JPH0350714A - 薄膜の製造法及びｘ線マスクの製造法 - Google Patents
薄膜の製造法及びｘ線マスクの製造法Info
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- JPH0350714A JPH0350714A JP2164352A JP16435290A JPH0350714A JP H0350714 A JPH0350714 A JP H0350714A JP 2164352 A JP2164352 A JP 2164352A JP 16435290 A JP16435290 A JP 16435290A JP H0350714 A JPH0350714 A JP H0350714A
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、隔離層を介在させて基板に薄膜材４゜
３゜
２゜
料を被着させ、次いで、この薄膜をフレームと結合し、
かつ前記基板と分離して、小さな欠陥密度の平坦で平滑
な表面を！する、前記フレームによって緊張させられた
薄膜を製造する方法に関する。さらに、本発明は上記方
法により製造される薄膜を利用してＸ線マスクを製造す
る方法に関する。
かつ前記基板と分離して、小さな欠陥密度の平坦で平滑
な表面を！する、前記フレームによって緊張させられた
薄膜を製造する方法に関する。さらに、本発明は上記方
法により製造される薄膜を利用してＸ線マスクを製造す
る方法に関する。
［従来の技術１
刊行物ソリッド・ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ［Ｓ
Ｓ Ｔ Ｅ Ａ Ｐ ２７ （９）］、１１９８４９９
月第１９２頁〜第１９９頁において、第１９４頁のシム
クナス（Ａ 、 Ｒ、Ｓｈｉｍｋｕｎａｓ ）著の論文
「アトパンシーズ・イン・Ｘ−レイ・マスク・テクノロ
ジー（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｘ−Ｒａｙ Ｍａｓｋ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） Ｊには、窒化ホウ素から成
るＸ線マスクブランクを製造する方法が記載されている
。この場合にはシリコンウェーハがまず全ての側で窒化
ホウ素を被覆される。次いで、シリコンに到達するまで
、裏面の中央範囲がエツチング除去され、ウェーハはバ
イレックスリングと結合される。
５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ［Ｓ
Ｓ Ｔ Ｅ Ａ Ｐ ２７ （９）］、１１９８４９９
月第１９２頁〜第１９９頁において、第１９４頁のシム
クナス（Ａ 、 Ｒ、Ｓｈｉｍｋｕｎａｓ ）著の論文
「アトパンシーズ・イン・Ｘ−レイ・マスク・テクノロ
ジー（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｘ−Ｒａｙ Ｍａｓｋ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） Ｊには、窒化ホウ素から成
るＸ線マスクブランクを製造する方法が記載されている
。この場合にはシリコンウェーハがまず全ての側で窒化
ホウ素を被覆される。次いで、シリコンに到達するまで
、裏面の中央範囲がエツチング除去され、ウェーハはバ
イレックスリングと結合される。
ポリイミドを被覆され、前面が金属被覆された後に、こ
のシリコンは自由な裏面の方からエツチング除去される
ので、緊張させられた薄膜を有するマスクブランクが生
じる。このマスクブランクを引き続き処理してＸ線マス
クを形成することができる。しかしながらこの方法は、
エツチング剤によって攻撃されないような薄膜材料にお
いてしか用いることができない。そこで、たとえばチタ
ンはシリコンのための汎用のエツチング剤によってやは
りエツチング除去されるので、使用することができない
。
のシリコンは自由な裏面の方からエツチング除去される
ので、緊張させられた薄膜を有するマスクブランクが生
じる。このマスクブランクを引き続き処理してＸ線マス
クを形成することができる。しかしながらこの方法は、
エツチング剤によって攻撃されないような薄膜材料にお
いてしか用いることができない。そこで、たとえばチタ
ンはシリコンのための汎用のエツチング剤によってやは
りエツチング除去されるので、使用することができない
。
刊行物ジャーナル・オプ・ザ・エレクトロケミカル・ソ
サエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｒ ｔｈｅＥｌｅｃ
Ｌｒｏｃｈｅｎｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ） 、第１
２８巻、第５号、１９８１年５月、第１１１６頁〜第１
１２０頁において、第１１１７／１１１８頁のパックレ
イ（Ｗ 、 Ｄ 、 Ｂｕｃｋｌｅｙ） 、ネスラー（
Ｊ。
サエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｒ ｔｈｅＥｌｅｃ
Ｌｒｏｃｈｅｎｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ） 、第１
２８巻、第５号、１９８１年５月、第１１１６頁〜第１
１２０頁において、第１１１７／１１１８頁のパックレ
イ（Ｗ 、 Ｄ 、 Ｂｕｃｋｌｅｙ） 、ネスラー（
Ｊ。
Ｆ 、 Ｎ６ｓｌｅｒ）およびウィンデイシュマン（Ｈ
。
。
Ｗｉｎｄｉｓｃｈｍａｎｎ）著の論文「Ｘ−レイ・リン
グラフィ・マスク・テクノロジ（Ｘ −Ｒａｙ Ｌｉ
ｔｈ。
グラフィ・マスク・テクノロジ（Ｘ −Ｒａｙ Ｌｉ
ｔｈ。
ｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
Ｊには、チタンから成る薄膜を製造する方法が記載さ
れており、この薄膜には、電気メツキ法により金から成
る吸収構造体が被着される。この場合に、まずガラス製
の基板に金から成る薄い層が備えられ、次いでこの層に
チタンが被着される。このチタン膜はリングと結合され
て、機械的にガラス基板と分離される。次いで、この膜
は緊張させられて、支持リングと結合される。しかしな
がらこの膜の自由な緊張はマスタし難いプロセスである
。また、この方法では金層がチタン膜に付着したままと
なり、これにより吸収構造体に対するＸ線コントラスト
が減少してしまう。同様の方法が欧州特許第０１０４６
８５号明細書（請求項８〜１１参照）に記載されている
。
Ｊには、チタンから成る薄膜を製造する方法が記載さ
れており、この薄膜には、電気メツキ法により金から成
る吸収構造体が被着される。この場合に、まずガラス製
の基板に金から成る薄い層が備えられ、次いでこの層に
チタンが被着される。このチタン膜はリングと結合され
て、機械的にガラス基板と分離される。次いで、この膜
は緊張させられて、支持リングと結合される。しかしな
がらこの膜の自由な緊張はマスタし難いプロセスである
。また、この方法では金層がチタン膜に付着したままと
なり、これにより吸収構造体に対するＸ線コントラスト
が減少してしまう。同様の方法が欧州特許第０１０４６
８５号明細書（請求項８〜１１参照）に記載されている
。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の課題は冒頭で述べた、薄膜を製造する方法を改
良して、薄膜が別のプロセスステップのｔ；めに、製造
時に付与された緊張状態を維持し、しかも、薄膜材料が
広い範囲で自由に選択可能となるような方法を提供する
ことであるさらに、本発明の課題は上記方法により製造
される薄膜を利用してＸ線マスクを製造する有利な方法
を提供することである。
良して、薄膜が別のプロセスステップのｔ；めに、製造
時に付与された緊張状態を維持し、しかも、薄膜材料が
広い範囲で自由に選択可能となるような方法を提供する
ことであるさらに、本発明の課題は上記方法により製造
される薄膜を利用してＸ線マスクを製造する有利な方法
を提供することである。
［課題を解決するための手段］
この課題を解決するために、薄膜を製造する本発明によ
る方法では、 イ） 基板に隔離層を被着させる際に、基板縁部に沿っ
て隔離層材料を有しない自由な面を残し、この面を、引
き続いて被着させたい薄膜材料によって一緒に覆い、 口） その後に、前記隔離層によって占められた範囲の
内側で、薄膜をフレームと結合して、該フレームの周囲
で前記薄膜を分断しハ） 次いで、前記フレームを有す
る分断された薄膜を前記基板もしくは前記隔離層と解離
し、場合によってこの薄膜上に残った隔離層材料を除去
するようにした。
る方法では、 イ） 基板に隔離層を被着させる際に、基板縁部に沿っ
て隔離層材料を有しない自由な面を残し、この面を、引
き続いて被着させたい薄膜材料によって一緒に覆い、 口） その後に、前記隔離層によって占められた範囲の
内側で、薄膜をフレームと結合して、該フレームの周囲
で前記薄膜を分断しハ） 次いで、前記フレームを有す
る分断された薄膜を前記基板もしくは前記隔離層と解離
し、場合によってこの薄膜上に残った隔離層材料を除去
するようにした。
［発明の効果］
本発明によれば、得られた薄膜は別の処理ステップのた
