JPH0351042B2 - - Google Patents
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- JPH0351042B2 JPH0351042B2 JP57088066A JP8806682A JPH0351042B2 JP H0351042 B2 JPH0351042 B2 JP H0351042B2 JP 57088066 A JP57088066 A JP 57088066A JP 8806682 A JP8806682 A JP 8806682A JP H0351042 B2 JPH0351042 B2 JP H0351042B2
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、SHF帯等のマイクロ波の電気信号
を取扱う回路に使用するに適する低損失マイクロ
波誘電材料に関するものである。
を取扱う回路に使用するに適する低損失マイクロ
波誘電材料に関するものである。
低損失誘電材料は、SHF帯の回路において、
誘電体共振器として利用される。すなわち、誘電
体共振器は、フイルタやガン発振器、FET発振
器に共振器として結合され、周波数安定化のため
に不可決の要素であり、放送衛星からの放送や地
上のSHF放送の受信機においても使用されてお
り、特に、そのＱ値を改善することは、受信機の
性能向上に直接に寄与するので強く要望されてい
る。かかる誘電材料の特性としては、10GHz帯に
おいて室温の近傍で比誘電率が25〜40程度、無負
荷Ｑ値が104以上、比誘電率の温度係数は±
10ppm／℃以下が要求される。
誘電体共振器として利用される。すなわち、誘電
体共振器は、フイルタやガン発振器、FET発振
器に共振器として結合され、周波数安定化のため
に不可決の要素であり、放送衛星からの放送や地
上のSHF放送の受信機においても使用されてお
り、特に、そのＱ値を改善することは、受信機の
性能向上に直接に寄与するので強く要望されてい
る。かかる誘電材料の特性としては、10GHz帯に
おいて室温の近傍で比誘電率が25〜40程度、無負
荷Ｑ値が104以上、比誘電率の温度係数は±
10ppm／℃以下が要求される。
従来、このような条件を達成するための材料と
して実用に供されているものには、いわゆるチタ
ン酸バリウム系のBa2Ti9O20やZn0.8Sn0.2Tio4磁
器などがある。しかしながら、これら材料は比誘
電率および比誘電率の温度係数に関しては、上述
の条件を満たすが、Ｑ値は7GHzでそれぞれ7000、
6500程度であつて、上述の３つの条件を同時に満
足する材料は未だ発見されていなかつた。
して実用に供されているものには、いわゆるチタ
ン酸バリウム系のBa2Ti9O20やZn0.8Sn0.2Tio4磁
器などがある。しかしながら、これら材料は比誘
電率および比誘電率の温度係数に関しては、上述
の条件を満たすが、Ｑ値は7GHzでそれぞれ7000、
6500程度であつて、上述の３つの条件を同時に満
足する材料は未だ発見されていなかつた。
衛星放送の実用化を前にして、上述した条件を
満足する低損失誘電材料に対する必要性は、非常
に大なるものがある。
満足する低損失誘電材料に対する必要性は、非常
に大なるものがある。
本発明の目的は、そのような必要性に応えるべ
く、上述した条件を満足し、比誘電率およびその
温度係数が必要とする条件を満足し、しかも104
以上の高いＱ値の得られる新規な低損失マイクロ
波誘電材料を提供することにある。
く、上述した条件を満足し、比誘電率およびその
温度係数が必要とする条件を満足し、しかも104
以上の高いＱ値の得られる新規な低損失マイクロ
波誘電材料を提供することにある。
そのために、本発明は、Ba（Zn1/3Ta2/3）O3お
よびBa（Mg1/3Ta2/3）O3のうちの一種またはそれ
らの混合物を主成分とするペロブスカイト構造酸
化物に少量のMnを添加して燒結してなることを
特徴とする。
よびBa（Mg1/3Ta2/3）O3のうちの一種またはそれ
らの混合物を主成分とするペロブスカイト構造酸
化物に少量のMnを添加して燒結してなることを
特徴とする。
さらに、本発明は、Ba（Zn1/3Ta2/3）O3および
Ba（Mg1/3Ta2/3）O3のうちの一種またはそれらの
混合物にBa（Zn1/3Nb2/3）O3またはBa（Mg1/3
Nb2/3）O3が含まれたペロブスカイト構造酸化物
に少量のMnを添加して燒結してなることを特徴
とする。
Ba（Mg1/3Ta2/3）O3のうちの一種またはそれらの
混合物にBa（Zn1/3Nb2/3）O3またはBa（Mg1/3
Nb2/3）O3が含まれたペロブスカイト構造酸化物
に少量のMnを添加して燒結してなることを特徴
とする。
上述した組成物の焼成時の雰囲気として窒素も
しくは空気を用いるのが好適である。上述した
Mnの添加にあたつては、上述したペロブスカイ
ト構造酸化物に炭酸マンガンまたは酸化マンガン
を添加し、または仮燒結したペロブスカイト構造
酸化物粉末をMnSo4・4H2Oの水溶液で処理する
のが好適である。
しくは空気を用いるのが好適である。上述した
Mnの添加にあたつては、上述したペロブスカイ
ト構造酸化物に炭酸マンガンまたは酸化マンガン
を添加し、または仮燒結したペロブスカイト構造
酸化物粉末をMnSo4・4H2Oの水溶液で処理する
のが好適である。
つぎに、本発明の実施例について説明する。
本発明低損失マイクロ波誘電材料としての磁器
は、仮燒結過程および燒結過程という二つの燒結
過程を経て製造される。
は、仮燒結過程および燒結過程という二つの燒結
過程を経て製造される。
実施例 １
純度0.999以上のBaCO3、ZnO、およびTa2O5
を、１：1/3：1/3のモル比になるように秤量し、
それらを混合しアルコール加え、めのうのボール
を用いて５〜10時間程度ボールミルした後に乾燥
し、磁製のアルミナるつぼで、空気中にて1000℃
〜1400℃の温度で、それぞれ５〜10時間程度仮燒
結した。
を、１：1/3：1/3のモル比になるように秤量し、
それらを混合しアルコール加え、めのうのボール
を用いて５〜10時間程度ボールミルした後に乾燥
し、磁製のアルミナるつぼで、空気中にて1000℃
〜1400℃の温度で、それぞれ５〜10時間程度仮燒
結した。
次に、この仮燒結された粉末を、MnSO4・
4H2Oの水溶液でMn処理した。このMn処理した
酸化物粉体を、再びアルミナるつぼに入れて空気
