６】透過率調節膜パターン１０の大きさは、四
角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方
向）＝0.66μm である。また、遮光性マスクパターン１
１の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.42μm
、縦方向（Ｙ軸方向）＝1.18μm であり、遮光性マス
クパターン１１のパターンの間の距離は、横方向（Ｘ軸
方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.22μm であ
る。
角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方
向）＝0.66μm である。また、遮光性マスクパターン１
１の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.42μm
、縦方向（Ｙ軸方向）＝1.18μm であり、遮光性マス
クパターン１１のパターンの間の距離は、横方向（Ｘ軸
方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.22μm であ
る。
【００２７】図７は、図６に示したフォトマスクを転写
した時のシミュレーションによる空間映像を示した平面
図である。図７に示すように、参照符号１３ａを中心と
した等高線は図４と比べて稠密でないことが判る。この
等高線が稠密でない領域は図６に示した遮光性マスクパ
ターン１１の間の透光領域の交叉領域に対応する領域で
あり、転写時に光が密集しすぎることなく近接効果が抑
制されていることを示す。
した時のシミュレーションによる空間映像を示した平面
図である。図７に示すように、参照符号１３ａを中心と
した等高線は図４と比べて稠密でないことが判る。この
等高線が稠密でない領域は図６に示した遮光性マスクパ
ターン１１の間の透光領域の交叉領域に対応する領域で
あり、転写時に光が密集しすぎることなく近接効果が抑
制されていることを示す。
【００２８】図８は、図７のｂ−ｂ′線断面における光
強度を示した図面である。図８に示すように、従来のマ
スクの透光領域の交叉領域に対応する部分の光強度（図
５の参照符号５で示した部分）に比べて、参照符号１３
で表示した部分の光強度は著しく低くなっていることが
分かる。また、参照符号１３で示した部分と図５の参照
符号６で示した部分との光強度の差が少なくなるため
に、本発明によるマスクを使用してフォトレジストパタ
ーンを形成すると近接効果を抑制することができる。
強度を示した図面である。図８に示すように、従来のマ
スクの透光領域の交叉領域に対応する部分の光強度（図
５の参照符号５で示した部分）に比べて、参照符号１３
で表示した部分の光強度は著しく低くなっていることが
分かる。また、参照符号１３で示した部分と図５の参照
符号６で示した部分との光強度の差が少なくなるため
に、本発明によるマスクを使用してフォトレジストパタ
ーンを形成すると近接効果を抑制することができる。
【００２９】（第２実施例）本発明の第２実施例を図９
〜図１１に示す。図９は本発明の第２実施例によるフォ
トマスクの一部分を示す配置図である。図９に示すよう
に、透光領域を限定する遮光性マスクパターン１５が四
角形に形成されており、前記透光領域の交叉領域に透過
率調節膜パターン１４が形成されている。透過率調節膜
パターン１４は各遮光性マスクパターン１５のコーナー
を満たすように形成されて近接効果を抑制する。透過率
調節膜パターン１４は前記交叉領域の一部のみに形成す
ることもでき、この時は透過率調節膜の透過率を調節し
て近接効果を抑制する。
〜図１１に示す。図９は本発明の第２実施例によるフォ
トマスクの一部分を示す配置図である。図９に示すよう
に、透光領域を限定する遮光性マスクパターン１５が四
角形に形成されており、前記透光領域の交叉領域に透過
率調節膜パターン１４が形成されている。透過率調節膜
パターン１４は各遮光性マスクパターン１５のコーナー
を満たすように形成されて近接効果を抑制する。透過率
調節膜パターン１４は前記交叉領域の一部のみに形成す
ることもでき、この時は透過率調節膜の透過率を調節し
て近接効果を抑制する。
【００３０】透過率調節膜パターン１４の大きさは、横
方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.
22μm である。また、遮光性マスクパターン１５の大き
さおよびパターンの間の距離は第１実施例と同様であ
る。図１０は、図９に示したフォトマスクを転写した際
のシミュレーションによる空間映像を示した平面図であ
る。
方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.