めに、製造時に付与された緊張状態を保っており、しか
も薄膜材料を広い範囲で自由に選択することができる。
めに、製造時に付与された緊張状態を保っており、しか
も薄膜材料を広い範囲で自由に選択することができる。
隔離層のための材料としては、炭素が使用されると有利
である。その理由は、炭素が基板から剥離され易く、ま
た、薄膜上に場合によって生じる炭素残分が酸素プラズ
マで簡単に、きれいに除去され得て、しかも薄膜の表面
が損なわれないからである。それというのは、薄膜表面
がエツチング剤と接触させられないからであるさらに、
前記課題を解決するために、Ｘ線マスクを製造する本発
明による方法では、前記ステップイ）の後で、薄膜にＸ
線吸収構造体を形成し、その後に前記ステップロ）およ
びハ）を実施するようにした。このことは取り扱いを楽
にする。その理由は、薄膜がこの過程の間、比較的安定
した基板によって支持されるからである。
である。その理由は、炭素が基板から剥離され易く、ま
た、薄膜上に場合によって生じる炭素残分が酸素プラズ
マで簡単に、きれいに除去され得て、しかも薄膜の表面
が損なわれないからである。それというのは、薄膜表面
がエツチング剤と接触させられないからであるさらに、
前記課題を解決するために、Ｘ線マスクを製造する本発
明による方法では、前記ステップイ）の後で、薄膜にＸ
線吸収構造体を形成し、その後に前記ステップロ）およ
びハ）を実施するようにした。このことは取り扱いを楽
にする。その理由は、薄膜がこの過程の間、比較的安定
した基板によって支持されるからである。
［実施例１
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。
第１図ａ、ｂにおいて、基板１は０．５ｍｒａの厚さと
１００ｍｍの直径とを有する極端に平らで平滑なシリコ
ンウェーハから成っている。このシリコンウェーハｌの
片面には、炭素から成る約１１００ｎの厚さの隔離層２
がスパッタリングまたは蒸着により形成され、この場合
、基板周縁部に沿って、炭素を有しない約’１ｍｍの幅
の環状の面１ａが残される（第２図ａ、ｂ参照）。次い
で、シリコンウェーハ１の炭素を被覆された方の面に、
薄膜材料としてチタンが約２〜３μｍの厚さでスパッタ
リングにより被着されこの場合、このチタンはウェーハ
周縁部に設けられた炭素を有しない環状の面１ａを一緒
に覆う（第３図ａ、ｂ参照）。これにより、薄膜材料は
シリコンウェーハｌの前記隔離層２を有しない周縁部に
付着し、したがって、製造条件（特に、作業ガスの温度
、種類および圧力、ＨＦ領域の出力、熱処理温度および
熱処理時間）によって規定された内部緊張状態を得る。
１００ｍｍの直径とを有する極端に平らで平滑なシリコ
ンウェーハから成っている。このシリコンウェーハｌの
片面には、炭素から成る約１１００ｎの厚さの隔離層２
がスパッタリングまたは蒸着により形成され、この場合
、基板周縁部に沿って、炭素を有しない約’１ｍｍの幅
の環状の面１ａが残される（第２図ａ、ｂ参照）。次い
で、シリコンウェーハ１の炭素を被覆された方の面に、
薄膜材料としてチタンが約２〜３μｍの厚さでスパッタ
リングにより被着されこの場合、このチタンはウェーハ
周縁部に設けられた炭素を有しない環状の面１ａを一緒
に覆う（第３図ａ、ｂ参照）。これにより、薄膜材料は
シリコンウェーハｌの前記隔離層２を有しない周縁部に
付着し、したがって、製造条件（特に、作業ガスの温度
、種類および圧力、ＨＦ領域の出力、熱処理温度および
熱処理時間）によって規定された内部緊張状態を得る。
こうして緊張させられた薄膜３はたとえば接着によって
リングの形の安定したフレーム４と結合される。この場
合にこのフレーム４は（横断面で見て）隔離層２によっ
て占められた範囲の内側に位置している（第４図ａ、ｂ
参照）。
リングの形の安定したフレーム４と結合される。この場
合にこのフレーム４は（横断面で見て）隔離層２によっ
て占められた範囲の内側に位置している（第４図ａ、ｂ
参照）。
引掻きまたはエツチングによって、薄膜３がフレーム４
の周囲で分断されるので、フレーム４によって緊張させ
られた薄膜３ａはたんに炭素製の隔離層２に接触してい
るだけとなる（第５図ａ、ｂ参照）。隔離層２の炭素は
シリコンウェーハｌの表面に軽く付着しているだけなの
で、薄膜３ａをフレーム４と共に機械的にシリコンウェ
ーハｌと解離することができる（第６図ａ、ｂ参照）。
の周囲で分断されるので、フレーム４によって緊張させ
られた薄膜３ａはたんに炭素製の隔離層２に接触してい
るだけとなる（第５図ａ、ｂ参照）。隔離層２の炭素は
シリコンウェーハｌの表面に軽く付着しているだけなの
で、薄膜３ａをフレーム４と共に機械的にシリコンウェ
