JPH03501311A - テープ自動結合に使用される熱放散相互接続テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 テープ自動結合に使用される 熱放散相互接続テープ 本発明は、テープを使用した自動的なボンディング、即ちテープ自動結合（以下 にＴＡＢと称する）、に使用される改良された熱放散相互接続テープに関する。

半導体材料によって構成された集積回路は、寸法、動作速度および回路密度の点 で増大されてきている。このような電子デバイスの実装技術即ちパッケージング がこれらの改良に見合っていなければならない。電子部品のパッケージが適用さ れねばならない２つの領域（ａｒｅａ）は、チップに於ける結合位置の数の増大 を支える即ちサポートするため、又、寸法および回路密度の増大に伴って出力が 増大されるのを助成するためである。

高まってきた回路密度をアドレスする１つの方法は、従来のワイヤーボンディン グ、即ち結合線による接続の代わりにＴＡＢを使用することである。ＴＡＢは結 合線による接続で達成されるであろうよりも、半導体ダイ上での相互接続のため の結合パッドの間隔を一層狭めることを可能にする。このＴ　Ａ　Ｂ技術の一般 的な説明は、トム・ディクソンによる“ＴＡＢ技術は高密疫の接続に取り組んで いる”　（ＴＡＢ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｔａｃｋｌｅｓ　ＨｉｇｈＤｅｎｓ ｉｔｙ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　）と題された論文に記載されており 、該論文はエレクトロニツクバツケージン　と年１２月号の第３４〜３９頁に見 られる。

ＴＡＢには３つの一般的な形態がある。第１の形態は単一層即ち全てが金属で作 られた構造であり；第２の形態は金属層とポリイミドのような誘電性の支持層を 備えた２層構造であり：そして第３の形態は金属層がカプトン（にＡＰＴＯＮ） 　（商品名）ポリイミドのような誘電材に接着された３層構造である。更に、こ れらのそれぞれの構造に関する詳細は前述したディクソンの論文を参照すること によって得ることができる。

ＴＡＢの接続は一般に半導体ダイから外方へ延在されるように配置された複数の 狭いリード線を含み、内側リード部分は半導体ダイの接触パッドに結合されるよ うに、又、外側リード部分は所望されるリードフレーム、回路基板等に対して結 合されるようになされる。単一層の形態の場合は、金属フレームが細長いリード 線を支持する。

これに対して、２層構造又は３層構造の形態では、ポリイミド基体がリード線を 支持するのである。

ＴＡＢ・の工程には、先ず最初に°ｒＡＢテープの内側リード部分を半導体デバ イスに結合し、これに続いてテープフレームもしくは支持基体からリード線を切 り取り、その外側リード部分を所望のリードフレーム、パッケージ回路又はプリ ント回路に対して望み通りに結合する段階が含まれる。ＴＡＢのリード線は銅箔 のような金属箔で形成されており、又、比較的薄く、典型的には約、０１２７Ｊ ｌｌ〜約、１５２ＮＲ（，０ｏｏ５インチ〜約、００６インチ）の厚さとされて いる。このＴＡＢ箔の薄さが、相互接続部をより一層接近して配置可能にし、こ れにより半導体チップでの高密度の相互接続を可能にしているのである。

ＴＡＢテープは、バンブ（ｂｕ＋＋＋ｐ）を形成されることも、バンブを形成さ れないこともできる。バンブはチップから機械的に隔離させるものとして一部作 用する。バンブを形成されていないテープは、ＴＡＢリード線の内側リード部分 とチップとの間で所望の加熱圧縮結合を行うために半導体チップにバンブを形成 することを必要とする。

バンブの形成されたテープは、ウェハーにバンブを形成する必要性を無くし、又 、Ｔ　Ａ　Ｂの相互リード結合部分が直接的に任意の半導体ダイの結合パッドに 対して結合できるようにする。バンブを形成されたテープは通常は、ダイに対し て接続されるべき位置に配置された銅の突出バンブを有しているのである。この バンブは、望まれるならば金、錫、又はニッケルのような適当なメッキで被覆さ れる。

電子部品のパッケージを適用することが望まれる第２の領域は、熱放散である。

電子部品のパッケージングに於いて熱放散が必要となることの一般的な説明は、 エレクトロニックパッケージングと製造の１９８４年４月号、第１０４〜１０９ 頁に見られるアーネル・アール・ウィンクラ−（Ｅｒｎｅｌ　Ｒ，１４ｉｎｋｌ ｅｒ　）による“将来のパッケージに於ける熱伝達はＰＣＢ設計に影響を及ぼす ”（ＦｕｔｕｒｅＰａｃｋａｇｅ’ｓ　Ｈｅａｔ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｗｉｌｌ 　Ａｆｆｅｃｔ　ＰＣＢ［ＩＣ５１ｇｎ５　）と題する論文、および、ソリッド ステートチク／ロン−（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の１ ９８６年６月号、第１１９〜１２３頁に見られるチャールス・ジェーーハートレ ット（Ｃｈａｒｌｅｓ　Ｊ、Ｂａｒｔｌｅｔｔ）による“ＶＬＳＩのための進ん だパッケージング″（ＡｄｖａｎｃｅｄＰａｃｋａｇｉｎｇ　Ｆｏｒ　ＶＬＳＩ ）と題する論文、に見出すことができる。

電子部品のパッケージを設計する上でのキーとなる内容はチップ温度を最大許容 値に制限することである。電流がチップを流れる際、その＠流は成る量の抵抗を 受ける。この抵抗が熱を発生させるのである。チップの回路数が多ければ多いほ ど、熱の発生が増大することになる。

又、チップ温度が１０℃だけ上４することでチップの寿命が典型的に約５０％も 短縮されてしまうことが知られている。理想的にはチップ温度は約８５℃以下に 維持されるべきである。

バートレットは、チップの動作温度を決定するファクターの値を定める幾つかの 公式を与えている。チップの接合湿度は、チップが発生する出力からパッケージ によって放散される熱を差し引いた関数となる。熱放散には本質的に３つの径路 がある。即ち、チップのベースを通しての伝導、リード線を通しての伝導、およ びチップ表面からの伝導、対流および輻射による径路である。

殆ど全ての半導体デバイスは、半導体チップの一方の面に回路が配置されている 。チップは通常はシリコンであるが、ゲルマニウム又はガリウム砒素の使用も知 られている。この表面に所望の集積回路を形成するために様様な物理的および化 学的な処理が使用される。その回路に電流が流れると、熱が発生する。その熱を 除去するために多くの異なる機構が提案されてきた。例えば、バット（Ｂｕｔｔ ）に付与された米国特許明細書筒４，４１０゜９２７号はパッケージベースにヒ ートシンクが組み付けられた幾つかの電子部品のパッケージの例を示している。

