JPH0350754A - 半導体チップの分離方法 - Google Patents
半導体チップの分離方法Info
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- JPH0350754A JPH0350754A JP1186716A JP18671689A JPH0350754A JP H0350754 A JPH0350754 A JP H0350754A JP 1186716 A JP1186716 A JP 1186716A JP 18671689 A JP18671689 A JP 18671689A JP H0350754 A JPH0350754 A JP H0350754A
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- Japan
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- thin film
- organic thin
- semiconductor substrate
- semiconductor
- semiconductor chips
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造工程の中で、半導体
基板上に形成された多数の独立した集積回路領域を切断
分離する半導体チップの分離方法に関する。
基板上に形成された多数の独立した集積回路領域を切断
分離する半導体チップの分離方法に関する。
従来、この種の半導体チップの切断分離は有機物薄膜上
に設置された半導体基板に対し、該半導体基板厚の途中
迄ダイシングソー装置のブレードによって切り込みを入
れた後、機械的圧着により残りの半導体基板厚を割った
後、該有機物薄膜を引っ張り拡大することにより同時に
該半導体基板上に多数形成された集積回路領域毎に分割
分離し、半導体装置として製作していた。
に設置された半導体基板に対し、該半導体基板厚の途中
迄ダイシングソー装置のブレードによって切り込みを入
れた後、機械的圧着により残りの半導体基板厚を割った
後、該有機物薄膜を引っ張り拡大することにより同時に
該半導体基板上に多数形成された集積回路領域毎に分割
分離し、半導体装置として製作していた。
上述した従来の半導体チップの分離方法に於ては、機械
的圧着により半導体基板を割るという製法のために、半
導体基板の材料自身の割れ、欠けくずが飛散し、半導体
チップ表面に付着し、表面素子にダメージを与え電気的
機能を損ったり、あるいは品質を劣化させる要因となっ
ていた。また、この不具合を改善するために半導体基板
を機械的圧着等による分離方法ではなく、始から半導体
基板自体をダイシングソー装置のブレードによって完熱
分離することが必要となった。しかしこの方式の欠点と
して、半導体基板を完全分離するために、使用されるブ
レードが下の有機物薄膜上キズをつけることにより、そ
の後の該有機物薄膜用っばり拡大する時に該有機物薄膜
自体が破けたり又は所定の大きさに分離拡大が出来ない
等の問題があった。
的圧着により半導体基板を割るという製法のために、半
導体基板の材料自身の割れ、欠けくずが飛散し、半導体
チップ表面に付着し、表面素子にダメージを与え電気的
機能を損ったり、あるいは品質を劣化させる要因となっ
ていた。また、この不具合を改善するために半導体基板
を機械的圧着等による分離方法ではなく、始から半導体
基板自体をダイシングソー装置のブレードによって完熱
分離することが必要となった。しかしこの方式の欠点と
して、半導体基板を完全分離するために、使用されるブ
レードが下の有機物薄膜上キズをつけることにより、そ
の後の該有機物薄膜用っばり拡大する時に該有機物薄膜
自体が破けたり又は所定の大きさに分離拡大が出来ない
等の問題があった。
本発明の目的は、かかる問題を解消する半導体チップの
分離方法を提供することにある。
分離方法を提供することにある。
本発明の半導体チップの分離方法は、半導体基板上に多
数形成された集積回路領域を半導体チップに分離するた
めに有機物薄膜上に前記半導体基板を接着し、ダイシン
グソーにより前記半導体基板の前記集積回路領域の周囲
を切断し、半導体チップに分離する半導体チップの分離
方法において、前記有機物薄膜が二層薄膜によって構成
され、前記半導体基板側に接着される第１の有機物薄膜
の膜厚途中迄前記ダイシングソーによって切り込みが入
った後に前記二層の有機物薄膜を引張り拡張して前記半
導体チップ相互の間隔を広げて半導体チップに分離する
ことを特徴としている。
数形成された集積回路領域を半導体チップに分離するた
めに有機物薄膜上に前記半導体基板を接着し、ダイシン
グソーにより前記半導体基板の前記集積回路領域の周囲
を切断し、半導体チップに分離する半導体チップの分離
方法において、前記有機物薄膜が二層薄膜によって構成
され、前記半導体基板側に接着される第１の有機物薄膜
の膜厚途中迄前記ダイシングソーによって切り込みが入
った後に前記二層の有機物薄膜を引張り拡張して前記半
導体チップ相互の間隔を広げて半導体チップに分離する
ことを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体チップの分離方法の一実施例を
説明するための半導体基板と有機物薄膜を示す断面図、
第２図は第１図の半導体基板が半導体チップに分離され
た状態を示す断面図である。この半導体チップの分離方
法は、まず、第１図に示すように、多数の半導体集積回
路が形成された半導体基板２の裏面に粘着性のある第１
の有機物薄膜１を貼付ける。次に、第２の有機物薄膜４
をその第１の有機物薄膜１の裏面に貼付ける。
説明するための半導体基板と有機物薄膜を示す断面図、
第２図は第１図の半導体基板が半導体チップに分離され
た状態を示す断面図である。この半導体チップの分離方
法は、まず、第１図に示すように、多数の半導体集積回
路が形成された半導体基板２の裏面に粘着性のある第１
の有機物薄膜１を貼付ける。次に、第２の有機物薄膜４
をその第１の有機物薄膜１の裏面に貼付ける。
次にダイシング装置（図示せず）により、半導体基板２
の半導体集積回路の領域毎に切込みを入れる。このとき
のダイシング装置のブレードの切込量は、第２図に示す