22μm である。また、遮光性マスクパターン１５の大き
さおよびパターンの間の距離は第１実施例と同様であ
る。図１０は、図９に示したフォトマスクを転写した際
のシミュレーションによる空間映像を示した平面図であ
る。
【００３１】図１０に示すように、参照符号１６ａで示
した部分を中心とした等高線は前記図４と比べて稠密で
ないことが判る。この等高線が稠密でない領域は図９に
示した遮光性マスクパターン１５の間の透光領域の交叉
領域に対応する領域であり、転写時に光が密集しすぎる
ことなく近接効果が抑制されていることを示す。図１１
は、図１０のｃ−ｃ′線断面における光強度を示した図
面である。
した部分を中心とした等高線は前記図４と比べて稠密で
ないことが判る。この等高線が稠密でない領域は図９に
示した遮光性マスクパターン１５の間の透光領域の交叉
領域に対応する領域であり、転写時に光が密集しすぎる
ことなく近接効果が抑制されていることを示す。図１１
は、図１０のｃ−ｃ′線断面における光強度を示した図
面である。
【００３２】図１１に示すように、従来のフォトマスク
透光領域の交叉領域に対応する部分の光強度（図５の参
照符号５で示した部分）に比べて、参照符号１６で示し
た部分の光強度は著しく低くなっていることが判る。ま
た、参照符号１６で示した部分と図５の参照符号６で示
した部分との光強度の差が少なくなるため、本発明によ
るフォトマスクを使用してフォトレジストパターンを形
成すると近接効果を軽減することができる。
透光領域の交叉領域に対応する部分の光強度（図５の参
照符号５で示した部分）に比べて、参照符号１６で示し
た部分の光強度は著しく低くなっていることが判る。ま
た、参照符号１６で示した部分と図５の参照符号６で示
した部分との光強度の差が少なくなるため、本発明によ
るフォトマスクを使用してフォトレジストパターンを形
成すると近接効果を軽減することができる。
【００３３】（第３実施例）本発明の第３実施例を図１
２〜図１４に示す。図１２は、本発明の第３実施例によ
るフォトマスクの一部分を示す配置図である。図１２に
示すように、透光領域を限定する遮光性マスクパターン
２０が四角形に形成されており、前記透光領域の交叉領
域およびこの交叉領域に隣接した透光領域に第１透過率
調節膜パターン１７および第２透過率調節膜パターン１
８が形成されている。第１透過率調節膜パターン１７お
よび第２透過率調節膜パターン１８は各遮光性マスクパ
ターン２０のコーナーを満たすように形成され、各コー
ナーに、Ｙ軸方向に長くＸ軸方向に短い第１透過率調節
膜パターン１７と、Ｙ軸方向に短くＸ軸方向に長い第２
透過率調節膜パターン１８とが重なって形成されてい
る。
２〜図１４に示す。図１２は、本発明の第３実施例によ
るフォトマスクの一部分を示す配置図である。図１２に
示すように、透光領域を限定する遮光性マスクパターン
２０が四角形に形成されており、前記透光領域の交叉領
域およびこの交叉領域に隣接した透光領域に第１透過率
調節膜パターン１７および第２透過率調節膜パターン１
８が形成されている。第１透過率調節膜パターン１７お
よび第２透過率調節膜パターン１８は各遮光性マスクパ
ターン２０のコーナーを満たすように形成され、各コー
ナーに、Ｙ軸方向に長くＸ軸方向に短い第１透過率調節
膜パターン１７と、Ｙ軸方向に短くＸ軸方向に長い第２
透過率調節膜パターン１８とが重なって形成されてい
る。
【００３４】第１透過率調節膜パターン１７の大きさ
は、四角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向
（Ｙ軸方向）＝0.42μm である。また、第２透過率調節
膜パターン１８の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方
向）＝0.48μm で、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.22μm であ
る。遮光性マスクパターン２０の大きさおよびパターン
の間の間隔は第１実施例と同様である。
は、四角形の横方向（Ｘ軸方向）＝0.28μm 、縦方向
（Ｙ軸方向）＝0.42μm である。また、第２透過率調節
膜パターン１８の大きさは、四角形の横方向（Ｘ軸方
向）＝0.48μm で、縦方向（Ｙ軸方向）＝0.22μm であ
る。遮光性マスクパターン２０の大きさおよびパターン
の間の間隔は第１実施例と同様である。
【００３５】図１３は、図１２に示したフォトマスクを
転写した時のシミュレーションによる空間映像を示した
平面図である。図１３に示すように、参照符号１９ａで
示した部分を中心とした等高線は図４と比べて稠密でな
いことが判る。この等高線が稠密でない領域は、図１２
に示した遮光性マスクパターン２０の間の透光領域の交
叉領域に対応する領域であり、転写時に光が密集しすぎ
ることなく近接効果が抑制されていることを示す。
転写した時のシミュレーションによる空間映像を示した
平面図である。図１３に示すように、参照符号１９ａで
示した部分を中心とした等高線は図４と比べて稠密でな
いことが判る。この等高線が稠密でない領域は、図１２
に示した遮光性マスクパターン２０の間の透光領域の交
叉領域に対応する領域であり、転写時に光が密集しすぎ
ることなく近接効果が抑制されていることを示す。
【００３６】図１４は図１３のｄ−ｄ′線断面における
光強度を示した図面である。図１４に示すように、従来
のフォトマスク透光領域の交叉領域に対応する部分の光
強度（図５の参照符号５で示した部分）に比べて、参照
符号１９で示した部分の光強度は著しく低くなっている
ことが判る。また、参照符号１９で示した部分と図５の
参照符号６で示した部分との光強度の差が少なくなるた
め、本発明によるフォトマスクを使用してフォトレジス
トパターンを形成すると近接効果を軽減することができ
る。
光強度を示した図面である。図１４に示すように、従来
のフォトマスク透光領域の交叉領域に対応する部分の光
強度（図５の参照符号５で示した部分）に比べて、参照
符号１９で示した部分の光強度は著しく低くなっている
ことが判る。また、参照符号１９で示した部分と図５の
参照符号６で示した部分との光強度の差が少なくなるた
め、本発明によるフォトマスクを使用してフォトレジス
トパターンを形成すると近接効果を軽減することができ
る。
【００３７】以下、本発明の第１実施例に示したフォト
マスクの製造方法を第４〜第６実施例により説明する。 （第４実施例）本発明の第４実施例を図１５に示す。図
１５Ａ〜図１５Ｄは、第１実施例のフォトマスクの一製
造方法を順に示した断面図である。
マスクの製造方法を第４〜第６実施例により説明する。 （第４実施例）本発明の第４実施例を図１５に示す。図
１５Ａ〜図１５Ｄは、第１実施例のフォトマスクの一製
造方法を順に示した断面図である。
【００３８】図１５Ａは、透明な基板１００上に遮光性