スビネリ（Ｓｐｉｎｅｌｉ　）その他に付与された米国特許明細書筒４．３８５ ．２０２号は半導体パッケージが取付けられることになる基板にプリント回路基 板を示している。

そのＥ１路基板を通してヒートシンク手段が走っている。

ウィンクラ−による上述の論文は幾つかのヒートシンク手段を示している。

共通の機構が上述したヒートシンク方法を通じて走っている。全てはパッケージ ベースと半導体デバイスとの境界面にもしくはその下方位置に配置されたヒート シンクによって構成されている。電気的な動作面に熱が発生すると、その熱がデ バイスから持ち去られるためにヒートシンクに到達する迄に半導体チップと普通 は基体材料との厚さ部分を通過するためには、成る限られた時間が必要であり、 熱は半導体ダイの動作面から空気の対流を通じて除去される。対流による熱放散 を改善するために、強制空気が使用されてきた。同様に空気の代わりにガスが使 用されてきた。例えば、１９８３年７月号のサイアンティック・アメリカン（Ｓ ｃｉｅｎｔｉｃ　ＡｍｅｒｉＣａｎ　）　、第８６〜９６真に記載されたアルバ ート・ジェー・プロジェット・ジュニア　（Ａｌｂｅｒｔ　Ｊ、Ｂｌｏｄｇｅｔ ｔ、Ｊｒ、　）による“マイクロエレクトロニック・パッケージング（Ｈｉｃｒ ｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｏ　）と題する論文は、空気よりも対 流熱伝達効率の高いヘリウムの使用を示している。

リード線は伝導ヒートシンクとして使用されてきた。

タキアー（Ｔａｋｉａｒ）その他に付与された米国特許用細組第４．６８４，９ ７５号は金属テープのリード線を示しており、そのリード線は結合パッドから内 方へ向けて延在されて半導体デバイスの中央部分から熱を除去するようになされ ている。

熱放散を改善するための更に他の手段がバットに付与された米国特許明細書筒４ ．５２４．２３８号に丞されている。これに於いては、パッケージの蓋がチップ と直接に接触されるか、或いは伝熱ばねが蓋から延在されてチップと接触するよ うになされている。その他の熱放散の方法がパッドに付与された米国特許明細書 筒４，６０７．２７６号に記載されている。これに於いては、ばね装置がパッケ ージのベースに固定され、半導体デバイスの接地接点として働くようになされて いる。又、このばねＳ！置はチップをパッケージ蓋に対して押し付けて、熱放散 の径路を形成するようになっている。

テープ自動結合（ＴＡＢ）のためのテープの製造は良く知られている。又、バー ンズ（Ｂｕｒｎｓ　）に付与された米国特許明細書箱４，２０９，３５５号およ びガルスキー　（Ｇｕｒｓｋｙ）に付与された米国特許明細書箱４．２３４゜６ ６６号に示されている。高密度パッケージのためのＴＡＢの相互接続テープの利 点はディクソンによる前述した論文に良く記載されている。

本発明の目的は、相互接続テープおよび電子部品のパッケージング技術を提供し 、これにより相互接続部の数を増大できるように、又、それに応じて増大する発 生熱を熱放散の有効な手段によって除去できるようにすること、である。

本発明の１つの利点は、チップの発熱面に接触する熱放散手段を適用することで ある。

本発明の他の利点は、相互接続テープに組み込まれる、且つ又、リード線とは熱 的に隔絶される熱放散手段を提供することである。

本発明の他の利点は、ＴＡＢパッケージングの熱放散を改善するために相互接続 テープを使用することである。

本発明の更に他の目的は、ＴＡＢテープの使用のために、モールド成形されたプ ラスチック製の電子部品パッケージに於ける熱放散を改善することである。

従って、テープ自動結合に使用するために半導体チップの発熱面に熱放散パッド を配置した相互接続テープが提供されるのである。この相互接続テープは、少な くとも１つの導電性ストリップと、少なくとも１つのリード線クラスターを含ん でいて、自由端部がクラスターの中央に向かって突出されるとともに、反対側の 端部は前記ストリップで支持されているようなストリップ上の少なくとも１つの リード線パターンと、前記リード線の自由端部から間隔を隔てられ且つ中心に配 置された熱放散パッドと、前記熱放散パッドから外方へ延在され、導電性ストリ ップに固定されている少なくとも１つの支持部材とを有して構成されている。

他の実施例に於いては、熱放散パッドはリードパターンを有するＴＡＢテープの 要素ではなく、寧ろ第２のテープから形成される。この第２のテープはＴＡＢも しくは結合線によりチップの結合が行われるよりも先に又は後に、半導体チップ の発熱面に位置決めされる。

これらの並びにその他の目的は、以下の説明および図面から明白となろう。図面 に於いて、則し部材は同じ符号を付されており、基準となる数即ちプライム数又 はそれから派生した数即ちマルチプライム数は同様な機能を果たす同様部材で構 成されている。

図面の簡単な説明 第１図は従来技術で知られているような相互接続テープの概略的な図面： 第２図は半導体パッケージのベースにヒートシンク手段を組み付けた電子部品の パッケージの概略的な図面：第３図は本発明による相互接続テープの概略的な図 面；第４Ａ図はリード線に関する熱放散パッドの位置を示す好ましい実施例の横 断面図： 第４Ｂ図はリード線に関する熱放散パッドの位置を示す第２の実施例の横断面図 ： 第５図はリード線および半導体デバイスに対する熱放散パッドの関係を示す相互 接続テープの概略図：第６図は熱放散パッドに取付けられた熱放散フィンを示す 実施例の概略図： 第７図は第６図の線６−６に沿う横断面図であって、熱放散パッド上のフィンの 位置を示す横断面図；第８図は熱放散パッドによって生じる熱応力を低減する方 法の概略図； 第９図は熱放散パッドによって生じる熱応力を低減する方法の第８図の線８−８ に沿う横断面図；第１０Ａ図は本発明の好ましい実施例を組み込んだＴＡＢパッ ケージの横断面図： 第１０Ｂ図は本発明の他の実施例を組み込んだＴＡＢパッケージの横断面図； 第１１図は本発明を使用するモールド成形されたプラスチックパッケージの概略 図； 第１２図は本発明を使用するプラスチックパッケージの他の実施例；そして 第１３図はバンプを形成されたＴＡＢリード線を備えた実施例の横断面図である 。

第１４図は熱放散パッドを移動して位置決めするためのリード線の無いテープの 概略図である。

第１５図は半導体リード線との接触を阻止する熱放散パッドのダウンセットの横 断面図である。

第１図は従来技術を示している。相互接続テープ１０ｔま複数のり−ドａｉｉを 備えており、これらのリード線は電子デバイス、典型的には半導体ダイ、に接続 するための内側端部１２と、リードフレームに接続するための外端部１５と、又 は、外部と接触を行う他の方法と、を有している。良く知られている方法に従っ て半導体チップに自動結合するために相互接続テープを整合させるために、割り 出し孔１６が使用されている。リード線は通常は非常の幅が狭く、相互接続を高 密度で行なえるようにしている。リード線は組み立ての間に変形できるようにな されている。曲がりを防止するために、リード線を真っ直ぐにするのにタイバー １４がしばしば使用される。