ーハｌと解離することができる（第６図ａ、ｂ参照）。
薄膜３ａ上に残った炭素残分は酸素プラズマを用いて除
去され得るので、小さな欠陥密度の極端に平らで平滑な
表面を備えＩ；フレーム４によって自由に緊張させられ
た薄膜３ａが得られる（第７図参照）。炭素が基板から
も薄膜からも容易に分離され得るので、冒頭で述べたよ
うなエツチングプロセスは不要となり、したがって薄膜
材料を広い範囲で自由に選択することができるようにな
る。こうして製造された、フレームによって緊張させら
れた薄膜（マスクブランクとも呼ばれる）は公知の方法
で引き続きＸ線マスクに処理され得る。しかし、この方
法は本発明による方法ステップにも組み込むことができ
、この場合、薄膜材料が被着された直後に、Ｘ線マスク
に必要なＸ線吸収構造体５がたとえばリングラフィ・電
気メツキ法で薄膜表面に形成される（第８図参照）。
去され得るので、小さな欠陥密度の極端に平らで平滑な
表面を備えＩ；フレーム４によって自由に緊張させられ
た薄膜３ａが得られる（第７図参照）。炭素が基板から
も薄膜からも容易に分離され得るので、冒頭で述べたよ
うなエツチングプロセスは不要となり、したがって薄膜
材料を広い範囲で自由に選択することができるようにな
る。こうして製造された、フレームによって緊張させら
れた薄膜（マスクブランクとも呼ばれる）は公知の方法
で引き続きＸ線マスクに処理され得る。しかし、この方
法は本発明による方法ステップにも組み込むことができ
、この場合、薄膜材料が被着された直後に、Ｘ線マスク
に必要なＸ線吸収構造体５がたとえばリングラフィ・電
気メツキ法で薄膜表面に形成される（第８図参照）。
また、大面積の共通の基板に、より小さな複数のマスク
ブランクを製造するｔ；めに、基板表面にたとえば網状
に、隔離層材料を有しない自由な面を残し、これらの面
を次いで薄膜材料によって一緒に覆うことも可能である
。
ブランクを製造するｔ；めに、基板表面にたとえば網状
に、隔離層材料を有しない自由な面を残し、これらの面
を次いで薄膜材料によって一緒に覆うことも可能である
。
第１図ａ、 ｂ、第２図ａ、 ｂ、第３図ａ、ｂ、第４
図ａ、ｂ１第５図ａ、ｂおよび第６図ａｂは本発明によ
る方法により薄膜を製造するための６つの製造工程をそ
れぞれ側面図および下から見た平面図で示す図、第７図
は前記製造工程の最終段階を示す側面図、第８図はＸ線
マスクを製造する本発明による方法の実施例を示す図で
ある。 １・・・基板、１ａ・・・面、２・・・隔離層、３，３
ａ・・・薄膜、４・・・フレーム、５・・・Ｘ線吸収構
造体ン
図ａ、ｂ１第５図ａ、ｂおよび第６図ａｂは本発明によ
る方法により薄膜を製造するための６つの製造工程をそ
れぞれ側面図および下から見た平面図で示す図、第７図
は前記製造工程の最終段階を示す側面図、第８図はＸ線
マスクを製造する本発明による方法の実施例を示す図で
ある。 １・・・基板、１ａ・・・面、２・・・隔離層、３，３
ａ・・・薄膜、４・・・フレーム、５・・・Ｘ線吸収構
造体ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、隔離層を介在させて基板に薄膜材料を被着させ、次
いで、この薄膜をフレームと結合し、かつ前記基板と分
離して、小さな欠陥密度の平坦で平滑な表面を有する、
前記フレームによって緊張させられた薄膜を製造する方
法において、 イ）基板（１）に隔離層（２）を被着させる際に、基板
縁部に沿って隔離層材料を有しない自由な面（１ａ）を
残し、この面を、引き続いて被着させたい薄膜材料によ
って一緒に覆い、 ロ）その後に、前記隔離層（２）によって占められた範
囲の内側で、薄膜（３）をフレーム（４）と結合して、
該フレームの周囲で前記薄膜（３）を分断し、 ハ）次いで、前記フレーム（４）を有する分断された薄
膜（３ａ）を前記基板（１）もしくは前記隔離層（２）
と解離し、場合によってこの薄膜（３ａ）上に残った隔
離層材料を除去することを特徴とする、薄膜の製造法。 ２、薄膜表面を損うことなく、基板（１）からも薄膜（
３）からも除去することのできる材料を、隔離層（２）
のための材料として使用する、請求項１記載の方法。 ３、炭素を隔離層（２）のための材料として使用する、
請求項２記載の方法。 ４、請求項１記載の方法により製造される薄膜を利用し
て、Ｘ線マスクを製造する方法において、請求項１記載
のステップ イ）の後で、薄膜（３）にＸ線吸収構造体
（５）を形成し、その後に請求項１記載のステップ ロ
）および ハ）を実施することを特徴とする、Ｘ線マス
クの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3920788A DE3920788C1 (ja) | 1989-06-24 | 1989-06-24 | |