マスクパターン１０１を形成する段階を示す。まず、基
板１００上に遮光性物質層を形成する。この遮光性物質
層は光を遮断する役割を果たす物質を使用し、本実施例
ではクロムを使用する。次に、前述した遮光性物質層上
にフォトレジスト（図示せず）を塗布したのちに、電子
ビームを使用して露光し、現像してフォトレジストパタ
ーンを形成した後、前記遮光性物質層を異方性蝕刻して
遮光性マスクパターン１０１を形成し、続いて前記のフ
ォトレジストを除去する。
マスクパターン１０１を形成する段階を示す。まず、基
板１００上に遮光性物質層を形成する。この遮光性物質
層は光を遮断する役割を果たす物質を使用し、本実施例
ではクロムを使用する。次に、前述した遮光性物質層上
にフォトレジスト（図示せず）を塗布したのちに、電子
ビームを使用して露光し、現像してフォトレジストパタ
ーンを形成した後、前記遮光性物質層を異方性蝕刻して
遮光性マスクパターン１０１を形成し、続いて前記のフ
ォトレジストを除去する。
【００３９】図１５Ｂは、前記遮光性物質層上に透過率
調節膜１０２を形成する段階を示す。図１５Ｂに示すよ
うに、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上
に透過率調節膜１０２を形成する。透過率調節膜１０２
は、ＳＯＧ、フォトレジスト、酸化シリコン、アルミニ
ウム（Al）、窒化シリコン、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）などの物質で形成する。
調節膜１０２を形成する段階を示す。図１５Ｂに示すよ
うに、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上
に透過率調節膜１０２を形成する。透過率調節膜１０２
は、ＳＯＧ、フォトレジスト、酸化シリコン、アルミニ
ウム（Al）、窒化シリコン、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）などの物質で形成する。
【００４０】図１５Ｃは、透過率調節膜１０２をパター
ニングするために、フォトレジストパターンを形成する
段階を示す。図１５Ｃに示すように、透過率調節膜１０
２上にフォトレジストを塗布した後、電子ビームで露光
し現像してフォトレジストパターン１０３ａ、１０３ｂ
を形成する。フォトレジストパターン１０３ａ、１０３
ｂは遮光性マスクパターン１０１の間の上部に形成され
る。
ニングするために、フォトレジストパターンを形成する
段階を示す。図１５Ｃに示すように、透過率調節膜１０
２上にフォトレジストを塗布した後、電子ビームで露光
し現像してフォトレジストパターン１０３ａ、１０３ｂ
を形成する。フォトレジストパターン１０３ａ、１０３
ｂは遮光性マスクパターン１０１の間の上部に形成され
る。
【００４１】図１５Ｄは、遮光性マスクパターン１０１
の間に透過率調節膜パターン１０２ａ、１０２ｂを形成
する段階を示す。図１５Ｄに示すように、フォトレジス
トパターン１０３ａ、１０３ｂを蝕刻マスクとして透過
率調節膜１０２を蝕刻して透過率調節膜パターン１０２
ａ、１０２ｂを形成し、本発明によるフォトマスクを完
成する。
の間に透過率調節膜パターン１０２ａ、１０２ｂを形成
する段階を示す。図１５Ｄに示すように、フォトレジス
トパターン１０３ａ、１０３ｂを蝕刻マスクとして透過
率調節膜１０２を蝕刻して透過率調節膜パターン１０２
ａ、１０２ｂを形成し、本発明によるフォトマスクを完
成する。
【００４２】（第５実施例）本発明の第５実施例を図１
６に示す。図１６Ａ〜図１６Ｄは、第１実施例のフォト
マスクの他の製造方法を順に示した断面図である。図１
６Ａは、遮光性マスクパターン１０１および基板１００
上に蝕刻阻止膜１０４を形成する段階を示す。
６に示す。図１６Ａ〜図１６Ｄは、第１実施例のフォト
マスクの他の製造方法を順に示した断面図である。図１
６Ａは、遮光性マスクパターン１０１および基板１００
上に蝕刻阻止膜１０４を形成する段階を示す。
【００４３】まず、第４実施例と同様の方法で基板１０
０上に遮光性マスクパターン１０１を形成する。次い
で、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上に
蝕刻阻止膜１０４を形成する。蝕刻阻止膜１０４は、後
工程で形成される透過率調節膜の蝕刻の際に遮光性マス
クパターン１０１が蝕刻されることを阻止するために用
いられる。蝕刻阻止膜１０４は、例えば透過率調節膜が
アルミニウムまたはクロムなどの金属から形成される場
合にはＳＯＧ、酸化シリコンおよび窒化シリコンなどで
形成することができる。
０上に遮光性マスクパターン１０１を形成する。次い
で、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上に
蝕刻阻止膜１０４を形成する。蝕刻阻止膜１０４は、後
工程で形成される透過率調節膜の蝕刻の際に遮光性マス
クパターン１０１が蝕刻されることを阻止するために用
いられる。蝕刻阻止膜１０４は、例えば透過率調節膜が
アルミニウムまたはクロムなどの金属から形成される場
合にはＳＯＧ、酸化シリコンおよび窒化シリコンなどで
形成することができる。
【００４４】図１６Ｂは、蝕刻阻止膜１０４上に透過率
調節膜１０５を形成する段階を示す。蝕刻阻止膜１０４
上に、アルミニウム（Al）、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）などの物質からなる透過率調節膜１０５を形
成する。
調節膜１０５を形成する段階を示す。蝕刻阻止膜１０４
上に、アルミニウム（Al）、ポリシリコン、チタン（T
i）、窒化チタン（TiN)、クロム（Cr）およびタングス
テン（Ｗ）などの物質からなる透過率調節膜１０５を形
成する。
【００４５】図１６Ｃは、透過率調節膜１０５および蝕
刻阻止膜１０４をパターニングするためにフォトレジス
トパターン１０６ａ、１０６ｂを形成する段階を示す。
図１６Ｃに示すように、透過率調節膜１０５上にフォト
レジストを塗布した後、電子ビームで露光し現像してフ
ォトレジストパターン１０６ａ、１０６ｂを形成する。
フォトレジストパターン１０６ａ、１０６ｂは遮光性マ
スクパターン１０１の間の上部に形成される。
刻阻止膜１０４をパターニングするためにフォトレジス
トパターン１０６ａ、１０６ｂを形成する段階を示す。
図１６Ｃに示すように、透過率調節膜１０５上にフォト
レジストを塗布した後、電子ビームで露光し現像してフ
ォトレジストパターン１０６ａ、１０６ｂを形成する。
フォトレジストパターン１０６ａ、１０６ｂは遮光性マ
スクパターン１０１の間の上部に形成される。
【００４６】図１６Ｄは、遮光性マスクパターン１０１
の間に透過率調節膜パターン１０５ａ、１０５ｂを形成
する段階を示す。図１６Ｄに示すように、フォトレジス