タイバーは、従来のＴＡＢ技術によれば相互接続テープで形成され、或いはその 代わりに図示しないが重合材リングで形成されている。半導体パッケージに対し て相互接続テープが一度所定位置に位置決めされると、リード線は例えば切断も しくはスタンピング動作によってテープキャリヤから分離される。更に、タイバ ーがリード線から除去されるのである。

第２図は、半導体デバイスから熱を除去するための１つの方法を使用した半導体 デバイスを収容するように適用された従来技術の電子部品パッケージを示してい る。

グイとしても知られている半導体デバイス１７は、パッケージベース１８および パッケージカバー２０で構成された電子部品パッケージに内蔵されている。熱は 、パッケージベースを通り、ヒートシンク１９を経て、又、チップ面を通り、パ ッケージ内部にシールされている空気２１内の対流によって、除去される。

パッケージベースは通常は、熱膨張係数が半導体デバイス、例えば酸化アルミニ ウムや合金４２、の熱膨張係数と等しいセラミックや金属材料で作られている。

ベース材料は通常は伝熱性が悪い。ヒートシンクは通常は銅やアルミニウムのよ うな熱伝導率の高い材料で作られる。

ヒートシンク材料は通常は半導体デバイスよりも格段に大きな熱膨張係数を有し ているので、そのデバイスは通常はヒートシンクに対して直接に取付けられるこ とはない。

第３図は本発明で請求されている相互接続テープ１０′の概略図である。少なく とも１つの導電性ストリップ２２は、リードＩ！１１の少なくとも１つのクラス ターを含む少なくとも１つのリードパターンをストリップに有している。リード 線１１は、クラスターの中央に向がって突出する自由端部１２と、ストリップに よって支持されている反対端部１５とを有している。熱放散パッド２３は前記リ ード線の内側端部１２から間隔を隔てて中央に配置されている。少なくとも１つ 支持部材２４がタイバー１４により所定位置に保持されている熱放散パッドから 外方へ延在されている。

本発明によれば、リード線１１、熱放散パッド２３および支持部材２４は全てが 同じ導電性ストリップ２２がら作られている。このストリップは熱伝導率が比較 的大きな成形可能な材料、例えば銅や銅ベースの合金、で一般に作られる。スト リップの厚さ範囲は約２．５４ａｍ（約０．０１インチ）迄であり、約、０１２ ７ａ１１〜約、１５２ｍ（約、０００５インチ〜約、００６インチ）とされるの が好ましい。相互接続テープは金属又は金属合金の単一層とされるか、或いは多 層積層構造とされることができる。積層構造は、少なくとも１つの電気的絶縁層 に結合された少なくとも１つの導電性の層を有する。

リードパターン１１、熱放散パッドおよび支持部材２４は、選択的な化学的腐食 や写真リソグラフィーのような既知の方法によって形成される。相互接続テープ が固体鋼のような均−質であるならば、タイバー１４は同じ方法で形成される。

形成された部分はそれを取り囲む導電性のストリップ２２によって支持される。

一度リードが半導体デバイスに結合されたなら・ば、Ｓ、を性ストリップおよび タイバーはスタンピングか同等方法によって切り取られる。

相互接続テープ１０′が積層構造、例えば２つの銅の層が１つの絶縁性のポリイ ミドの層によって離隔されている３つの層の積層構造、或いは同じ３つの層が接 着剤の層によって互いに接合されている５層構造であるならば、リード線は１つ の銅の層から形成され、熱放散パッドおよび支持部材は第２の銅の層から形成さ れる。リード線がポリイミドの層によって支持されているならば、タイバーは必 要ない。リード線は半導体ダイに結合され、導電性ストリップは取り外される。

上述にて説明したように、テープパッケージのリード線は熱を半導体デバイスの 電気的動作面から伝導するのに使用されてきた。熱はエネルギーの１つの形態で あり、熱放散部材を形成する原子によって吸収される。リード線の原子が熱を吸 収すると、原子核を回る電子がより一層煽動される。原子核の回りの撮動が増大 すると、影響された即ち偏向された自由電子の個数は茗しく増大し、リード線の ｓ電率は低下される。熱放散パッドはリード線を通る熱伝導を最少限に抑えてリ ード線の８１電率を維持するように設計されている。

２つの支持フィンガー２４′は熱放散パッドおよび半導体デバイスから熱を伝導 によって除去するように働く。

熱は支持フィンガーから電子部品のパッケージのボディーに伝導され、或いは以 下に説明するように外部ヒートシンクや外部空気に伝えられるのである。支持フ ィンガーの面積を広くすればするほど、支持フィンガーの伝熱機能は高められる のである。伝熱を最大限とするために、隣接リード線の間の利用空間を占めるよ うに支持フィンガーが膨張できるようにされる。

第３図は導電性の材料で作られたストリップを供給するための連続ウェブを示し ている。ＴＡＢ回路もまた幾つかのリードパターンのスティックの形態で供給さ れる。

或いは、単一リードパターン部分としてスライドのようなキャリヤで供給される 。

第４Ａ図は好ましい実施例の横断面図である。Ｓ電性ストリップは均−質の銅又 は銅合金のような伝熱性の比較的高い材料の単一層とされる。この材料がリード 線１１並びに熱放散パッドに形成される。

第４Ｂ図に示される他の好ましい実施例では、リード＄１１１’　および熱放散 パッド２３′は複数の層を積層した構造２５に於ける異なる層から作られる。第 １の銅もしくは銅ベース合金の層１１′および第２の銅もしくは銅ベース合金の 層２３′は非導電性の層２６によって隔離されている。第１の銅もしくは銅ベー ス合金の層は選択的な写真エツチングや写真リソグラフィーのような既知技術に よってリード線に形成され、第２の銅の層は同様な即ち等価の方法によって熱放 散パッドに形成される。

第５図は好ましい実施例に於ける熱放散パッド２３の概略図であり、この熱放散 パッド２３は電子デバイス１７の電気的動作面に隣接配置されている。この電気 的動作面は、通常はドーピングのような熱反応によって電子回路が挿入された半 導体デバイスの面である。内側リード部分１２は電気的動作結合部分２７にて終 端しており、又、超音波結合、圧縮結合或いは熱圧縮結合のような適当なリード 線結合方法によってチップに取付けられている。

支持フィンガー２４は適当な結合手段の何れかによってパッケージベース部材２ ９に結合されている。この結合手段には、半田付け、溶接、単純な機械的接触、 或いは支持手段を固定位置で且つベース部材に対して比較的密に接近させて保持 することのできるその他の方法、の何れもが含まれるのである。

