JPH0350748A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0350748A
JPH0350748A JP1185390A JP18539089A JPH0350748A JP H0350748 A JPH0350748 A JP H0350748A JP 1185390 A JP1185390 A JP 1185390A JP 18539089 A JP18539089 A JP 18539089A JP H0350748 A JPH0350748 A JP H0350748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
bare chip
printed wiring
semiconductor device
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1185390A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruhiko Wakabayashi
輝彦 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1185390A priority Critical patent/JPH0350748A/ja
Publication of JPH0350748A publication Critical patent/JPH0350748A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/879Bump connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、特に印刷配線板に直接電気的接続をする半導
体装置に関する。
[従来の技術] 従来技術における半導体装置の構造は第2図に示すよう
な3種類の構造が代表的なものであったすなわち、半導
体集積回路素子(以下ベアチップと称す)の電極と印刷
配線板のリードとの接続方式が、第2図(α)はワイヤ
ポンディング方式によるもので、1はベアチップ、2は
印刷配線板3はワイヤである。第2図(b)はフリップ
チップポンディング方式によるもので、4はバンプであ
る。第2図<c>はテープキャリアにおけるギヤングポ
ンディング方式によるもので、6は金属リードである。
以上のようにペアチップの電極とリードとの接続は例え
ば3f]!類のうちいづれか一つの方式で接続されるも
のであった。
[発明が解決しようとする脈題] しかし、前述の従来技術では、例えばベアチップ実装方
式は、ベアチップ上の電極(以下、パッドと称する)す
べてを同一の方式で実装するという考え方に基づいてお
り、この考え方にたつかぎす、ペアチップの集積度とペ
アチップの実装の集積度の差は開く一方である。すなわ
ち、ベアチップ自身の集積度があがってもその実装に関
する集積度が追随できないため、高密度実装の点から問
題があった。従来の方式別に述べるなら、ワイヤボンデ
ィング方式及びテープキャリア方式においては、パッド
をペアチップ上面の外周部にのみ配dしなげればならな
いので、高密度化に対応してパッドの最小限必要なボン
ディングピッチに限界があることおよびリードの、リー
ドピッチがパッドの高密度化に対応して確保できないの
で、自ずと実装密度に限界がでて(るという課題を有す
る又、クリップチップにおいてはパッド自体は必ずしも
外周に配置せず中央部にまで配置できるので高密度化が
可能であるが印刷配線板の回路パターンピッチ制約の点
から実装密度に限界を生ずるという課題を有する。
そこで本発明は、このような問題を解決しようとするも
のであり、その目的とするところは実装の高密度化に対
応できる半導体装置を提供するところにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の半導体装置は、ペアチップが少な(とも2種類
の方法を用いて印刷配線板に電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
[実施例] 1、第1図(α)は本発明の一実施例におけるテープキ
ャリア方式とワイヤボンディング方式の2つの方法を組
み合わせてペアチップを実装した斜視図を示す。1はペ
アチップ、2はPWB、iはワイヤ、4は金属リード、
5は電極パターン、6はパッドである。
実装の方法は、まずペアチップ1の外周パッド部をギヤ
ングボンディングにて金属リード4と一括ボンディング
し、次に、ペアチップ1の裏面にバックアップ用治具を
セットした後、同チップの内周側バンドとPWB2の電
極をワイヤボンディングしたものである。
なお第1図(b)は(α)の断面図を示す。
第3図は、他の実施例を示す断面図である。片面にバン
プ6>反対面にポンディングパッド7をもつペアチップ
1を、はじめに、バンブ6の面を印刷配線板2に一括ボ
ンディングし、次に、ベア。
チップ1の上面のパッド6をワイヤ3によるワイヤボン
ディングにて印刷配線板2と接続した構造を示す。
[発明の効果] 以上述べた本発明によれば、個々の方式では限界のあっ
た実装密度を2種類以上の異なる実装方式を用いてペア
チップを実装することで、1劇的に実装密度をあげるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(α)は本発明の実施例におけるワイヤボンディ
ング方式とテープキャリア方式を用いてペアチップを実
装した斜視図、第1図(b)はその断面図。 第2図は従来の技術によるベアチップ実装の代表例を示
す断面図であり、(α)はワイヤボンディング方式によ
る半導体装置を示す断面図、(h)は7リツプチツプボ
ンデイング方式による半導体装置を示す断面図、(C)
はテープキャリア方式による半導体装置の断面図。 第3図は本発明の他の実施例を示す断面図。 1・・・・・・・・・ペアチップ 2・・・・・・・・・印刷配線板 3・・・・・・・・・ワイヤ 4・・・・・・・・・金属リード 5・・・・・・・・・電極パターン 6・・・・・・・・・パッド 7 ・・・ ・・・ ・・・ ノ(ン プ8・・・・・
・・・・金属リード 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体集積回路素子が少なくとも2種類の方法を用いて
    印刷配線板に電気的に接続されていることを特徴とする
    半導体装置。
JP1185390A 1989-07-18 1989-07-18 半導体装置 Pending JPH0350748A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1185390A JPH0350748A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1185390A JPH0350748A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0350748A true JPH0350748A (ja) 1991-03-05

Family

ID=16169974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1185390A Pending JPH0350748A (ja) 1989-07-18 1989-07-18 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0350748A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222594A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Nec Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08222594A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Nec Corp 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58101493A (ja) 基板
JPH11297889A (ja) 半導体パッケージおよび実装基板、ならびにこれらを用いた実装方法
US5243497A (en) Chip on board assembly
JP2568748B2 (ja) 半導体装置
JP2001185640A (ja) 表面実装型パッケージ及び電子部品並びに電子部品の製造方法
JP2753696B2 (ja) 半導体パッケージのテープ自動結合構造
JPH03255657A (ja) 混成集積回路装置
JPH0350748A (ja) 半導体装置
JP2008311554A (ja) 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
US6984882B2 (en) Semiconductor device with reduced wiring paths between an array of semiconductor chip parts
JPS58218130A (ja) 混成集積回路
JPS6384128A (ja) 混成集積回路装置
JPS6267828A (ja) 半導体デバイスの実装構造
JPH0451056B2 (ja)
JP3965767B2 (ja) 半導体チップの基板実装構造
JP2505359Y2 (ja) 半導体搭載用基板
JPS61225827A (ja) 半導体素子の実装構造
JP2806816B2 (ja) ボンディング装置およびこれを用いたボンディング方法
JPH0436115Y2 (ja)
JPS60189945A (ja) チツプキヤリア
KR100253379B1 (ko) 쉘케이스 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR100209592B1 (ko) 반도체 패키지
JPS63117437A (ja) 半導体チツプ
JPS6094755A (ja) 半導体装置
JP2000133766A (ja) 半導体装置