トパターン１０６ａ、１０６ｂを蝕刻マスクとして透過
率調節膜１０５を蝕刻する。これにより、蝕刻阻止膜１
０４の上部に透過率調節膜パターン１０５ａ、１０５ｂ
が形成され、本発明のフォトマスクが形成される。
の間に透過率調節膜パターン１０５ａ、１０５ｂを形成
する段階を示す。図１６Ｄに示すように、フォトレジス
トパターン１０６ａ、１０６ｂを蝕刻マスクとして透過
率調節膜１０５を蝕刻する。これにより、蝕刻阻止膜１
０４の上部に透過率調節膜パターン１０５ａ、１０５ｂ
が形成され、本発明のフォトマスクが形成される。
【００４７】（第６実施例）本発明の第６実施例を図１
７に示す。図１７Ａ〜図１７Ｄは、第１実施例のフォト
マスクのさらに他の製造方法を順に示した断面図であ
る。図１７Ａは、遮光性マスクパターン１０１および基
板１００上にフォトレジスト１０７を塗布する段階を示
す。
７に示す。図１７Ａ〜図１７Ｄは、第１実施例のフォト
マスクのさらに他の製造方法を順に示した断面図であ
る。図１７Ａは、遮光性マスクパターン１０１および基
板１００上にフォトレジスト１０７を塗布する段階を示
す。
【００４８】まず、第４実施例と同様の方法で基板１０
０上に遮光性マスクパターン１０１を形成する。次い
で、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上に
フォトレジスト１０７を塗布する。図１７Ｂは、フォト
レジスト１０７をパターニングする段階を示す。図１７
Ｂに示すように、電子ビームを使用してフォトレジスト
１０７を露光し現像してフォトレジストパターン１０７
ａ、１０７ｂ、１０７ｃを形成する。フォトレジストパ
ターン１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃは遮光性マスクパ
ターン１０１の上部のみに形成される。
０上に遮光性マスクパターン１０１を形成する。次い
で、遮光性マスクパターン１０１および基板１００上に
フォトレジスト１０７を塗布する。図１７Ｂは、フォト
レジスト１０７をパターニングする段階を示す。図１７
Ｂに示すように、電子ビームを使用してフォトレジスト
１０７を露光し現像してフォトレジストパターン１０７
ａ、１０７ｂ、１０７ｃを形成する。フォトレジストパ
ターン１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃは遮光性マスクパ
ターン１０１の上部のみに形成される。
【００４９】図１７Ｃは、図１７Ｂの段階で得られた結
果物上に透過率調節膜１０８を形成する段階を示す。図
１７Ｃに示すように、図１７Ｂの段階で得られた結果物
の上部に透過率調節膜１０８を形成する。透過率調節膜
１０８は第４実施例および第５実施例で使用した物質と
同一の物質を使用して形成する。
果物上に透過率調節膜１０８を形成する段階を示す。図
１７Ｃに示すように、図１７Ｂの段階で得られた結果物
の上部に透過率調節膜１０８を形成する。透過率調節膜
１０８は第４実施例および第５実施例で使用した物質と
同一の物質を使用して形成する。
【００５０】図１７Ｄは、透過率調節膜パターン１０８
ａ、１０８ｂを形成する段階を示す。図１７Ｄに示すよ
うに、図１７Ｃの段階で得られた結果物にリフトオフ方
法を使用して透過率調節膜パターン１０８ａ、１０８ｂ
を形成して本発明によるフォトマスクを製造する。
ａ、１０８ｂを形成する段階を示す。図１７Ｄに示すよ
うに、図１７Ｃの段階で得られた結果物にリフトオフ方
法を使用して透過率調節膜パターン１０８ａ、１０８ｂ
を形成して本発明によるフォトマスクを製造する。
【００５１】
【効果】本発明によると、遮光性マスクパターンのコー
ナーおよびパターンの間に透過率調節膜パターンを形成
して近接効果を抑制するので、マスクパターンが正確に
半導体装置の基板に形成されキャパシタ面積を広げるだ
けでなく、半導体装置の信頼性を向上させる効果があ
る。
ナーおよびパターンの間に透過率調節膜パターンを形成
して近接効果を抑制するので、マスクパターンが正確に
半導体装置の基板に形成されキャパシタ面積を広げるだ
けでなく、半導体装置の信頼性を向上させる効果があ
る。
【００５２】また、マスクパターンを同様に基板に転写
すると、基板の効率的な使用と共に高集積化による微細
パターンの形成も可能になる。なお、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、本発明の思想を逸脱しな
い範囲内において種々の改変をなし得る。
すると、基板の効率的な使用と共に高集積化による微細
パターンの形成も可能になる。なお、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、本発明の思想を逸脱しな
い範囲内において種々の改変をなし得る。
【図１】１つのトランジスタを有する半導体メモリ装置
のセルの一例を示す回路図である。
のセルの一例を示す回路図である。
【図２】図２Ａは従来のフォトマスクを示す平面図、図
２Ｂは図２Ａに示したフォトマスクを転写した際のフォ
トレジストパターンを示す平面図である。
２Ｂは図２Ａに示したフォトマスクを転写した際のフォ
トレジストパターンを示す平面図である。
【図３】従来のフォトマスクの一部分を示す配置図であ
る。
る。
【図４】図３に示した遮光性マスクパターンにより形成
されるシミュレーションによる空間映像を示した平面図
である。
されるシミュレーションによる空間映像を示した平面図
である。
【図５】図４のａ−ａ′線断面における光強度を示した
図面である。
図面である。
【図６】本発明の第１実施例によるフォトマスクの一部
分を示す配置図である。
分を示す配置図である。
【図７】図６に示した遮光性マスクパターンにより形成
されるシミュレーションによる空間映像を示した平面図
である。
されるシミュレーションによる空間映像を示した平面図
である。
【図８】図４のｂ−ｂ′線断面における光強度を示した
図面である。
図面である。
【図９】本発明の第２実施例によるフォトマスクの一部
分を示す配置図である。
分を示す配置図である。
【図１０】図９に示した遮光性マスクパターンにより形
成されるシミュレーションによる空間映像を示した平面
図である。
成されるシミュレーションによる空間映像を示した平面
図である。
【図１１】図１０のｃ−ｃ′線断面における光強度を示
した図面である。
した図面である。
【図１２】本発明の第３実施例によるフォトマスクの一
部分を示す配置図である。
部分を示す配置図である。
【図１３】図１２に示した遮光性マスクパターンにより
形成されるシミュレーションによる空間映像を示した平
面図である。
形成されるシミュレーションによる空間映像を示した平
面図である。
【図１４】図１３のｄ−ｄ′線断面における光強度を示
した図面である。
した図面である。
【図１５】図１５Ａ〜図１５Ｄは、図６に示したフォト