熱放散パッドの熱放散機能は熱拡散部材として支持手段を組み込むことによって 更に一層改善されることができる。支持手段２４′は装置のような１つの拡散部 材を示している。支持部材の表面積を拡げることによって、より一層大量の熱を 周囲のパッケージに伝えることが可能となる。支持部材の寸法および形状はパッ ケージの寸法並びにリード線の位置によってのみ制限される。支持手段はリード 線から電気的に絶縁状態に保持されるのが好ましい。

熱拡散部材をパッケージ内部に制限する意図は本願明細書には全て無い。２４″ は可能とされる実施例を示している。これに於いては、支持手段はパッケージの 境界を超えて延在している。支持手段の外側端部は対流によって又は“伝導によ って外部ヒートシンク（図示せず）に熱放散することができるのである。

第６図は本発明の他の実施例を示している。熱放散パッド２３″はそれに固定さ れて外方に延在された熱放散フィン３５を有している。

フィンは幾つかの灘能を果たしている。第１に、熱放散パッドの有効表面積を増 大し、対流によって放散される熱量を増大している。又、フィンは熱放散パッド から外方へ延在している。強制空気流が半導体デバイスの表面を横断して流され 、フィンに当たって熱伝達を有効に増大させる。

第７図は線６−６に沿う横断面図にて熱放散フィンの位置決めを示している。フ ィンベース４１は半田付けやエポキシ剤による接着のような従来の手段によって 熱放散パッド２３に結合されている。フィンベースは連続とされたり、穿孔され ることができる。穿孔されたフィンベース４１′は以下に説明するようにフィン および熱放散パッドによって増大された半導体チップの応力を低減させるのに有 効である。

フィンは非結合縁３９を横断して平面３７とされるか、或いは鋸歯３７′とされ ることができる。組み合わせることによってフィンの表面積を増大することは熱 除去を改善することになる。１つ又はそれ以上の数のフィンが配置され得るが、 その個数および間隔は半導体デバイスの熱放散に関する要求条件に応じて変化さ れるのである。

大半の材料は加熱されると膨張する。膨張率は材料に応じて決り、又、各材料は 定められた熱膨張係数を有している。銅や銅合金のような高い熱伝導率を有する 材料で作られるのが好ましい熱放散パッドは、半導体デバイスよりも大幅に大き な熱膨張係数を有する可能性が強い。

このような熱膨張の組み合わせの悪さは電子デバイスに望ましくない応力を発生 させてしまうのである。第８図に示すように応力解放部材を熱放散パッド２３″ の内部に挿入するのが本発明の実施例である。この応力解放装置は一連の孔４４ の形態をなしている。これらの孔は丸くされる必要がない。寧ろ、何れかの形状 が応力解放に最も有効となる。複数の孔で形成されるあらゆるパターンが備えら れ得る。第９図は第８図の線８−８に沿う熱放散パッドの横断面図である。応力 解放孔を形成する手段は当技術分野で知られている。１つの方法は選択的な化学 的腐食である。これらの孔は熱放散パッドの全厚さを通して延在されないことが 好ましい。熱放散パッド２３“′を通る伝導によって生じる熱放散は孔４４を通 る対流によるよりも有効である。

第１０Ａ図は電子部材を収容するようになされたテープパッケージの中に組み入 れられた本発明による熱放散ＴＡＢテープの概略図である。このパッケージはベ ースプレート２９と、該ベース部材に結合されたカバ一部材２０とを含み、電子 デバイス１７を収容する適当な框体を作り上げている。ベース部材は、コバール （ＫＯＶＡＲ）（商品名）や合金４２のような電子デバイスの熱膨張係数に近い 熱膨張係数を有する材料、或いは銅や銅ベース合金のような＾い熱膨張係数を有 する材料とされる。相互接続テープはベース部材とカバ一部材との間に配置され る。ベース部材およびカバ一部材は適当な絶縁材によって互いに結合され、外側 リード部分１５がパッケージ部材と同様に互いからも電気的に隔離されるように なされる。気密パッケージを形成するのに適当な材料はシーリングガラスである 。気密であることが要求されない場合には、熱硬化および熱可塑性の重合樹脂で 構成される群から選択された重合材、例えばエポキシ、が選ばれるのである。

外側リード部分はベースやカバーを通り、或いはそれに沿った位置にて終端する ことができ、外部との電気的な隔離および接触が維持されるようになされる。図 示していない方法でセラミックベース部材に沿って位置された導電性パッドにて リード線を終端させている。パッドは導電径路の終端となる。これらの径路はセ ラミックベース部材を通してリード線或いはプリント回路に接続される。リード 線がベース／カバーの境界面を通過しないのであれば、ベースは例えば金属半田 のようなｓ電性材料によってカバーに対して結合される。

ＴＡＢテープは内側リード端部１２を有し、この端部は電子デバイスの結合部分 に接続される。外側リード部分１５は電子パッケージを超えて延在され、プリン ト回路基板又は他の電子デバイスに対して接続されるようになされる。熱放散デ バイス２３は接着剤４７によって半導体チップに固定される。

接着剤はあらゆる適当な熱伝導材料とされることができる。電子デバイスと熱放 パッドとの間の熱膨張係数の不釣合いによって生じる応力は、電子デバイスに伝 えられるのではなく接着剤によって吸収されるのである。

第２の考慮すべき点は接着剤の電気的特性である。電子回路は一般に電子デバイ スの表面に配置される。この回路を通して流れる電流が熱を発生し、この熱は熱 放散パッドによって除去される。熱放散効率は、熱放散パッドが発熱面に直接に 接触されるならば改善される。回路から電流が熱放散パッドに漏洩して電気的な 短絡回路が形成されるならば、装置の動作に有害となる。接着剤は高い誘電定数 を有していなければならない。これに代えて、不動態層を使用することができる 。半導体工業界では不動態層を半導体デバイスの表面に付与することが知られて いる。この不動態層４６は一般に半導体デバイスの製造者によって付与されるの であり、例えば二酸化シリコンのような非導電性材料の薄い層でできている。こ の不動態層が動作結合部分２７を除いてチップの全面をカバーするのである。動 作結合部分２７は図示したように隆起されるか、或いは以下に説明するように平 面とされる。不動Ｂ層の厚さは非常に薄く、熱放散パッドの有効性が阻害される ことはない。

不動態層が電子デバイスの動作面に付与されるならば、その接着剤は伺れかの比 較的伝熱性の良い変形可能でしなやかな接着剤とされる。接着剤の弾性係数を低 く抑えて、電子デバイスに応力を伝達するのを阻止するようにしなければならな い。適当な接着剤の幾つかの例は、シリコン、或いは銀や銅の粉末金属を充填さ れた接着剤、である。この接着剤は一般に熱放散パッドに較べて熱の有効な伝導 性に劣るので、接着剤の層の厚さを極力薄く保持することが一般に望まれる。こ の接着剤は普通は空気より良好な伝熱部材であり、空間の無い接着剤の層が熱放 散パッドのチップ境界面を全体的に覆うことが望まれるのである。