| DE3920788.9 | 1989-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350714A true JPH0350714A (ja) | 1991-03-05 |
| JP2846073B2 JP2846073B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=6383529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16435290A Expired - Lifetime JP2846073B2 (ja) | 1989-06-24 | 1990-06-25 | 薄膜の製造法及びｘ線マスクの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5034972A (ja) |
| JP (1) | JP2846073B2 (ja) |
| DE (1) | DE3920788C1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254375A (en) * | 1991-08-26 | 1993-10-19 | Yen Yung Tsai | Apparatus for controllably separating framed working area from remainder of the membrane |
| DE4238571C1 (de) * | 1992-11-16 | 1994-06-01 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von durch einen Rahmen aufgespannte Membranen |
| US6162564A (en) * | 1997-11-25 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask blank and method of producing mask |
| US9401303B2 (en) | 2014-08-01 | 2016-07-26 | Globalfoundries Inc. | Handler wafer removal by use of sacrificial inert layer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3232499A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4539278A (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-03 | Eaton Corporation | Mask structure for X-ray lithography and method for making same |
| US4677042A (en) * | 1984-11-05 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE3600169A1 (de) * | 1985-01-07 | 1986-07-10 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren |
-
1989
- 1989-06-24 DE DE3920788A patent/DE3920788C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-21 US US07/541,687 patent/US5034972A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-25 JP JP16435290A patent/JP2846073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5034972A (en) | 1991-07-23 |
| DE3920788C1 (ja) | 1990-12-13 |
| JP2846073B2 (ja) | 1999-01-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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