中でさらに仮燒結した。
4H2Oの水溶液でMn処理した。このMn処理した
酸化物粉体を、再びアルミナるつぼに入れて空気
中でさらに仮燒結した。
次に、第２の過程、すなわちMn処理した粉体
を、加圧成形して燒結した。このようにして、
Ba（Zn1/3Ta2/3）O3を主成分とし、Mnが添加さ
れた磁器を作製した。この磁器は空孔率が２〜３
％以下の緻密な磁器であつた。
を、加圧成形して燒結した。このようにして、
Ba（Zn1/3Ta2/3）O3を主成分とし、Mnが添加さ
れた磁器を作製した。この磁器は空孔率が２〜３
％以下の緻密な磁器であつた。
本実施例によつて得られたBa（Zn1/3Ta2/3）O3
を主成分としMnが添加された磁器は、11.4GHz
において比誘電率29、無負荷Ｑ値は15000、共振
周波数の温度変化率は20〜50℃で±5ppm／℃以
下であつた。
を主成分としMnが添加された磁器は、11.4GHz
において比誘電率29、無負荷Ｑ値は15000、共振
周波数の温度変化率は20〜50℃で±5ppm／℃以
下であつた。
実施例 ２
実施例１と同様の手法でMnを添加した
Ba（Mg1/3Ta2/3）O3磁器を作製した。このとき
はMnを1mol％添加したが、得られた磁器は11G
Hzで比誘電率が26、無負荷Ｑ値は17000で温度特
性は上例とほぼ同様であつた。
はMnを1mol％添加したが、得られた磁器は11G
Hzで比誘電率が26、無負荷Ｑ値は17000で温度特
性は上例とほぼ同様であつた。
実施例 ３
原料としてBaCO3、MgO、ZnO、Ta2O5およ
びNb2O5を用い、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3を主成分と
し、Ba（Zn1/3Nb2/3）O3を含み、さらにMnが添
加されたペロブスカイト磁器を作製した。仮燒結
過程およびMn処理および燒結過程は実施例１と
同様とした。
びNb2O5を用い、Ba（Mg1/3Ta2/3）O3を主成分と
し、Ba（Zn1/3Nb2/3）O3を含み、さらにMnが添
加されたペロブスカイト磁器を作製した。仮燒結
過程およびMn処理および燒結過程は実施例１と
同様とした。
実施例３におけるように、
（１−ｘ）Ba（Zn1/3Nb2/3）O3とxBa（Mg1/3
Ta2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3Ta2/3）O3とxBa
（Mg1/3Ta2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3Ta2/3）O3
とxBa（Mg1/3Nb2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3
Nb2/3）O3とxBa（Zn1/3Ta2/3）O3および （１−ｘ）Ba（Mg1/3Nb2/3）O3とxBa（Mg1/3
Ta2/3）O3、（０ｘ１）の組合せにMnを添加
した誘電材料は、一般に比誘電率の温度係数が小
さく、特にBa（Zn1/3Ta2/3）O3・Ba（Mg1/3Ta2/3）
O3に近い組成をもつ磁器は、誘電率の温度係数
は±5ppm／℃以下となつた。
Ta2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3Ta2/3）O3とxBa
（Mg1/3Ta2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3Ta2/3）O3
とxBa（Mg1/3Nb2/3）O3、（１−ｘ）Ba（Zn1/3
Nb2/3）O3とxBa（Zn1/3Ta2/3）O3および （１−ｘ）Ba（Mg1/3Nb2/3）O3とxBa（Mg1/3
Ta2/3）O3、（０ｘ１）の組合せにMnを添加
した誘電材料は、一般に比誘電率の温度係数が小
さく、特にBa（Zn1/3Ta2/3）O3・Ba（Mg1/3Ta2/3）
O3に近い組成をもつ磁器は、誘電率の温度係数
は±5ppm／℃以下となつた。
また、本発明誘電材料においては、原料に少量
のMnを添加すること、または仮燒結されたペロ
ブスカイト構造酸化物粉末をMn溶液で処理する
ことにより、燒結した際に緻密な磁器とすること
ができ、また高いＱ値の誘電材料を得ることがで
き、このことは本発明における必須の要件であ
る。
のMnを添加すること、または仮燒結されたペロ
ブスカイト構造酸化物粉末をMn溶液で処理する
ことにより、燒結した際に緻密な磁器とすること
ができ、また高いＱ値の誘電材料を得ることがで
き、このことは本発明における必須の要件であ
る。
このようにMn添加等のMn処理をしないと、
高温で長時間燒結させても緻密な磁器を得ること
はできず、Ｑ値は例えば特開昭55−32723号公報
の表中にQu（無負荷Ｑ）として示されているよう
に、また電子通信ハンドブツク（オーム社、昭和
54年３月30日発行）第754〜755ページの「３・
１・３誘電体共振器」の項に記載されているよう
に、6000以下のものしか得ることができない。
高温で長時間燒結させても緻密な磁器を得ること
はできず、Ｑ値は例えば特開昭55−32723号公報
の表中にQu（無負荷Ｑ）として示されているよう
に、また電子通信ハンドブツク（オーム社、昭和
54年３月30日発行）第754〜755ページの「３・
１・３誘電体共振器」の項に記載されているよう
に、6000以下のものしか得ることができない。
従つて酸化物磁器へのMn添加は、磁器の燒結
性を高め、燒結温度を相対的に低下させ、しかも
SHF帯における無負荷Ｑ値を高める効果がある。
性を高め、燒結温度を相対的に低下させ、しかも
SHF帯における無負荷Ｑ値を高める効果がある。
また、Mnの添加量を必要に応じて制御するこ
とにより、誘電率の温度特性を所望の値に微調整
することもできる。
とにより、誘電率の温度特性を所望の値に微調整
することもできる。
以上説明したように、本発明誘電材料は、単結
晶からなるものに比して、その製造過程が簡単で
あり、燒結された磁器は、ダイヤモンドカツター
で必要な形状に加工成形できるので大量生産に適
する。
晶からなるものに比して、その製造過程が簡単で
あり、燒結された磁器は、ダイヤモンドカツター
で必要な形状に加工成形できるので大量生産に適
する。
また、本発明誘電材料は、高温で燒結した磁器
であるから、空気中で極めて安定であり、機械的
強度も十分である。さらに、Mn添加により燒結
温度を低くすることができるので、従来の1600℃