マスクの一製造方法を示した断面図である。
マスクの一製造方法を示した断面図である。
【図１６】図１６Ａ〜図１６Ｄは、図６に示したフォト
マスクの他の製造方法を示した断面図である。
マスクの他の製造方法を示した断面図である。
【図１７】図１７Ａ〜図１７Ｄは、図６に示したフォト
マスクのさらに他の製造方法を示す断面図である。
マスクのさらに他の製造方法を示す断面図である。
１０ 透過率調節膜パターン １１ 遮光性マスクパターン １４ 透過率調節膜パターン １５ 遮光性マスクパターン １７ 第１透過率調節膜パターン １８ 第２透過率調節膜パターン ２０ 遮光性マスクパターン １００ 基板 １０１ 遮光性マスクパターン １０２ 透過率調節膜 １０２ａ、１０２ｂ 透過率調節膜パターン １０３ａ、１０３ｂ フォトレジストパターン １０４ 蝕刻阻止膜 １０５ 透過率調節膜 １０５ａ、１０５ｂ 透過率調節膜パターン １０６ａ、１０６ｂ フォトレジストパターン １０７ フォトレジスト １０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ フォトレジストパ
ターン １０８ 透過率調節膜 １０８ａ、１０８ｂ 透過率調節膜パターン
ターン １０８ 透過率調節膜 １０８ａ、１０８ｂ 透過率調節膜パターン
Claims (11)
- 【請求項１】 透明な基板と、 前記基板上に形成され前記基板の透光領域を限定する遮
光性マスクパターンとを備え、 前記透光領域の一部に前記遮光性マスクパターンの転写
時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形成さ
れていることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記透過率調節膜パターンは、ＳＯＧ、
フォトレジスト、酸化シリコン、アルミニウム、窒化シ
リコン、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、クロムお
よびタングステンからなる一群から選択されたいずれか
１つで構成されたことを特徴とする請求項１項記載のフ
ォトマスク。 - 【請求項３】 透明な基板と、 前記基板上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を
限定する遮光性マスクパターンとを備え、 前記透光領域の交叉領域に前記遮光性マスクパターンの
転写時に近接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形
成されていることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 前記透過率調節膜パターンは、前記交叉
領域の一部のみに形成されていることを特徴とする請求
項３項記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 透明な基板と、 前記基板上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を
限定する遮光性マスクパターンとを備え、 前記透光領域の交叉領域および前記交叉領域と隣接する
前記透光領域に前記遮光性マスクパターンの転写時に近
接効果を抑制する透過率調節膜パターンが形成されてい
ることを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項６】 透明な基板と、 前記基板上に四角形状に形成され前記基板の透光領域を
限定する遮光性マスクパターンとを備え、 前記透光領域の交叉領域および前記交叉領域と隣接する
前記透光領域に前記四角形状の長辺に平行に形成された
第１透過率調節膜パターンと前記四角形状の長辺に垂直
に形成された第２透過率調節膜パターンとが重なって形
成されており、前記第１透過率調節膜パターンおよび前
記第２透過率調節膜パターンは前記遮光性マスクパター
ンの転写時に近接効果を抑制することを特徴とするフォ
トマスク。 - 【請求項７】 透明な基板上に前記基板の透光領域を限
定する遮光性マスクパターンを形成する段階と、 前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上に透過率調
節膜を形成する段階と、 前記透過率調節膜をパターニングして前記遮光性マスク
パターンの間に透過率調節膜パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項８】 透明な基板上に前記基板の透光領域を限
定する遮光性マスクパターンを形成する段階と、 前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上に蝕刻阻止
膜を形成する段階と、 前記蝕刻阻止膜上に透過率調節膜を形成する段階と、 前記蝕刻阻止膜と前記透過率調節膜とをパターニングし
て前記遮光性マスクパターンの間の前記基板上に蝕刻阻
止膜パターンと前記蝕刻阻止膜パターン上に透過率調節
膜パターンとを形成する段階とを含むことを特徴とする
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項９】 前記蝕刻阻止膜はＳＯＧ、酸化シリコン
および窒化シリコンからなる一群から選択されたいずれ
か１つで形成することを特徴とする請求項８項記載のフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項１０】 前記透過率調節膜パターンは、アルミ
ニウム、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、クロムお
よびタングステンからなる一群から選択されたいずれか
１つで形成することを特徴とする請求項８項記載のフォ
トマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 透明な基板上に前記基板の透光領域を
限定する遮光性マスクパターンを形成する段階と、 前記遮光性マスクパターンおよび前記基板上にフォトレ
ジストを塗布する段階と、 前記フォトレジストをパターニングして前記透光領域を
露出させる段階と、 前記基板全面にわたって透過率調節膜を形成する段階
と、 前記遮光性マスクパターンの間にリフトオフ方法を使用
して透過率調節膜パターンを形成する段階とを含むこと
を特徴とするフォトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994P2310 | 1994-02-07 | ||