ように、第１の有機物薄膜の膜厚がわずかに残る程度、
例えば、膜厚の１０〜３０％程度に切込む。次に、治具
を使用して第２の有機物薄膜が拡張するように外方に伸
ばすように張力を与える。次に、半導体基板より分離さ
れた半導体チップ３をピックアップ治具により取外す。
の半導体集積回路の領域毎に切込みを入れる。このとき
のダイシング装置のブレードの切込量は、第２図に示す
ように、第１の有機物薄膜の膜厚がわずかに残る程度、
例えば、膜厚の１０〜３０％程度に切込む。次に、治具
を使用して第２の有機物薄膜が拡張するように外方に伸
ばすように張力を与える。次に、半導体基板より分離さ
れた半導体チップ３をピックアップ治具により取外す。
また、第２の有機物薄膜４をあらかじめ貼付けるのでは
なく、第１の有機物薄膜１を半導体基板に貼付けておき
、その後にダイシング装置で第１の有機物薄膜１を切込
み、次に、第２の有機物薄ＷＡ薄膜４を第１の有機物薄
膜に貼付けても良い。
なく、第１の有機物薄膜１を半導体基板に貼付けておき
、その後にダイシング装置で第１の有機物薄膜１を切込
み、次に、第２の有機物薄ＷＡ薄膜４を第１の有機物薄
膜に貼付けても良い。
以上説明したように本発明は、半導体基板に二つの有機
物薄膜を貼付け、半導体基板と半導体基板側に接着され
た有機物薄膜とにダイシング装置のブレードの切込み入
れ、切込みの入っていない有機物薄膜を拡張することに
よって、有機物薄膜が破けることがないとともに半導体
基板が割れることもなく半導体チップを、容易に分離す
ることの出来る半導体チップの分離方法が得られるとｙ
ｚ”）効果がある。
物薄膜を貼付け、半導体基板と半導体基板側に接着され
た有機物薄膜とにダイシング装置のブレードの切込み入
れ、切込みの入っていない有機物薄膜を拡張することに
よって、有機物薄膜が破けることがないとともに半導体
基板が割れることもなく半導体チップを、容易に分離す
ることの出来る半導体チップの分離方法が得られるとｙ
ｚ”）効果がある。
第１図は本発明の半導体チップの分離法の一実施例を説
明するための半導体基板と有機物薄膜を示す断面図、第
２図は第１図の半導体基板が半導体チップに分離された
状態を示す断面図である。 １・・・第１の有機物薄膜、２・・・半導体基板、３・
・・半導体チップ、４・・・第２の有機物薄膜。
明するための半導体基板と有機物薄膜を示す断面図、第
２図は第１図の半導体基板が半導体チップに分離された
状態を示す断面図である。 １・・・第１の有機物薄膜、２・・・半導体基板、３・
・・半導体チップ、４・・・第２の有機物薄膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に多数形成された集積回路領域を半導体チ
ップに分離するために有機物薄膜上に前記半導体基板を
接着し、ダイシングソーにより前記半導体基板の前記集
積回路領域の周囲を切断し、半導体チップに分離する半
導体チップの分離方法において、前記有機物薄膜が二層
薄膜によって構成され、前記半導体基板側に接着される
第１の有機物薄膜の膜厚途中迄前記ダイシングソーによ
って切り込みが入った後に前記二層の有機物薄膜を引張
り拡張して前記半導体チップ相互の間隔を広げて半導体
チップに分離することを特徴とする半導体チップの分離
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186716A JPH0350754A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体チップの分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186716A JPH0350754A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体チップの分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350754A true JPH0350754A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16193388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186716A Pending JPH0350754A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 半導体チップの分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG129280A1 (en) * | 2003-03-11 | 2007-02-26 | Disco Corp | Method of dividing a semiconductor wafer |
| WO2009020245A3 (en) * | 2007-08-07 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | Method of segmenting semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1186716A patent/JPH0350754A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG129280A1 (en) * | 2003-03-11 | 2007-02-26 | Disco Corp | Method of dividing a semiconductor wafer |
| WO2009020245A3 (en) * | 2007-08-07 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | Method of segmenting semiconductor wafer |
| US8110481B2 (en) | 2007-08-07 | 2012-02-07 | Panasonic Corporation | Method of segmenting semiconductor wafer |
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