以上の燒結温度を必要とする燒結の場合のよう
に、炉体、容器、発熱体の著しい消耗、焼成中の
不純物の混入や拡散のおそれが多いこと等の欠点
を除去できる。
であるから、空気中で極めて安定であり、機械的
強度も十分である。さらに、Mn添加により燒結
温度を低くすることができるので、従来の1600℃
以上の燒結温度を必要とする燒結の場合のよう
に、炉体、容器、発熱体の著しい消耗、焼成中の
不純物の混入や拡散のおそれが多いこと等の欠点
を除去できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ba（Zn1/3Ta2/3）O3およびBa（Mg1/3Ta2/3）
O3のうちの一種またはそれらの混合物を主成分
とするペロブスカイト構造酸化物に少量のMnを
添加して燒結してなることを特徴とする低損失マ
イクロ波誘電材料。 ２ Ba（Zn1/3Ta2/3）O3およびBa（Mg1/3Ta2/3）
O3のうちの一種またはそれらの混合物にBa
（Zn1/3Nb2/3）O3またはBa（Mg1/3Nb2/3）O3が含
まれたペロブスカイト構造酸化物に少量のMnを
添加して燒結してなることを特徴とする低損失マ
イクロ波誘電材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088066A JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
| US06/495,807 US4487842A (en) | 1982-05-26 | 1983-05-18 | Low-loss microwave dielectric material |
| EP83302887A EP0095338B1 (en) | 1982-05-26 | 1983-05-19 | Low-loss microwave dielectric material |
| DE8383302887T DE3372889D1 (en) | 1982-05-26 | 1983-05-19 | Low-loss microwave dielectric material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088066A JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206003A JPS58206003A (ja) | 1983-12-01 |
| JPH0351042B2 true JPH0351042B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=13932473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57088066A Granted JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4487842A (ja) |
| EP (1) | EP0095338B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58206003A (ja) |
| DE (1) | DE3372889D1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3444340A1 (de) * | 1983-12-06 | 1985-06-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer mikrowellen-frequenzen |
| JPS61107609A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 高周波用誘電体磁器の製造方法 |
| JPS6287453A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| GB2184432B (en) * | 1985-10-18 | 1989-10-18 | Sumitomo Metal Mining Co | Dielectric ceramic |
| US4853199A (en) * | 1987-01-08 | 1989-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing crystalline complex perovskite compounds |
| JPH0625024B2 (ja) * | 1988-11-16 | 1994-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器の製造方法 |
| CA2010558C (en) * | 1989-02-23 | 1994-04-05 | Masaaki Sugiyama | Dielectric ceramic material and method of producing same |
| JPH0625025B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1994-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器の製造方法 |
| US5246898A (en) * | 1990-04-19 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramics |
| JP2974829B2 (ja) * | 1991-07-04 | 1999-11-10 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| US5444027A (en) * | 1994-05-12 | 1995-08-22 | Korea Institute Of Science And Technology | Compositions of high frequency dielectric ceramics |