| KR1019940002310A KR0138297B1 (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 포토 마스크 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219207A true JPH07219207A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=19376972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP300095A Pending JPH07219207A (ja) | 1994-02-07 | 1995-01-12 | フォトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5725973A (ja) |
| EP (1) | EP0666503B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07219207A (ja) |
| KR (1) | KR0138297B1 (ja) |
| CN (1) | CN1088525C (ja) |
| DE (1) | DE69518345T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7771902B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297692A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法 |
| KR0161437B1 (ko) * | 1995-09-19 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
| JP3431387B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2003-07-28 | 株式会社東芝 | 露光強度分布表示方法とマスクパターン編集装置 |
| US6120942A (en) * | 1997-02-18 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method for making a photomask with multiple absorption levels |
| US6078738A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
| KR100298192B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2002-01-17 | 박종섭 | 포토바이어스개선을위한포토마스크 |
| KR100283408B1 (ko) * | 1998-01-21 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체용마스크 |
| KR100303799B1 (ko) * | 1998-03-19 | 2001-11-30 | 황인길 | 반도체소자용마스크패턴 |
| JP3367460B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2003-01-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法およびこれに用いるフォトマスク |
| TW497165B (en) * | 1999-06-30 | 2002-08-01 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US6258490B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Transmission control mask utilized to reduce foreshortening effects |
| US6465138B1 (en) * | 1999-08-19 | 2002-10-15 | William Stanton | Method for designing and making photolithographic reticle, reticle, and photolithographic process |
| US6844118B2 (en) | 1999-08-19 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method and layout for high density reticle |
| US6682861B2 (en) | 1999-09-30 | 2004-01-27 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for phase shift photomask plasma etching |
| US6472107B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for photomask plasma etching |
| US6569574B2 (en) | 1999-10-18 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools |
| US6294295B1 (en) | 2000-03-06 | 2001-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Variable transmittance phase shifter to compensate for side lobe problem on rim type attenuating phase shifting masks |
| US6465139B1 (en) * | 2000-06-05 | 2002-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask pattern for defining a floating gate region |
| JP2002341513A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| DE10126130A1 (de) * | 2001-05-29 | 2002-12-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Kontaktlöchern |
| KR100438433B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-07-03 | 삼성전자주식회사 | 피디에이 겸용 디지털 카메라 통신 휴대 장치 |
