JPH0350723A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0350723A JPH0350723A JP18672989A JP18672989A JPH0350723A JP H0350723 A JPH0350723 A JP H0350723A JP 18672989 A JP18672989 A JP 18672989A JP 18672989 A JP18672989 A JP 18672989A JP H0350723 A JPH0350723 A JP H0350723A
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- JP
- Japan
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- temperature
- view
- plasma etching
- gas
- view port
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置に関し、特にのぞき窓
の構造に関する。
の構造に関する。
従来、半導体装置の製造に用いられるプラズマエツチン
グ装置は、真空容器内を高真空にした後、エツチングガ
スを導入し、真空容器内に相対向して設けられたウェハ
を載置する支持電極と対向電極間に高周波（例えば１３
．５６ＭＨｚ）を印加し、電極間にプラズマを発生させ
、ガスプラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と、活
性ガスによる化学反応によって被エツチング膜をエツチ
ングする様に構成されており、真空容器ののぞき窓（以
下ビューボートという）より、プラズマ放電状態及びエ
ツチング状態を確認していた。
グ装置は、真空容器内を高真空にした後、エツチングガ
スを導入し、真空容器内に相対向して設けられたウェハ
を載置する支持電極と対向電極間に高周波（例えば１３
．５６ＭＨｚ）を印加し、電極間にプラズマを発生させ
、ガスプラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と、活
性ガスによる化学反応によって被エツチング膜をエツチ
ングする様に構成されており、真空容器ののぞき窓（以
下ビューボートという）より、プラズマ放電状態及びエ
ツチング状態を確認していた。
上述した従来のプラズマエツチング装置は、電極及び真
空容器には温調機構が設けられるが、ビューボートには
温調手段が具備されず、温めることができない状態とな
っているので、エツチングのガス及び反応生成物がこの
ビューボートに多量に付着し、それが剥れてごみの発生
源となるという欠点がある。又、ビューボートをエンド
ポイントディテクターの窓として使用する場合において
は、真空容器内のプラズマより得られる発光の信号強度
が、ガス及び反応生成物のビューボートへの大量付着に
より低下し、エンドポイントが不明確になるという欠点
がある。このガス及び反応生成物のビューボートへの多
量付着は、ビューボートの温度が低い為に、表面に吸着
したガス及び反応生成物が離脱できずに残留することに
よるものである。
空容器には温調機構が設けられるが、ビューボートには
温調手段が具備されず、温めることができない状態とな
っているので、エツチングのガス及び反応生成物がこの
ビューボートに多量に付着し、それが剥れてごみの発生
源となるという欠点がある。又、ビューボートをエンド
ポイントディテクターの窓として使用する場合において
は、真空容器内のプラズマより得られる発光の信号強度
が、ガス及び反応生成物のビューボートへの大量付着に
より低下し、エンドポイントが不明確になるという欠点
がある。このガス及び反応生成物のビューボートへの多
量付着は、ビューボートの温度が低い為に、表面に吸着
したガス及び反応生成物が離脱できずに残留することに
よるものである。
上述した従来のプラズマエツチング装置に対し、本発明
は、温調手段付ビューボートを有するという相違点を有
する。従ってビューボートを加熱することが可能となり
、ビューボートへのガス及び反応生成物の付着が防止で
きる。
は、温調手段付ビューボートを有するという相違点を有
する。従ってビューボートを加熱することが可能となり
、ビューボートへのガス及び反応生成物の付着が防止で
きる。
本発明のプラズマエツチング装置は、真空容器内に設け
られた半導体ウェハを載置する支持電極と、該支持電極
に対向して設けられた対向電極と、前記真空容器に設け
られたガス導入口とガス排気口及びのぞき窓とを有する
プラズマエツチング装置において、前記のぞき窓に温調
手段を設けたものである。
られた半導体ウェハを載置する支持電極と、該支持電極
に対向して設けられた対向電極と、前記真空容器に設け
られたガス導入口とガス排気口及びのぞき窓とを有する
プラズマエツチング装置において、前記のぞき窓に温調
手段を設けたものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は本発明の実施例に用いられる温調手段付ビュ
ーボートの正面図及び断面図である。
、（ｂ）は本発明の実施例に用いられる温調手段付ビュ
ーボートの正面図及び断面図である。
真空容器１には絶縁部材６で電気的に絶縁された状態で
一対の電極、すなわち対向電極であるアノード２とウェ
ハ４を載置する支持電極であるカソード３が相対向して
設けられている。カソード３には整合器１４を介して高
周波電源１５が接続されている。また、アノード２は接
地されている。真空容器１内を真空にするためにロータ
リーポンプ１３とメカニカルブースターポンプ１２に直
結されたエツチングガス排気ロアがあり、ゲートバルブ
１０を開けることによって真空容器１内の排気を行う、
又、アノード２及びカソード３は温調器１１によって温
度コントロールが行なわれる。又真空容器１の壁にはヒ
ーター１６が設けられており、真空容器壁の温調を行な
う。なお５は反応ガスを導入するガス導入口である。又
、ビューボート９の温調は第２図に示す様に、ビューボ
ートホルダー１８に保持され石英ガラス１７に埋込まれ
た電熱用合金線１９で行なう。この時、ビューボートの
温度が真空容器壁の温度と同じになるようにビューボー
トの温調を行なう。
一対の電極、すなわち対向電極であるアノード２とウェ
ハ４を載置する支持電極であるカソード３が相対向して
設けられている。カソード３には整合器１４を介して高
周波電源１５が接続されている。また、アノード２は接
地されている。真空容器１内を真空にするためにロータ
リーポンプ１３とメカニカルブースターポンプ１２に直
結されたエツチングガス排気ロアがあり、ゲートバルブ
１０を開けることによって真空容器１内の排気を行う、
又、アノード２及びカソード３は温調器１１によって温
度コントロールが行なわれる。又真空容器１の壁にはヒ
ーター１６が設けられており、真空容器壁の温調を行な
う。なお５は反応ガスを導入するガス導入口である。又
、ビューボート９の温調は第２図に示す様に、ビューボ