| EP0838446B1 (en) * | 1996-10-25 | 2007-08-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | A dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| JP3843176B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2006-11-08 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘ | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
| JP3640342B2 (ja) | 2000-05-22 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体組成物の設計方法 |
| US9947861B2 (en) | 2013-08-22 | 2018-04-17 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | High performance microwave dielectric systems and methods |
| CN105016729B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-04-13 | 电子科技大学 | Ca‑Nd‑Ti微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN110407579B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-04-16 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种具有超高q值微波介质材料及其制备方法 |
| CN110483042B (zh) * | 2018-05-15 | 2021-11-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种新型的单相微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN116693288B (zh) * | 2023-06-14 | 2024-11-22 | 超瓷材料技术(深圳)有限公司 | 一种促进复合钙钛矿结构Ba(B′1/3B″2/3)O3微波介质陶瓷B位阳离子有序化的方法 |
| CN116854472B (zh) * | 2023-09-04 | 2023-12-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种微波介质材料及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3464785A (en) * | 1965-12-14 | 1969-09-02 | United Aircraft Corp | Process for producing ordered complex perovskite-type crystals with high dielectric constants |
| US3673119A (en) * | 1968-10-11 | 1972-06-27 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconducting ceramic compositions |
| JPS5923044B2 (ja) * | 1976-11-11 | 1984-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器 |
| US4121941A (en) * | 1977-11-10 | 1978-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Low microwave loss ceramics and method of manufacturing the same |
| JPS5532723A (en) * | 1978-08-23 | 1980-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Dielectric article ceramic material |
| JPS5951088B2 (ja) * | 1978-11-16 | 1984-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器材料 |
| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| JPS6022447B2 (ja) * | 1980-12-10 | 1985-06-01 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体材料 |
| JPS5825068B2 (ja) * | 1980-12-10 | 1983-05-25 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体材料 |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57088066A patent/JPS58206003A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-18 US US06/495,807 patent/US4487842A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-05-19 EP EP83302887A patent/EP0095338B1/en not_active Expired
- 1983-05-19 DE DE8383302887T patent/DE3372889D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0095338A1 (en) | 1983-11-30 |
| US4487842A (en) | 1984-12-11 |
| DE3372889D1 (en) | 1987-09-10 |
| JPS58206003A (ja) | 1983-12-01 |
| EP0095338B1 (en) | 1987-08-05 |
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