| US6835504B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-12-28 | Macronix International Co., Ltd. | Photomask with illumination control over patterns having varying structural densities |
| JP4361248B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-11-11 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US6887629B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Radiation-patterning tool |
| US7049034B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-05-23 | Photronics, Inc. | Photomask having an internal substantially transparent etch stop layer |
| US7141338B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-11-28 | Infineon Technologies Ag | Sub-resolution sized assist features |
| US6933084B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Photronics, Inc. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
| US7074525B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-07-11 | Infineon Technologies Ag | Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns |
| US7118833B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-10-10 | Flipchip International, Llc | Forming partial-depth features in polymer film |
| US7582394B2 (en) * | 2003-10-06 | 2009-09-01 | Panasonic Corporation | Photomask and method for forming pattern |
| US7560197B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern data producing method, patterning method, reticle correcting method, reticle manufacturing method, and semiconductor apparatus manufacturing method |
| US20060051681A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Phototronics, Inc. 15 Secor Road P.O. Box 5226 Brookfield, Conecticut | Method of repairing a photomask having an internal etch stop layer |
| US20060157898A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | International Business Machines Corporation | Imprint reference template for multilayer or multipattern registration and method therefor |
| KR100746625B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 높은 빔 컨트라스트를 나타내는 포토마스크 및 그제조방법과, 이를 이용한 노광방법 |
| CN101446758B (zh) * | 2007-11-28 | 2011-05-11 | 中国科学院微电子研究所 | 改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法 |
| KR100976791B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-08-19 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| US7939225B2 (en) * | 2008-01-09 | 2011-05-10 | Macronix International Co., Ltd. | Mask for controlling line end shortening and corner rounding arising from proximity effects |
| CN103631095B (zh) * | 2013-12-05 | 2015-11-25 | 中山新诺科技有限公司 | 一种拼贴法制备单片集成电容触摸屏的动态电子掩膜板系统 |
| CN103616804B (zh) * | 2013-12-05 | 2015-09-02 | 中山新诺科技有限公司 | 一种拼贴法制备单片集成电容触摸屏的动态掩膜板系统 |
| CN104752169B (zh) * | 2013-12-30 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜图形的形成方法 |
| TWI604267B (zh) * | 2014-12-17 | 2017-11-01 | Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 |
| CN109143774A (zh) * | 2018-07-18 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜板及金属线的制作方法 |
| CN114815520B (zh) * | 2022-04-27 | 2024-12-17 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种用于opc模型验证的参数自动寻优方法及系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