他の実施例が第１０Ｂ図に示されている。第１０Ａ図に於けるのと同様に、カバ 一部材２ｏはベース部材２９に結合され、リードフレーム１°１′がカバ一部材 とベース部材との間に配置されている。このカバーは適当なシール剤によってベ ース部材に結合されている。しかしながら、本発明の実施例ではリードフレーム １１′および熱放散パッド２３′は同じ複数積層構造２５の一部をなしている。

この積層構造の第１の導電性層がリード線１１′を形成しており、第２の導電性 層が熱放散パッド２３′を形成している。これらの２つの層は非導電性層２６で 隔離され、これにより熱放散パッドは望まれる如何なる寸法形状にも形成でき、 リード線の何れかの箇所と接触して短絡回路を形成する危険性が無いようにされ ている。

本発明の他の実施例が第１１図に示されている。相互接続テープはモールド成形 されたプラスチックパッケージに組み込まれている。このプラスチックパッケー ジはモールド成形されたベース部材を含んでおり、この部材に対して半導体デバ イス１７が固定されている。この相互接続テープは内側リード部分１２が半導体 チップの結合部分２７に固定されており、又、外側リード部分１５はベースを通 してベース内部にモールド成形されている。

熱放散パッド２３は接着剤層４７によって半導体デバイスに固定されている。熱 放散支持部材２４″はリード線と同一平面の部分が欠けている。この同一平面の 欠けていることが電気的な短絡回路の形成を防止しているのである。パッケージ ベース内にてリード線および熱放散パッドが適正に位置決めされた後、ベース空 間は樹脂４９を充填される。この樹脂は硬化して固体のプラスチックブロックを 形成し、電子デバイスを外部から、そしてリード線を撮動から、保護するのであ る。この樹脂はり一部線とねほし支持部との間の空隙を充満して電気的な離隔を 保証する。

プラスチックパッケージの他の実施例が第１２図に示されている。相互接続テー プは３つの層の積層構造２５であり、第１および第２の銅の層が絶縁性のポリイ ミド層によって離隔されている。第１の銅の層はリード線を形成しており、内側 リード部分１２′は結合バンブ２７にてシリコンチップに接触し、又、外側リー ド部分１５′はパッケージのベースを通してその内部にモールド成形されている 。相互接続テープの中間層は接続層２６である。第２の銅の層２３′は熱放散パ ッドである。リードフレームからこれらは電気的に絶縁されているので、熱放散 パッドはパッケージの全内面積の上に延在でき、そのパッケージの熱放散機能を 格段に増大している。熱放散パッド２３′の寸法をパッケージ寸法に制限するよ うな如何なる制限も無い。これはパッケージ壁を超えて延在されて対流冷却を増 大するように、そして外部ヒートシンク装置に製造できるようになされている。

上述にて示された例および実施例はバンブを形成された電気接点を備えた電子デ バイスを示してきたが、バンブを形成された内側リード線および半導体ダイの滑 らかな電気的接点が使用できることが認識されよう。第１３図はバンブを形成さ れた内側リード線１２“および滑らかな結合部分２７′の形状を断面図で示して いる。一般に、バンブを形成された内側リード部分はメッキされて銅の拡散を制 限し、又、滑らかな結合部分はアルミニウムで被覆されて結合を容易にしている 。

ＴＡＢの工程はリードフィンガーを正確に整合して自動結合を容易とする機能を 有している。第１図を戻って参照すれば、１つの従来の割り出し手段は図示して ないが割り出し孔１６を使用しており、シリコンチップの結合部分の上にリード フィンガー１２を正確に位置決めできるようにしている。他の実施例は割り出し 孔が組み付けられていない割り出し手段を使用している。

第１４図は、熱放散パッド２３ａを移動して位置決めするためのリード線の無い ＴＡＢテープ１ｏを示している。半導体ダイは、ＴＡＢテープによる結合又は通 常の結合線による結合を介してリードフレームに対して既に電気的に接続されて いる。割り出し孔１６又はその他の割り出し手段を使用して、熱放散パッドは半 導体チップの上に位置決めされる。この熱放散パッドは誘電性の接着剤によって リード線から電気的に隔離されている。この誘電性の接着剤は、熱放散パッドの 取付けの前に半導体チップに付与される。或いは、これに代えて、半導体チップ の上に配置される前に熱放散パッドの表面に付与される。

ここに開示されたように熱放散パッドが支持手段２４を介して半導体パッケージ に結合されるのである。熱放散パッドは理想的には半導体チップの動作面から熱 を取り去るような伝導性を極力高めるような厚さとされることが望まれる。熱膨 張係数の相違に起因する応力を最少限に抑えるために、応力解放パターンが第８ 図で先に示されたように熱放散パッドの内部へ腐食形成されることができるので ある。

応力解放パターンは第１４図に示すように支持部材１４″にも組み付けることが できる。Ｔ　Ａ　Ｂ結合リード線に応力解放パターンを使用することは、米国特 許明細書筒４．２３４，６６６号に開示されているように知られている。支持部 材に於ける応力解放パターンは、熱放散パッドを支持するための形状とされ、且 つ又熱膨張を緩衝して応力を小さくするのである。この応力解放の切除部５１は 如何なる寸法形状とすることができ、適当な支持部材に付与されることができる のである。

第１５図に示されるように、支持部材２４　は真っ直ぐである必要はないがダウ ンセット５３を有することができる。このダウンセットは典型的には応力解放部 分と熱放散パッド２３８との間に配置され、且つ又熱放散パッドをＴＡＢリード 線１５又は結合線５７から電気的に離隔する。更に、支持部材が熱放散パッドと 同じ平面内に位置されない場合には、熱応力は電子デバイスに直接に作用される ことは無い。

金属もしくは金属合金のリードフレーム５５はベース部材１８とカバ一部材２０ との間に配置されることができる。このリードフレームは誘電性の接着剤６１に よって所定位置に保持され、ベース部材から電気的に離隔される。この接着剤は 典型的にはシーリングガラスとされるか、或いは例えばエポキシのような重合材 料とされる。

リードフレームはＴＡＢリード線１５によって、或いは通常の結合線５７によっ て半導体チップに電気的に接続される。

２つのＴＡＢテープ、即ちリードフィンガーに対する第１のテープと、熱放散パ ッドに対する第２のテープとを使用することは、金属パッケージやプラスチック 製のカプセル化されたパッケージを含む上述にて説明したあらゆる形状のパッケ ージに適用することができる。単一テープの実施例に関して開示した全てのその 他の実施例も、同様に２つのテープの実施例に対して応用することができるので ある。

