JPH0212937A - Ｔａｂ用フィルムテープキャリア - Google Patents

Ｔａｂ用フィルムテープキャリア

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JPH0212937A
JPH0212937A JP63163561A JP16356188A JPH0212937A JP H0212937 A JPH0212937 A JP H0212937A JP 63163561 A JP63163561 A JP 63163561A JP 16356188 A JP16356188 A JP 16356188A JP H0212937 A JPH0212937 A JP H0212937A
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JP
Japan
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copper foil
tape carrier
tab
film tape
copper
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Yasushi Takeda
武田　泰
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 本発明はＴＡＢ方式の半導体装置、特に薄型実装や高密
度実装の半導体装置のテープキャリアボンディングに使
用して最適なＴＡＢ用フィルムテープキャリアに関する
。
（従来の技術） 上記テープキャリアボンディングは、一般にシネマフィ
ルムのパーフォレーションをもったポリイミドフィルム
等の基材に銅箔をラミレートし、この銅箔にホトエツチ
ング等の加工を施してリードパターンを形成し、更にＡ
ｕメツキまたはＳｎメツキを施したＴＡＢ用フィルムテ
ープキャリアを用意し、ＡｕまたはＳｎのバンプを付け
たＩＣチップに上記フィルムテープキャリアのリードを
重ね合わせ、上からボンディングツールで加圧加熱して
インナーリードボンディングを行う。そして、インナー
リード済みのテープをアウターリードボンダにかけ、長
尺リードフレームと位置合わせしてテープキャリアから
ＩＣチップを打ち抜き、リードフレームに熱圧着または
溶接するようにしたものである。
従来、上記ＴＡＢ用フィルムテープキャリアの銅箔とし
ては、一般にこれに施すエツチングの便等を考慮して、
電解銅が主流として使用されていた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記電解銅は、一般に繰り返し疲労に弱
いため、ＴＡＢ方式で構成した半導体装置で温度サイク
ル試験を行うと、例えば薄型実装や高密度実装の半導体
装置においては、数百サイクルでリードパターンの破断
に至ってしまい、この寿命が著しく短くなってしまうの
が現状であった。
本発明は上記に鑑み、ＴＡＢ方式による半導体装置とし
ての信頼性の向上、特に温度サイクル試験における繰り
返し疲労に対する寿命の向上を図ることができるように
したＴＡＢ用フィルムテープキャリアを提供することを
目的とする。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明におけるＴＡＢ用フィ
ルムテープキャリアは、基板上に銅箔をラミネートし、
この銅箔にエツチングを施して所定のリードパターンを
形成してなるＴＡＢ用フィルムテープキャリアにおいて
、上記銅箔として圧延銅に焼鈍処理を施して再結晶させ
たものを使用したものである。
（作　用） 上記のように構成した本発明によれば、銅箔として電解
鋼に比べ繰り返し疲労に強い圧延銅を使用し、更にこれ
に焼鈍処理を施して再結晶させたため、通常の電解銅や
圧延銅に比べて硬度が著しく低下するとともに、伸びが
飛躍的に増大して、繰り返し疲労に対する寿命の飛躍的
な向上を図ることができる。
（実施例） 以下、実施例について図面を参照して説明する。
第１図は、ＴＡＢ用フィルムテープキャリアを示す平面
図で、このＴＡＢ用フィルムテープキャリア１は、その
幅方向の両端縁に連続したバーフォメーション２ａ及び
ＩＣチップ用の所定の通孔２ｂを穿設した、例えばポリ
イミドフィルム等の基材２と、この基材２の上面に所定
のリード形状にパターニングした銅箔３とから構成され
、この銅箔３には、ＡｕメツキまたはＳｎメツキが施さ
れている。
この銅箔３のパターニングは、例えば第２図に示すよう
に、基材２の内部ににバーフォメーション２ａ及び所定
の通孔２ｂをパンチングした後、第３図に示すように、
この表面に銅箔３をラミネートし、しかる後にホトエツ
チングにより形成したものである。
上記銅箔３は、従来一般に電解銅で構成されていたので
あるが、本実施例では、圧延銅に焼鈍処理を施して再結