| US5208124A (en) * | 1991-03-19 | 1993-05-04 | Hewlett-Packard Company | Method of making a mask for proximity effect correction in projection lithography |
| JPH0534897A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 光学マスク及びその製造方法 |
| US5382483A (en) * | 1992-01-13 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Self-aligned phase-shifting mask |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002310A patent/KR0138297B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-09 EP EP95300104A patent/EP0666503B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-01-09 DE DE69518345T patent/DE69518345T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-10 CN CN95101151A patent/CN1088525C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-12 JP JP300095A patent/JPH07219207A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-16 US US08/632,834 patent/US5725973A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7771902B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Photomask, fabrication method for the same and pattern formation method using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0666503B1 (en) | 2000-08-16 |
| KR0138297B1 (ko) | 1998-06-01 |
| KR950025858A (ko) | 1995-09-18 |
| US5725973A (en) | 1998-03-10 |
| CN1121189A (zh) | 1996-04-24 |
| CN1088525C (zh) | 2002-07-31 |
| EP0666503A1 (en) | 1995-08-09 |
| DE69518345T2 (de) | 2001-01-25 |
| DE69518345D1 (de) | 2000-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07219207A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JP2862183B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| JP3518275B2 (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| US5496666A (en) | Contact hole mask for semiconductor fabrication | |
| JPH04136854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100285006B1 (ko) | 노광에사용되는포토마스크및그생산방법 | |
| KR100223325B1 (ko) | 반도체 장치의 미세패턴 제조방법 | |
| JPH075675A (ja) | マスク及びその製造方法 | |
| KR100399444B1 (ko) | 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 | |
| JP2003524201A (ja) | 半導体デバイス形態を製造するための新規なクロムレス交互レチクル | |
| JP2002287326A (ja) | 半導体素子製造のための位相反転マスク及びその製造方法 | |
| US6432588B1 (en) | Method of forming an improved attenuated phase-shifting photomask | |
| JPS63216052A (ja) | 露光方法 | |
| JP2923905B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH08106151A (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0815848A (ja) | フォトレチクル | |
| JP3417939B2 (ja) | マスク及びマスクを用いたパターン形成方法 | |
| JP3215394B2 (ja) | 電極配線導通孔の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04194939A (ja) | マスク形成方法およびパターン形成方法 | |
| JPH0829963A (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 | |
| JPH0371133A (ja) | 半導体装置用マスク | |
| JP3322837B2 (ja) | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 | |
| JPH09213609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3238921B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO1998002782A1 (en) | Sidelobe suppressing attenuated phase-shifting mask |