従来の結合線による結合はチップをリードフレームに対して電気的に接続するの に使用でき、又、単一の移送テープは熱放散パッドを整合させるのに使用できる 。

本発明によれば、電子デバイスの発熱頂面に接触されている熱放散パッドに対し てテープ相互接続を形成することが可能となり、これにより相互接続テープから 組み立てられたパッケージの熱放散特性が大幅に改善されることが明白となろう 。

本発明によれば、テープ自動結合に使用される改良された相互接続テープが提供 されたことが認識されよう。

この相互接続テープは前述した目的、手段および利点を完全に満たしているので ある。本発明はその特定の実施例に関して説明したが、多くの代替例、変更例、 および変化例が上述の説明から容易に当業者に認識されることは明白である。従 って、請求の範囲の欄に記載の精神並びに広義の範囲に含まれるそのような全て の代替例、変更例、および変化例を包含することが意図されるのである。

ＦＩＣ−−１０Ｂ ＦＩＣ；−１１ ＦＩＣ；−７２ ＦＩＣ；−１３ ＦＩＣ−１５ 手続補正書（自発） 平成２年　４月ムダ日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．テープ自動結合に使用するための相互接続テープ（１０′）であって、 少なくとも１つの導電性ストリップ（２２）と、クラスターの中央に向かって突 出された自由端部（１２）および前記ストリップ（２２）によって支持された反 対側の端部（１５）とを有するリード線の少なくとも１つのクラスターを含んで いる、ストリップ（２２）に形成された少なくとも１つリードパターン（１１） と、前記リード（１１）の自由端部（１２）から間隔を隔てて中央側に配置され た熱放散パッド（２３）と、前記熱放散パッド（２３）から外方へ延在し、導電 性ストリップ（２２）によって支持されている少なくとも１つ支持部材と、 を有することを特徴とする相互接続テープ。 ２．請求項１に記載された相互接続テープ（１０′）であって、前記リード線（ １１）と、前記熱放散パッド（２３）と、前記支持部材（２４）が前記同じ導電 性ストリップ（２２）から作られていることを特徴とする相互接続テープ。 ３．請求項２に記載された相互接続テープ（１０′）であって、導電性ストリッ プ（２２）の厚さが約０１２７ｍｍから約．１５２ｍｍ（約．０００５インチか ら約．００６インチ）であることを特徴とする相互接線テープ。 ４．請求項３に記載された相互接続テープ（１０′）であって、導電性ストリッ プ（２２）が銅又は銅ベース合金で作られていることを特徴とする相互接続テー プ。 ５．請求項２に記載された相互接続テープ（１０′）であって、導電性ストリッ プ（２２）が複層の積層構造（２５）であり、該積層構造は少なくとも１つの導 電性層が少なくとも１つの電気的絶縁層（２６）に結合されて構成されているこ とを特徴とする相互接続テープ。 ６．請求項５に記載された相互接続テープ（１０′）であって、積層構造（２５ ）が第１の銅の層と、絶縁層（２６）によって離隔された第２の銅の層とを有し て構成されていることを特徴とする相互接続テープ。 ７．請求項６に記載された相互接続テープ（１０′）であって、第１の銅の層が 前記リード線（１１′）を形成し、第２の銅の層が前記熱放散パッド（２３′） を形成していることを特徴とする相互接続テープ。 ８．請求項２に記載された相互接続テープ（１０′）であって、支持部材（２４ ）が電子部品パッケージングデバイスに結合されていることを特徴とする相互接 続テープ。 ９．請求項８に記載された相互接続テープ（１０′）であって、前記熱放散パッ ド（２３）と反対側の支持部材（２４′）の端部に膨張して隣接リード線（１１ ）との間の全空間を占める迄になされることを特徴とする相互接続テープ。 １０．請求項２に記載された相互接続テープ（１０′）であって、電子デバイス （１７）に対向する熱放散パッド（２３′′）が１つもしくはそれ以上の数の熱 放散部材（３５）を含んでいることを特徴とする相互接続テープ。 １１．請求項１０に記載された熱放散パッド（２３′′）であって、熱放散部材 （３５）が前記熱放散パッド（２３′′）に対して角度を付して固定されたフィ ン（３７）であり、該フィン（３７）はその一端（４１）にて固定されているこ とを特徴とする熱放散パッド。 １２．請求項１１に記載されたフィン（３７′）であって、該フィンの結合端部 （４１′）が穿孔されていることを特徴とするフィン。 １３．請求項１１に記載されたフィン（３７′）であって、結合されない端部が セグメント形成されていることを特徴とするフィン。 １４．請求項２に記載された相互接続テープ（１０′）であって、熱放散パッド （２３′′′）の厚さが予め定めたパターンに従って変化されていることを特徴 とする相互接続テープ。 １５．請求項１４に記載された熱放散パッド（１０′）であって、前記予め定め たパターンを形成するための手段が化学的腐食であることを特徴とする熱放散パ ッド。 １６．発熱面に電気的な動作結合部分（２７）を有する電子部材（１７）を収容 しているテープパッケージであって、前記パッケージが、 前記電子部材（１７）を包囲するハウジングであり、ベース部材（２９）がカバ ー部材（２０）に結合されて構成されている前記ハウジングと、 前記ベース部材（２９）と前記カバー部材（２０）との間に配置された導電性の 相互接続テープと、前記テープが、前記電気的動作結合部分（２７）に結合され た自由端部（１２）を有するリード線と、前記リード線から間隔を隔てられた熱 放散パッド（２３）と、該熱放散パッド（２３）からハウジングへ向かって延在 する少なくとも１つの支持部材と、熱放散パッド（２３）を前記電子部品の前記 第１の発熱面に直接に固定する手段（４７）と、該手段が前記熱放散パッド（２ ３）を前記電子部材（１７）から更に間隔を隔てるようにしていることと、を形 成する少なくとも１つのパターンを形成していることと、 を有していることを特徴とするテープパッケージ。 １７．請求項１６に記載されたテープパッケージであって、電気的動作結合部分 （２７）が不動態層（４６）で囲まれていることを特徴とするテープパッケージ 。 １８．請求項１７に記載されたテープパッケージであって、前記手段（４７）が 柔軟な接着剤であることを特徴とするテープパッケージ。 １９．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、柔軟な接着剤が不充 填シリコンであることを特徴とするテープパッケージ。 ２０．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、柔軟な接着剤が伝熱 金属粉末を充填されていることを特徴とするテープパッケージ。 ２１．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、熱放散パッド（２３ ）が１つ又はそれ以上の数の熱放散部材（３５）を含んでいることを特徴とする テープパッケージ。 ２２．請求項２１に記載されたテープパッケージであって、熱放散部材（３５） の各々が熱放散パッド（２３）の非固定側に対して角度を付して固定された少な くとも１つのフィン（３７）であることを特徴とするテープパッケージ。 ２３．請求項２２に記載されたテープパッケージであって、前記少なくとも１つ のフィン（３７′）の各々の結合端部（４１′）が穿孔されていることを特徴と するテープパッケージ。 ２４．請求項２２に記載されたテープパッケージであって、前記少なくとも１つ のフィン（３７′）の各々の非結合端部（３９）がセグメント形成されているこ とを特徴とするテープパッケージ。 ２５．請求項２１に記載されたテープパッケージであって、熱放散パッド（２３ ′′′）の厚さが予め定めたパターンに従って不均一とされていることを特徴と するテープパッケージ。 ２６．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、前記導電性相互接続 テープが導電性材料の単一層で構成されていることを特徴とするテープパッケー ジ。 ２７．請求項２６に記載されたテープパッケージであって、導電性材料の厚さが 約．０１２７ｍｍ〜約．１５２ｍｍ（約．０００５インチ〜．００６インチ）で あることを特徴とするテープパッケージ。 ２８．請求項２７に記載されたテープパッケージであって、導電性材料が銅又は 銅ベース合金で構成されていることを特徴とするテープパッケージ。 ２９．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、導電性相互接続テー プが複数層の積層構造（２５）で構成されていることを特徴とするテープパッケ ージ。 ３０．請求項２９に記載されたテープパッケージであって、積層構造（２５）が 第１の銅の層と絶縁層（２６）によって離隔された第２の銅の層とを有して構成 されていることを特徴とするテープパッケージ。 ３１．請求項３０に記載されたテープパッケージであって、第１の銅の層が前記 リード線（１１′）を形成し、第２の銅の層が前記熱放散パッド（２３′）およ び前記少なくとも１つの支持部材を形成していることを特徴とする相互接続テー プ。 ３２．請求項１８に記載されたテープパッケージであって、前記熱放散パッド（ ２３）と反対側の支持部材（２４′）の端部が隣接リード線（１１）との間の全 空間を占める迄に膨張可能とされていることを特徴とするテープパッケージ。 ３３．第１の発熱面に電気的動作結合部分（２７）を含んでいる電子部材（１７ ）を使用するテープパッケージであって、前記パッケージが、 前記電子部材（１７）を包囲するハウジングであり、モールド成形されたプラス チックボディ−（２９）を有して構成されている前記ハウジングと、前記モール ド成形されたプラスチックボディ−（２９）の中に配置された導電性相互接続テ ープと、前記テープが、前記電気的動作結合部分（２７）に結合された自由端部 （１２）を有するリード線（１１）と、前記リード線（１１）から間隔を隔てら れた熱放散パッド（２３）と、該熱放散パッド（２３）からハウジングへ向かっ て延在する少なくとも１つの支持部材（２４′′）と、熱放散パッド（２３）を 前記電子部材（１７）の前記第１の発熱面に直接に固定する手段（４７）と、該 手段（４７）が前記熱放散パッド（２３）を前記電子部材（１７）から更に間隔 を隔てるようにしていることと、を与える少なくとも１つのパターンを形成して いることと、 を有していることを特徴とするテープパッケージ。 ３４．請求項３３に記載されたテープパッケージであって、電気的動作結合部分 が不動態層で囲まれていることを特徴とするテープパッケージ。 ３５．請求項３４に記載されたテープパッケージであって、前記手段（４７）が 柔軟な接着剤であることを特徴とするテープパッケージ。 ３６．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、柔軟な接着剤が不充 填シリコンであることを特徴とするテープパッケージ。 ３７．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、柔軟な接着剤が伝熱 金属粉末を充填されていることを特徴とするテープパッケージ。 ３８．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、熱放散パッド（２３ ）が１つ又はそれ以上の数の熱放散部材（３５）を含んでいることを特徴とする テープパッケージ。 ３９．請求項３８に記載されたテープパッケージであって、熱放散部材（３５） の各々が熱放散パッド（２３）の非固定側に対して角度を付して固定された少な くとも１つのフィン（３７）であることを特徴とするテープパッケージ。 ４０．請求項３９に記載されたテープパッケージであって、前記少なくとも１つ のフィン（３７′）の各々の結合端部（４１′）が穿孔されていることを特徴と するテープパッケージ。 ４１．請求項３９に記載されたテープパッケージであって、前記少なくとも１つ のフィン（３７′）の各々の非結合端部（３９）がセグメント形成されているこ とを特徴とするテープパッケージ。 ４２．請求項３８に記載されたテープパッケージであって、熱放散パッド（２３ ′′′）の厚さが予め定めたパターンに従って不均一とされていることを特徴と するテープパッケージ。 ４３．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、前記導電性相互接続 テープが導電性材料の単一層で構成されていることを特徴とするテープパッケー ジ。 ４４．請求項４３に記載されたテープパッケージであって、導電性材料の厚さが 約．０１２７ｍｍ〜約０１５２ｍｍ（約．０００５インチ〜．０００６インチ） であることを特徴とするテープパッケージ。 ４５．請求項４４に記載されたテープパッケージであって、導電性材料が銅又は 銅ベース合金で構成されていることを特徴とするテープパッケージ。 ４６．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、導電性相互接続テー プが複数層の積層構造（２５）で構成されていることを特徴とするテープパッケ ージ。 ４７．請求項４６に記載されたテープパッケージであって、積層構造（２５）が 第１の銅の層と絶縁層（２６）によって離隔された第２の銅の層とを有して構成 されていることを特徴とするテープパッケージ。 ４８．請求項４７に記載されたテープパッケージであって、第１の銅の層が前記 リード線（１２′，１５′）を形成し、第２の銅の層が前記熱放散パッド（２３ ′）および前記少なくとも１つの支持部材（２４′′）を形成していることを特 徴とする相互接続テープ。 ４９．請求項３５に記載されたテープパッケージであって、前記熱放散パッド（ ２３）と反対側の支持部材（２４′）の端部が隣接リード線（１１）との間の全 空間を占める迄に膨張可能とされていることを特徴とするテープパッケージ。 ５０．電子デバイスに使用するための移動テープ（１０）であって、 少なくとも１つのリード線の無い伝熱ストリップと、前記ストリップ（１０）に よって支持され、前記リード線の無いストリップからの第１および第２の側部を 有している熱放散パッド（２３ａ）と、 第１および第２の端部を有し、該第１の端部が前記熱放散パッド（２３ａ）に接 続され、前記第２の端部が前記熱放散パッド（２３ａ）から外方へ延在している 少なくとも１つの支持部材（２４）と、 を有することを特徴とする移動テープ。 ５１．請求項５０に記載された移動テープ（１０）であって、前記リード線の無 いストリップの厚さが約０１２７ｍｍ〜約．０１５２ｍｍ（約．０００５インチ 〜０１５インチ）であることを特徴とする移動テープ。 ５２．請求項５１に記載された移動テープ（１０）であって、前記リード線の無 いストリップが銅又は銅ベース合金で構成されていることを特徴とする移動テー プ。 ５３．請求項５２に記載された移動テープ（１０）であって、前記支持部材（２ ４）の前記第２の端部が電子パッケージングデバイスに結合可能とされているこ とを特徴とする移動テープ。 ５４．請求項５３に記載された移動テープ（１０）であって、前記支持部材（２ ４′′）の前記第２の端部が最大熱放散に迄膨張可能とされていることを特徴と する移動テープ。 ５５．請求項５４に記載された移動テープ（１０）であって、支持部材（２４′ ′）が少なくとも１つの応力解放手段（５１）を有していることを特徴とする移 動テープ。 ５６．