ートホルダー１８に保持され石英ガラス１７に埋込まれ
た電熱用合金線１９で行なう。この時、ビューボートの
温度が真空容器壁の温度と同じになるようにビューボー
トの温調を行なう。
このように構成された本実施例によれば、ビューボート
９が真空容器１の壁と同様に加熱されるため、ガス及び
反応生成物の付着は極めて少いものとなる。
９が真空容器１の壁と同様に加熱されるため、ガス及び
反応生成物の付着は極めて少いものとなる。
またビューボートの温調は第３図（ａ）、 （ｂ）に
示すように、密閉された２枚の石英ガラス１７の間に加
熱乾燥空気２０を導入して行なう等の手段を用いてもよ
い。
示すように、密閉された２枚の石英ガラス１７の間に加
熱乾燥空気２０を導入して行なう等の手段を用いてもよ
い。
以上説明したように本発明は、プラズマエツチング装置
ののぞき窓に温調手段を設けることにより、のぞき窓へ
のガス及び反応生成物の付着を防止できる効果がある。
ののぞき窓に温調手段を設けることにより、のぞき窓へ
のガス及び反応生成物の付着を防止できる効果がある。
従って、付着物からのごみの発生がなくなり歩留りを向
上させることが可能となる。又、真空容器内のプラズマ
より得られる発光強度の低下を防止できるので、長期間
に渡りエンドポイントディテクターの再現性の良いエン
ドポイント動作を得ることができる効果がある。
上させることが可能となる。又、真空容器内のプラズマ
より得られる発光強度の低下を防止できるので、長期間
に渡りエンドポイントディテクターの再現性の良いエン
ドポイント動作を得ることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の模式断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）及び第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に
用いられるビューボートの正面図及び断面図である。 １・・・真空容器、２・・・アノード、３・・・カソー
ド、４・・・ウェハ、５・・・ガス導入口、６・・・絶
縁部材、７・・・エツチングガス排気口、８・・・エン
ドポイントディテクター ９・・・ビューボート、１０
・・・ゲートバルブ、１１・・・温調器、１２・・・メ
カニカルブースターポンプ、１３・・・ロータリーポン
プ、１４・・・整合器、１５・・・高周波電源、１６・
・・ヒーター、１７・・・石英ガラス、１８・・・ビュ
ーボートホルダー１つ・・・電熱用合金線、２０・・・
加熱乾燥空気、２１・・・加熱乾燥空気導入口、 ２ ２・・・加熱乾燥空気排気 口。
、（ｂ）及び第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に
用いられるビューボートの正面図及び断面図である。 １・・・真空容器、２・・・アノード、３・・・カソー
ド、４・・・ウェハ、５・・・ガス導入口、６・・・絶
縁部材、７・・・エツチングガス排気口、８・・・エン
ドポイントディテクター ９・・・ビューボート、１０
・・・ゲートバルブ、１１・・・温調器、１２・・・メ
カニカルブースターポンプ、１３・・・ロータリーポン
プ、１４・・・整合器、１５・・・高周波電源、１６・
・・ヒーター、１７・・・石英ガラス、１８・・・ビュ
ーボートホルダー１つ・・・電熱用合金線、２０・・・
加熱乾燥空気、２１・・・加熱乾燥空気導入口、 ２ ２・・・加熱乾燥空気排気 口。
Claims (1)
- 真空容器内に設けられた半導体ウェハを載置する支持電
極と、該支持電極に対向して設けられた対向電極と、前
記真空容器に設けられたガス導入口とガス排気口及びの
ぞき窓とを有するプラズマエッチング装置において、前
記のぞき窓に温調手段を設けたことを特徴とするプラズ
マエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18672989A JPH0350723A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18672989A JPH0350723A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350723A true JPH0350723A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16193618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18672989A Pending JPH0350723A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350723A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2013008755A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113425A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH01239930A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPH029121A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPH02224330A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | エッチング自動終点検出装置の覗窓 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18672989A patent/JPH0350723A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113425A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH01239930A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
| JPH029121A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPH02224330A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | エッチング自動終点検出装置の覗窓 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637237A (en) * | 1994-03-08 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| JP2013008755A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
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