晶させたものが使用されている。
即ち、ここで使用されている銅箔３は、例えば圧延銅を
１８０〜２８０℃で加熱し、その温度に１時間程度保持
した後に除冷する、焼鈍処理を施して再結晶させたもの
である。
なお、再結晶とは、再結晶の起こる温度領域で加工を受
けた結晶粒の粒界にひずみのない新結晶が発生し、これ
が次第に成長して加工を受けた結晶粒は消滅し軟化する
現象をいい、銅の一般的な再結晶温度は２００℃程度で
ある。
この焼鈍（焼なまし）は、一般に加工により発生する内
部応力の除去、硬さの低下、結晶組織の調整あるいは機
械的、物理的またはその他の性質を得るため等に行オ）
れるものであるが、本実施例の場合、主に硬さの低下と
伸びの増大を図って、繰り返し疲労に対する寿命を向上
させるために行っている。
即ち、第４図は焼鈍温度（’Ｃ）と銅箔の伸び（％）と
の関係を示し、この焼鈍温度で１時間程度加熱して保持
した時の銅箔の伸びのデータを示すものである。これか
ら明らかなように、１８０℃以上で１時間程度加熱し保
持する焼鈍処理を施すと、伸びが約２０％となり、焼鈍
処理を施さない時の伸び約１％より飛躍的に増大してい
ることが解る。
第５図は焼鈍温度（’Ｃ）と銅箔の硬度（ビッカース硬
さ）Ｈｖとの関係を示し、この焼鈍温度で１時間程度加
熱して保持した時の銅箔の硬度のデータを示すものであ
る。これから明らかなように、１８０℃以上で１時間程
度加熱し保持する焼鈍処理を施すと、硬度Ｈｖが２０〜
３５となり、焼鈍処理を施さない時の硬度ＨＶの８０程
度より、遥かにこの硬度が低下していることが解る。
而して、上記的１８０℃の温度で加熱し、この温度に１
時間程度保持した焼鈍処置を施した銅箔と、この焼鈍処
理を施していない銅箔との疲労寿命試験を行っ時のＳ−
Ｎ線図を第６図に示す。
なお、この図は、横軸にサイクル数（Ｎ）を、縦軸に応
力（Ｓ）ではなく、これと比例関係にあるひずみ振幅（
％）を取ったものである。
この図から明らかなように、同じひずみ振幅（％）であ
れば、焼鈍処理を施したものの方が、この処理を施さな
いものに比べて、遥かに繰り返し疲労に強いことが解る
。
なお、上記のように圧延銅を再結晶させた銅箔は、電気
抵抗も約０．０５μΩ（１程度下がり、配線基板用の銅
箔として理想的なものになることが実験の結果確かめら
れている。
〔発明の効果〕
本発明は上記のような構成であるので、温度サイクル試
験において、−船釣な電解銅によって構成した銅箔に比
べて、圧延銅に焼鈍処理を施して構成した銅箔の方が、
遥かに繰り返し疲労に強く、リードの繰り返し疲労によ
る破断を極力防止して、半導体装置としての疲労寿命を
飛躍的に増大させることができる。
しかも、焼鈍処理を施すと銅箔の硬度がかなり低下する
ので、ボンディングの際の素子へのダメージを低減させ
ることができるとともに、電気抵抗も低下させて配線基
板用の銅箔として理想的なものとすることができるとい
った効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るＴＡＢ用フィルムテープキャリア
の一実施例を示す平面図、第２図及び第３図はその製造
を工程順に示す平面図、第４図は銅箔の伸びと焼鈍温度
の関係を示すグラフ、第５図は銅箔の硬度と焼鈍温度の
関係を示すグラフ、第６図は焼鈍処理を施したものと施
さないものとの疲労寿命を示すＳ−Ｎ曲線である。 １・・・ＴＡＢ用フィルムテープキャリア、２・・・基 材、 ３・・・銅箔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に銅箔をラミネートし、この銅箔にエッチングを
    施して所定のリードパターンを形成してなるＴＡＢ用フ
    ィルムテープキャリアにおいて、上記銅箔として圧延銅
    に焼鈍処理を施して再結晶させたものを使用したことを
    特徴とするＴＡＢ用フィルムテープキャリア。
JP63163561A 1988-06-30 1988-06-30 Ｔａｂ用フィルムテープキャリア Pending JPH0212937A (ja)

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KR1019890009113A KR930000880B1 (ko) 1988-06-30 1989-06-29 Tab용 필름테이프 캐리어
EP19890111960 EP0349000A3 (en) 1988-06-30 1989-06-30 A tab film tape carrier
US07/373,581 US4961984A (en) 1988-06-30 1989-06-30 Tab film tape carrier

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