請求項５５に記載された移動テープであって、応力解放手段が前記支持部 材に形成されたパターン切除部であることを特徴とする移動テープ。 ５７．請求項５５に記載された移動テープであって、応力解放手段（５１）が前 記支持部材（２４ａ）に形成されたダウンセット（５３）であることを特徴とす る移動テープ。 ５８．請求項５１に記載された移動テープであって、前記熱放散パッド（２３ｂ ）の第１の側が接着剤によって電子デバイスの電気的動作面に固定されているこ とを特徴とする移動テープ。 ５９．請求項５８に記載された移動テープであって、前記接着剤が導電性である ことを特徴とする移動テープ。 ６０．請求項５９に記載された移動テープであって、前記導電性の接着剤が金属 粉末を充填されて伝熱性を高められていることを特徴とする移動テープ。 ６１．請求項５８に記載された移動テープであって、前記接着剤が電気的絶縁材 であることを特徴とする移動テープ。 ６２．請求項５８に記載された移動テープ（１０）であって、前記熱放散パッド （２３′′）の前記第２の側が少なくとも１つの熱放散部材（３５）を有してい ることを特徴とする移動テープ。 ６３．請求項６２に記載された移動テープ（１０）であって、熱放散部材（３５ ）が、第１および第２の端部を有するフィン（３７）であり、該フィンの前記第 １の端部（４１）が前記熱放散パッド（２３′′）に接続され、前記第２の端部 （３９）が前記熱放散パッド（２３′′）から外方へ延在していることを特徴と する移動テープ。 ６４．請求項６３に記載された熱放散フィン（３７′）であって、前記フィンの 前記第１の端部（４１′）が穿孔されていることを特徴とする熱放散フィン。 ６５．請求項６３に記載された熱放散フィン（３７′）であって、前記フィンの 前記第２の端部（３９）が鋸歯形成されていることを特徴とする熱放散フィン。 ６６．請求項５１に記載された相互接続テープ（１０）であって、前記熱放散パ ッド（２３′′′）の厚さが予め定めたパターンに従って変化されていることを 特徴とする相互接続テープ。 ６７．発熱面上の電気的動作結合部分を含む電子部材を閉じ込めるようになされ たパッケージであって、ベース部材（１８）と、 カバー部材（２０）と、 ベース部材（１８）と前記カバー部材（２０）との間に配置されたリードフレー ム（５５）と、前記リードフレーム（５５）に前記電子部材を電気的に接続する ための手段（１２，５７）と、前記電子デバイスの前記電気的動作面に接着固定 された熱放散パッド（２３ｂ）であって、少なくとも１つの外方へ延在する支持 部材（２４ａ）を更に含んでいる前記熱放散パッド（２３ｂ）と、 前記ベース部材（１８）と前記リードフレーム（５５）との間に配置された第１ の誘電性のシーリング剤（６１）と、 前記リードフレーム（５５）と前記カバー部材（２０）との間に配置された第２ の誘電性のシーリング剤と、を有することを特徴とするパッケージ。 ６８．請求項６７に記載されたテープパッケージであって、前記リードフレーム （５５）に対して前記電子部材を電気的に接続するための手段が導電性ワイヤ− （５７）であることを特徴とするパッケージ。 ６９．請求項６８に記載された導電性ワイヤ−（５７）であって、該導電性ワイ ヤ−（５７）がアルミニウム又は金で作られていることを特徴とする導電性ワイ ヤー。 ７０．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記リードフレーム（５５ ）に対して前記電子部材を電気的に接続するための手段（１５）が、テープ自動 結合に使用される導電性テープであることを特徴とするパッケージ。 ７１．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記電子部材に対して前記 熱放散パッド（２３ｂ）を固定するための接着剤が導電性であることを特徴とす るパッケージ。 ７２．請求項７１に記載されたパッケージであって、前記接着剤が伝熱性の金属 粉末を充填されていることを特徴とするパッケージ。 ７３．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記接着剤が電気的に非導 電性であることを特徴とするパッケージ。 ７４．請求項７３に記載されたパッケージであって、前記非導電性の接着剤がし なやかな重合材料であることを特徴とするパッケージ。 ７５．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）が 金属、セラミック又は重合材料から選択されたことを特徴とするパッケージ。 ７６．請求項７５に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）が 銅又は銅ベース合金で構成されていることを特徴とするパッケージ。 ７７．請求項７５に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）が 熱硬化エポキシで作られていることを特徴とするパッケージ。 ７８．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記カバー部材（２０）が 金属、セラミック又は重合材料から選択されたことを特徴とするパッケージ。 ７９．請求項７８に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）お よびカバー部材（２０）が同じ材料で構成されていることを特徴とするパッケー ジ。 ８０．請求項６７に記載されたパッケージであって、第１および第２の誘電性の シーリング剤（６１）がガラス又は重合材料であることを特徴とするパッケージ 。 ８１．請求項６７に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、応力解 放手段（５１）を備えていることを更に特徴とする熱放散パッド支持部。 ８２．請求項６７に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、ダウン セット（５３）を備えていることを更に特徴とする熱放散パッド支持部。 ８３．請求項６７に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、該支持 部の前記外方へ延在する端部が前記ベース部材（１８）又はカバー部材（２０） に結合されていることを特徴とする熱放散パッド支持部。 ８４．請求項８３に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、該支持 部の前記外方へ延在する端部が熱放散を最大限となすために膨張可能とされてい ることを特徴とする熱放散パッド支持部。 ８５．請求項６７に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、該支持 部の前記外方へ延在する端部がベース部材（１８）およびカバー部材（２０）を 超えて延在していることを特徴とする熱放散パッド支持部。 ８６．請求項６７に記載された熱放散パッド支持部（２４ａ）であって、該支持 部の前記外方へ延在する端部が外部のヒートシンクに結合されていることを特徴 とする熱放散パッド支持部。 ８７．請求項６７に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）お よび前記カバー部材（２０）が一体の秘材によって構成されていることを特徴と するパッケージ。 ８８．請求項８７に記載されたパッケージであって、前記ベース部材（１８）お よび前記カバー部材（２０）がモールド成形された重合材料で構成されているこ とを特徴とするパッケージ。 ８９．請求項８８に記載されたパッケージであって、前記モールド成形された重 合材料が熱硬化性のエポキシであることを特徴とするパッケージ。